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DS1315
幻时钟芯片
特点
实时时钟保持跟踪百分之
秒了，秒，分，小时，天，
月，月和年的日期
调整为个月，少于31天
闰年自动校正，有效期至
2100
无地址空间需要沟通
与RTC
提供非易失控制器的功能
SRAM的备用电池
支持冗余电池连接的
高可靠性应用
±10 ％V
CC
工作范围
+ 3.3V和+ 5V操作
工业（ -45 ° C至+ 85 ° C）工作
温度范围内工作
简易替换为DS1215
描述
在DS1315幻影时钟芯片是一种
一个CMOS计时员和组合
非易失性存储器的控制器。在没有
功率，外部电池保持
计时操作，并提供功率为
CMOS静态RAM 。手表跟踪
百分秒，秒，分，时，
星期，日期，月份和年份信息。最后
该月的一天，自动调整
个月，不到31天，包括跃进
今年校正。手表工作在两个一
格式： 12小时制带AM / PM
指示灯或24小时模式。非易失性
控制器提供一切必要的支持
电路的CMOS RAM中转换为
非易失性存储器。该DS1315可
接口与RAM或ROM无
留下空白的记忆。
销刀豆网络gurations
引脚说明
X1, X2
WE
X1
X2
WE
BAT1
GND
D
Q
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
V
CC1
V
CC0
BAT2
RST
OE
CEI
首席执行官
的ROM / RAM
DS1315
15
14
13
12
11
10
9
BAT1
GND
D
Q
只读存储器/
内存
首席执行官
CEI
OE
RST
DIP （ 300密耳）
引脚配置继续在数据表的末尾。
BAT2
V
CC0
V
CC1
- 32.768 kHz晶振连接
- 写使能
- 电池1输入
- 地面
- 数据输入
- 数据输出
- ROM / RAM模式选择
- 芯片使能输出
- 芯片使能输入
- 输出使能
- 复位
- 电池2输入
- 开关电源输出
- 电源输入
注意：
该器件的一些修订可能偏离称为勘误表公布的规格。任何器件的多个版本
可能同时获得通过不同的销售渠道。欲了解器件勘误表的信息，请点击这里：
www.maxim-ic.com/errata 。
1 21
REV ： 062807
DS1315幻影时钟芯片
订购信息
部分
DS1315-33
DS1315N-33
DS1315N-33+
DS1315-5
DS1315N-5
DS1315N-5+
DS1315E-33
DS1315E-33+
DS1315EN-33
DS1315EN-33+
DS1315EN-33/T&R
DS1315EN-33+T&R
DS1315E-5
DS1315E-5+
DS1315EN-5
DS1315EN-5+
DS1315EN-5/T&R
DS1315EN-5+T&R
DS1315S-33
DS1315S-33+
DS1315SN-33
DS1315SN-33+
DS1315S-5
DS1315S-5+
DS1315SN-5
DS1315SN-5+
DS1315S-5/T&R
DS1315S-5+T&R
温度范围
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
电压
PIN- PACKAGE
(V)
3.3
16 DIP （ 300密耳）
3.3
3.3
5
5
5
3.3
3.3
3.3
3.3
3.3
3.3
5
5
5
5
5
5
3.3
3.3
3.3
3.3
5
5
5
5
5
5
16 DIP （ 300密耳）
16 DIP （ 300密耳）
16 DIP （ 300密耳）
16 DIP （ 300密耳）
16 DIP （ 300密耳）
20 TSSOP （ 4.4毫米）
20 TSSOP （ 4.4毫米）
20 TSSOP （ 4.4毫米）
20 TSSOP （ 4.4毫米）
20 TSSOP /磁带和卷轴
(4.4mm)
20 TSSOP /磁带和卷轴
(4.4mm)
20 TSSOP （ 4.4毫米）
20 TSSOP （ 4.4毫米）
20 TSSOP （ 4.4毫米）
20 TSSOP （ 4.4毫米）
20 TSSOP （ 4.4毫米）
20 TSSOP （ 4.4毫米）
16， （ 300密耳）
16， （ 300密耳）
16， （ 300密耳）
16， （ 300密耳）
16， （ 300密耳）
16， （ 300密耳）
16， （ 300密耳）
16， （ 300密耳）
16， （ 300密耳）
16， （ 300密耳）
顶标*
DS1315 336
DS1315 336
DS1315 336
DS1315 56
DS1315 56
DS1315 56
DS1315E XXXX- 336
DS1315E XXXX- 336 +
DS1315E XXXX- 336
DS1315E XXXX- 336 +
DS1315E XXXX- 336
DS1315E XXXX- 336 +
DS1315E XXXX- 56
DS1315E XXXX- 56 +
DS1315E XXXX- 56
DS1315E XXXX- 56 +
DS1315E XXXX- 56
DS1315E XXXX- 56 +
DS1315 336
DS1315 + 336
DS1315 336
DS1315 + 336
DS1315 56
DS1315 + 56
DS1315S 56
DS1315S 56 +
DS1315S 56 +
DS1315S 56 +
+
表示无铅/符合RoHS标准的器件。
*
位于顶标随时随地A“ + ”符号表示无铅设备。一个“N”位于的顶部的右下角的角落
封装是指工业设备。的“xxxx ”可以是字符的任意组合。
2 22
DS1315幻影时钟芯片
手术
与时间片的通信是通过模式识别64比特的串行比特流的建立
这必须通过执行64个连续的写周期包含在数据中的适当的数据相匹配
（D）中。前识别的64位模式的发生的所有访问都经由定向到存储器
芯片使能输出引脚（
首席执行官
).
识别建立后，接下来的64读或写周期或者提取或更新数据的时间
芯片和
首席执行官
在这段时间内保持为高，禁用所连接的存储器。
数据传输和从计时功能来完成与下控制一个串行比特流
芯片使能输入端（
CEI
） ，输出使能（
OE
） ，以及写使能（
WE
） 。最初，一个读周期使用
CEI
和
OE
该时间片的控制通过移动指针到开始模式的识别序列
在64位比较寄存器的第一位。接着， 64个连续的写周期所使用的执行
CEI
和
WE
控制时间芯片。这些64个写周期仅是用来将访问该时间片。
当执行第一个写周期，它是相对于位的64位比较寄存器1 。如果匹配
被发现时，指针递增到比较寄存器的下一个位置，等待下一个写
周期。如果未找到匹配项，指针不前进，所有后续的写周期将被忽略。如果
一个读周期发生在模式识别过程中的任何时间，在本序列是中止和
比较寄存器指针复位。模式识别继续，总共64个写周期作为
以上，直到在比较寄存器中的所有位已匹配说明。 （此位图案示
在图2中） 。用正确的匹配的64位，则时间片被使能和数据传输或从
计时寄存器可以继续。接下来的64个周期将导致时钟芯片，要么接收数据
D或发送数据到Q ，取决于水平
OE
销或
WE
引脚。循环到其它位置
外面的存储器块可以被交织
CEI
周期，而无需中断模式识别
序或数据传输序列的时间片。
一个标准的32.768kHz的石英晶体可以通过引脚1和引脚2（ X1，X2）被直接连接到DS1315 。
在选用晶体应该有一个指定的负载电容（C
L
） 6 pF左右。欲了解更多信息
在挑选水晶和水晶布局的考虑，详情请咨询应用笔记58 ， “水晶
注意事项与达拉斯实时时钟。 “
4 22
DS1315幻影时钟芯片
图2.时间片比较寄存器定义
注意：
以十六进制表示的模式识别为C5 ，3A ，A 3 ，5C， C 5 ，3A ，A 3 ，5C 。这种模式的优势是
小心重复，造成无意的进入到幽灵时间片都小于1的10
19
.
5 22
QQ：2881677436 复制
