添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13751165337  13692101218
51电子网联系电话:13751165337
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符D型号页 > 首字符D的型号第52页 > DG444_07
DG444 , DG445
数据表
2007年6月4日
FN3586.10
单片四路SPST CMOS模拟
开关
该DG444和DG445单片CMOS模拟开关
是滴,在替代流行的DG211和DG212
系列设备。它们包括四个独立的单刀
单掷(SPST)模拟开关和TTL和CMOS
兼容数字输入。
这些开关具有导通电阻较低模拟( <85Ω )
和更快的开关时间(t
ON
<250ns )相比, DG211
和DG212 。电荷注入已减少,从而简化了
采样保持应用程序。
在DG444系列的改进成为可能
通过使用高电压硅栅工艺。外延
层防止与旧的CMOS关联的闩锁
技术。在44V最大电压范围允许
±20V
当操作信号
±20V
动力
耗材。
这四个开关双边,难分伯仲交流或
双向信号。导通电阻变化与
模拟信号是相当低的过
±5V
模拟输入范围。
在DG444和DG445开关是相同的,
只是在不同的选择逻辑的极性。
特点
导通电阻(最大值) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 85Ω
低功耗(P
D
) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <35μW
快速开关动作
- t
ON
(最大值) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为250ns
- t
关闭
(最大值, DG444 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 140ns
低电荷注入
从DG211 , DG212升级
TTL , CMOS兼容
单或分离电源操作
无铅加退火有(符合RoHS )
应用
音频切换
电池供电系统
数据采集
高可靠性系统
采样和保持电路
通讯系统
引脚
DG444 , DG445
( 16 LD SOIC , TSSOP )
顶视图
IN
1
D
1
S
1
V-
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
16
2
15 D
2
14 S
2
13 V+
12 V
L
11 S
3
10 D
3
9
3
自动测试设备
订购信息
部分
DG444DY*
DG444DYZ*
(注)
DG444DVZ*
(注)
DG445DY*
DG445DYZ*
(注)
DG445DVZ*
(注)
部分
温度。
打标范围大( ° C)
DG444DY
DG444DYZ
DG444DVZ
DG445DY
DG445DYZ
DG445DVZ
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
(无铅)
PKG 。
DWG 。 #
M16.15
M16.15
16 Ld的TSSOP M16.173
(无铅)
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
(无铅)
M16.15
M16.15
16 Ld的TSSOP M16.173
(无铅)
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。
注: Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅
材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 %雾
锡板终止完成,这是符合RoHS标准,兼容
既锡铅和无铅焊接操作。 Intersil无铅
产品分类MSL在无铅峰值回流温度下
达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲1999年, 2003年, 2004年, 2006年, 2007年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
DG444 , DG445
功能图
DG444
S
1
IN
1
D
1
S
2
IN
2
D
2
S
3
IN
3
D
3
S
4
IN
4
D
4
如图所示为逻辑“1”输入开关
IN
4
D
4
IN
3
D
3
S
4
IN
2
D
2
S
3
IN
1
D
1
S
2
引脚说明
DG445
S
1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
符号
IN
1
D
1
S
1
V-
GND
S
4
D
4
IN
4
IN
3
D
3
S
3
V
L
V+
S
2
D
2
IN
2
描述
开关1逻辑控制
漏极(输出)端子用于开关1
来源(输入)端子用于开关1
负电源端
接地端子(逻辑公用)
来源(输入)端子用于开关4
漏极(输出)端子用于开关4
用于开关4逻辑控制
用于开关3逻辑控制
漏极(输出)端子用于开关3
来源(输入)端子用于开关3
逻辑参考电压
正电源端(基板)
来源(输入)端子用于开关2
漏极(输出)端子用于开关2
用于开关2逻辑控制
真值表
逻辑
0
1
V
IN
≤0.8V
≥2.4V
DG444
ON
关闭
DG445
13
14
关闭
15
ON
16
原理图
V+
(一个通道
)
S
V
L
V-
V+
IN
X
D
GND
V-
2
FN3586.10
2007年6月4日
DG444 , DG445
绝对最大额定值
V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44V
GND到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25V
V
L
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ( GND - 0.3V )至( V + ) + 0.3V
数字输入,V
S
, V
D
(注1 ) 。 。 。 。 。 ( V-) -2V至(V +) + 2V或30mA时
以先到为准科幻RST
连续电流(任何终端) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
峰值电流, S或D(脉冲为1ms , 10 %占空比最大) 。 。百毫安
热信息
热电阻(典型,注2 )
θ
JA
( ° C / W)
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
115
TSSOP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
150
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 + 150°C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
无铅回流焊曲线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。下面。见链接
http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp
工作条件
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±20V
(最大)
输入低电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.8V (最大)
输入高电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.4V (最小值)
输入上升和下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
≤20ns
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项:
在S 1信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
2.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
电气规格
测试条件: V + = + 15V ,V = -15V ,V
L
= 5V, V
IN
= 2.4V , 0.8V (注3 ) ,
除非另有说明
测试条件
温度
(°C)
(注4 ) (注5 ) (注4 )
典型值
最大
单位
参数
动态特性
导通时间,t
ON
关断时间,t
关闭
DG444
DG445
电荷注入, Q(图2)
关的分离(图4)
串扰(通道 - 通道)
(图3)
源关断电容,C
S( OFF)
流掉电容,C
D(关闭)
通道导通电容,
C
D(上)
+ C
秒(上)
数字输入特性
输入电流V
IN
低,我
IL
输入电流V
IN
高,我
IH
模拟开关特性
模拟信号范围,V
类似物
漏极 - 源极导通电阻,
r
DS ( ON)
来源OFF漏电流,I
S( OFF)
R
L
= 1kΩ的,C
L
= 35pF ,V
S
=
±10V
(图1)
+25
-
120
250
ns
+25
+25
C
L
= 1nF的,V
G
= 0V ,R
G
= 0Ω
R
L
= 50Ω, C
L
= 5pF的, F = 1MHz的
+25
+25
+25
F = 1MHz时, V
类似物
= 0 (图5)
+25
+25
+25
-
-
-
-
-
-
-
-
110
160
-1
60
-100
4
4
16
140
210
-
-
-
-
-
-
ns
ns
pC
dB
dB
pF
pF
pF
V
IN
根据测试= 0.8V ,
所有其他= 2.4V
V
IN
根据测试= 2.4V ,
所有其他= 0.8V
-0.5
-0.5
-0.00001
0.00001
0.5
0.5
μA
μA
I
S
= 10毫安,V
D
=
±8.5V,
V+ = 13.5V, V- = -13.5V
V+ = 16.5V, V- = -16.5V,
V
D
=
±15.5V,
V
S
= 15.5V
+25
+25
+85
-15
-
-
-0.5
-5
-
50
-
0.01
-
15
85
100
0.5
5
V
Ω
Ω
nA
nA
3
FN3586.10
2007年6月4日
DG444 , DG445
电气规格
测试条件: V + = + 15V ,V = -15V ,V
L
= 5V, V
IN
= 2.4V , 0.8V (注3 ) ,
除非另有说明
(续)
测试条件
V+ = 16.5V, V- = -16.5V,
V
D
=
±15.5V,
V
S
= 15.5V
温度
(°C)
+25
+85
通道泄漏电流,
I
D(上)
+ I
秒(上)
电源特性
正电源电流, I +
V+ = 16.5V, V- = -16.5V,
V
IN
= 0V或5V
+25
+85
+25
+85
逻辑电源电流,I
L
+25
+85
接地电流,I
GND
+25
+85
-
-
-1
-5
-
-
-1
-5
0.001
-
-0.0001
-
0.001
-
-0.001
-
1
5
-
-
1
5
-
-
μA
μA
μA
μA
μA
μA
μA
μA
V+ = 16.5V, V- = -16.5V,
V
S
= V
D
, =
±15.5V
+25
+85
(注4 ) (注5 ) (注4 )
典型值
最大
-0.5
-5
-0.5
-10
0.01
-
0.08
-
0.5
5
0.5
10
单位
nA
nA
nA
nA
参数
流掉泄漏电流,
I
D(关闭)
负电源电流,I-
电气规格
(单电源)测试条件: V + = 12V ,V = 0V ,V
L
= 5V, V
IN
= 2.4V , 0.8V (注3 ) ,
除非另有说明
测试条件
温度
(°C)
(注4 )
(注5 )
典型值
(注4 )
最大
单位
参数
动态特性
导通时间,t
ON
关断时间,t
关闭
电荷注入, Q(图2)
模拟开关特性
模拟信号范围,V
类似物
漏源导通电阻,R
DS ( ON)
R
L
= 1kΩ的,C
L
= 35pF ,V
S
= 8V
(图1)
C
L
= 1nF的,V
G
= 6V ,R
G
= 0Ω
+25
+25
+25
-
-
-
300
60
2
450
200
-
ns
ns
pC
I
S
= -10mA ,V
D
= 3V, 8V
V+ = 10.8V, V
L
= 5.25V
+25
0
-
-
-
100
-
12
160
200
V
Ω
Ω
电源特性
正电源电流, I +
V+ = 13.2V, V
IN
= 0V或5V ,
V
L
= 5.25V
+25
+25
逻辑电源电流,I
L
+25
接地电流,I
GND
+25
注意事项:
3. V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
4.代数惯例,由此最负的值是最小值和最积极的最大值,用于该数据片。
5.典型值是辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
-
-
-1
-5
-
-
-1
-5
0.001
-
-0.0001
-
0.001
-
-0.001
-
1
5
-
-
1
5
-
-
μA
μA
μA
μA
μA
μA
μA
μA
负电源电流,I-
4
FN3586.10
2007年6月4日
DG444 , DG445
测试电路和波形
V
O
与交换机上的稳态输出。通过开关电容馈通可能导致尖峰的前缘和后
输出波形的边沿。
3V
逻辑
输入
50%
0V
t
关闭
开关
输入V
S
V
O
开关
产量
0V
t
ON
80%
80%
逻辑
输入
3V
t
r
& LT ;为20ns
t
f
& LT ;为20ns
开关
输入
S
1
IN
1
R
L
GND
V-
C
L
V
L
V+
D
1
V
O
注:逻辑输入波形被反转为具有开关
相反的逻辑感。
图1A 。测量点
重复试验为频道2 , 3和4 。
对于负载情况,请参阅特定网络阳离子。
L
包括网络连接和夹具
杂散电容。
R
L
-
V
O
=
V
S
-----------------------------------
R
L
+
r
DS
(
ON
)
图1B 。测试电路
图1.开关时间
开关
产量
ΔV
O
V
L
R
G
V+
D
1
V
O
IN
X
(DG444)
关闭
ON
关闭
V
G
V-
C
L
IN
X
(DG445)
关闭
ON
Q =
ΔV
O
乘C
L
V
IN
= 3V
关闭
GND
图2A 。测量点
图2.电荷注入
图2B 。测试电路
V+
C
+15V
C
V+
+15V
信号
发电机为10dBm
V
S
V
D
50Ω
信号
发电机为10dBm
V
S
0V, 2.4V
IN
1
IN
2
0V, 2.4V
V
D
R
L
IN
X
0V, 2.4V
分析仪
R
L
V
D
C
GND
V-
-15V
NC
分析仪
GND
V-
C
-15V
图3.串扰测试电路
图4.断开隔离测试电路
5
FN3586.10
2007年6月4日
查看更多DG444_07PDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    DG444_07
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

查询更多DG444_07供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!