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高速缓冲存储器电池备份管理IC
概述
该DS2731是一个完整的电源管理解决方案
模块化备份应用程序。它是非常适合于2.5V
和下面存储器总线的电压，与输入电压
12V 。该DS2731包含一个内部MOSFET开关
功率级的充电单节锂化学BAT-
tery 。它有一个完全集成的同步降压稳压器
能够提供高速缓存备份支持高达450毫安
帘布层的电流，以及必要的逻辑和功率器件
处理切换从系统电源电池
力。在DS2731的充电方法
恒定电流/恒定电压（ CCCV ） 。输出电压
可从3.8V使用一个电阻与被强制平仓，以4.6V
分频器。充电结束时的充电电流
低于满充电电流的5％ 。切换到电池
由内部比较器发起并发生备份
自动当感测到的输入电压下降到低于
2.93V 。在轻负载时，内部的2MHz同步降压
稳压器工作在突发模式下的最高效率。
在DS2731中所有不必要的功能被禁用
而供给滞留电流到高速缓冲存储器，并
该IC进入低电流休眠模式时，
电池电压低于用户设定的阈值。
在DS2731跟踪充电状态和信号的
通过漏极开路I / O引脚的用户可用于对
驱动LED 。
o
锂化学CCCV充电器
o
可调式调节充电至1.5A DC
o
可调节充电电压从3.8V到4.6V
o
外部和内部热保护
o
安全定时器二次终止
o
LED指示灯输出
o
检测到停电和交换机之间
正常电源和备用电池
o
可调节的高效率同步降压
稳压器，具有跳跃模式在轻负载
o
在放电模式下的低功耗
特点
DS2731
订购信息
部分
DS2731E+
温度范围
-20 ° C至+ 70°C
PIN的
包
28 TSSOP -EP *
（ 173密耳）
28 TSSOP -EP *
（ 173密耳）
顶部
标志
DS2731
DS2731
DS2731E + T&R -20 ° C至+ 70°C
应用
RAID控制器卡
+表示
一个铅（Pb ） - 免费/符合RoHS标准的封装。
T&R =卷带包装。
* EP
=裸焊盘。
典型工作电路
顶视图
+
余量
STMR
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
* EP
引脚配置
28
27
26
25
24
23
22
THM
RSET
BATT +
SNS
CGATE
VIN
CHG1
CHG2
CGND1
CGND2
收费
故障
DONE
ENC
DS2731
主
动力
开关模式
充电器
（ CCCV ）
CTG
AUX
CBIAS
锂
BACKUP
CELL
VREG
CIN
LX
SGND
AGND
REF
LO_BATT
DS2731
21
20
19
18
17
16
15
辅
动力
动力
管理
开关
调节器
缓存
内存
DIV
ENS
TSSOP
*裸露焊盘
________________________________________________________________
Maxim Integrated Products版权所有
1
对于定价，交付和订购信息，请联系马克西姆直接在1-888-629-4642 ，
或访问Maxim的网站www.maxim-ic.com 。
高速缓冲存储器电池备份管理IC
DS2731
绝对最大额定值
电压范围在CGND1 ， CGND2和
SGND引脚相对于AGND ...........................- 0.3V至+ 0.3V
电压范围的VIN ， CHG1 ， CHG2和
CGATE引脚相对于AGND ........................- 0.3V至+ 16.0V
在电压范围充电，故障和
DONE引脚相对于AGND .........................- 0.3V至+ 16.0V
在任何其他引脚相电压范围
到AGND ................................................ ............- 0.3V至+ 6.0V
连续漏电流在VIN ， CGND1 ，
CGND2 ， SGND ， AUX ， BATT +销...................... 750毫安每
连续源电流的CHG1 ，
CHG2 ，和LX引脚............................................. 0.750毫安每
连续灌电流的充电，
故障和DONE引脚......................................... 20毫安每
工作温度范围...........................- 40 ° C至+ 85°C
存储温度范围.............................- 55 ° C至+ 125°C
焊接温度...........................请参考IPC / JEDEC
J- STD- 020规范。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件，操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
(V
IN
= + 10.8V至13.2V + ，T
A
= -20℃至+ 70℃，除非另有说明。典型值是在T
A
= +25°C.)
参数
充电器电源电压
辅助电源电压
电池电压
LED的电压
（ CHARGE ，故障， DONE引脚）
充电使能（ ENC ）
切换使能（ ENS ）
符号
V
IN
V
AUX
V
BATT +
（注1 ）
（注1 ）
操作输入（注1 ）
（注1 ）
（注1,2 ）
（注1,2 ）
条件
民
10.8
3.0
2.7
0
0
0
典型值
12.0
最大
13.2
3.6
5.0
V
IN
+ 0.3
V
CBIAS
+ 0.3
V
CIN
+ 0.3
单位
V
V
V
V
V
V
充电器电路电气特性
(V
IN
= + 10.8V至13.2V + ，T
A
= -20℃至+ 70℃，除非另有说明。典型值是在T
A
= +25°C.)
参数
充电器闲置电源电流
符号
I
IN
I
AUX
稳压电源电流
（注3）
I
BATT +
I
睡觉
C
BIAS
稳压器
C
门
稳压器
C
门
电容
C
BIAS
电容
启用逻辑低电平（ ENS ， ENC ）
启用逻辑高电平（ ENS ， ENC ）
V
CBIAS
V
CGATE
C
CGATE
C
CBIAS
V
IL
V
IH
（注4,5）
（注5,6）
1.6
2.2
0.22
0.4
条件
V
IN
＆ GT ; V
UVLO - CHG
（注3） ，
V
AUX
= 3.3V
V
AUX
＆ GT ; V
旅
V
AUX
＆ LT ; V
旅
,
V
BATT +
＆ GT ; V
睡觉
,
ENS
残
V
IN
= V
AUX
= 0.0V,
V
BATT +
＆ LT ; V
睡觉
3.3
V
IN
- 4.0
民
典型值
1
100
100
150
10
最大
单位
mA
A
A
A
V
V
F
F
V
V
2
_______________________________________________________________________________________
高速缓冲存储器电池备份管理IC
充电器电路电气特性（续）
(V
IN
= + 10.8V至13.2V + ，T
A
= -20℃至+ 70℃，除非另有说明。典型值是在T
A
= +25°C.)
参数
启用迟滞（ ENS ， ENC ）
下拉电阻（ ENS ， ENC ）
LED输出低
（ CHARGE ， DONE ， FAULT）
故障LED闪光率
预充电
门槛
预处理滞后
预充电电流
前提超时
充电电流范围
（ RSET电阻）
充电电流精度
过电流钳表
恒定电压阈值
范围
保证金端子泄漏
恒压充电
准确性
充电终止（ CV ）电流
充电启动阈值
安全超时范围
（ STMR电阻）
安全超时错误
符号
V
HYS- EN
R
PD
V
OL
f
故障
V
民
V
HYS
I
PRE
t
PRE
I
CHG
I
ERR- CHG
充电电流由RSET决定
（注7 ）
RSET电阻容差0.1 ％
R
SNS
= 0.050
充电电压裕度来确定
引脚电压
V
BATT +
＆ LT ; V
民
（注1 ）
2.55
50
5.0
27
0.5
5.0
-5
1.7
3.6
-2
-25.0
4.0
94
1
22
-5
0.83
8
I
CHG
= 1A ，V
IN
= 10.8V
（注10 ）
I
CHG
= 1A ，V
IN
= 10.8V （注10 ）
V
IN
= 0V, V
CV
= 4.2V ， ENC = 0V
V
IN
= 12V, V
CV
= 4.2V ， ENC = 0V
没有充电电流，V
IN
= 12V
使用典型的应用程序组件
-2
1
1.00
10
0.4
0.15
10
10
+2
A
A
A
ms
5.0
95
4.2
I
OL
= 10毫安
4
2.60
100
10.0
30
15.0
33
1.5
1.6
+5
2.5
4.6
+2
+25.0
6.0
96
10
220
+5
2.70
条件
民
35
100
典型值
70
200
最大
140
300
1.0
单位
mV
k
V
Hz
V
mV
％的
I
CHG
民
A
k
%
A
V
A
mV
％的
I
CHG
％的
V
CV
hr
k
%
s
V
DS2731
I
过电流
RSET = 0或R
SNS
= 0
V
CV
I
泄漏
V
ERR- CV
I
终止
在恒压模式
V
DELTA
t
安全
（注8）
t
ERR-安全
R
STMR
= 22,000
电池充电器的开关周期
t
SW- CHG
满载（ 1.5A ） （注9 ）
充电器欠压锁定
高边MOSFET
On
-
阻力
V
UVLO - CHG
R
DSON -CP
低边MOSFET的导通阻抗R
DSON -CN
充电FET的反向漏
（ CHG1 ， CHG2 ）
充电FET的正向漏电
（ CHG1 ， CHG2 ）
SNS漏电流
启动时间
I
反向
I
前锋
I
LKG - CHG
t
开始
_______________________________________________________________________________________
3
高速缓冲存储器电池备份管理IC
DS2731
降压调节器和电源MUX电路电气特性
(V
IN
= + 10.8V至13.2V + ，T
A
= -20℃至+ 70℃，除非另有说明。典型值是在T
A
= +25°C.)
参数
辅助输入跳闸阈值
辅助输入迟滞之旅
多路延时
突破前先
电源多路复用器导通电阻
稳压器输出电压范围
DIV引脚电压范围
稳压器的输出电压误差
低电池电压阈值
调整范围
LO_BATT引脚电压范围
V
REF
电压
V
REF
负载范围
（等效电阻）
降压稳压器的开关周期
调节欠压锁定
开关电源
pFET的阻力
开关电源
nFET的阻力
nFET的阈值关
开关电源
pFET的过流限制
开关电源
nFET的过流限制
VREG引脚漏
符号
V
旅
V
HYS- TRIP
t
休息
R
MUX
V
REG
V
DIV
V
ERR- REG
V
睡觉
V
LO- BATT
V
REF
I
REF
t
SW-注册
V
UVLO - REG
R
DSON -SP
R
DSON -SN
I
OFFN
I
OCLP
I
OCLN
I
LKG - REG
I
OUT
= 100mAdc
BATT + = 3.0V ，V
AUX
= 0 （注10）
I
OUT
= 100mAdc
BATT + = 3.0V ，V
AUX
= 0 （注10）
0
500
400
-2
40
750
650
50毫安（注9 ）
2.45
（注9 ）
（注1 ）
相对于实际的V
旅
切换到/从BATT +
（注11 ）
I
MUX
= 10毫安， BATT +或AUX源
用V设置
DIV
引脚电压
0.9
0.4
-5.0
2.75
0.6
1.220
1.22
1000
500
2.70
0.6
1.2
80
1000
900
+2
mA
mA
mA
A
1.238
0.6
条件
民
2.85
50
典型值
2.93
80
最大
3.00
150
1
1.0
2.5
V
REF
+5.0
3.00
V
REF
1.260
126.00
10
V
V
%
V
V
V
A
k
ns
V
单位
V
mV
s
4
_______________________________________________________________________________________
高速缓冲存储器电池备份管理IC
热保护特性
(V
IN
= + 10.8V至13.2V + ，T
A
= -20℃至+ 70℃，除非另有说明。典型值是在T
A
= +25°C.)
参数
THM引脚内部上拉电压
THM端子内部电阻
热敏电阻过热
暂停阈值
热敏电阻过热
简历门槛
热敏电阻欠温
暂停阈值
热敏电阻欠温
简历门槛
热敏电阻禁用
门槛
内部过热
保护阈值CCCV
内部过热
迟滞CCCV
内部过热
保护阈值MEM_REG
内部过热
迟滞MEM_REG
充电电流降低
门槛
充电电流降低比率
符号
V
THM
R
THM
V
热
V
HYS- HOT
V
冷
V
HYS-冷
V
关闭
T
PROTECT_CCCV
条件
（注1 ， 12 ）
THM到C
BIAS
（注12 ）
（备注12 ，13）
（备注12 ，13）
（备注12 ，13）
（备注12 ，13）
（备注12 ，13）
（注12 ）
0.02
0.727
9.8
0.271
民
典型值
V
CBIAS
10.0
0.283
0.3055
0.739
0.714
0.03
160
-20
165
-15
100
133
0.04
0.748
10.2
0.292
最大
单位
V
k
比
V
CBIAS
比
V
CBIAS
比
V
CBIAS
比
V
CBIAS
比
V
CBIAS
°C
°C
°C
°C
°C
毫安/°C的
DS2731
T
HYS- PROTECT_CCCV
（注12 ）
T
PROTECT_MEMREG
T
HYS- PROTECT_
MEMREG
（注14 ）
（注14 ）
（注12 ）
（注12 ）
T
呛
T
CHOKE_RATE
注1 ：
注2 ：
注3 ：
注4 ：
注5 ：
注6 ：
注7 ：
注8 ：
注9 ：
注10 ：
注11 ：
注12 ：
注13 ：
注14 ：
所有电压参考AGND引脚。
V
CIN
等同于V
AUX
当V
AUX
大于V
旅
，否则V
CIN
等同于V
BATT +
.
供应电流规范仅适用于IC的电流消耗，并且不包括电池充电电流，负载供给电流
租金，或任何外部电阻偏置电流。唯一的例外是我
睡觉
，这确实占了完整的电流消耗
在低电池电压条件下的锂电池。
低于这个电压时，输入被保证是逻辑低。
从3.3V工作±10 ％ 。
上面这个电压时，输入被保证是逻辑高。
假设的R
SNS
0.05Ω的值。
相对于V
CV
.
使用推荐的应用电路。
包括完整的封装电阻。
本说明书是从的上升沿或下降沿
ENS
到开关的闭合，并且包括任何延迟是在
内部逻辑和FET驱动器。
适用于充电器。
这个值乘用C
BIAS
电压来获得价值伏特。电阻分压网络的建议值是10kΩ ± 1 ％ 。
公差包括内部电阻和C的公差
BIAS
电压。
适用于内存降压稳压器。
_______________________________________________________________________________________
5
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