DG441B ， DG442B
Vishay Siliconix公司
改进的四路SPST CMOS模拟开关
描述
该DG441B ， DG442B是单片四路模拟开关
旨在提供高速，模拟低误差切换
和音频信号。该DG441B ， DG442B均升级
原来DG441 ， DG442 。
导通电阻的精梳低（45
,
典型值）的高速
(t
ON
120纳秒，典型值） ，在DG441B ， DG442B是理想
适用于数据采集，通信系统，
自动测试设备或医疗器械。
电荷注入已被最小化对漏极使用
采样和保持电路。
该DG441B ， DG442B使用的Vishay Siliconix的内置
高电压硅栅工艺。外延层防止
闭锁。
当打开时，每个开关导电性能相同，在两个
方向，并阻止输入电压供电水平
当关闭。
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
低导通电阻： 45
低功耗： 1毫瓦
快速开关动作 - T的
ON
： 120纳秒
低电荷注入 - 问：
-
1 PC
TTL / CMOS兼容的逻辑
单电源供电能力
符合RoHS指令2002/95 / EC
好处
更少的信号误差和失真
降低电源要求
更快的吞吐量
减少错误基座
简单接口
音频切换
数据采集
采样保持电路
通信系统
自动测试设备
医疗器械
应用
功能框图及引脚配置
DG441B
双列直插式和SOIC
IN
1
D
1
S
1
V-
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
IN
2
D
2
S
2
V+
NC
S
3
D
3
IN
3
真值表
逻辑
0
1
逻辑"0"
0.8
V
逻辑"1"
2.4
V
DG441B
ON
关闭
DG442B
关闭
ON
订购信息
温度范围
包
产品型号
DG441BDJ
16引脚塑料DIP
12
11
10
9
S
2
V+
NC
S
3
DG441B
QFN16 （4 ×4mm）所
D
1
IN
1
IN
2
D
2
16
15
14
13
DG441BDJ-E3
DG442BDJ
DG442BDJ-E3
DG441BDY-E3
S
1
V-
GND
S
4
1
2
3
4
- 40 ° C至85°C
16引脚窄体SOIC
DG441BDY-T1-E3
DG442BDY-E3
DG442BDY-T1-E3
DG441BDN-T1-E4
DG442BDN-T1-E4
5
6
7
8
16引脚QFN 4 ×4mm的
D
4
IN
4
IN
3
D
3
顶视图
文档编号： 72625
S11-1350 -REV 。 B， 04 -JUL- 11
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本文如有更改，恕不另行通知。
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绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
V +至V-
GND到V-
数字
输入
a
, V
S
, V
D
符号
极限
44
25
（ V - ） - 2 （V +） + 2或
30毫安，以先到为准
30
100
- 65 125
16引脚塑料DIP
c
功率耗散（包）
b
16引脚窄体SOIC
d
QFN-16
d
470
900
850
mW
V
单位
连续电流（任何终端）
当前，S或D（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比）
储存温度
mA
°C
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6毫瓦/°C， 75°C以上。
。减免12毫瓦/°C， 75°C以上。
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特定网络阳离子
a
（双电源）
测试条件
除非另有说明
V+ = 15 V, V- = - 15 V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
导通电阻之间的匹配
频道
e
关机漏电流
I
D（关闭）
通道泄漏电流
数字控制
输入电压低
输入电压高
输入电流V
IN
低
输入电流V
IN
高
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
e
关断隔离
e
串扰（通道 - 通道）
SourceOff电容
e
流掉电容
e
通道导通电容
e
电源
正电源电流
负电源电流
t
ON
t
关闭
Q
OIRR
X
TALK
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
R
L
= 1千欧，C
L
= 35 pF的
V
S
= 10 V ，见图2
C
L
= 1 nF的，V
S
= 0 V
V
根
= 0 V ，R
根
= 0
R
L
= 50
, C
L
= 15 pF的
V
S
= 1 V
RMS
， F = 100千赫
F = 1 MHz的
V
S
= V
D
= 0 V ， F = 1兆赫
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
满
房间
满
120
65
-1
- 90
- 95
4
4
16
1
5
-1
-5
pF
220
120
ns
pC
dB
V
INL
V
INH
I
INL
I
INH
V
IN
根据测试= 0.8 V
所有其他= 2.4 V
V
IN
根据测试= 2.4 V
所有其他= 0.8 V
满
满
满
满
2.4
-1
-1
- 0.01
0.01
1
A
1
0.8
V
I
D（上）
V
S
= V
D
= ± 14 V
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
I
S（ OFF）
V
D
= ± 14 V, V
S
= ± 14 V
I
S
= 1毫安， V
D
= ± 10 V
I
S
= 1毫安， V
D
= ± 10 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
e
温度。
b
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
- 0.5
-5
- 0.5
-5
- 0.5
- 10
范围
- 40 ° C至85°C
分钟。
d
- 15
45
2
± 0.01
± 0.01
± 0.02
典型值。
c
马克斯。
d
15
80
95
4
5
0.5
5
0.5
5
0.5
10
单位
V
nA
I+
I-
V+ = 16.5 V, V- = - 16.5 V
V
IN
= 0或5伏
A
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特定网络阳离子
（单电源）
测试条件
除非另有说明
V+ = 12 V, V- = 0 V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
电源
正电源电流
负电源电流
I+
V
IN
= 0 V或5 V
I-
房间
满
房间
满
1
5
-1
-5
A
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
t
ON
t
关闭
Q
I
S
= 1毫安， V
D
= 3 V, 8 V
V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
e
温度。
b
满
房间
满
房间
房间
房间
范围
- 40 ° C至85°C
分钟。
d
0
90
典型值。
c
马克斯。
d
12
160
200
300
200
单位
V
R
L
= 1千欧，C
L
= 35 pF的，V
S
= 8 V
见图2
C
L
= 1 nF的，V
根
= 6 V ，R
根
= 0
120
60
4
ns
pC
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25 ° C，完全=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
原理图
（典型频道）
V+
5 V REG
IN
X
水平
SHIFT /
DRIVE
V-
V+
GND
V-
图1 。
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典型特征
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
110
100
90
RDS（ON） （ Ω ）
100
90
80
±5V
V+ = 15 V
V- = - 15 V
R DS （ ON） （ Ω ）
80
70
60
50
40
30
20
10
- 20 - 16 - 12
-8
-4
0
4
70
60
50
40
30
± 20 V
125 °C
85 °C
25 °C
- 55 °C
± 10 V
± 15 V
20
10
8
12
16
20
0
- 15
- 10
-5
V
D
0
5
10
15
V
D
- 漏极电压（ V）
漏极电压（ V）
R
DS （ ON）
与V
D
与电源电压
250
225
200
RDS（ON） （ Ω ）
175
7V
10 V
100
75
50
25
0
0
2
4
6
8
10
12
V
D
- 漏极电压（ V）
14
16
12 V
15 V
V+ = 5 V
R
DS （ ON）
与V
D
和温度
2.5
2
125
VTH （V）的
150
1.5
1
0.5
0
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V +正电源（ V）
R
DS （ ON）
与V
D
与单电源电压
80
60
40
I S ， I D - 电流（ PA）
20
0
- 20
- 40
- 60
- 80
- 20
I
S（ OFF）
, I
D（关闭）
V+ = 22 V
V- = - 22 V
T
A
= 25 °C
输入开关阈值与电源电压
1 nA的
V+ = 15 V
V- = - 15 V
V
S,
V
D
= ± 14 V
I
S
, I
D
- 当前
100 pA的
I
S（ OFF）
, I
D（关闭）
10 pA的
I
D（上）
- 15
- 10
5
0
5
温度（℃）
10
15
20
1 pA的
- 55
- 35
- 15
5
25
45
65
温度（℃）
85
105 125
漏电流与模拟电压
漏电流与温度的关系
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S11-1350 -REV 。 B， 04 -JUL- 11
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