DG3001 ， DG3002 ， DG3003
Vishay Siliconix公司
低电压分 SPST / SPDT MICRO FOOT
模拟开关
描述
该DG3001 ， DG3002 ， DG3003是单片CMOS
模拟开关专为高性能开关
模拟信号。该DG3001和DG3002被配置为
单刀单掷开关，而DG3003是一个单刀双掷开关。
结合低功耗，高速（T
ON
： 47纳秒，T
关闭
： 40纳秒） ，
低导通电阻（R
DS （ ON）
: 0.4
）和小的物理尺寸
（ MICRO FOOT ， 6焊球） ，该DG3001 ， DG3002 ， DG3003
非常适合于便携式和电池供电应用
需要高性能和高效利用的电路板空间。
该DG3001 ， DG3002 ， DG3003是采用Vishay
Siliconix公司的低电压JI2过程。外延层
防止闭锁。
每个开关导电性能相同，在两个方向的时候
上，并达到了电源时平整块。
作为一个坚定的合作伙伴，社区和
环境，日前，Vishay Siliconix公司生产该产品
与无铅（Pb ） - 免费的设备终端。微
FOOT模拟开关产品的制造与锡/
银/铜（锡/银/铜）器件端子，引线
铅（Pb ） - 免费“ -E1 ”后缀被用作一个代号。
特点
MICRO FOOT芯片级封装
（1.0 x 1.5毫米）
低电压工作（ 1.8 V至5.5 V ）
低导通电阻 - R的
DS （ ON）
: 0.4
快速开关 - 吨
ON
： 47纳秒，T
关闭
： 40纳秒
低功耗
?? TTL / CMOS兼容
好处
降低功耗
简单的逻辑接口
精度高
减少电路板空间
应用
手机
通信系统
便携式测试设备
电池供电系统
PCM卡
PDA
功能框图及引脚配置
MICRO FOOT （ 6焊球）
DG3001DB
V+
IN
GND
B1
B2
B3
A1
A2
A3
MICRO FOOT （ 6焊球）
DG3002DB
NO
（消息来源
1
)
COM
COM
V+
IN
GND
B1
B2
B3
A1
A2
A3
MICRO FOOT （ 6焊球）
DG3003DB
NC
（消息来源
1
)
COM
COM
V+
IN
GND
B1
B2
B3
A1
A2
A3
NO
（消息来源
1
)
COM
NC （图片来源
2
)
顶视图
顶视图
顶视图
XXX
3003
XXX
3002
A1定位器
A1定位器
A1定位器
器件标识： 3001
XXX =日期/批次追踪码
真值表
逻辑
0
1
NC
ON
关闭
NO
关闭
ON
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 72505
S11-0303 -REV 。 D， 28 -FEB- 11
www.vishay.com
1
XXX
3001
器件标识： 3002
XXX =日期/批次追踪码
器件标识： 3003
XXX =日期/批次追踪码
DG3001 ， DG3002 ， DG3003
Vishay Siliconix公司
订购信息
TEMP 。 RANGE
包
MICRO FOOT ： 6 / -Bump 3× 2 ， 0.5毫米间距， 165微米NOM 。凸点高度
（共晶，锡铅）
- 40 ° C至85°C
MICRO FOOT ： 6焊球3× 2 ， 0.5毫米间距，
238微米NOM 。凹凸高度（铅（Pb ） - 免费，锡/银/铜）
产品型号
DG3001DB-T1
DG3002DB-T1
DG3003DB-T1
DG3001DB-T1-E1
DG3002DB-T1-E1
DG3003DB-T1-E1
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
参考V +至GND
IN， COM ，NC ， NO
a
连续电流（ NO ， NC ， COM ）
峰值电流（脉冲为1毫秒， 10 ％占空比）
储存温度
包装回流条件
b
IR /对流
（D后缀）
VPR （共晶）
（共晶）
（铅（Pb ） - 免费）
极限
- 0.3 + 6
- 0.3 （V + + 0.3V）
± 250
± 400
- 65 150
215
220
250
°C
单位
V
mA
250
mW
6焊球， 2 ×3 MICRO FOOT
d
功率耗散（包）
c
注意事项：
一。在NC ，NO或COM或IN超过V +信号将通过内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。参阅IPC / JEDEC （ J-STD- 020A ）
。所有的颠簸焊接到印刷电路板。
。减免3.1毫瓦/°C， 70°C以上。
www.vishay.com
2
文档编号： 72505
S11-0303 -REV 。 D， 28 -FEB- 11
DG3001 ， DG3002 ， DG3003
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
(V+ = 3.0 V)
测试条件
否则，除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
d
R
ON
平整度
d
R
ON
MATCH
d
关机漏电流
f
符号
V
NO
, V
NC
,
V
COM
R
ON
R
ON
平整度
R
ON
I
否（关）
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
信道泄漏电流
f
数字控制
输入高电压
输入低电压
输入电容
d
输入电流
d
动态特性
开启时间
d
打开-O FF时间
d
范围
- 40 ° C至85°C
温度。
a
分钟。
b
典型值。
c
马克斯。
b
单位
V+ = 3 V, ± 10 %,V
IN
= 0.4 V或2.0 V
e
满
V+ = 2.7 V, V
COM
= 1.5 V
I
NO
, I
NC
= 10毫安
V+ = 2.7 V, V
COM
= 0 V +
I
NO
, I
NC
= 10毫安
房间
满
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
满
V
IN
= 0或V +的
满
房间
满
房间
满
房间
C
L
= 1 nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
figure
3
R
L
= 50, C
L
= 5 PF， F = 100千赫
房间
房间
房间
房间
房间
0
0.4
0.1
0.01
-1
- 10
-1
- 10
-1
- 10
2
V+
0.7
0.8
0.2
0.05
1
10
1
10
1
10
V
V+ = 3.3 V,
V
NO
, V
NC
= 0.3 V/3 V, V
COM
= 3 V/0.3 V
V+ = 3.3 V, V
NO
, V
NC
= V
COM
= 0.3 V/3 V
nA
I
COM（上）
V
INH
V
INL
C
in
I
INL
还是我
INH
0.4
5
-1
47
40
1
6
64
- 70
- 70
100
340
2.7
3.3
0.1
1.0
1
71
59
V
pF
A
t
ON
t
关闭
t
d
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
否（关）
C
NC （关闭）
C
ON
V+
I+
V
IN
= 0或V +的
V
NO
或V
NC
= 2.0 V ，R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
图1和图2
ns
先开后合式时间
d
电荷注入
d
关断隔离
d
相声
d
N
O
, N
C
关断电容
d
通道上
电源
正电源电压范围
电容
d
pC
dB
V
IN
= 0或V + ， F = 1兆赫
pF
负电源电流
V
A
注意事项：
一。房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。通过设计保证，也不进行生产测试。
。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
文档编号： 72505
S11-0303 -REV 。 D， 28 -FEB- 11
www.vishay.com
3
DG3001 ， DG3002 ， DG3003
Vishay Siliconix公司
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
2.00
1.75
R
ON
- 导通电阻（ Ω ）
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
V+ = 3.3 V
0.00
0
1
2
3
4
5
0.00
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V+ = 1.8 V
V+ = 2 V
V+ = 2.7 V
V+ = 3 V
V+ = 5 V
吨= 25°C
I
S
= 10毫安
R
ON
- 导通电阻（ Ω ）
0.80
1.00
V+
= 3
V
I
S
= 10毫安
0.60
85
°C
25 °C
0.40
- 40 °C
0.20
V
COM
- 模拟电压（ V）
V
COM
- 模拟
电压
(V)
R
ON
与V
COM
与电源电压
10 000
百毫安
10毫安
V+ = 5 V
V
IN
= 0 V
100
I + - 电源电流（ A）
1毫安
100 A
10 A
1 A
100 nA的
10 nA的
1
- 60
1 nA的
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
10
R
ON
与模拟电压和温度
1000
I + - 电源电流（ NA）
V+ = 5 V
10
100
1K
10 K
100 K
1M
10 M
温度（℃）
输入开关频率（Hz ）
电源电流与温度的关系
电源电流与输入开关频率
1000
V+ = 5 V
I
COM（上）
漏电流（PA ）
250
200
150
V+ = 5 V
I
COM （关闭）
漏电流（PA ）
100
50
0
- 50
- 100
- 150
- 200
I
COM（上）
100
I
否（关）
, I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
I
否（关）
, I
NC （关闭）
10
- 60
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
- 250
0
1
2
3
4
5
V
COM
, V
NO
, V
NC
- 模拟电压（ V）
温度（℃）
漏电流与温度的关系
www.vishay.com
4
泄漏与模拟电压
文档编号： 72505
S11-0303 -REV 。 D， 28 -FEB- 11
DG3001 ， DG3002 ， DG3003
Vishay Siliconix公司
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
100
90
t
ON
, t
关闭
- 开关时间（纳秒）
80
70
60
50
40
t
关闭
V+ = 3 V
30
20
10
0
- 60
t
关闭
V+ = 2 V
t
ON
V+ = 3 V
t
ON
V+ = 2 V
损失， OIRR ，X
TALK
（ dB）的
10
0
损失
- 10
- 20
- 30
- 40
- 50
- 60
- 70
- 80
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
- 90
100 K
V+ = 3 V
R
L
= 50
X
TALK
OIRR
1M
10 M
频率（Hz）
100 M
1G
温度（℃）
开关时间与温度和电源
电压
3.0
250
200
V
T
- 开关阈值（ V）
2.5
Q - 电荷注入（ PC）
150
100
50
0
- 50
- 100
- 150
- 200
0.0
0
1
2
3
4
5
6
7
V + - 电源电压（ V）
- 250
0
插入损耗，关断隔离，串扰与
频率
V+ = 5 V
2.0
1.5
V+ = 2 V
V+ = 3 V
1.0
0.5
1
2
3
4
5
V
COM
- 模拟电压（ V）
开关阈值与电源电压
电荷注入与模拟电压
文档编号： 72505
S11-0303 -REV 。 D， 28 -FEB- 11
www.vishay.com
5
DG3001/3002/3003
Vishay Siliconix公司
低电压分欧姆SPST / SPDT MICRO FOOT
模拟开关
描述
该DG3001 / DG3002 / DG3003是单片CMOS
模拟开关专为高性能开关
模拟信号。该DG3001和DG3002被配置为
单刀单掷开关，而DG3003是一个单刀双掷开关。
结合低功耗，高速（T
ON
： 47纳秒，T
关闭
： 40纳秒） ，
低导通电阻（R
DS （ ON）
: 0.4
Ω
）和小的物理尺寸
（ MICRO FOOT ， 6焊球） ，对DG3001 / DG3002 / DG3003是
非常适用于便携式和电池供电的需要的应用
高性能和高效利用的电路板空间。
该DG3001 / DG3002 / DG3003是采用Vishay
Siliconix公司的低电压JI2过程。外延层
防止闭锁。
每个开关导电性能相同，在两个方向的时候
上，并达到了电源时平整块。
作为一个坚定的合作伙伴，社区和
环境，日前，Vishay Siliconix公司生产该产品
与无铅（Pb ） - 免费的设备终端。微
FOOT模拟开关产品的制造与锡/
银/铜（锡/银/铜）器件端子，引线
铅（Pb ） - 免费“ -E1 ”后缀被用作一个代号。
特点
MICRO FOOT芯片级封装
（1.0× 1.5 mm）的
低电压工作（ 1.8 V至5.5 V ）
低导通电阻 - R的
DS （ ON）
: 0.4
Ω
快速开关 - 吨
ON
： 47纳秒，T
关闭
： 40纳秒
低功耗
?? TTL / CMOS兼容
无铅
可用的
RoHS指令*
柔顺
好处
降低功耗
简单的逻辑接口
精度高
减少电路板空间
应用
手机
通信系统
便携式测试设备
电池供电系统
PCM卡
PDA
功能框图及引脚配置
MICRO FOOT （ 6焊球）
DG3001DB
V+
IN
GND
B1
B2
B3
A1
A2
A3
MICRO FOOT （ 6焊球）
DG3002DB
NO
（消息来源
1
)
COM
COM
V+
IN
GND
B1
B2
B3
A1
A2
A3
MICRO FOOT （ 6焊球）
DG3003DB
NC
（消息来源
1
)
COM
COM
V+
IN
GND
B1
B2
B3
A1
A2
A3
NO
（消息来源
1
)
COM
NC （图片来源
2
)
顶视图
顶视图
顶视图
XXX
3003
XXX
3002
A1定位器
A1定位器
A1定位器
器件标识： 3001
XXX =日期/批次追踪码
真值表
逻辑
0
1
NC
ON
关闭
NO
关闭
ON
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 72505
S- 70853 -REV 。 C， 30 -APR- 07
www.vishay.com
1
XXX
3001
器件标识： 3002
XXX =日期/批次追踪码
器件标识： 3003
XXX =日期/批次追踪码
DG3001/3002/3003
Vishay Siliconix公司
订购信息
温度范围
包
MICRO FOOT ： 6 / -Bump 3× 2 ， 0.5毫米间距， 165微米NOM 。凸点高度
（共晶，锡铅）
- 4085 ℃下
MICRO FOOT ： 6焊球3× 2 ， 0.5毫米间距，
238微米NOM 。凹凸高度（铅（Pb ） - 免费，锡/银/铜）
产品型号
DG3001DB-T1
DG3002DB-T1
DG3003DB-T1
DG3001DB-T1-E1
DG3002DB-T1-E1
DG3003DB-T1-E1
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
参考V +至GND
IN， COM ，NC ， NO
a
连续电流（ NO ， NC ， COM ）
峰值电流（脉冲为1毫秒， 10 ％占空比）
储存温度
包装回流条件
IR /对流
功率耗散（包）
c
注意事项：
一。在NC ，NO或COM或IN超过V +信号将通过内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。参阅IPC / JEDEC （ J-STD- 020A ）
。所有的颠簸焊接到印刷电路板。
。减免3.1毫瓦/°C， 70°C以上。
b
极限
- 0.3 + 6
- 0.3 （V + + 0.3V）
± 250
± 400
- 65 150
215
220
250
250
（D后缀）
VPR （共晶）
（共晶）
（铅（Pb ） - 免费）
6焊球， 2 ×3 MICRO FOOT
d
单位
V
mA
°C
mW
www.vishay.com
2
文档编号： 72505
S- 70853 -REV 。 C， 30 -APR- 07
DG3001/3002/3003
Vishay Siliconix公司
规格（ V + = 3.0 V）
测试条件
否则，除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
d
r
ON
平整度
d
r
ON
MATCH
d
关机漏电流
f
符号
V
NO
, V
NC
,
V
COM
r
ON
r
ON
平整度
Δr
ON
I
否（关）
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
信道泄漏电流
f
数字控制
输入高电压
输入低电压
输入电容
d
输入电流
d
动态特性
开启时间
d
打开-O FF时间
d
先开后合式时间
d
电荷注入
d
关断隔离
d
相声
d
N
O
, N
C
关断电容
d
通道导通电容
d
电源
正电源电压范围
负电源电流
V
INH
V
INL
C
in
I
INL
还是我
INH
V
IN
= 0或V +的
满
满
满
满
房间
满
房间
满
房间
C
L
= 1 nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
Ω,
科幻gure 3
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 100千赫
房间
房间
房间
房间
房间
2.7
V
IN
= 0或V +的
0.1
1
-1
47
40
6
64
- 70
- 70
100
340
3.3
1.0
V
A
pC
dB
5
1
71
59
ns
2
0.4
V
pF
A
I
COM（上）
V+ = 2.7 V, V
COM
= 1.5 V
I
NO
, I
NC
= 10毫安
V+ = 2.7 V, V
COM
= 0 V +
I
NO
, I
NC
= 10毫安
V+ = 3 V, ± 10 %,V
IN
= 0.4 V或2.0 V
e
温度
a
民
b
范围
- 4085 ℃下
典型值
c
最大
b
单位
满
房间
满
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
0
0.4
0.1
0.01
-1
- 10
-1
- 10
-1
- 10
V+
0.7
0.8
0.2
0.05
1
10
1
10
1
10
V
Ω
V+ = 3.3 V,
V
NO
, V
NC
= 0.3 V/3 V, V
COM
= 3 V/0.3 V
V+ = 3.3 V, V
NO
, V
NC
= V
COM
= 0.3 V/3 V
nA
t
ON
t
关闭
t
d
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
否（关）
C
NC （关闭）
C
ON
V+
I+
V
NO
或V
NC
= 2.0 V ，R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
图1和图2
V
IN
= 0或V + ， F = 1兆赫
pF
注意事项：
一。房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。通过设计保证，也不进行生产测试。
。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
文档编号： 72505
S- 70853 -REV 。 C， 30 -APR- 07
www.vishay.com
3
DG3001/3002/3003
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
2.00
1.75
r
ON
- 导通电阻（ Ω ）
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
V+ = 3.3 V
0.00
0
1
2
3
4
5
0.00
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V+ = 1.8 V
V+ = 2 V
V+ = 2.7 V
V+ = 3 V
V+ = 5 V
吨= 25°C
I
S
= 10毫安
r
ON
- 导通电阻（ Ω ）
0.80
1.00
V+ =
3
V
I
S
= 10毫安
0.60
85
°C
25 °C
0.40
- 40 °C
0.20
V
COM
- 模拟电压（ V）
V
COM
- 模拟电压（ V）
r
ON
与V
COM
与电源电压
10000
百毫安
10毫安
V+ = 5 V
V
IN
= 0 V
100
I + - 电源电流（ A）
1毫安
100 A
10 A
1 A
100 nA的
10 nA的
1
- 60
1 nA的
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
10
r
ON
与模拟电压和温度
1000
I + - 电源电流（ NA）
V+ = 5 V
10
100
1K
10 K
100 K
1M
10 M
温度（℃）
输入开关频率（Hz ）
电源电流与温度的关系
电源电流与输入开关频率
1000
V+ = 5 V
I
COM（上）
漏电流（PA ）
250
200
150
V+ = 5 V
I
COM （关闭）
漏电流（PA ）
100
50
0
- 50
- 100
- 150
- 200
I
COM（上）
100
I
否（关）
, I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
I
否（关）
, I
NC （关闭）
10
- 60
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
- 250
0
1
2
3
4
5
V
COM
, V
NO
, V
NC
- 模拟电压（ V）
温度（℃）
漏电流与温度的关系
www.vishay.com
4
泄漏与模拟电压
文档编号： 72505
S- 70853 -REV 。 C， 30 -APR- 07
DG3001/3002/3003
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
100
t
ON
, t
关闭
- 开关时间（纳秒）
90
损失， OIRR ，X
TALK
（ dB）的
80
70
60
50
40
t
关闭
V+ = 3 V
30
20
10
0
- 60
t
关闭
V+ = 2 V
t
ON
V+ = 3 V
t
ON
V+ = 2 V
10
0
损失
- 10
- 20
- 30
- 40
- 50
- 60
- 70
- 80
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
- 90
100 K
V+ = 3 V
R
L
= 50
Ω
X
TALK
OIRR
1M
10 M
频率（Hz）
100 M
1G
温度（℃）
开关时间与温度和电源
电压
3.0
250
200
V
T
- 开关阈值（ V）
2.5
Q - 电荷注入（ PC）
150
100
50
0
- 50
- 100
- 150
- 200
0.0
0
1
2
3
4
5
6
7
V + - 电源电压（ V）
- 250
0
插入损耗，关断隔离，串扰与
频率
V+ = 5 V
2.0
1.5
V+ = 2 V
V+ = 3 V
1.0
0.5
1
2
3
4
5
V
COM
- 模拟电压（ V）
开关阈值与电源电压
电荷注入与模拟电压
文档编号： 72505
S- 70853 -REV 。 C， 30 -APR- 07
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5
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