DG411L/412L/413L

Vishay Siliconix公司

精密单片四路SPST

低电压CMOS模拟开关

特点

D

2.7-至12 V单电源或

"3-

THRU

"6-Dual

供应

D

导通电阻-R

DS （ ON）

: 17

W

D

快速切换-T

ON

： 19纳秒

—t

关闭

： 12纳秒

D

TTL ， CMOS兼容

D

低漏： 0.25 nA的

D

2000 -V ESD保护

好处

D

D

D

D

最宽的动态范围

低信号误差和失真

先开后合式开关动作

简单接口

应用

D

D

D

D

D

D

D

高精度自动测试设备

精密数据采集

通信系统

电池供电系统

电脑外设

SDSL ， DSLAM

音频和视频信号路由

描述

该DG411L / 412L / 413L是低电压引脚对引脚

兼容配套设备的行业标准

DG411 / 413分之412以更高的性能

结合高速（T

ON

： 19毫微秒），平

DS （ ON）

在模拟

信号范围（5-

W),

最小的插入损失（ -3 dB的280兆赫） ，

和优异的串扰和关断隔离性能（ -50分贝

在50兆赫） ，所述DG411L / 412L / 413L理想地适合于音频

视频信号切换。

该DG411L和DG412L响应相反的控制逻辑

在真值表所示。该DG413L有两个常开

和两个常闭开关。

采用BiCMOS晶片加工技术使

DG411L / 412L / 413L对单，双电源供电。

单电源电压范围为3 12 V ，而双电源供电

操作建议带

"3

to

"6

V.

功能框图及引脚配置

DG411L/412L

TSSOP和SOIC

IN

1

D

1

S

1

V-

GND

S

4

D

4

IN

4

1

2

3

4

5

6

7

8

顶视图

16

15

14

13

12

11

10

9

IN

2

D

2

S

2

V+

V

L

S

3

D

3

IN

3

真值表

逻辑

0

1

DG411L

ON

关闭

逻辑“0”的

v

0.8 V

逻辑“1”的

w

2.4 V

DG412L

关闭

ON

文档编号： 71397

S- 21452 -REV 。 C， 26 - 8 - 02

www.vishay.com

1

DG411L/412L/413L

Vishay Siliconix公司

功能框图及引脚配置

DG413L

双列直插式和SOIC

IN

1

D

1

S

1

V-

GND

S

4

D

4

IN

4

1

2

3

4

5

6

7

8

顶视图

16

15

14

13

12

11

10

9

IN

2

D

2

S

2

V+

V

L

S

3

D

3

IN

3

真值表

逻辑

0

1

SW

1

， SW

4

关闭

ON

SW

2

， SW

3

ON

关闭

逻辑“0”的

v

0.8 V

逻辑“1”的

w

2.4 V

订购信息

温度范围

DG411L/412L

DG411LDY

16引脚窄体SOIC

-40到85°C

_

16引脚TSSOP

DG412LDY

DG411LDQ

DG412LDQ

包

产品型号

DG413L

-40到85°C

_

16引脚窄体SOIC

16引脚TSSOP

DG413LDY

DG413LDQ

绝对最大额定值

V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 13 V

GND到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7 V

V

L

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （ GND -0.3 V）至（V + ） +0.3 V

I A

,

N

功率耗散（包）

b

16引脚TSSOP

c

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦

16引脚SOIC

d

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 650毫瓦

注意事项：

一。在S信号

X

, D

X

或IN

X

超过V +或V-将由内部钳位

二极管。限正向二极管电流最大额定电流。

B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。

。减免7毫瓦/ _C上述75°C

。减免7.6毫瓦/ _C上述75°C

V

S

, V

D

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3到（V + 0.3 V）或30 mA时，以先到者为准

连续电流（任何终端） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安

峰值电流， S或D（脉冲1毫秒， 10 ％占空比） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安

储存温度

（ DQ ， DY后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到125_C

www.vishay.com

2

文档编号： 71397

S- 21452 -REV 。 C， 26 - 8 - 02

DG411L/412L/413L

Vishay Siliconix公司

特定网络阳离子

a

（单电源12V）

测试条件除非指定

参数

模拟开关

模拟信号范围

e

漏源

导通电阻

关闭

漏电流

通道上

漏电流

V

类似物

r

DS （ ON）

I

S（ OFF）

V

D

= 1/11 V, V

S

= 11/1 V

I

D（关闭）

I

D（上）

V

S

= V

D

= 11/1 V

V+ = 10.8 V, V- = 0 V

I

S

= 10 mA时， V

D

= 2/9 V

满

房间

满

房间

满

房间

满

房间

满

-1

-10

-1

-10

-1

-10

0

20

12

30

40

1

10

1

10

1

10

nA

V

W

范围

-40到85°C

符号

V+ = 12 V, V- = 0 V

V

L

= 5 V, V

IN

= 2.4 V, 0.8 V

f

温度

b

民

d

典型值

c

最大

d

单位

数字控制

输入电流，V

IN

低

输入电流，V

IN

高

I

IL

I

IH

V

IN

根据测试= 0.8 V

V

IN

根据测试= 2.4 V

满

满

-1

-1

0.01

1

1

mA

m

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

突破前先延时

电荷注入

e

关断隔离

e

通道到通道的串扰

e

源关断电容

e

流掉电容

e

通道导通电容

e

t

ON

t

关闭

t

D

Q

OIRR

X

TALK

C

S（ OFF）

C

D（关闭）

C

D（上）

F = 1 MHz的

R

L

= 300

W

, C

L

= 35 pF的

V

S

= 5 V见图2

DG413L只，V

S

= 5 V

R

L

= 300

W

, C

L

= 35 pF的

V

g

= 0 V ，R

g

= 0

W

, C

L

- 10 nF的

R

L

= 50

W

, C

L

= 5 pF的，

F = 1 MHz的

房间

满

房间

满

房间

房间

房间

房间

房间

房间

房间

20

12

50

60

30

40

ns

6

5

71

95

5

6

15

pF

dB

pC

电源

正电源电流

负电源电流

逻辑电源电流

地电流

I+

I-

V

IN

= 0或5伏

I

L

I

GND

房间

满

房间

满

房间

满

房间

满

-1

-5

-1

-5

0.02

-0.002

0.002

-0.002

1

5

mA

m

1

5

特定网络阳离子

a

（双电源

"5

V)

测试条件除非指定

参数

模拟开关

模拟信号范围

e

漏源

导通电阻

关闭

漏电流

g

通道上

漏电流

g

文档编号： 71397

S- 21452 -REV 。 C， 26 - 8 - 02

V

类似物

r

DS （ ON）

I

S（ OFF）

I

D（关闭）

I

D（上）

V+ = 5 V, V- = -5 V

I

S

= 10 mA时， V

D

=

"3.5

V

V+ = 5.5 V, V- = -5.5 V

V

D

=

"4.5

V, V

S

=

#4.5

V

V+ = 5.5 V, V- = -5.5 V

V

S

= V

D

=

"4.5

V

满

房间

满

房间

满

房间

满

房间

满

-1

-10

-1

-10

-1

-10

-5

20

5

33

40

1

10

1

10

1

10

www.vishay.com

nA

V

W

范围

-40到85°C

符号

V+ = 5 V, V- = -5 V

V

L

= 5 V, V

IN

= 2.4 V, 0.8 V

f

温度

b

民

d

典型值

c

最大

d

单位

3

DG411L/412L/413L

Vishay Siliconix公司

特定网络阳离子

a

（双电源

"5

V)

测试条件除非指定

参数

数字控制

输入电流，V

IN

低

e

输入电流，V

IN

高

e

I

IL

I

IH

V

IN

根据测试= 0.8 V

V

IN

根据测试= 2.4 V

满

满

-1

-1

0.05

0.05

1

1

mA

m

范围

-40到85°C

符号

V+ = 5 V, V- = -5 V

V

L

= 5 V, V

IN

= 2.4 V, 0.8 V

f

温度

b

民

d

典型值

c

最大

d

单位

动态特性

开启时间

e

打开-O FF时间

e

突破前先延时

e

电荷注入

e

关闭

隔离

e

通道到通道的串扰

e

源关断电容

e

流掉

电容

e

通道导通电容

e

t

ON

t

关闭

t

D

Q

OIRR

X

TALK

C

S（ OFF）

C

D（关闭）

C

D（上）

F = 1 MHz的

R

L

= 300

W

, C

L

= 35 pF的

V

S

=

"3.5

V见图2

DG413L只，V

S

= 3.5 V

R

L

= 300

W

, C

L

= 35 pF的

V

g

= 0 V ，R

g

= 0

W

, C

L

- 10 nF的

R

L

= 50

W

, C

L

= 5 pF的，

F = 1 MHz的

房间

满

房间

满

房间

房间

房间

房间

房间

房间

房间

21

16

50

60

35

40

ns

6

5

68

85

9

9

20

pF

dB

pC

电源

正电源电流

e

负电源电流

e

逻辑电源电流

e

地电流

e

I+

I-

V

IN

= 0或5伏

I

L

I

GND

房间

满

房间

满

房间

满

房间

满

-1

-5

-1

-5

0.03

-0.002

0.002

-0.002

1

5

mA

m

1

5

特定网络阳离子

a

（单电源5V）

测试条件除非指定

参数

模拟开关

模拟信号范围

e

漏源

导通电阻

e

V

类似物

r

DS （ ON）

V + = 4.5 V，I

S

= 5毫安

V

D

= 1 V, 3.5 V

满

房间

满

35

5

50

75

V

W

范围

-40到85°C

符号

V+ = 5 V, V- = 0 V

V

L

= 5 V, V

IN

= 2.4 V, 0.8 V

f

温度

b

民

d

典型值

c

最大

d

单位

动态特性

开启时间

e

打开-O FF时间

e

突破前先

延时

e

电荷注入

e

t

ON

t

关闭

t

D

Q

R

L

= 300

W

, C

L

= 35 pF的

V

S

= 3.5 V ，见图2

DG413L只，V

S

= 3.5 V,

R

L

= 300

W

, C

L

= 35 pF的

V

g

= 0 V ，R

g

= 0

W

, C

L

- 10 nF的

房间

热

房间

热

房间

房间

27

15

50

60

30

40

ns

6

0.5

pC

www.vishay.com

4

文档编号： 71397

S- 21452 -REV 。 C， 26 - 8 - 02

DG411L/412L/413L

Vishay Siliconix公司

特定网络阳离子

a

（单电源5V）

测试条件除非指定

参数

电源

正电源电流

e

负电源电流

e

逻辑电源电流

e

地电流

e

I+

I-

V

IN

= 0或5伏

I

L

I

GND

房间

热

房间

热

房间

热

房间

热

-1

-5

-1

-5

0.02

-0.002

0.002

-0.002

1

5

mA

m

1

5

范围

-40到85°C

符号

V+ = 5 V, V- = 0 V

V

L

= 5 V, V

IN

= 2.4 V, 0.8 V

f

温度

b

民

d

典型值

c

最大

d

单位

特定网络阳离子

a

（单电源3V）

测试条件除非指定

参数

模拟开关

模拟信号范围

e

漏源

导通电阻

关闭

漏电流

g

通道上

漏电流

g

V

类似物

r

DS （ ON）

I

S（ OFF）

I

D（关闭）

I

D（上）

V+ = 2.7 V, V- = 0 V

I

S

= 5毫安， V

D

= 0.5, 2.2 V

V+ = 3.3 V, V- = 0 V

V

D

= 1, 2 V, V

S

= 2, 1 V

V+ = 3.3 V, V- = 0 V

V

S

= V

D

= 1, 2 V

满

房间

满

房间

满

房间

满

房间

满

-1

-10

-1

-10

-1

-10

0

65

3

80

100

1

10

1

10

1

10

nA

V

W

范围

-40到85°C

符号

V+ = 3 V, V- = 0 V

V

L

= 3 V, V

IN

= 0.4 V

f

温度

b

民

d

典型值

c

最大

d

单位

数字控制

输入电流，V

IN

低

输入电流，V

IN

高

I

IL

I

IH

V

IN

被测= 0.4 V

V

IN

根据测试= 2.4 V

满

满

-1

-1

0.005

0.005

1

1

mA

m

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

突破前先

延时

电荷注入

e

关闭

隔离

e

通道到通道的串扰

e

源关断电容

e

流掉

电容

e

通道导通电容

e

t

ON

t

关闭

t

D

Q

OIRR

X

TALK

C

S（ OFF）

C

D（关闭）

C

D（上）

F = 1 MHz的

R

L

= 300

W

, C

L

= 35 pF的

V

S

= 1.5 V见图2

DG413L只，V

S

= 1.5 V

R

L

= 300

W

, C

L

= 35 pF的

V

g

= 0 V ，R

g

= 0

W

, C

L

- 10 nF的

R

L

= 50

W

, C

L

= 5 pF的，

F = 1 MHz的

房间

满

房间

满

房间

房间

房间

房间

房间

房间

房间

50

30

85

110

60

85

ns

6

1

68

85

6

6

20

pF

dB

pC

注意事项：

一。请参阅过程的期权流程图。

B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。

。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。

。通过设计保证，不受生产测试。

f.

V

IN

=输入电压来执行适当的功能。

克。泄漏的参数由最坏的情况下测试条件保证不受测试。

文档编号： 71397

S- 21452 -REV 。 C， 26 - 8 - 02

www.vishay.com

5

DG411L/412L/413L

Vishay Siliconix公司

精密单片四路SPST

低电压CMOS模拟开关

描述

该DG411L / 412L / 413L是低电压引脚对引脚

兼容配套设备的行业标准

DG411 / 413分之412具有改进的性能。

采用BiCMOS晶片加工技术使

DG411L / 412L / 413L对单，双电源供电。

单电源电压范围为3 12 V ，而双

电源工作，建议在±3 ± 6V。

结合高速（T

ON

： 19毫微秒），平

DS （ ON）

在该

模拟信号的范围（5

Ω),

最小的插入损失（ - 3分贝

280兆赫） ，以及优异的串扰和关断隔离

性能（ - 80分贝50兆赫） ，在DG411L / 412L / 413L

非常适合用于音频和视频信号的切换。

该DG411L和DG412L应对反控制逻辑

如图所示的真值表。该DG413L有两个常

开放和两个常闭开关。

特点

2.7-至12 V单电源或

± 3-直通± 6双电源供电

导通电阻 - R的

DS （ ON） ：

17

Ω

快速开关 - 吨

ON

： 19纳秒

- t

关闭

： 12纳秒

TTL ， CMOS兼容

低泄漏： 0.25 nA的

2000 V ESD保护

无铅

可用的

RoHS指令*

柔顺

好处

最宽的动态范围

低信号误差和失真

先开后合式开关动作

简单interfacinge

应用

高精度自动测试设备

精密数据采集

通信系统

电池供电系统

电脑外设

SDSL ， DSLAM

音频和视频信号路由

功能框图及引脚配置

DG411L/412L

双列直插式， TSSOP和SOIC

IN

1

D

1

S

1

V-

GND

S

4

D

4

IN

4

1

2

3

4

5

6

7

8

顶视图

16

15

14

13

12

11

10

9

IN

2

D

2

S

2

V+

GND

V

L

S

3

D

3

IN

3

S

4

D

4

IN

4

6

7

8

顶视图

11

10

9

5

12

V

L

S

3

D

3

IN

3

DG413L

双列直插式， TSSOP和SOIC

IN

1

D

1

S

1

V-

1

2

3

4

16

15

14

13

IN

2

D

2

S

2

V+

真值表

逻辑

0

1

逻辑"0"

≤

0.8 V

逻辑"1"

≥

2.4 V

DG411L

ON

关闭

DG412L

关闭

ON

真值表

逻辑

0

1

逻辑"0"

≤

0.8 V

逻辑"1"

≥

2.4 V

SW

1

， SW

4

关闭

ON

SW

2

， SW

3

ON

关闭

*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免

文档编号： 71397

S- 71241 -REV 。 E， 25军07

www.vishay.com

1

DG411L/412L/413L

Vishay Siliconix公司

订购信息

温度范围

DG411L/412L

DG411LDY

DG411LDY-E3

DG411LDY-T1

DG411LDY-T1-E3

16引脚窄体SOIC

DG412LDY

DG412LDY-E3

DG412LDY-T1

DG412LDY-T1-E3

- 4085 ℃下

DG411LDQ

DG411LDQ-E3

DG411LDQ-T1

DG411LDQ-T1-E3

16引脚TSSOP

DG412LDQ

DG412LDQ-E3

DG412LDQ-T1

DG412LDQ-T1-E3

DG413L

DG413LDY

DG413LDY-E3

DG413LDY-T1

DG413LDY-T1-E3

DG413LDQ

DG413LDQ-E3

DG413LDQ-T1

DG413LDQ-T1-E3

包

产品型号

16引脚窄体SOIC

- 4085 ℃下

16引脚TSSOP

绝对最大额定值

参数

V +至V-

GND到V-

V

L

I

Na

, V

S

, V

D

连续电流（任何终端）

峰值电流，S或D（脉冲1毫秒， 10 ％占空比）

储存温度

（ DQ ， DY后缀）

（ AK后缀）

16引脚TSSOP

c

功率耗散（包）

b

极限

- 0.3 13

7

（GND - 0.3 ）至（V +） + 0.3

- 0.3至（V +） + 0.3

或30毫安，以先到者为准

30

100

- 65 125

- 65 150

450

650

900

d

单位

V

mA

°C

16引脚SOIC

mW

16引脚CERDIP

e

注意事项：

一。在S信号

X

, D

X

或IN

X

超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。

B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。

。减免7毫瓦/°C， 75°C以上

。减免7.6毫瓦/°C， 75°C以上

。减免12毫瓦/°C， 75°C以上。

www.vishay.com

2

文档编号： 71397

S- 71241 -REV 。 E， 25军07

DG411L/412L/413L

Vishay Siliconix公司

特定网络阳离子

a

（单电源12V）

测试条件

除非另有说明

V+ = 12 V, V- = 0 V

V

L

= 5 V, V

IN

= 2.4 V, 0.8 V

f

后缀限制

- 55至125℃的

温度

b

满

V+ = 10.8 V, V- = 0 V

I

S

= 10 mA时， V

D

= 2/9 V

V

D

= 1/11 V, V

S

= 11/1 V

I

D（关闭）

渠道渗漏

当前

数字控制

输入电流，V

IN

低

输入电流，V

IN

高

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

突破前先

延时

电荷注入

e

关断隔离

e

通道到通道

相声

e

源关断电容

e

流掉电容

e

通道导通电容

e

电源

正电源电流

负电源电流

逻辑电源电流

地电流

I+

I-

V

IN

= 0或5伏

I

L

I

GND

房间

满

房间

满

房间

满

房间

满

0.02

- 0.002

0.002

- 0.002

-1

- 7.5

-1

- 7.5

1

7.5

-1

-5

1

7.5

-1

-5

1

5

1

5

A

t

ON

t

关闭

t

D

Q

OIRR

X

TALK

C

S（ OFF）

C

D（关闭）

C

D（上）

F = 1 MHz的

R

L

= 50

Ω,

C

L

= 5 PF， F = 1兆赫

R

L

= 300

Ω,

C

L

= 35 pF的

V

S

= 5 V ，见图2

DG413L只，V

S

= 5 V

R

L

= 300

Ω,

C

L

= 35 pF的

V

g

= 0 V ，R

g

= 0

Ω,

C

L

- 10 nF的

房间

满

房间

满

房间

房间

房间

房间

房间

房间

房间

20

12

50

70

30

48

50

60

30

40

ns

I

IL

I

IH

V

IN

根据测试= 0.8 V

V

IN

根据测试= 2.4 V

满

满

0.01

- 1.5

- 1.5

1.5

1.5

-1

-1

1

1

A

I

D（上）

V

S

= V

D

= 11/1 V

房间

满

房间

满

房间

满

房间

满

20

-1

- 15

-1

- 15

-1

- 15

典型值

c

民

d

0

最大

d

12

30

45

1

15

1

15

1

15

-1

- 10

-1

- 10

-1

- 10

后缀限制

- 4085 ℃下

民

d

0

最大

d

12

30

40

1

10

1

10

1

10

nA

单位

V

Ω

参数

模拟开关

模拟信号范围

e

漏源导通电阻

符号

V

类似物

r

DS （ ON）

I

S（ OFF）

关机漏电流

6

5

71

95

5

6

15

pF

dB

pC

注意事项：

一。请参阅过程的期权流程图。

B 。房间= 25 ° C，完全=由操作温度决定的后缀。

。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。

。通过设计保证，不受生产测试。

F。 V

IN

=输入电压来执行适当的功能。

克。泄漏的参数由最坏的情况下测试条件保证不受测试。

文档编号： 71397

S- 71241 -REV 。 E， 25军07

www.vishay.com

3

DG411L/412L/413L

Vishay Siliconix公司

特定网络阳离子

a

（双电源± 5 V ）

测试条件

除非另有说明

V+ = 5 V, V- = - 5 V

V

L

= 5 V, V

IN

= 2.4 V, 0.8 V

f

后缀限制

- 55至125℃的

温度

b

满

V+ = 5 V, V- = - 5 V

I

S

= 10 mA时， V

D

= ± 3.5 V

V+ = 5.5 , V- = - 5.5 V

V

D

= ± 4.5 V, V

S

= ± 4.5 V

V+ = 5.5 V, V- = - 5.5 V

V

S

= V

D

= ± 4.5 V

V

IN

根据测试= 0.8 V

V

IN

根据测试= 2.4 V

房间

满

房间

满

房间

满

房间

满

20

-1

- 15

-1

- 15

-1

- 15

典型值

c

民

d

-5

最大

d

5

33

45

1

15

1

15

1

15

-1

- 10

-1

- 10

-1

- 10

后缀限制

- 4085 ℃下

民

d

-5

最大

d

5

33

40

1

10

1

10

1

10

nA

单位

V

Ω

参数

模拟开关

模拟信号范围

e

漏源导通电阻

关闭

漏电流

g

通道上

漏电流

数字控制

输入电流，V

IN

低

e

输入电流，V

IN

高

e

动态特性

开启时间

e

打开-O FF时间

e

先开后合式时间

延迟

e

电荷注入

e

关断隔离

e

通道到通道

相声

e

源关断电容

e

流掉电容

e

通道导通电容

e

电源

正电源电流

e

负电源电流

e

逻辑电源电流

地电流

e

e

g

符号

V

类似物

r

DS （ ON）

I

S（ OFF）

I

D（关闭）

I

D（上）

I

IL

I

IH

满

满

房间

满

房间

满

房间

房间

房间

0.05

0.05

21

16

- 1.5

- 1.5

1.5

1.5

50

70

35

50

-1

-1

1

A

1

50

60

35

40

ns

t

ON

t

关闭

t

D

Q

OIRR

X

TALK

C

S（ OFF）

C

D（关闭）

C

D（上）

R

L

= 300

Ω,

C

L

= 35 pF的

V

S

= ± 3.5 V ，见图2

DG413L只，V

S

= 3.5 V

R

L

= 300

Ω,

C

L

= 35 pF的

V

g

= 0 V ，R

g

= 0

Ω,

C

L

- 10 nF的

R

L

= 50

Ω,

C

L

= 5 PF， F = 1兆赫

6

5

68

85

9

9

20

0.03

- 0.002

0.002

- 0.002

-1

- 7.5

-1

- 7.5

1

7.5

-1

-5

1

7.5

-1

-5

1

5

1

5

A

pF

dB

pC

房间

房间

F = 1 MHz的

房间

房间

房间

满

I+

I-

V

IN

= 0或5伏

I

L

I

GND

房间

满

房间

满

房间

满

注意事项：

一。请参阅过程的期权流程图。

B 。房间= 25 ° C，完全=由操作温度决定的后缀。

。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。

。通过设计保证，不受生产测试。

F。 V

IN

=输入电压来执行适当的功能。

克。泄漏的参数由最坏的情况下测试条件保证不受测试。

www.vishay.com

4

文档编号： 71397

S- 71241 -REV 。 E， 25军07

DG411L/412L/413L

Vishay Siliconix公司

特定网络阳离子

a

（单电源5V）

测试条件

除非另有说明

V+ = 5 V, V- = 0 V

V

L

= 5 V, V

IN

= 2.4 V, 0.8 V

f

后缀限制

- 55至125℃的

温度

b

满

V+ = 4.5 V

I

S

= 5毫安， V

D

= 1 V, 3.5 V

房间

满

房间

热

房间

热

房间

房间

房间

热

V

IN

= 0或5伏

逻辑电源电流

地电流

e

e

后缀限制

- 4085 ℃下

民

d

最大

d

5

50

75

50

60

30

40

ns

单位

V

Ω

参数

模拟开关

模拟信号范围

e

漏源导通电阻

e

动态特性

开启时间

e

打开-O FF时间

e

先开后合式时间

延迟

e

电荷注入

e

电源

正电源电流

e

负电源电流

e

符号

V

类似物

r

DS （ ON）

典型值

c

民

d

最大

d

5

35

50

88

50

90

30

55

t

ON

t

关闭

t

D

Q

R

L

= 300

Ω,

C

L

= 35 pF的

V

S

= 3.5 V ，见图2

DG413L只，V

S

= 3.5 V

R

L

= 300

Ω,

C

L

= 35 pF的

V

g

= 0 V ，R

g

= 0

Ω,

C

L

- 10 nF的

27

15

6

0.5

0.02

- 0.002

0.002

- 0.002

-1

- 7.5

-1

- 7.5

1

7.5

-1

-5

1

7.5

-1

-5

1

5

1

5

A

pC

I+

I-

I

L

I

GND

房间

热

房间

热

房间

热

注意事项：

一。请参阅过程的期权流程图。

B 。房间= 25 ° C，完全=由操作温度决定的后缀。

。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。

。通过设计保证，不受生产测试。

F。 V

IN

=输入电压来执行适当的功能。

克。泄漏的参数由最坏的情况下测试条件保证不受测试。

文档编号： 71397

S- 71241 -REV 。 E， 25军07

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5

DG411L/412L/413L

Vishay Siliconix公司

精密单片四路SPST

低电压CMOS模拟开关

特点

D

2.7-至12 V单电源或

"3-

THRU

"6-Dual

供应

D

导通电阻-R

DS （ ON）

: 17

W

D

快速切换-T

ON

： 19纳秒

—t

关闭

： 12纳秒

D

TTL ， CMOS兼容

D

低漏： 0.25 nA的

D

2000 -V ESD保护

好处

D

D

D

D

最宽的动态范围

低信号误差和失真

先开后合式开关动作

简单接口

应用

D

D

D

D

D

D

D

高精度自动测试设备

精密数据采集

通信系统

电池供电系统

电脑外设

SDSL ， DSLAM

音频和视频信号路由

描述

该DG411L / 412L / 413L是低电压引脚对引脚

兼容配套设备的行业标准

DG411 / 413分之412以更高的性能

结合高速（T

ON

： 19毫微秒），平

DS （ ON）

在模拟

信号范围（5-

W),

最小的插入损失（ -3 dB的280兆赫） ，

和优异的串扰和关断隔离性能（ -50分贝

在50兆赫） ，所述DG411L / 412L / 413L理想地适合于音频

视频信号切换。

该DG411L和DG412L响应相反的控制逻辑

在真值表所示。该DG413L有两个常开

和两个常闭开关。

采用BiCMOS晶片加工技术使

DG411L / 412L / 413L对单，双电源供电。

单电源电压范围为3 12 V ，而双电源供电

操作建议带

"3

to

"6

V.

功能框图及引脚配置

DG411L/412L

TSSOP和SOIC

IN

1

D

1

S

1

V-

GND

S

4

D

4

IN

4

1

2

3

4

5

6

7

8

顶视图

16

15

14

13

12

11

10

9

IN

2

D

2

S

2

V+

V

L

S

3

D

3

IN

3

真值表

逻辑

0

1

DG411L

ON

关闭

逻辑“0”的

v

0.8 V

逻辑“1”的

w

2.4 V

DG412L

关闭

ON

文档编号： 71397

S- 21452 -REV 。 C， 26 - 8 - 02

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1

DG411L/412L/413L

Vishay Siliconix公司

功能框图及引脚配置

DG413L

双列直插式和SOIC

IN

1

D

1

S

1

V-

GND

S

4

D

4

IN

4

1

2

3

4

5

6

7

8

顶视图

16

15

14

13

12

11

10

9

IN

2

D

2

S

2

V+

V

L

S

3

D

3

IN

3

真值表

逻辑

0

1

SW

1

， SW

4

关闭

ON

SW

2

， SW

3

ON

关闭

逻辑“0”的

v

0.8 V

逻辑“1”的

w

2.4 V

订购信息

温度范围

DG411L/412L

DG411LDY

16引脚窄体SOIC

-40到85°C

_

16引脚TSSOP

DG412LDY

DG411LDQ

DG412LDQ

包

产品型号

DG413L

-40到85°C

_

16引脚窄体SOIC

16引脚TSSOP

DG413LDY

DG413LDQ

绝对最大额定值

V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 13 V

GND到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7 V

V

L

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （ GND -0.3 V）至（V + ） +0.3 V

I A

,

N

功率耗散（包）

b

16引脚TSSOP

c

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦

16引脚SOIC

d

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 650毫瓦

注意事项：

一。在S信号

X

, D

X

或IN

X

超过V +或V-将由内部钳位

二极管。限正向二极管电流最大额定电流。

B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。

。减免7毫瓦/ _C上述75°C

。减免7.6毫瓦/ _C上述75°C

V

S

, V

D

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3到（V + 0.3 V）或30 mA时，以先到者为准

连续电流（任何终端） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安

峰值电流， S或D（脉冲1毫秒， 10 ％占空比） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安

储存温度

（ DQ ， DY后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到125_C

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2

文档编号： 71397

S- 21452 -REV 。 C， 26 - 8 - 02

DG411L/412L/413L

Vishay Siliconix公司

特定网络阳离子

a

（单电源12V）

测试条件除非指定

参数

模拟开关

模拟信号范围

e

漏源

导通电阻

关闭

漏电流

通道上

漏电流

V

类似物

r

DS （ ON）

I

S（ OFF）

V

D

= 1/11 V, V

S

= 11/1 V

I

D（关闭）

I

D（上）

V

S

= V

D

= 11/1 V

V+ = 10.8 V, V- = 0 V

I

S

= 10 mA时， V

D

= 2/9 V

满

房间

满

房间

满

房间

满

房间

满

-1

-10

-1

-10

-1

-10

0

20

12

30

40

1

10

1

10

1

10

nA

V

W

范围

-40到85°C

符号

V+ = 12 V, V- = 0 V

V

L

= 5 V, V

IN

= 2.4 V, 0.8 V

f

温度

b

民

d

典型值

c

最大

d

单位

数字控制

输入电流，V

IN

低

输入电流，V

IN

高

I

IL

I

IH

V

IN

根据测试= 0.8 V

V

IN

根据测试= 2.4 V

满

满

-1

-1

0.01

1

1

mA

m

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

突破前先延时

电荷注入

e

关断隔离

e

通道到通道的串扰

e

源关断电容

e

流掉电容

e

通道导通电容

e

t

ON

t

关闭

t

D

Q

OIRR

X

TALK

C

S（ OFF）

C

D（关闭）

C

D（上）

F = 1 MHz的

R

L

= 300

W

, C

L

= 35 pF的

V

S

= 5 V见图2

DG413L只，V

S

= 5 V

R

L

= 300

W

, C

L

= 35 pF的

V

g

= 0 V ，R

g

= 0

W

, C

L

- 10 nF的

R

L

= 50

W

, C

L

= 5 pF的，

F = 1 MHz的

房间

满

房间

满

房间

房间

房间

房间

房间

房间

房间

20

12

50

60

30

40

ns

6

5

71

95

5

6

15

pF

dB

pC

电源

正电源电流

负电源电流

逻辑电源电流

地电流

I+

I-

V

IN

= 0或5伏

I

L

I

GND

房间

满

房间

满

房间

满

房间

满

-1

-5

-1

-5

0.02

-0.002

0.002

-0.002

1

5

mA

m

1

5

特定网络阳离子

a

（双电源

"5

V)

测试条件除非指定

参数

模拟开关

模拟信号范围

e

漏源

导通电阻

关闭

漏电流

g

通道上

漏电流

g

文档编号： 71397

S- 21452 -REV 。 C， 26 - 8 - 02

V

类似物

r

DS （ ON）

I

S（ OFF）

I

D（关闭）

I

D（上）

V+ = 5 V, V- = -5 V

I

S

= 10 mA时， V

D

=

"3.5

V

V+ = 5.5 V, V- = -5.5 V

V

D

=

"4.5

V, V

S

=

#4.5

V

V+ = 5.5 V, V- = -5.5 V

V

S

= V

D

=

"4.5

V

满

房间

满

房间

满

房间

满

房间

满

-1

-10

-1

-10

-1

-10

-5

20

5

33

40

1

10

1

10

1

10

www.vishay.com

nA

V

W

范围

-40到85°C

符号

V+ = 5 V, V- = -5 V

V

L

= 5 V, V

IN

= 2.4 V, 0.8 V

f

温度

b

民

d

典型值

c

最大

d

单位

3

DG411L/412L/413L

Vishay Siliconix公司

特定网络阳离子

a

（双电源

"5

V)

测试条件除非指定

参数

数字控制

输入电流，V

IN

低

e

输入电流，V

IN

高

e

I

IL

I

IH

V

IN

根据测试= 0.8 V

V

IN

根据测试= 2.4 V

满

满

-1

-1

0.05

0.05

1

1

mA

m

范围

-40到85°C

符号

V+ = 5 V, V- = -5 V

V

L

= 5 V, V

IN

= 2.4 V, 0.8 V

f

温度

b

民

d

典型值

c

最大

d

单位

动态特性

开启时间

e

打开-O FF时间

e

突破前先延时

e

电荷注入

e

关闭

隔离

e

通道到通道的串扰

e

源关断电容

e

流掉

电容

e

通道导通电容

e

t

ON

t

关闭

t

D

Q

OIRR

X

TALK

C

S（ OFF）

C

D（关闭）

C

D（上）

F = 1 MHz的

R

L

= 300

W

, C

L

= 35 pF的

V

S

=

"3.5

V见图2

DG413L只，V

S

= 3.5 V

R

L

= 300

W

, C

L

= 35 pF的

V

g

= 0 V ，R

g

= 0

W

, C

L

- 10 nF的

R

L

= 50

W

, C

L

= 5 pF的，

F = 1 MHz的

房间

满

房间

满

房间

房间

房间

房间

房间

房间

房间

21

16

50

60

35

40

ns

6

5

68

85

9

9

20

pF

dB

pC

电源

正电源电流

e

负电源电流

e

逻辑电源电流

e

地电流

e

I+

I-

V

IN

= 0或5伏

I

L

I

GND

房间

满

房间

满

房间

满

房间

满

-1

-5

-1

-5

0.03

-0.002

0.002

-0.002

1

5

mA

m

1

5

特定网络阳离子

a

（单电源5V）

测试条件除非指定

参数

模拟开关

模拟信号范围

e

漏源

导通电阻

e

V

类似物

r

DS （ ON）

V + = 4.5 V，I

S

= 5毫安

V

D

= 1 V, 3.5 V

满

房间

满

35

5

50

75

V

W

范围

-40到85°C

符号

V+ = 5 V, V- = 0 V

V

L

= 5 V, V

IN

= 2.4 V, 0.8 V

f

温度

b

民

d

典型值

c

最大

d

单位

动态特性

开启时间

e

打开-O FF时间

e

突破前先

延时

e

电荷注入

e

t

ON

t

关闭

t

D

Q

R

L

= 300

W

, C

L

= 35 pF的

V

S

= 3.5 V ，见图2

DG413L只，V

S

= 3.5 V,

R

L

= 300

W

, C

L

= 35 pF的

V

g

= 0 V ，R

g

= 0

W

, C

L

- 10 nF的

房间

热

房间

热

房间

房间

27

15

50

60

30

40

ns

6

0.5

pC

www.vishay.com

4

文档编号： 71397

S- 21452 -REV 。 C， 26 - 8 - 02

DG411L/412L/413L

Vishay Siliconix公司

特定网络阳离子

a

（单电源5V）

测试条件除非指定

参数

电源

正电源电流

e

负电源电流

e

逻辑电源电流

e

地电流

e

I+

I-

V

IN

= 0或5伏

I

L

I

GND

房间

热

房间

热

房间

热

房间

热

-1

-5

-1

-5

0.02

-0.002

0.002

-0.002

1

5

mA

m

1

5

范围

-40到85°C

符号

V+ = 5 V, V- = 0 V

V

L

= 5 V, V

IN

= 2.4 V, 0.8 V

f

温度

b

民

d

典型值

c

最大

d

单位

特定网络阳离子

a

（单电源3V）

测试条件除非指定

参数

模拟开关

模拟信号范围

e

漏源

导通电阻

关闭

漏电流

g

通道上

漏电流

g

V

类似物

r

DS （ ON）

I

S（ OFF）

I

D（关闭）

I

D（上）

V+ = 2.7 V, V- = 0 V

I

S

= 5毫安， V

D

= 0.5, 2.2 V

V+ = 3.3 V, V- = 0 V

V

D

= 1, 2 V, V

S

= 2, 1 V

V+ = 3.3 V, V- = 0 V

V

S

= V

D

= 1, 2 V

满

房间

满

房间

满

房间

满

房间

满

-1

-10

-1

-10

-1

-10

0

65

3

80

100

1

10

1

10

1

10

nA

V

W

范围

-40到85°C

符号

V+ = 3 V, V- = 0 V

V

L

= 3 V, V

IN

= 0.4 V

f

温度

b

民

d

典型值

c

最大

d

单位

数字控制

输入电流，V

IN

低

输入电流，V

IN

高

I

IL

I

IH

V

IN

被测= 0.4 V

V

IN

根据测试= 2.4 V

满

满

-1

-1

0.005

0.005

1

1

mA

m

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

突破前先

延时

电荷注入

e

关闭

隔离

e

通道到通道的串扰

e

源关断电容

e

流掉

电容

e

通道导通电容

e

t

ON

t

关闭

t

D

Q

OIRR

X

TALK

C

S（ OFF）

C

D（关闭）

C

D（上）

F = 1 MHz的

R

L

= 300

W

, C

L

= 35 pF的

V

S

= 1.5 V见图2

DG413L只，V

S

= 1.5 V

R

L

= 300

W

, C

L

= 35 pF的

V

g

= 0 V ，R

g

= 0

W

, C

L

- 10 nF的

R

L

= 50

W

, C

L

= 5 pF的，

F = 1 MHz的

房间

满

房间

满

房间

房间

房间

房间

房间

房间

房间

50

30

85

110

60

85

ns

6

1

68

85

6

6

20

pF

dB

pC

注意事项：

一。请参阅过程的期权流程图。

B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。

。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。

。通过设计保证，不受生产测试。

f.

V

IN

=输入电压来执行适当的功能。

克。泄漏的参数由最坏的情况下测试条件保证不受测试。

文档编号： 71397

S- 21452 -REV 。 C， 26 - 8 - 02

www.vishay.com

5

DG411L/412L/413L

Vishay Siliconix公司

精密单片四路SPST

低电压CMOS模拟开关

特点

D

2.7-至12 V单电源或

"3-

THRU

"6-Dual

供应

D

导通电阻-R

DS （ ON）

: 17

W

D

快速切换-T

ON

： 19纳秒

—t

关闭

： 12纳秒

D

TTL ， CMOS兼容

D

低漏： 0.25 nA的

D

2000 -V ESD保护

好处

D

D

D

D

最宽的动态范围

低信号误差和失真

先开后合式开关动作

简单接口

应用

D

D

D

D

D

D

D

高精度自动测试设备

精密数据采集

通信系统

电池供电系统

电脑外设

SDSL ， DSLAM

音频和视频信号路由

描述

该DG411L / 412L / 413L是低电压引脚对引脚

兼容配套设备的行业标准

DG411 / 413分之412以更高的性能

结合高速（T

ON

： 19毫微秒），平

DS （ ON）

在模拟

信号范围（5-

W),

最小的插入损失（ -3 dB的280兆赫） ，

和优异的串扰和关断隔离性能（ -50分贝

在50兆赫） ，所述DG411L / 412L / 413L理想地适合于音频

视频信号切换。

该DG411L和DG412L响应相反的控制逻辑

在真值表所示。该DG413L有两个常开

和两个常闭开关。

采用BiCMOS晶片加工技术使

DG411L / 412L / 413L对单，双电源供电。

单电源电压范围为3 12 V ，而双电源供电

操作建议带

"3

to

"6

V.

功能框图及引脚配置

DG411L/412L

TSSOP和SOIC

IN

1

D

1

S

1

V-

GND

S

4

D

4

IN

4

1

2

3

4

5

6

7

8

顶视图

16

15

14

13

12

11

10

9

IN

2

D

2

S

2

V+

V

L

S

3

D

3

IN

3

真值表

逻辑

0

1

DG411L

ON

关闭

逻辑“0”的

v

0.8 V

逻辑“1”的

w

2.4 V

DG412L

关闭

ON

文档编号： 71397

S- 21452 -REV 。 C， 26 - 8 - 02

www.vishay.com

1

DG411L/412L/413L

Vishay Siliconix公司

功能框图及引脚配置

DG413L

双列直插式和SOIC

IN

1

D

1

S

1

V-

GND

S

4

D

4

IN

4

1

2

3

4

5

6

7

8

顶视图

16

15

14

13

12

11

10

9

IN

2

D

2

S

2

V+

V

L

S

3

D

3

IN

3

真值表

逻辑

0

1

SW

1

， SW

4

关闭

ON

SW

2

， SW

3

ON

关闭

逻辑“0”的

v

0.8 V

逻辑“1”的

w

2.4 V

订购信息

温度范围

DG411L/412L

DG411LDY

16引脚窄体SOIC

-40到85°C

_

16引脚TSSOP

DG412LDY

DG411LDQ

DG412LDQ

包

产品型号

DG413L

-40到85°C

_

16引脚窄体SOIC

16引脚TSSOP

DG413LDY

DG413LDQ

绝对最大额定值

V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 13 V

GND到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7 V

V

L

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （ GND -0.3 V）至（V + ） +0.3 V

I A

,

N

功率耗散（包）

b

16引脚TSSOP

c

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦

16引脚SOIC

d

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 650毫瓦

注意事项：

一。在S信号

X

, D

X

或IN

X

超过V +或V-将由内部钳位

二极管。限正向二极管电流最大额定电流。

B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。

。减免7毫瓦/ _C上述75°C

。减免7.6毫瓦/ _C上述75°C

V

S

, V

D

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3到（V + 0.3 V）或30 mA时，以先到者为准

连续电流（任何终端） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安

峰值电流， S或D（脉冲1毫秒， 10 ％占空比） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安

储存温度

（ DQ ， DY后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到125_C

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2

文档编号： 71397

S- 21452 -REV 。 C， 26 - 8 - 02

DG411L/412L/413L

Vishay Siliconix公司

特定网络阳离子

a

（单电源12V）

测试条件除非指定

参数

模拟开关

模拟信号范围

e

漏源

导通电阻

关闭

漏电流

通道上

漏电流

V

类似物

r

DS （ ON）

I

S（ OFF）

V

D

= 1/11 V, V

S

= 11/1 V

I

D（关闭）

I

D（上）

V

S

= V

D

= 11/1 V

V+ = 10.8 V, V- = 0 V

I

S

= 10 mA时， V

D

= 2/9 V

满

房间

满

房间

满

房间

满

房间

满

-1

-10

-1

-10

-1

-10

0

20

12

30

40

1

10

1

10

1

10

nA

V

W

范围

-40到85°C

符号

V+ = 12 V, V- = 0 V

V

L

= 5 V, V

IN

= 2.4 V, 0.8 V

f

温度

b

民

d

典型值

c

最大

d

单位

数字控制

输入电流，V

IN

低

输入电流，V

IN

高

I

IL

I

IH

V

IN

根据测试= 0.8 V

V

IN

根据测试= 2.4 V

满

满

-1

-1

0.01

1

1

mA

m

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

突破前先延时

电荷注入

e

关断隔离

e

通道到通道的串扰

e

源关断电容

e

流掉电容

e

通道导通电容

e

t

ON

t

关闭

t

D

Q

OIRR

X

TALK

C

S（ OFF）

C

D（关闭）

C

D（上）

F = 1 MHz的

R

L

= 300

W

, C

L

= 35 pF的

V

S

= 5 V见图2

DG413L只，V

S

= 5 V

R

L

= 300

W

, C

L

= 35 pF的

V

g

= 0 V ，R

g

= 0

W

, C

L

- 10 nF的

R

L

= 50

W

, C

L

= 5 pF的，

F = 1 MHz的

房间

满

房间

满

房间

房间

房间

房间

房间

房间

房间

20

12

50

60

30

40

ns

6

5

71

95

5

6

15

pF

dB

pC

电源

正电源电流

负电源电流

逻辑电源电流

地电流

I+

I-

V

IN

= 0或5伏

I

L

I

GND

房间

满

房间

满

房间

满

房间

满

-1

-5

-1

-5

0.02

-0.002

0.002

-0.002

1

5

mA

m

1

5

特定网络阳离子

a

（双电源

"5

V)

测试条件除非指定

参数

模拟开关

模拟信号范围

e

漏源

导通电阻

关闭

漏电流

g

通道上

漏电流

g

文档编号： 71397

S- 21452 -REV 。 C， 26 - 8 - 02

V

类似物

r

DS （ ON）

I

S（ OFF）

I

D（关闭）

I

D（上）

V+ = 5 V, V- = -5 V

I

S

= 10 mA时， V

D

=

"3.5

V

V+ = 5.5 V, V- = -5.5 V

V

D

=

"4.5

V, V

S

=

#4.5

V

V+ = 5.5 V, V- = -5.5 V

V

S

= V

D

=

"4.5

V

满

房间

满

房间

满

房间

满

房间

满

-1

-10

-1

-10

-1

-10

-5

20

5

33

40

1

10

1

10

1

10

www.vishay.com

nA

V

W

范围

-40到85°C

符号

V+ = 5 V, V- = -5 V

V

L

= 5 V, V

IN

= 2.4 V, 0.8 V

f

温度

b

民

d

典型值

c

最大

d

单位

3

DG411L/412L/413L

Vishay Siliconix公司

特定网络阳离子

a

（双电源

"5

V)

测试条件除非指定

参数

数字控制

输入电流，V

IN

低

e

输入电流，V

IN

高

e

I

IL

I

IH

V

IN

根据测试= 0.8 V

V

IN

根据测试= 2.4 V

满

满

-1

-1

0.05

0.05

1

1

mA

m

范围

-40到85°C

符号

V+ = 5 V, V- = -5 V

V

L

= 5 V, V

IN

= 2.4 V, 0.8 V

f

温度

b

民

d

典型值

c

最大

d

单位

动态特性

开启时间

e

打开-O FF时间

e

突破前先延时

e

电荷注入

e

关闭

隔离

e

通道到通道的串扰

e

源关断电容

e

流掉

电容

e

通道导通电容

e

t

ON

t

关闭

t

D

Q

OIRR

X

TALK

C

S（ OFF）

C

D（关闭）

C

D（上）

F = 1 MHz的

R

L

= 300

W

, C

L

= 35 pF的

V

S

=

"3.5

V见图2

DG413L只，V

S

= 3.5 V

R

L

= 300

W

, C

L

= 35 pF的

V

g

= 0 V ，R

g

= 0

W

, C

L

- 10 nF的

R

L

= 50

W

, C

L

= 5 pF的，

F = 1 MHz的

房间

满

房间

满

房间

房间

房间

房间

房间

房间

房间

21

16

50

60

35

40

ns

6

5

68

85

9

9

20

pF

dB

pC

电源

正电源电流

e

负电源电流

e

逻辑电源电流

e

地电流

e

I+

I-

V

IN

= 0或5伏

I

L

I

GND

房间

满

房间

满

房间

满

房间

满

-1

-5

-1

-5

0.03

-0.002

0.002

-0.002

1

5

mA

m

1

5

特定网络阳离子

a

（单电源5V）

测试条件除非指定

参数

模拟开关

模拟信号范围

e

漏源

导通电阻

e

V

类似物

r

DS （ ON）

V + = 4.5 V，I

S

= 5毫安

V

D

= 1 V, 3.5 V

满

房间

满

35

5

50

75

V

W

范围

-40到85°C

符号

V+ = 5 V, V- = 0 V

V

L

= 5 V, V

IN

= 2.4 V, 0.8 V

f

温度

b

民

d

典型值

c

最大

d

单位

动态特性

开启时间

e

打开-O FF时间

e

突破前先

延时

e

电荷注入

e

t

ON

t

关闭

t

D

Q

R

L

= 300

W

, C

L

= 35 pF的

V

S

= 3.5 V ，见图2

DG413L只，V

S

= 3.5 V,

R

L

= 300

W

, C

L

= 35 pF的

V

g

= 0 V ，R

g

= 0

W

, C

L

- 10 nF的

房间

热

房间

热

房间

房间

27

15

50

60

30

40

ns

6

0.5

pC

www.vishay.com

4

文档编号： 71397

S- 21452 -REV 。 C， 26 - 8 - 02

DG411L/412L/413L

Vishay Siliconix公司

特定网络阳离子

a

（单电源5V）

测试条件除非指定

参数

电源

正电源电流

e

负电源电流

e

逻辑电源电流

e

地电流

e

I+

I-

V

IN

= 0或5伏

I

L

I

GND

房间

热

房间

热

房间

热

房间

热

-1

-5

-1

-5

0.02

-0.002

0.002

-0.002

1

5

mA

m

1

5

范围

-40到85°C

符号

V+ = 5 V, V- = 0 V

V

L

= 5 V, V

IN

= 2.4 V, 0.8 V

f

温度

b

民

d

典型值

c

最大

d

单位

特定网络阳离子

a

（单电源3V）

测试条件除非指定

参数

模拟开关

模拟信号范围

e

漏源

导通电阻

关闭

漏电流

g

通道上

漏电流

g

V

类似物

r

DS （ ON）

I

S（ OFF）

I

D（关闭）

I

D（上）

V+ = 2.7 V, V- = 0 V

I

S

= 5毫安， V

D

= 0.5, 2.2 V

V+ = 3.3 V, V- = 0 V

V

D

= 1, 2 V, V

S

= 2, 1 V

V+ = 3.3 V, V- = 0 V

V

S

= V

D

= 1, 2 V

满

房间

满

房间

满

房间

满

房间

满

-1

-10

-1

-10

-1

-10

0

65

3

80

100

1

10

1

10

1

10

nA

V

W

范围

-40到85°C

符号

V+ = 3 V, V- = 0 V

V

L

= 3 V, V

IN

= 0.4 V

f

温度

b

民

d

典型值

c

最大

d

单位

数字控制

输入电流，V

IN

低

输入电流，V

IN

高

I

IL

I

IH

V

IN

被测= 0.4 V

V

IN

根据测试= 2.4 V

满

满

-1

-1

0.005

0.005

1

1

mA

m

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

突破前先

延时

电荷注入

e

关闭

隔离

e

通道到通道的串扰

e

源关断电容

e

流掉

电容

e

通道导通电容

e

t

ON

t

关闭

t

D

Q

OIRR

X

TALK

C

S（ OFF）

C

D（关闭）

C

D（上）

F = 1 MHz的

R

L

= 300

W

, C

L

= 35 pF的

V

S

= 1.5 V见图2

DG413L只，V

S

= 1.5 V

R

L

= 300

W

, C

L

= 35 pF的

V

g

= 0 V ，R

g

= 0

W

, C

L

- 10 nF的

R

L

= 50

W

, C

L

= 5 pF的，

F = 1 MHz的

房间

满

房间

满

房间

房间

房间

房间

房间

房间

房间

50

30

85

110

60

85

ns

6

1

68

85

6

6

20

pF

dB

pC

注意事项：

一。请参阅过程的期权流程图。

B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。

。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。

。通过设计保证，不受生产测试。

f.

V

IN

=输入电压来执行适当的功能。

克。泄漏的参数由最坏的情况下测试条件保证不受测试。

文档编号： 71397

S- 21452 -REV 。 C， 26 - 8 - 02

www.vishay.com

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