DG411L/412L/413L
Vishay Siliconix公司
精密单片四路SPST
低电压CMOS模拟开关
描述
该DG411L / 412L / 413L是低电压引脚对引脚
兼容配套设备的行业标准
DG411 / 413分之412具有改进的性能。
采用BiCMOS晶片加工技术使
DG411L / 412L / 413L对单，双电源供电。
单电源电压范围为3 12 V ，而双
电源工作，建议在±3 ± 6V。
结合高速（T
ON
： 19毫微秒），平
DS （ ON）
在该
模拟信号的范围（5
Ω),
最小的插入损失（ - 3分贝
280兆赫） ，以及优异的串扰和关断隔离
性能（ - 80分贝50兆赫） ，在DG411L / 412L / 413L
非常适合用于音频和视频信号的切换。
该DG411L和DG412L应对反控制逻辑
如图所示的真值表。该DG413L有两个常
开放和两个常闭开关。
特点
2.7-至12 V单电源或
± 3-直通± 6双电源供电
导通电阻 - R的
DS （ ON） ：
17
Ω
快速开关 - 吨
ON
： 19纳秒
- t
关闭
： 12纳秒
TTL ， CMOS兼容
低泄漏： 0.25 nA的
2000 V ESD保护
无铅
可用的
RoHS指令*
柔顺
好处
最宽的动态范围
低信号误差和失真
先开后合式开关动作
简单interfacinge
应用
高精度自动测试设备
精密数据采集
通信系统
电池供电系统
电脑外设
SDSL ， DSLAM
音频和视频信号路由
功能框图及引脚配置
DG411L/412L
双列直插式， TSSOP和SOIC
IN
1
D
1
S
1
V-
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
IN
2
D
2
S
2
V+
GND
V
L
S
3
D
3
IN
3
S
4
D
4
IN
4
6
7
8
顶视图
11
10
9
5
12
V
L
S
3
D
3
IN
3
DG413L
双列直插式， TSSOP和SOIC
IN
1
D
1
S
1
V-
1
2
3
4
16
15
14
13
IN
2
D
2
S
2
V+
真值表
逻辑
0
1
逻辑"0"
≤
0.8 V
逻辑"1"
≥
2.4 V
DG411L
ON
关闭
DG412L
关闭
ON
真值表
逻辑
0
1
逻辑"0"
≤
0.8 V
逻辑"1"
≥
2.4 V
SW
1
， SW
4
关闭
ON
SW
2
， SW
3
ON
关闭
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 71397
S- 71241 -REV 。 E， 25军07
www.vishay.com
1
DG411L/412L/413L
Vishay Siliconix公司
订购信息
温度范围
DG411L/412L
DG411LDY
DG411LDY-E3
DG411LDY-T1
DG411LDY-T1-E3
16引脚窄体SOIC
DG412LDY
DG412LDY-E3
DG412LDY-T1
DG412LDY-T1-E3
- 4085 ℃下
DG411LDQ
DG411LDQ-E3
DG411LDQ-T1
DG411LDQ-T1-E3
16引脚TSSOP
DG412LDQ
DG412LDQ-E3
DG412LDQ-T1
DG412LDQ-T1-E3
DG413L
DG413LDY
DG413LDY-E3
DG413LDY-T1
DG413LDY-T1-E3
DG413LDQ
DG413LDQ-E3
DG413LDQ-T1
DG413LDQ-T1-E3
包
产品型号
16引脚窄体SOIC
- 4085 ℃下
16引脚TSSOP
绝对最大额定值
参数
V +至V-
GND到V-
V
L
I
Na
, V
S
, V
D
连续电流（任何终端）
峰值电流，S或D（脉冲1毫秒， 10 ％占空比）
储存温度
（ DQ ， DY后缀）
（ AK后缀）
16引脚TSSOP
c
功率耗散（包）
b
极限
- 0.3 13
7
（GND - 0.3 ）至（V +） + 0.3
- 0.3至（V +） + 0.3
或30毫安，以先到者为准
30
100
- 65 125
- 65 150
450
650
900
d
单位
V
mA
°C
16引脚SOIC
mW
16引脚CERDIP
e
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免7毫瓦/°C， 75°C以上
。减免7.6毫瓦/°C， 75°C以上
。减免12毫瓦/°C， 75°C以上。
www.vishay.com
2
文档编号： 71397
S- 71241 -REV 。 E， 25军07
DG411L/412L/413L
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
（单电源12V）
测试条件
除非另有说明
V+ = 12 V, V- = 0 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
后缀限制
- 55至125℃的
温度
b
满
V+ = 10.8 V, V- = 0 V
I
S
= 10 mA时， V
D
= 2/9 V
V
D
= 1/11 V, V
S
= 11/1 V
I
D（关闭）
渠道渗漏
当前
数字控制
输入电流，V
IN
低
输入电流，V
IN
高
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
突破前先
延时
电荷注入
e
关断隔离
e
通道到通道
相声
e
源关断电容
e
流掉电容
e
通道导通电容
e
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
地电流
I+
I-
V
IN
= 0或5伏
I
L
I
GND
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
0.02
- 0.002
0.002
- 0.002
-1
- 7.5
-1
- 7.5
1
7.5
-1
-5
1
7.5
-1
-5
1
5
1
5
A
t
ON
t
关闭
t
D
Q
OIRR
X
TALK
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
F = 1 MHz的
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 5 V ，见图2
DG413L只，V
S
= 5 V
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
g
= 0 V ，R
g
= 0
Ω,
C
L
- 10 nF的
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
20
12
50
70
30
48
50
60
30
40
ns
I
IL
I
IH
V
IN
根据测试= 0.8 V
V
IN
根据测试= 2.4 V
满
满
0.01
- 1.5
- 1.5
1.5
1.5
-1
-1
1
1
A
I
D（上）
V
S
= V
D
= 11/1 V
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
20
-1
- 15
-1
- 15
-1
- 15
典型值
c
民
d
0
最大
d
12
30
45
1
15
1
15
1
15
-1
- 10
-1
- 10
-1
- 10
后缀限制
- 4085 ℃下
民
d
0
最大
d
12
30
40
1
10
1
10
1
10
nA
单位
V
Ω
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源导通电阻
符号
V
类似物
r
DS （ ON）
I
S（ OFF）
关机漏电流
6
5
71
95
5
6
15
pF
dB
pC
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25 ° C，完全=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
克。泄漏的参数由最坏的情况下测试条件保证不受测试。
文档编号： 71397
S- 71241 -REV 。 E， 25军07
www.vishay.com
3
DG411L/412L/413L
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
（双电源± 5 V ）
测试条件
除非另有说明
V+ = 5 V, V- = - 5 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
后缀限制
- 55至125℃的
温度
b
满
V+ = 5 V, V- = - 5 V
I
S
= 10 mA时， V
D
= ± 3.5 V
V+ = 5.5 , V- = - 5.5 V
V
D
= ± 4.5 V, V
S
= ± 4.5 V
V+ = 5.5 V, V- = - 5.5 V
V
S
= V
D
= ± 4.5 V
V
IN
根据测试= 0.8 V
V
IN
根据测试= 2.4 V
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
20
-1
- 15
-1
- 15
-1
- 15
典型值
c
民
d
-5
最大
d
5
33
45
1
15
1
15
1
15
-1
- 10
-1
- 10
-1
- 10
后缀限制
- 4085 ℃下
民
d
-5
最大
d
5
33
40
1
10
1
10
1
10
nA
单位
V
Ω
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源导通电阻
关闭
漏电流
g
通道上
漏电流
数字控制
输入电流，V
IN
低
e
输入电流，V
IN
高
e
动态特性
开启时间
e
打开-O FF时间
e
先开后合式时间
延迟
e
电荷注入
e
关断隔离
e
通道到通道
相声
e
源关断电容
e
流掉电容
e
通道导通电容
e
电源
正电源电流
e
负电源电流
e
逻辑电源电流
地电流
e
e
g
符号
V
类似物
r
DS （ ON）
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
I
IL
I
IH
满
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
0.05
0.05
21
16
- 1.5
- 1.5
1.5
1.5
50
70
35
50
-1
-1
1
A
1
50
60
35
40
ns
t
ON
t
关闭
t
D
Q
OIRR
X
TALK
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
S
= ± 3.5 V ，见图2
DG413L只，V
S
= 3.5 V
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
g
= 0 V ，R
g
= 0
Ω,
C
L
- 10 nF的
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
6
5
68
85
9
9
20
0.03
- 0.002
0.002
- 0.002
-1
- 7.5
-1
- 7.5
1
7.5
-1
-5
1
7.5
-1
-5
1
5
1
5
A
pF
dB
pC
房间
房间
F = 1 MHz的
房间
房间
房间
满
I+
I-
V
IN
= 0或5伏
I
L
I
GND
房间
满
房间
满
房间
满
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25 ° C，完全=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
克。泄漏的参数由最坏的情况下测试条件保证不受测试。
www.vishay.com
4
文档编号： 71397
S- 71241 -REV 。 E， 25军07
DG411L/412L/413L
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
（单电源5V）
测试条件
除非另有说明
V+ = 5 V, V- = 0 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
后缀限制
- 55至125℃的
温度
b
满
V+ = 4.5 V
I
S
= 5毫安， V
D
= 1 V, 3.5 V
房间
满
房间
热
房间
热
房间
房间
房间
热
V
IN
= 0或5伏
逻辑电源电流
地电流
e
e
后缀限制
- 4085 ℃下
民
d
最大
d
5
50
75
50
60
30
40
ns
单位
V
Ω
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源导通电阻
e
动态特性
开启时间
e
打开-O FF时间
e
先开后合式时间
延迟
e
电荷注入
e
电源
正电源电流
e
负电源电流
e
符号
V
类似物
r
DS （ ON）
典型值
c
民
d
最大
d
5
35
50
88
50
90
30
55
t
ON
t
关闭
t
D
Q
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 3.5 V ，见图2
DG413L只，V
S
= 3.5 V
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
g
= 0 V ，R
g
= 0
Ω,
C
L
- 10 nF的
27
15
6
0.5
0.02
- 0.002
0.002
- 0.002
-1
- 7.5
-1
- 7.5
1
7.5
-1
-5
1
7.5
-1
-5
1
5
1
5
A
pC
I+
I-
I
L
I
GND
房间
热
房间
热
房间
热
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25 ° C，完全=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
克。泄漏的参数由最坏的情况下测试条件保证不受测试。
文档编号： 71397
S- 71241 -REV 。 E， 25军07
www.vishay.com
5
DG411L ， DG412L ， DG413L
Vishay Siliconix公司
精密单片四路SPST
低电压CMOS模拟开关
描述
该DG411L ， DG412L ， DG413L是低电压引脚对引脚
兼容配套设备的行业标准
DG411 ， DG412 ， DG413具有改进的性能。
采用BiCMOS晶片加工技术使
DG411L ， DG412L ， DG413L对单，双操作
耗材。单电源电压范围为3 12 V ，而
双电源工作，建议在±3 ± 6V。
结合高速（T
ON
： 19毫微秒），平
DS （ ON）
在该
模拟信号的范围（5
),
最小的插入损失（ - 3分贝
280兆赫） ，以及优异的串扰和关断隔离
性能（ - 80分贝50兆赫） ，在DG411L ， DG412L ，
DG413L理想地适合用于音频和视频信号
切换。
该DG411L和DG412L应对反控制逻辑
如图所示的真值表。该DG413L有两个常
开放和两个常闭开关。
特点
2.7-至12 V单电源或
± 3-直通± 6双电源供电
导通电阻 - R的
DS （ ON）
: 17
快速开关 - 吨
ON
： 19纳秒
t
关闭
： 12纳秒
TTL ， CMOS兼容
低泄漏： 0.25 nA的
2000 V ESD保护
可用的
RoHS指令*
柔顺
好处
最宽的动态范围
低信号误差和失真
先开后合式开关动作
简单interfacinge
应用
高精度自动测试设备
精密数据采集
通信系统
电池供电系统
电脑外设
SDSL ， DSLAM
音频和视频信号路由
功能框图及引脚配置
DG411L ， DG412L
双列直插式， TSSOP和SOIC
IN
1
D
1
S
1
V-
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
IN
2
D
2
S
2
V+
GND
V
L
S
3
D
3
IN
3
S
4
D
4
IN
4
6
7
8
顶视图
11
10
9
5
12
V
L
S
3
D
3
IN
3
DG413L
双列直插式， TSSOP和SOIC
IN
1
D
1
S
1
V-
1
2
3
4
16
15
14
13
IN
2
D
2
S
2
V+
真值表
逻辑
0
1
逻辑“0”的
0.8 V
逻辑“1”的
2.4 V
DG411L
ON
关闭
DG412L
关闭
ON
真值表
逻辑
0
1
逻辑“0”的
0.8 V
逻辑“1”的
2.4 V
SW
1
， SW
4
关闭
ON
SW
2
， SW
3
ON
关闭
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 71397
S11-0179 -REV 。男， 07 -FEB- 11
www.vishay.com
1
DG411L ， DG412L ， DG413L
Vishay Siliconix公司
订购信息
TEMP 。 RANGE
DG411L ， DG412L
DG411LDY
DG411LDY-E3
DG411LDY-T1
DG411LDY-T1-E3
16引脚窄体SOIC
DG412LDY
DG412LDY-E3
DG412LDY-T1
DG412LDY-T1-E3
- 40 ° C至85°C
DG411LDQ
DG411LDQ-E3
DG411LDQ-T1
DG411LDQ-T1-E3
16引脚TSSOP
DG412LDQ
DG412LDQ-E3
DG412LDQ-T1
DG412LDQ-T1-E3
DG413L
DG413LDY
DG413LDY-E3
DG413LDY-T1
DG413LDY-T1-E3
DG413LDQ
DG413LDQ-E3
DG413LDQ-T1
DG413LDQ-T1-E3
包
产品型号
16引脚窄体SOIC
- 40 ° C至85°C
16引脚TSSOP
绝对最大额定值
参数
V +至V-
GND到V-
V
L
I
Na
, V
S
, V
D
连续电流（任何终端）
峰值电流，S或D（脉冲1毫秒， 10 ％占空比）
储存温度
（ DQ ， DY后缀）
（ AK后缀）
16引脚TSSOP
c
功率耗散（包）
b
16引脚SOIC
d
16引脚CERDIP
e
极限
- 0.3 13
7
（GND - 0.3 ）至（V +） + 0.3
- 0.3至（V +） + 0.3
或30毫安，以先到者为准
30
100
- 65 125
- 65 150
450
650
900
mW
V
单位
mA
°C
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免7毫瓦/°C， 75°C以上
。减免7.6毫瓦/°C， 75°C以上
。减免12毫瓦/°C， 75°C以上。
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2
文档编号： 71397
S11-0179 -REV 。男， 07 -FEB- 11
DG411L ， DG412L ， DG413L
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
（单电源12V）
测试条件
除非另有说明
V+ = 12 V, V- = 0 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
后缀限制后缀限制
- 55 ° C至125°C - 40 ° C至85°C
温度。
b
满
V+ = 10.8 V, V- = 0 V
I
S
= 10 mA时， V
D
= 2/9 V
V
D
= 1/11 V, V
S
= 11/1 V
I
D（关闭）
渠道渗漏
当前
数字控制
输入电流，V
IN
低
输入电流，V
IN
高
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
突破前先
延时
电荷注入
e
关断隔离
e
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源导通电阻
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
I
S（ OFF）
典型值。
c
分钟。
d
0
马克斯。
d
12
30
45
分钟。
d
0
马克斯。
d
12
30
40
单位
V
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
20
-1
- 15
-1
- 15
-1
- 15
0.01
- 1.5
- 1.5
20
12
6
5
71
95
5
6
15
0.02
- 0.002
0.002
- 0.002
-1
- 7.5
-1
- 7.5
关机漏电流
1
15
1
15
1
15
1.5
1.5
50
70
30
48
-1
- 10
-1
- 10
-1
- 10
-1
-1
1
10
1
10
1
10
1
1
50
60
30
40
ns
nA
I
D（上）
V
S
= V
D
= 11/1 V
I
IL
I
IH
t
ON
t
关闭
t
D
Q
OIRR
X
TALK
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
e
V
IN
根据测试= 0.8 V
V
IN
根据测试= 2.4 V
A
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 5 V ，见图2
DG413L只，V
S
= 5 V
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
g
= 0 V ，R
g
= 0
,
C
L
- 10 nF的
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
pC
dB
通道到通道
相声
e
源关断电容
e
流掉
电容
e
通道导通电容
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
地电流
房间
房间
F = 1 MHz的
房间
房间
房间
满
pF
C
D（上）
I+
I-
V
IN
= 0或5伏
I
L
I
GND
1
7.5
-1
-5
1
7.5
-1
-5
1
5
A
房间
满
房间
满
房间
满
1
5
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25 ° C，完全=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
克。泄漏的参数由最坏的情况下测试条件保证不受测试。
文档编号： 71397
S11-0179 -REV 。男， 07 -FEB- 11
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DG411L ， DG412L ， DG413L
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
（双电源± 5 V ）
测试条件
除非另有说明
V+ = 5 V, V- = - 5 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
后缀限制后缀限制
- 55 ° C至125°C - 40 ° C至85°C
温度。
b
满
V+ = 5 V, V- = - 5 V
I
S
= 10 mA时， V
D
= ± 3.5 V
V+ = 5.5 , V- = - 5.5 V
V
D
= ± 4.5 V, V
S
= ± 4.5 V
V+ = 5.5 V, V- = - 5.5 V
V
S
= V
D
= ± 4.5 V
V
IN
根据测试= 0.8 V
V
IN
根据测试= 2.4 V
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
房间
房间
F = 1 MHz的
房间
房间
房间
满
V
IN
= 0或5伏
I
L
I
GND
房间
满
房间
满
房间
满
0.05
0.05
21
16
6
5
68
85
9
9
20
0.03
- 0.002
0.002
- 0.002
-1
- 7.5
-1
- 7.5
1
7.5
-1
-5
1
7.5
-1
-5
1
5
1
5
A
pF
dB
pC
20
-1
- 15
-1
- 15
-1
- 15
- 1.5
- 1.5
Ty.p
c
分钟。
d
-5
马克斯。
d
5
33
45
1
15
1
15
1
15
1.5
1.5
50
70
35
50
-1
- 10
-1
- 10
-1
- 10
-1
-1
分钟。
d
-5
马克斯。
d
5
33
40
1
10
1
10
1
10
1
1
50
60
35
40
ns
nA
单位
V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源导通电阻
关闭
漏电流
g
通道上
漏电流
g
数字控制
输入电流，V
IN
低
e
输入电流，V
IN
高
开启时间
e
打开-O FF时间
e
先开后合式时间
延迟
e
电荷注入
e
关断隔离
e
e
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
I
IL
I
IH
t
ON
t
关闭
t
D
Q
OIRR
X
TALK
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
e
A
动态特性
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= ± 3.5 V ，见图2
DG413L只，V
S
= 3.5 V
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
g
= 0 V ，R
g
= 0
,
C
L
- 10 nF的
通道到通道
相声
e
源关断电容
e
流掉
电容
e
通道导通电容
电源
正电源电流
e
负电源电流
e
逻辑电源电流
地电流
e
e
C
D（上）
I+
I-
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25 ° C，完全=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
克。泄漏的参数由最坏的情况下测试条件保证不受测试。
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4
文档编号： 71397
S11-0179 -REV 。男， 07 -FEB- 11
DG411L ， DG412L ， DG413L
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
（单电源5V）
测试条件
除非另有说明
V+ = 5 V, V- = 0 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
后缀限制后缀限制
- 55 ° C至125°C - 40 ° C至85°C
温度。
b
满
V+ = 4.5 V
I
S
= 5毫安， V
D
= 1 V, 3.5 V
房间
满
房间
热
房间
热
房间
房间
房间
热
V
IN
= 0或5伏
I
L
I
GND
房间
热
房间
热
房间
热
35
典型值。
c
分钟。
d
马克斯。
d
5
50
88
50
90
30
55
分钟。
d
马克斯。
d
5
50
75
50
60
30
40
ns
单位
V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源导通电阻
e
动态特性
开启时间
e
打开-O FF时间
e
先开后合式时间
延迟
e
电荷注入
e
电源
正电源电流
e
负电源电流
e
逻辑电源电流
地电流
e
e
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
t
ON
t
关闭
t
D
Q
27
15
6
0.5
0.02
- 0.002
0.002
- 0.002
-1
- 7.5
-1
- 7.5
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 3.5 V ，见图2
DG413L只，V
S
= 3.5 V
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
g
= 0 V ，R
g
= 0
,
C
L
- 10 nF的
pC
1
7.5
-1
-5
1
7.5
-1
-5
1
5
1
5
A
I+
I-
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25 ° C，完全=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
克。泄漏的参数由最坏的情况下测试条件保证不受测试。
文档编号： 71397
S11-0179 -REV 。男， 07 -FEB- 11
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