DCR3790B42
相位控制晶闸管
初步信息
2009年DS5809-1.2月（ LN26739 ）
特点
双面冷却
高浪涌能力
主要参数
V
DRM
I
T（ AV ）
I
TSM
的dV / dt *
的di / dt
4200V
3790A
53500A
1500V/s
400A/s
应用
高功率驱动器
高压电源
静态开关
电压额定值
第一部分和
订购
数
重复峰值
电压
V
DRM
和V
RRM
V
4200
4000
3500
3000
条件
*
较高的dV / dt可用的选项
DCR3790B42
DCR3790B40
DCR3790B35
DCR3790B30
T
vj
= -40°至125°
C
C,
I
DRM
= I
RRM
=的200mA，
V
DRM
, V
RRM
t
p
= 10ms时，
V
帝斯曼
＆放大器; V
RSM
=
V
DRM
＆放大器; V
RRM
+ 100V
分别
较低的电压等级。
外形类型代码： B
（见包的详细信息以获取更多信息）
订购信息
图。 1封装外形
订购时，选择所需的部件号
在电压等级选择表所示。
例如：
DCR3790B42
注：请使用完整的部件号订购时
并引述任何今后的对应这个号码
关于您的订单。
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DCR3790B42
半导体
动态特性
符号
I
RRM
/I
DRM
dv / dt的
的di / dt
参数
反向峰值和关态电流
马克斯。断态电压上升率直线
率通态电流上升
测试条件
在V
RRM
/V
DRM
, T
例
= 125°
C
到67 ％的V
DRM
, T
j
= 125 °门打开
C,
从67 ％V
DRM
2倍我
T（ AV ）
门源30V ， 10 ，
t
r
< 0.5μs的，T
j
= 125°
C
50Hz的重复
不重复
分钟。
-
-
-
-
马克斯。
200
1500
200
400
单位
mA
V / μs的
A / μs的
A / μs的
V
T（ TO ）
阈值电压 - 低等级
阈值电压 - 高层
700A至4100A在T
例
= 125°
C
4100A至12000A在T
例
= 125°
C
700A至4100A在T
例
= 125°
C
4100A至12000A在T
例
= 125°
C
V
D
= 67% V
DRM
，门源30V ， 10
t
r
= 0.5μs的，T
j
= 25°
C
-
-
-
-
待定
0.83
1.0
0.1688
0.1263
待定
V
V
m
m
s
r
T
通态斜率电阻 - 低级别
通态斜率电阻 - 高层
t
gd
延迟时间
t
q
打开-O FF时间
T
j
= 125° V
R
= 200V ，的di / dt = 1A / μs的，
C,
dV
DR
/ DT = 20V / μs的线性
250
500
s
Q
S
I
L
I
H
存储电荷
闭锁电流
保持电流
I
T
= 2000A ，T
j
= 125 °的di / dt - 1A / μs的，
C,
T
j
= 25° V
D
= 5V
C,
T
j
= 25° R
克-K
= , I
TM
= 500A ，我
T
= 5A
C,
1500
-
-
4500
3
300
C
A
mA
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半导体
11
130
最大外壳温度，T
例
( C )
10
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1000
2000
3000
4000
180
120
90
60
30
意味着功耗 - （千瓦）
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1000
2000
3000
4000
5000
180
120
90
60
30
o
5000
6000
意思是通态电流I
T（ AV ）
- (A)
意思是通态电流I
T（ AV ）
- (A)
图3通态功耗 - 正弦波
图4最大允许情况下，
双面冷却 - 正弦波
(
o
C )
130
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1000 2000 3000 4000 5000 6000
180
120
90
12
11
散热器
-
意味着功耗 - （千瓦）
最大的散热片温度，T
60
30
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1000 2000 3000 4000 5000 6000 7000
特区
180
120
90
60
30
意思是通态电流I
T（ AV ）
- (A)
意思是通态电流I
T（ AV ）
- (A)
图5.最大允许的散热器温度，
双面冷却 - 正弦波
图6通态功耗 - 矩形波
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