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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符D型号页 > 首字符D的型号第132页 > DG308BAK
DG308B/309B
Vishay Siliconix公司
改进的四路CMOS模拟开关
特点
D
D
D
D
D
D
D
D
"22-V
电源电压额定值
CMOS兼容逻辑
低导通电阻-R
DS ( ON)
: 45
W
低漏-I
D(上)
: 20 pA的
单电源供电的可能
扩展级温度范围
快速切换-T
ON
: < 200纳秒
低毛刺-Q量:1件
好处
D
D
D
D
D
D
D
广泛的模拟信号范围
简单的逻辑接口
更高的精确度
最小的瞬态
降低功耗
优于DG308A / 309
节省空间( TSSOP )
应用
D
D
D
D
D
D
D
工业仪器仪表
测试设备
通信系统
磁盘驱动器
电脑外设
便携式仪器
采样保持电路
描述
该DG308B / 309B模拟开关大大提高
工业标准DG308A / 309的版本。这些
设备制作的Vishay Siliconix公司自主研发的硅
栅的CMOS工艺,从而降低了导通电阻降低,
泄漏,更高的速度和更低的功耗。
开关瞬变。该DG308B和DG309B可处理
最多
"22-V
输入信号。外延层可以防止闭锁。
所有器件均在上真正的双向性能
条件,并且将阻塞信号到电源电平的关
条件。
这些四单刀单掷开关的设计
用于电信的各种应用中,
仪器仪表,过程控制,计算机外设等。
一种改进的电荷注入薪酬设计最小化
的DG308B是一个常开开关和DG309B是一
常闭开关。 (见真值表。 )
功能框图及引脚配置
DG308B
双列直插式, SOIC和TSSOP
真值表
逻辑
DG308B
关闭
ON
逻辑“0”的
v
3.5V
逻辑“1”的
w
11 V
DG309B
ON
关闭
IN
1
D
1
S
1
V–
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
IN
2
D
2
S
2
V+
NC
S
3
D
3
IN
3
0
1
订购信息
温度范围
16引脚塑料DIP
-40到85°C
40
16引脚窄体SOIC
16引脚TSSOP
产品型号
DG308BDJ
DG309BDJ
DG308BDY
DG309BDY
DG308BDQ
DG309BDQ
DG308BAK
DG308BAK/883
DG309BAK
DG309BAK/883
顶视图
-55到125°C
55
16引脚CERDIP
16皮 DIP
文档编号: 70047
S- 52896 -REV 。 E, 7月14日 - 97
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4-1
DG308B/309B
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
电压参考V ?
V+ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44 V
GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25 V
数字输入
a
V
S
, V
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ( V-) -2 V至(V +) + 2V
或30毫安,以先到者为准
目前,任何终端。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
峰值电流,S或D
(脉冲在1毫秒,10%占空比的最大值)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
储存温度
( AK ,后缀) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到150_C
( DJ , DY , DQ后缀) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到125_C
功率耗散(包)
b
16引脚塑料DIP
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 470毫瓦
16引脚窄体SOIC和TSSOP
d
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 640毫瓦
16引脚CERDIP
e
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦
注意事项:
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-将由内部钳位
二极管。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接,或焊接到印刷电路板。
。减免6.5毫瓦/ _C上述75°C
。减免7.6毫瓦/ _C上述75°C
。减免12毫瓦/ _C上述75°C
特定网络阳离子
a
测试条件
除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源导通电阻
r
DS ( ON)
MATCH
来源OFF漏电流
V
类似物
r
DS ( ON)
Dr
DS ( ON)
I
S( OFF)
I
D(关闭)
I
D(上)
V
S
=
"14
V, V
D
=
#14
V
V
D
=
"14
V, V
S
=
#14
V
V
S
= V
D
=
"14
V
V
D
=
"10
V,I
S
= 1毫安
房间
房间
房间
房间
房间
45
2
"0.01
"0.01
"0.02
后缀
-55到125°C
后缀
-40到85°C
符号
V+ = 15 V, V– = –15 V
V
IN
= 11 V, 3.5 V
f
温度
b
典型值
c
d
最大
d
d
最大
d
单位
-15
15
85
100
-15
15
85
100
V
W
%
-0.5
-20
-0.5
-20
-0.5
-40
0.5
20
0.5
20
0.5
40
-0.5
–5
0.5
5
0.5
5
0.5
10
nA
A
流掉泄漏电流
-0.5
–5
–0.5
–10
漏极泄漏电流
数字控制
输入电压高
输入电压低
输入电流
输入电容
V
INH
V
INL
I
INH
还是我
INL
C
IN
V
INH
或V
INL
房间
5
1
11
3.5
1
11
3.5
1
V
mA
pF
1
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
源关断电容
汲极关断电容
通道导通电容
关断隔离
通道到通道
相声
t
ON
t
关闭
Q
C
S( OFF)
C
D(关闭)
C
D(上)
OIRR
X
TALK
V
S
= 3 V ,见图2
房间
房间
房间
房间
V
S
= 0 V , F = 1兆赫
V
D
= V
S
= 0 V , F = 1兆赫
C
L
= 15 pF的,R
L
= 50
W
V
S
= 1 V
RMS
, F = 100千赫
房间
房间
房间
房间
1
5
5
16
90
dB
95
pF
F
200
150
200
150
ns
C
L
= 1000 PF, V
g
= 0 V,
R
g
= 0
W
pC
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4-2
文档编号: 70047
S- 52896 -REV 。 E, 7月14日 - 97
DG308B/309B
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非指定
参数
电源
正电源电流
负电源电流
电源电压范围为
连续运行
I+
V
IN
= 0或15 V
I–
V
OP
房间
房间
后缀
-55到125°C
后缀
-40到85°C
符号
V+ = 15 V, V– = –15 V
V
IN
= 11 V, 3.5 V
f
温度
b
典型值
c
d
最大
d
d
最大
d
单位
5
-1
-5
& QUOT ;
4
1
5
-1
-5
1
mA
& QUOT ;
22
& QUOT ;
4
& QUOT ;
22
V
特定网络阳离子
a
对于单电源
测试条件
除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
V
类似物
r
DS ( ON)
V
D
= 3 V , 8 V,I
S
= 1毫安
房间
90
后缀
-55到125°C
后缀
-40到85°C
符号
V+ = 12 V, V– = 0 V
V
IN
= 11 V, 3.5 V
f
温度
b
典型值
c
d
最大
d
d
最大
d
单位
0
12
160
200
0
12
160
200
V
W
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
t
ON
t
关闭
Q
V
S
= 8 V ,见图2
C
L
= 1 nF的,V
= 6 V ,R
= 0
W
房间
房间
房间
4
300
200
300
200
ns
pC
电源
正电源电流
负电源电流
电源电压范围为
连续运行
I+
V
IN
= 0或12伏
I–
V
OP
房间
房间
5
-1
-5
4
1
5
-1
-5
1
mA
44
4
44
V
注意事项:
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ,全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值,用于该数据片。
。通过设计保证,不受生产测试。
f.
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
文档编号: 70047
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S
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DG308B/309B
Vishay Siliconix公司
典型特征( 25_C除非另有说明)
r
DS ( ON)
与V
D
与电源电压
110
R DS(ON )漏源导通电阻(
W
)
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
–20 –16 –12
–8
–4
0
4
8
12
16
20
V
D
- 漏极电压( V)
"20
V
"10
V
"15
V
"5
V
R DS(ON )漏源导通电阻(
W
)
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
–15
125_C
85_C
25_C
–55_C
V+ = 15 V
V– = –15 V
r
DS ( ON)
与V
D
和温度
–10
–5
0
5
10
15
V
D
- 漏极电压( V)
r
DS ( ON)
与V
D
与单电源电压
250
R DS(ON )漏源导通电阻(
W
)
225
200
V+ = 5 V
漏电流与模拟电压
40
30
20
I S , I D - 电流( PA)
V+ = 22 V
V– = –22 V
T
A
= 25_C
I
D(上)
175
150
125
10 V
100
75
50
25
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
D
- 漏极电压( V)
12 V
15 V
7V
10
0
–10
–20
–30
–40
–20
I
S( OFF)
, I
D(关闭)
–15
–10
–5
0
5
10
15
20
模拟电压
漏电流与温度的关系
1 nA的
V+ = 15 V
V– = –15 V
V
S,
V
D
=
"14
V
30
Q
S,
Q
D
- 电荷注入与模拟电压
20
I S , I D - 当前
Q - 费( PC)
100 pA的
10
V+ = 15 V
V– = –15 V
V+ = 12 V
V– = 0 V
–10
0
I
S( OFF)
, I
D(关闭)
10 pA的
–20
1 pA的
–55
–35
–15
5
25
45
65
85
105 125
–30
–15
–10
–5
0
5
10
15
温度(℃)
模拟电压( V)
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S
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DG308B/309B
Vishay Siliconix公司
典型特征( 25_C除非另有说明)
关断隔离与频率的关系
120
110
100
OIRR ( dB)的
90
R
L
= 50
W
80
70
60
50
40
10 k
100 k
1M
10 M
V+ = 15 V
V– = –15 V
的F - 频率(Hz)
原理图(典型值CHANNEL )
V+
S
X
水平
SHIFT /
DRIVE
IN
X
V–
V+
D
X
GND
V–
图1 。
测试电路
+15 V
V+
V
S
= +3 V
S
IN
12 V
GND
V–
R
L
1 KW
C
L
35 pF的
开关
产量
–15 V
V
O
= V
S
R
L
R
L
+ r
DS ( ON)
V
O
t
ON
90%
D
V
O
逻辑
输入
12 V
50%
0V
t
关闭
t
r
<20 NS
t
f
<20 NS
图2中。
开关时间
文档编号: 70047
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S
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DG308B/309B
Vishay Siliconix公司
改进的四路CMOS模拟开关
特点
D
D
D
D
D
D
D
D
"22-V
电源电压额定值
CMOS兼容逻辑
低导通电阻-R
DS ( ON)
: 45
W
低漏-I
D(上)
: 20 pA的
单电源供电的可能
扩展级温度范围
快速切换-T
ON
: < 200纳秒
低毛刺-Q量:1件
好处
D
D
D
D
D
D
D
广泛的模拟信号范围
简单的逻辑接口
更高的精确度
最小的瞬态
降低功耗
优于DG308A / 309
节省空间( TSSOP )
应用
D
D
D
D
D
D
D
工业仪器仪表
测试设备
通信系统
磁盘驱动器
电脑外设
便携式仪器
采样保持电路
描述
该DG308B / 309B模拟开关大大提高
工业标准DG308A / 309的版本。这些
设备制作的Vishay Siliconix公司自主研发的硅
栅的CMOS工艺,从而降低了导通电阻降低,
泄漏,更高的速度和更低的功耗。
开关瞬变。该DG308B和DG309B可处理
最多
"22-V
输入信号。外延层可以防止闭锁。
所有器件均在上真正的双向性能
条件,并且将阻塞信号到电源电平的关
条件。
这些四单刀单掷开关的设计
用于电信的各种应用中,
仪器仪表,过程控制,计算机外设等。
一种改进的电荷注入薪酬设计最小化
的DG308B是一个常开开关和DG309B是一
常闭开关。 (见真值表。 )
功能框图及引脚配置
DG308B
双列直插式, SOIC和TSSOP
真值表
逻辑
DG308B
关闭
ON
逻辑“0”的
v
3.5V
逻辑“1”的
w
11 V
DG309B
ON
关闭
IN
1
D
1
S
1
V–
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
IN
2
D
2
S
2
V+
NC
S
3
D
3
IN
3
0
1
订购信息
温度范围
16引脚塑料DIP
-40到85°C
40
16引脚窄体SOIC
16引脚TSSOP
产品型号
DG308BDJ
DG309BDJ
DG308BDY
DG309BDY
DG308BDQ
DG309BDQ
DG308BAK
DG308BAK/883
DG309BAK
DG309BAK/883
顶视图
-55到125°C
55
16引脚CERDIP
16皮 DIP
文档编号: 70047
S- 52896 -REV 。 E, 7月14日 - 97
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4-1
DG308B/309B
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
电压参考V ?
V+ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44 V
GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25 V
数字输入
a
V
S
, V
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ( V-) -2 V至(V +) + 2V
或30毫安,以先到者为准
目前,任何终端。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
峰值电流,S或D
(脉冲在1毫秒,10%占空比的最大值)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
储存温度
( AK ,后缀) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到150_C
( DJ , DY , DQ后缀) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到125_C
功率耗散(包)
b
16引脚塑料DIP
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 470毫瓦
16引脚窄体SOIC和TSSOP
d
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 640毫瓦
16引脚CERDIP
e
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦
注意事项:
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-将由内部钳位
二极管。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接,或焊接到印刷电路板。
。减免6.5毫瓦/ _C上述75°C
。减免7.6毫瓦/ _C上述75°C
。减免12毫瓦/ _C上述75°C
特定网络阳离子
a
测试条件
除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源导通电阻
r
DS ( ON)
MATCH
来源OFF漏电流
V
类似物
r
DS ( ON)
Dr
DS ( ON)
I
S( OFF)
I
D(关闭)
I
D(上)
V
S
=
"14
V, V
D
=
#14
V
V
D
=
"14
V, V
S
=
#14
V
V
S
= V
D
=
"14
V
V
D
=
"10
V,I
S
= 1毫安
房间
房间
房间
房间
房间
45
2
"0.01
"0.01
"0.02
后缀
-55到125°C
后缀
-40到85°C
符号
V+ = 15 V, V– = –15 V
V
IN
= 11 V, 3.5 V
f
温度
b
典型值
c
d
最大
d
d
最大
d
单位
-15
15
85
100
-15
15
85
100
V
W
%
-0.5
-20
-0.5
-20
-0.5
-40
0.5
20
0.5
20
0.5
40
-0.5
–5
0.5
5
0.5
5
0.5
10
nA
A
流掉泄漏电流
-0.5
–5
–0.5
–10
漏极泄漏电流
数字控制
输入电压高
输入电压低
输入电流
输入电容
V
INH
V
INL
I
INH
还是我
INL
C
IN
V
INH
或V
INL
房间
5
1
11
3.5
1
11
3.5
1
V
mA
pF
1
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
源关断电容
汲极关断电容
通道导通电容
关断隔离
通道到通道
相声
t
ON
t
关闭
Q
C
S( OFF)
C
D(关闭)
C
D(上)
OIRR
X
TALK
V
S
= 3 V ,见图2
房间
房间
房间
房间
V
S
= 0 V , F = 1兆赫
V
D
= V
S
= 0 V , F = 1兆赫
C
L
= 15 pF的,R
L
= 50
W
V
S
= 1 V
RMS
, F = 100千赫
房间
房间
房间
房间
1
5
5
16
90
dB
95
pF
F
200
150
200
150
ns
C
L
= 1000 PF, V
g
= 0 V,
R
g
= 0
W
pC
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文档编号: 70047
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特定网络阳离子
a
测试条件
除非指定
参数
电源
正电源电流
负电源电流
电源电压范围为
连续运行
I+
V
IN
= 0或15 V
I–
V
OP
房间
房间
后缀
-55到125°C
后缀
-40到85°C
符号
V+ = 15 V, V– = –15 V
V
IN
= 11 V, 3.5 V
f
温度
b
典型值
c
d
最大
d
d
最大
d
单位
5
-1
-5
& QUOT ;
4
1
5
-1
-5
1
mA
& QUOT ;
22
& QUOT ;
4
& QUOT ;
22
V
特定网络阳离子
a
对于单电源
测试条件
除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
V
类似物
r
DS ( ON)
V
D
= 3 V , 8 V,I
S
= 1毫安
房间
90
后缀
-55到125°C
后缀
-40到85°C
符号
V+ = 12 V, V– = 0 V
V
IN
= 11 V, 3.5 V
f
温度
b
典型值
c
d
最大
d
d
最大
d
单位
0
12
160
200
0
12
160
200
V
W
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
t
ON
t
关闭
Q
V
S
= 8 V ,见图2
C
L
= 1 nF的,V
= 6 V ,R
= 0
W
房间
房间
房间
4
300
200
300
200
ns
pC
电源
正电源电流
负电源电流
电源电压范围为
连续运行
I+
V
IN
= 0或12伏
I–
V
OP
房间
房间
5
-1
-5
4
1
5
-1
-5
1
mA
44
4
44
V
注意事项:
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ,全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值,用于该数据片。
。通过设计保证,不受生产测试。
f.
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
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典型特征( 25_C除非另有说明)
r
DS ( ON)
与V
D
与电源电压
110
R DS(ON )漏源导通电阻(
W
)
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
–20 –16 –12
–8
–4
0
4
8
12
16
20
V
D
- 漏极电压( V)
"20
V
"10
V
"15
V
"5
V
R DS(ON )漏源导通电阻(
W
)
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
–15
125_C
85_C
25_C
–55_C
V+ = 15 V
V– = –15 V
r
DS ( ON)
与V
D
和温度
–10
–5
0
5
10
15
V
D
- 漏极电压( V)
r
DS ( ON)
与V
D
与单电源电压
250
R DS(ON )漏源导通电阻(
W
)
225
200
V+ = 5 V
漏电流与模拟电压
40
30
20
I S , I D - 电流( PA)
V+ = 22 V
V– = –22 V
T
A
= 25_C
I
D(上)
175
150
125
10 V
100
75
50
25
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
D
- 漏极电压( V)
12 V
15 V
7V
10
0
–10
–20
–30
–40
–20
I
S( OFF)
, I
D(关闭)
–15
–10
–5
0
5
10
15
20
模拟电压
漏电流与温度的关系
1 nA的
V+ = 15 V
V– = –15 V
V
S,
V
D
=
"14
V
30
Q
S,
Q
D
- 电荷注入与模拟电压
20
I S , I D - 当前
Q - 费( PC)
100 pA的
10
V+ = 15 V
V– = –15 V
V+ = 12 V
V– = 0 V
–10
0
I
S( OFF)
, I
D(关闭)
10 pA的
–20
1 pA的
–55
–35
–15
5
25
45
65
85
105 125
–30
–15
–10
–5
0
5
10
15
温度(℃)
模拟电压( V)
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典型特征( 25_C除非另有说明)
关断隔离与频率的关系
120
110
100
OIRR ( dB)的
90
R
L
= 50
W
80
70
60
50
40
10 k
100 k
1M
10 M
V+ = 15 V
V– = –15 V
的F - 频率(Hz)
原理图(典型值CHANNEL )
V+
S
X
水平
SHIFT /
DRIVE
IN
X
V–
V+
D
X
GND
V–
图1 。
测试电路
+15 V
V+
V
S
= +3 V
S
IN
12 V
GND
V–
R
L
1 KW
C
L
35 pF的
开关
产量
–15 V
V
O
= V
S
R
L
R
L
+ r
DS ( ON)
V
O
t
ON
90%
D
V
O
逻辑
输入
12 V
50%
0V
t
关闭
t
r
<20 NS
t
f
<20 NS
图2中。
开关时间
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