DG2731/2732/2733
Vishay Siliconix公司
低电压， 0.4
,
双路SPDT模拟开关
描述
该DG2731 / 2733分之2732是低电压，低导通电阻
tance ，双路单刀/双掷（ SPDT ）单
岩屑CMOS模拟开关专为高
模拟信号的开关性能。结合
低功率，高速度，低导通电阻，并且小
封装尺寸， DG2731 /二千七百三十三分之二千七百三十二非常适合
便携式和电池功率的应用。
该DG2731 / 2733分之2732有一个操作范围
1.6 V至4.3 V单电源供电。该DG2731和DG2732
有两个独立的控制引脚与反控制
逻辑。该DG2733有一个EN引脚使器件
当逻辑高。
该DG2731 / 2733分之2732 are 1.6 V逻辑兼容，
让简单的接口与低压DSP或
一节锂离子电池MCU控制逻辑和理想
直接动力。
该交换机进行内部电源轨同样的信号
以及在块的两个方向上时，与至
当电源电平掉。突破前先为
保证。
/ 2733分之2732是建立在日前，Vishay Siliconix公司的的DG2731
亚微米CMOS低压工艺技术和
提供大于300毫安闩锁保护，如
每JESD78测试。
作为一个坚定的合作伙伴，社区和envi-
境，日前，Vishay Siliconix公司生产该产品
与铅（Pb ） - 免费的设备终端。 DG2731 / 2732 /
2733采用DFN或MSOP封装。该
DFN封装的镍钯金器件之三
萌发和由铅（Pb ）表示-free " - E4"
后缀。该MSOP封装采用100 ％雾锡
设备终止和由铅（Pb） - 表示
免费" - E3"后缀。无论是雾锡和镍palla-
dium金器件端接满足所有JEDEC标
dards对回流焊和MSL等级。
特点
低电压操作（ 1.65 V至4.3 V）
低导通电阻 - R的
ON
: 0.3
@
3.6 V
快速切换：吨
ON
= 50 ns的@ 4.3 V
T
关闭
= 14 ns的@ 4.3 V
闩锁电流> 300毫安（ JESD78 ）
RoHS指令
柔顺
好处
降低功耗
高精度
减少电路板空间
TTL / 1.6 -V逻辑兼容
应用
手机
音箱耳麦开关
音频和视频信号路由
PCMCIA卡
电池供电系统
功能模块框图和引脚
CON组fi guration
文档编号： 73484
S- 51920 -REV 。 A， 12 - 09月05
www.vishay.com
1
DG2731/2732/2733
Vishay Siliconix公司
真值表
逻辑
0
1
0
1
EN （ DG2733只）
1
1
0
0
NC1 ， 2
ON
关闭
关闭
关闭
NO1 ， 2
关闭
ON
关闭
关闭
-40到85°C
DFN–10
MSOP–10
订购信息
温度范围
包
产品型号
DG2731DQ–T1–E3
DG2732DQ–T1–E3
DG2733DQ–T1–E3
DG2731DN–T1–E4
DG2732DN–T1–E4
DG2733DN–T1–E4
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
IN， COM ，NC ， NO
a
目前（除NO ， NC或COM的任何终端）
连续电流（ NO ， NC或COM ）
峰值电流（脉冲为1毫秒， 10 ％占空比）
存储温度（D后缀）
采用10引脚MSOP
包装回流焊条件
d
10引脚DFN
功率耗散（包）
b
MSOP–10
c
DFN–10
d
参考GND
V+
符号
极限
-0.3 5.0
-0.3 （V
+
+ 0.3)
30
±250
±500
-65到150
单位
V
mA
°C
320
1191
mW
笔记
一。在NC ，NO或COM或IN超过V +信号将通过内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免4.0毫瓦/ C 70°C以上
。减免14.9毫瓦/ C 70°C以上
。手工焊接铁，不建议无引线元件。该QFN是一种无引线封装。引线端子的端部是
暴露的铜（未镀），为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜唇不能得到保证
并且不要求以确保足够的底侧的焊料互连。
规格（ V + = 1.8 V）
测试条件
否则，除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
数字控制
输入高电压
输入低电压
输入电容
电源
电源电流
I+
V
IN
= 0或V +的
满
1.0
A
V
INH
V
INL
C
in
满
满
满
4
1.4
0.4
V
pF
V
NO
, V
NC
,
V
COM
r
ON
V+ = 1.8 V, V
COM
= 0.9 V，I
NO
, I
NC
= 100毫安
满
房间
满
0
0.7
V+
1.0
1.2
V
符号
V+ = 1.8 V, V
IN
= 0.4或1.4 V.
e
温度
a
民
b
范围
-40到85°C
典型值
c
最大
b
单位
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2
文档编号： 73484
S- 51920 -REV 。 A， 12 - 09月05
DG2731/2732/2733
Vishay Siliconix公司
规格（ V + = 3V）
测试条件
否则，除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
V
NO
, V
NC
,
V
COM
V+ = 2.7 V, V
COM
= 0.5 V，I
NO
, I
NC
= 100毫安
导通电阻
r
ON
V+ = 2.7 V, V
COM
= 1.5 V，I
NO
, I
NC
= 100毫安
V+ = 2.7 V, V
COM
= 0.51.5伏，
I
NO
, I
NC
= 100毫安
V+ = 3.3 V, V
NO
, V
NC
= 0.3 V / 4.0 V,
V
COM
= 3.0 V / 0.3 V
V+ = 3.3 V, V
NO
, V
NC
= V
COM
= 3.0 V / 0.3 V
满
房间
满
r
ON
MATCH
d
r
ON
I
否（关）
,
I
NC （ OFFF ）
I
COM （关闭）
通道渗漏
当前
数字控制
输入高电压
输入低电压
输入电容
输入电流
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
先开后合式时间
电荷注入
d
关断隔离
d
相声
d
N
O
, N
C
关断电容
d
通道导通电容
d
电源
电源电压范围
电源电流
开启时间
DG2733 （ EN ）
打开-O FF时间
DG2733 （ EN ）
V+
I+
t
ON （ EN ）
t
OFF （ EN ）
V
IN
= 0或V +的
V+ = 3.6 V
V
NO
或V
NC
= 1.5 V ，R
L
= 50
,
C
L
= 35 pF的
满
房间
满
房间
满
79
17
2.7
3.3
1.0
105
135
29
35
V
A
t
ON
t
关闭
t
BBM
Q
INJ
O
IRR
X
TALK
C
否（关）
C
NC （关闭）
C
编号为（ON）的
C
数控（ON）的
V
IN
= 0或V + ， F = 1兆赫
C
L
= 1 nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 100千赫
V+ = 3.6 V
V
NO
或V
NC
= 1.5 V ，R
L
= 50
,
C
L
= 35 pF的
房间
满
房间
满
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
10
9
–75
–75
104
104
230
230
pF
pC
dB
85
17
110
140
30
35
ns
V
INH
V
INL
C
in
I
INL
还是我
INH
V
IN
= 0或V +的
满
满
满
满
–1
5
1
1.4
0.5
V
pF
A
I
COM（上）
房间
房间
满
房间
满
房间
满
–1
–10
–1
–10
–1
–10
0.03
0
0.35
0.3
V+
0.45
0.6
0.06
1
10
1
10
1
10
nA
V
符号
V+ = 3 V, ±10 %, V
IN
= 0.5或1.4 V.
e
温度
a
民
b
范围
-40到85°C
典型值
c
最大
b
单位
关机漏电流
ns
文档编号： 73484
S- 51920 -REV 。 A， 12 - 09月05
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DG2731/2732/2733
Vishay Siliconix公司
规格（ V + = 4.3 V）
测试条件
否则，除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
V
NO
, V
NC
,
V
COM
V+ = 4.3 V, V
COM
= 0.9 V，I
NO
, I
NC
= 100毫安
导通电阻
r
ON
V+ = 4.3 V, V
COM
= 2.5 V，I
NO
, I
NC
= 100毫安
V+ = 4.3 V, V
COM
= 0.9 2.5 V + ，
I
NO
, I
NC
= 100毫安
V+ = 4.3 V, V
NO
, V
NC
= 0.3 V / 4.0 V,
V
COM
= 4.0 V / 0.3 V
V+ = 4.3 V, V
NO
, V
NC
= V
COM
= 3.0 V / 4.0 V
满
房间
满
r
ON
MATCH
d
关机泄漏
当前
d
通道渗漏
当前
d
数字控制
输入高电压
输入低电压
输入电容
输入电流
动态特性
先开后合式时间
电源
电源电压范围
电源电流
V+
I+
V
IN
= 0或V +的
满
4.3
1.0
V
A
t
BBM
V
NO
或V
NC
= 1.5 V ，R
L
= 50
,
C
L
= 35 pF的
满
5
ns
V
IN
V
INL
C
in
I
INL
还是我
INH
V
IN
= 0或V +的
满
满
满
满
–1
–4
1
1.6
0.5
V
pF
A
r
ON
I
否（关）
,
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
I
COM（上）
房间
满
满
满
–20
–20
–20
0.03
0
0.29
0.21
V+
0.4
0.55
0.06
20
20
20
nA
V
符号
V+ = 4.3 V, V
IN
= 0.5或1.6 V
e
温度
a
民
b
范围
-40到85°C
典型值
c
最大
b
单位
笔记
一。房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。保证了设计，不进行生产测试。
。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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文档编号： 73484
S- 51920 -REV 。 A， 12 - 09月05
DG2731/2732/2733
Vishay Siliconix公司
典型特征
0.8
0.7
r
ON
- 导通电阻（
)
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0.0
V+ = 4.3 V
V+ = 2.7 V
V+ = 1.8 V
T
C
= 25
C
I
S
= 100毫安
r
ON
- 导通电阻（
)
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
0.6
I
S
= 100毫安
V+ = 2.7 V
85
C
25
C
0.5
0.4
0.3
0.2
–40
C
0.1
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
COM
- 模拟电压（ V）
V
COM
- 模拟电压（ V）
r
ON
与V
COM
与电源电压
0.55
0.50
0.45
r
ON
- 导通电阻（
)
I + - 电源电流（ NA）
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
0.0
1
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
–40
–40
C
85
C
25
C
1000
I
S
= 100毫安
V+ = 4.3 V
10000
r
ON
与模拟电压和温度
V+ = 4.3 V
V
IN
= 0 V
100
10
–10
20
50
80
V
COM
- 模拟电压（ V）
温度（
C)
r
ON
与模拟电压和温度
百毫安
V+ = 4.3 V
10.0E–3
电源电流与温度的关系
I + - 电源电流（ A）
10毫安
100.0E–6
1.0毫安
1.0E–6
V+ =
3.6 V
V+ = 4.3 V
100 nA的
10.0E–9
V+ = 2.7 V
10 nA的
10
100
1K
10 K
100 K
1M
10 M
输入开关频率（Hz ）
100.0E–12
0
1
2
V
IN
3
4
5
电源电流与输入开关频率
电源电流与V
IN
文档编号： 73484
S- 51920 -REV 。 A， 12 - 09月05
www.vishay.com
5
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