DG2535/DG2536
新产品
Vishay Siliconix公司
0.35 -W低电压双路SPDT模拟开关
特点
D
D
D
D
D
D
低电压操作
低导通电阻 - R的
ON：
0.35
W
@ 2.7 V
69
分贝OIRR @ 2.7 V ， 100千赫
MSOP - 10和DFN - 10封装
ESD保护>2000 V
闩锁电流>300毫安（ JESD 78 ）
好处
D
D
D
D
D
降低功耗
精度高
减少电路板空间
1.8 V逻辑兼容
高带宽
应用
D
D
D
D
D
D
手机
音箱耳麦开关
音频和视频信号路由
PCMCIA卡
电池供电系统
继电器更换
描述
该DG2535 / DG2536是一个子1 -W （ 0.35
W
@ 2.7 V ）双
设计用于低电压应用单刀双掷模拟开关。
的DG2535 / DG2536具有导通电阻匹配（小于
0.05
W
@ 2.7 V）和平坦度（低于0.2
W
@ 2.7 V ），这些
保证在整个电压范围内。此外，低
逻辑阈值进行DG2535 / DG2536的理想接口
低电压DSP的控制信号。
该DG2535 / DG2536具有快速开关速度
突破前先保证。在开状态，所有
开关元件在两个方向上同样进行。
关断隔离和串扰
69
分贝@ 100千赫。
该DG2535 / DG2536采用Vishay Siliconix公司的
高密度的低电压CMOS工艺。一个eptiaxial层
建，以防止闩锁效应。该DG2535 / DG2536包含
2000 -V的ESD保护额外的好处。
在节省空间的MSOP- 10和DFN - 10无铅（Pb ） - 免费的软件包，
的DG2535 / DG2536是高性能，低R
ON
开关，用于
电池供电的应用。没有铅（Pb）被用在
制造过程中无论是内部的器件/封装或在
外部终端。作为一个坚定的合作伙伴社区
与环境，日前，Vishay Siliconix公司生产该产品
与无铅（Pb ） - 免费的设备终端。对于模拟开关
在DFN封装制造的产品中，铅（Pb ） - 免费
“ -E3 / E4 ”后缀被用作一个代号。铅（Pb ） - 免费
随时购买的DFN产品将具有任一
镍钯金器件端接或100 ％雾锡
设备终端。不同的铅（Pb ） - 免费材料
互换，满足所有JEDEC标准的回流焊和
MSL等级。
功能框图及引脚配置
DG2535
V+
NO1
COM1
IN1
NC1
1
2
3
4
5
顶视图
10
9
8
7
6
NO2
COM2
IN2
NC2
GND
真值表
逻辑
0
1
NC1和NC2
ON
关闭
NO1和NO2
关闭
ON
DG2536
V+
NC1
COM1
IN1
NO1
1
2
3
4
5
顶视图
10
9
8
7
6
NC2
COM2
IN2
NO2
GND
-40到85°C
40
DFN-10
订购信息
温度范围
包
MSOP-10
产品型号
DG2535DQ-T1—E3
DG2536DQ-T1—E3
DG2535DN-T1—E3/E4
DG2536DN-T1—E3/E4
文档编号： 72939
S- 41967 -REV 。 B， 01 - NOV- 04
www.vishay.com
1
DG2535/DG2536
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参考GND
V + 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 + 6V
IN， COM ，NC ， NO
a . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
-0.3到（V + + 0.3V）
连续电流（ NO ， NC ， COM ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
"300
mA
峰值电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
"500
mA
（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比）
存储温度（D后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150℃
每个方法3015.7 ESD
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
>2千伏
新产品
功率耗散（包）
b
MSOP-10
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 320毫瓦
DFN-10
d
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1191毫瓦
注意事项：
一。数控信号，无需或COM或IN超过V +将被夹住间
最终二极管。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免4.0毫瓦/ _C以上70_C
。减免14.9毫瓦/ _C以上70_C
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
规格（ V + = 3V）
测试条件
否则，除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
r
ON
平整度
d
导通电阻
通道间匹配
d
V
NO
, V
NC
,
V
COM
r
ON
r
ON
平整度
Dr
DS （ ON）
I
否（关）
,
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
信道泄漏电流
I
COM（上）
V+ = 3.3 V, V
NO
, V
NC
= 0.3 V/3 V
V
COM
= 3 V/0.3 V
V+ = 3.3 V, V
NO
, V
NC
= V
COM
= 0.3 V/3 V
V+ 2 7 V
V = 2.7 V, V
COM
= 0 6/1 5 V
0.6/1.5
I
NO
, I
NC
= 100毫安
满
房间
满
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
1
10
1
10
1
10
0
0.35
0.09
V+
0.5
0.6
0.2
0.05
1
10
1
10
1
10
nA
W
V
范围
40
至85℃
符号
V+ = 3 V,
"10%,
V
IN
= 0.5或1.4 V.
e
温度
a
民
b
典型值
c
最大
b
单位
关机漏电流
数字控制
输入高电压
d
输入低电压
输入电容
输入电流
V
INH
满
满
满
V
IN
= 0或V +的
满
1.4
0.5
10
1
1
V
INL
C
in
V
pF
mA
I
INL
还是我
INH
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
先开后合式时间
收费
注射
d
关断隔离
d
相声
d
N
O
, N
C
关断电容
d
通道上
通道导通电容
d
t
ON
V
NO
或V
NC
= 2.0 V ，R
L
= 50
W,
C
L
= 35 pF的
20V
W
t
关闭
t
d
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
否（关）
C
NC （关闭）
C
编号为（ON）的
C
数控（ON）的
V
IN
= 0或V + F = 1 MHz的
V+,
V
NO
或V
NC
= 2.0 V ，R
L
= 50
W,
C
L
= 35 pF的
C
L
= 1 nF的，V
根
= 1.5 V ，R
根
= 0
W
R
L
= 50
W
C
L
= 5 pF的F = 100千赫
W,
PF，
房间
满
房间
满
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
1
52
43
6
21
69
69
145
145
406
406
pF
pC
dB
82
90
73
78
ns
电源
电源电流
I+
V
IN
= 0或V +的
满
1.0
mA
注意事项：
一。房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
B 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，也不进行生产测试。
。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
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文档编号： 72939
S- 41967 -REV 。 B， 01 - NOV- 04
2
DG2535/DG2536
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
r
ON
与V
COM
与电源电压
0.7
0.6
r
ON
导通电阻（
W
)
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0.0
V+ = 3.3 V
V+ = 1.8 V
V+ = 2.0 V
V+ = 2.7 V
V+ = 3.0 V
中T = 25℃
I
A
= 100毫安
r
ON
导通电阻（
W
)
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0.0
V+ = 3.0 V
I
S
= 100毫安
Vishay Siliconix公司
r
ON
与模拟电压和温度（ NC1 ）
85_C
40_C
25_C
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
COM
模拟电压（ V）
V
COM
模拟电压（ V）
电源电流与温度的关系
100000
V+ = 3.0 V
V
IN
= 0 V
I+
电源电流（ A）
百毫安
10毫安
1毫安
100
mA
10
mA
1
mA
100 nA的
10 nA的
10
温度（℃）
1 nA的
电源电流与输入开关频率
V+ = 3 V
10000
I+
电源电流（ NA）
1000
100
10
100
1K
10 K
100 K
1M
10 M
输入开关频率（Hz ）
漏电流与温度的关系
10000
V+ = 3.0 V
1000
漏电流（PA ）
I
COM（上）
I
COM （关闭）
漏电流（PA ）
300
250
200
150
100
50
0
50
100
150
200
250
1
60
40
20
0
20
40
60
80
100
300
0.0
0.5
泄漏与模拟电压
V+ = 3.0 V
I
COM（上）
I
否（关）
, I
NC （关闭）
100
10
I
否（关）
, I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
温度（℃）
V
COM
模拟电压（ V）
文档编号： 72939
S- 41967 -REV 。 B， 01 - NOV- 04
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DG2535/DG2536
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
100
90
t
ON
/ t
关闭
切换时间（纳秒）
80
70
60
50
40
30
20
10
0
60
90
40
20
0
20
40
60
80
100
100 K
1M
10 M
频率（Hz）
100 M
1G
温度（℃）
t
关闭
V+ = 2 V
t
ON
V+ = 3 V
t
关闭
V+ = 3 V
开关时间与温度的关系
10
t
ON
V+ = 2 V
损失， OIRR ，X
TALK
（ dB）的
插入损耗，关断隔离
串扰与频率
10
损失
30
X
TALK
OIRR
50
V+ = 3.0 V
R
L
= 50
W
70
开关阈值与电源电压
2.00
1.75
Q
电荷注入（ PC）
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0.00
0
1
2
3
4
5
6
V+
电源电压（ V）
300
250
200
150
100
50
0
50
100
150
200
250
300
0.0
电荷注入与模拟电压
切换门限（V ）
V+ = 2.0 V
V+ = 3.0 V
V
T
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
COM
模拟电压（ V）
测试电路
V+
逻辑
输入
V+
开关
输入
NO或NC
IN
逻辑
输入
GND
0V
C
L
（包括网络连接夹具和杂散电容）
V
OUT
+
V
COM
R
L
)
R
ON
R
L
R
L
300
W
C
L
35 pF的
COM
开关输出
V
OUT
开关
产量
0V
t
ON
t
关闭
V
INH
50%
V
INL
0.9× V
OUT
t
r
t
5纳秒
t
f
t
5纳秒
逻辑“1” =开关开
逻辑输入波形倒置具有开关
相反的逻辑感。
图1 。
开关时间
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DG2535/DG2536
新产品
测试电路
V+
逻辑
输入
COM
V
O
R
L
300
W
GND
C
L
35 pF的
V
INH
V
INL
t
r
t
5纳秒
t
f
t
5纳秒
Vishay Siliconix公司
V+
V
NO
V
NC
NO
NC
IN
V
NC
= V
NO
V
O
开关
0V
产量
90%
t
D
t
D
C
L
（包括网络连接夹具和杂散电容）
图2中。
突破前先间隔
V+
V
OUT
R
根
+
V
IN
= 0
V+
V+
NC或NO
IN
GND
COM
V
OUT
C
L
= 1 nF的
IN
On
关闭
Q =
DV
OUT
乘C
L
在依赖于交换机配置：输入极性
通过开关的意识决定的。
On
DV
OUT
网络连接gure 3 。
电荷注入
V+
10 nF的
V+
NC或NO
IN
COM
COM
0V, 2.4 V
IN
NC或NO
GND
10 nF的
V+
COM
V+
0 V, 2.4 V
GND
计
HP4192A
阻抗
分析仪
或同等学历
F = 1 MHz的
R
L
分析仪
关断隔离
+
20日志V
NO NC
V
COM
图4中。
关断隔离
图5中。
道关/开电容
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅技术的可靠性和数据
封装可靠性代表的所有合格的地点的复合物。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记和可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?72939 。
文档编号： 72939
S- 41967 -REV 。 B， 01 - NOV- 04
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DG2535/DG2536
新产品
Vishay Siliconix公司
0.35 -W低电压双路SPDT模拟开关
特点
D
D
D
D
D
D
低电压操作
低导通电阻 - R的
ON：
0.35
W
@ 2.7 V
69
分贝OIRR @ 2.7 V ， 100千赫
MSOP - 10和DFN - 10封装
ESD保护>2000 V
闩锁电流>300毫安（ JESD 78 ）
好处
D
D
D
D
D
降低功耗
精度高
减少电路板空间
1.8 V逻辑兼容
高带宽
应用
D
D
D
D
D
D
手机
音箱耳麦开关
音频和视频信号路由
PCMCIA卡
电池供电系统
继电器更换
描述
该DG2535 / DG2536是一个子1 -W （ 0.35
W
@ 2.7 V ）双
设计用于低电压应用单刀双掷模拟开关。
的DG2535 / DG2536具有导通电阻匹配（小于
0.05
W
@ 2.7 V）和平坦度（低于0.2
W
@ 2.7 V ），这些
保证在整个电压范围内。此外，低
逻辑阈值进行DG2535 / DG2536的理想接口
低电压DSP的控制信号。
该DG2535 / DG2536具有快速开关速度
突破前先保证。在开状态，所有
开关元件在两个方向上同样进行。
关断隔离和串扰
69
分贝@ 100千赫。
该DG2535 / DG2536采用Vishay Siliconix公司的
高密度的低电压CMOS工艺。一个eptiaxial层
建，以防止闩锁效应。该DG2535 / DG2536包含
2000 -V的ESD保护额外的好处。
在节省空间的MSOP- 10和DFN - 10无铅（Pb ） - 免费的软件包，
的DG2535 / DG2536是高性能，低R
ON
开关，用于
电池供电的应用。没有铅（Pb）被用在
制造过程中无论是内部的器件/封装或在
外部终端。作为一个坚定的合作伙伴社区
与环境，日前，Vishay Siliconix公司生产该产品
与无铅（Pb ） - 免费的设备终端。对于模拟开关
在DFN封装制造的产品中，铅（Pb ） - 免费
“ -E3 / E4 ”后缀被用作一个代号。铅（Pb ） - 免费
随时购买的DFN产品将具有任一
镍钯金器件端接或100 ％雾锡
设备终端。不同的铅（Pb ） - 免费材料
互换，满足所有JEDEC标准的回流焊和
MSL等级。
功能框图及引脚配置
DG2535
V+
NO1
COM1
IN1
NC1
1
2
3
4
5
顶视图
10
9
8
7
6
NO2
COM2
IN2
NC2
GND
真值表
逻辑
0
1
NC1和NC2
ON
关闭
NO1和NO2
关闭
ON
DG2536
V+
NC1
COM1
IN1
NO1
1
2
3
4
5
顶视图
10
9
8
7
6
NC2
COM2
IN2
NO2
GND
-40到85°C
40
DFN-10
订购信息
温度范围
包
MSOP-10
产品型号
DG2535DQ-T1—E3
DG2536DQ-T1—E3
DG2535DN-T1—E3/E4
DG2536DN-T1—E3/E4
文档编号： 72939
S- 41967 -REV 。 B， 01 - NOV- 04
www.vishay.com
1
DG2535/DG2536
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参考GND
V + 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 + 6V
IN， COM ，NC ， NO
a . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
-0.3到（V + + 0.3V）
连续电流（ NO ， NC ， COM ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
"300
mA
峰值电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
"500
mA
（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比）
存储温度（D后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150℃
每个方法3015.7 ESD
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
>2千伏
新产品
功率耗散（包）
b
MSOP-10
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 320毫瓦
DFN-10
d
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1191毫瓦
注意事项：
一。数控信号，无需或COM或IN超过V +将被夹住间
最终二极管。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免4.0毫瓦/ _C以上70_C
。减免14.9毫瓦/ _C以上70_C
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
规格（ V + = 3V）
测试条件
否则，除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
r
ON
平整度
d
导通电阻
通道间匹配
d
V
NO
, V
NC
,
V
COM
r
ON
r
ON
平整度
Dr
DS （ ON）
I
否（关）
,
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
信道泄漏电流
I
COM（上）
V+ = 3.3 V, V
NO
, V
NC
= 0.3 V/3 V
V
COM
= 3 V/0.3 V
V+ = 3.3 V, V
NO
, V
NC
= V
COM
= 0.3 V/3 V
V+ 2 7 V
V = 2.7 V, V
COM
= 0 6/1 5 V
0.6/1.5
I
NO
, I
NC
= 100毫安
满
房间
满
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
1
10
1
10
1
10
0
0.35
0.09
V+
0.5
0.6
0.2
0.05
1
10
1
10
1
10
nA
W
V
范围
40
至85℃
符号
V+ = 3 V,
"10%,
V
IN
= 0.5或1.4 V.
e
温度
a
民
b
典型值
c
最大
b
单位
关机漏电流
数字控制
输入高电压
d
输入低电压
输入电容
输入电流
V
INH
满
满
满
V
IN
= 0或V +的
满
1.4
0.5
10
1
1
V
INL
C
in
V
pF
mA
I
INL
还是我
INH
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
先开后合式时间
收费
注射
d
关断隔离
d
相声
d
N
O
, N
C
关断电容
d
通道上
通道导通电容
d
t
ON
V
NO
或V
NC
= 2.0 V ，R
L
= 50
W,
C
L
= 35 pF的
20V
W
t
关闭
t
d
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
否（关）
C
NC （关闭）
C
编号为（ON）的
C
数控（ON）的
V
IN
= 0或V + F = 1 MHz的
V+,
V
NO
或V
NC
= 2.0 V ，R
L
= 50
W,
C
L
= 35 pF的
C
L
= 1 nF的，V
根
= 1.5 V ，R
根
= 0
W
R
L
= 50
W
C
L
= 5 pF的F = 100千赫
W,
PF，
房间
满
房间
满
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
1
52
43
6
21
69
69
145
145
406
406
pF
pC
dB
82
90
73
78
ns
电源
电源电流
I+
V
IN
= 0或V +的
满
1.0
mA
注意事项：
一。房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
B 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，也不进行生产测试。
。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
www.vishay.com
文档编号： 72939
S- 41967 -REV 。 B， 01 - NOV- 04
2
DG2535/DG2536
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
r
ON
与V
COM
与电源电压
0.7
0.6
r
ON
导通电阻（
W
)
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0.0
V+ = 3.3 V
V+ = 1.8 V
V+ = 2.0 V
V+ = 2.7 V
V+ = 3.0 V
中T = 25℃
I
A
= 100毫安
r
ON
导通电阻（
W
)
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0.0
V+ = 3.0 V
I
S
= 100毫安
Vishay Siliconix公司
r
ON
与模拟电压和温度（ NC1 ）
85_C
40_C
25_C
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
COM
模拟电压（ V）
V
COM
模拟电压（ V）
电源电流与温度的关系
100000
V+ = 3.0 V
V
IN
= 0 V
I+
电源电流（ A）
百毫安
10毫安
1毫安
100
mA
10
mA
1
mA
100 nA的
10 nA的
10
温度（℃）
1 nA的
电源电流与输入开关频率
V+ = 3 V
10000
I+
电源电流（ NA）
1000
100
10
100
1K
10 K
100 K
1M
10 M
输入开关频率（Hz ）
漏电流与温度的关系
10000
V+ = 3.0 V
1000
漏电流（PA ）
I
COM（上）
I
COM （关闭）
漏电流（PA ）
300
250
200
150
100
50
0
50
100
150
200
250
1
60
40
20
0
20
40
60
80
100
300
0.0
0.5
泄漏与模拟电压
V+ = 3.0 V
I
COM（上）
I
否（关）
, I
NC （关闭）
100
10
I
否（关）
, I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
温度（℃）
V
COM
模拟电压（ V）
文档编号： 72939
S- 41967 -REV 。 B， 01 - NOV- 04
www.vishay.com
3
DG2535/DG2536
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
100
90
t
ON
/ t
关闭
切换时间（纳秒）
80
70
60
50
40
30
20
10
0
60
90
40
20
0
20
40
60
80
100
100 K
1M
10 M
频率（Hz）
100 M
1G
温度（℃）
t
关闭
V+ = 2 V
t
ON
V+ = 3 V
t
关闭
V+ = 3 V
开关时间与温度的关系
10
t
ON
V+ = 2 V
损失， OIRR ，X
TALK
（ dB）的
插入损耗，关断隔离
串扰与频率
10
损失
30
X
TALK
OIRR
50
V+ = 3.0 V
R
L
= 50
W
70
开关阈值与电源电压
2.00
1.75
Q
电荷注入（ PC）
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0.00
0
1
2
3
4
5
6
V+
电源电压（ V）
300
250
200
150
100
50
0
50
100
150
200
250
300
0.0
电荷注入与模拟电压
切换门限（V ）
V+ = 2.0 V
V+ = 3.0 V
V
T
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
COM
模拟电压（ V）
测试电路
V+
逻辑
输入
V+
开关
输入
NO或NC
IN
逻辑
输入
GND
0V
C
L
（包括网络连接夹具和杂散电容）
V
OUT
+
V
COM
R
L
)
R
ON
R
L
R
L
300
W
C
L
35 pF的
COM
开关输出
V
OUT
开关
产量
0V
t
ON
t
关闭
V
INH
50%
V
INL
0.9× V
OUT
t
r
t
5纳秒
t
f
t
5纳秒
逻辑“1” =开关开
逻辑输入波形倒置具有开关
相反的逻辑感。
图1 。
开关时间
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文档编号： 72939
S- 41967 -REV 。 B， 01 - NOV- 04
4
DG2535/DG2536
新产品
测试电路
V+
逻辑
输入
COM
V
O
R
L
300
W
GND
C
L
35 pF的
V
INH
V
INL
t
r
t
5纳秒
t
f
t
5纳秒
Vishay Siliconix公司
V+
V
NO
V
NC
NO
NC
IN
V
NC
= V
NO
V
O
开关
0V
产量
90%
t
D
t
D
C
L
（包括网络连接夹具和杂散电容）
图2中。
突破前先间隔
V+
V
OUT
R
根
+
V
IN
= 0
V+
V+
NC或NO
IN
GND
COM
V
OUT
C
L
= 1 nF的
IN
On
关闭
Q =
DV
OUT
乘C
L
在依赖于交换机配置：输入极性
通过开关的意识决定的。
On
DV
OUT
网络连接gure 3 。
电荷注入
V+
10 nF的
V+
NC或NO
IN
COM
COM
0V, 2.4 V
IN
NC或NO
GND
10 nF的
V+
COM
V+
0 V, 2.4 V
GND
计
HP4192A
阻抗
分析仪
或同等学历
F = 1 MHz的
R
L
分析仪
关断隔离
+
20日志V
NO NC
V
COM
图4中。
关断隔离
图5中。
道关/开电容
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅技术的可靠性和数据
封装可靠性代表的所有合格的地点的复合物。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记和可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?72939 。
文档编号： 72939
S- 41967 -REV 。 B， 01 - NOV- 04
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5
DG2535/DG2536
Vishay Siliconix公司
0.35 Ω的低电压双路SPDT模拟开关
描述
该DG2535 / DG2536是一个子1
Ω
(0.35
Ω
在2.7 V ）双
设计用于低电压应用单刀双掷模拟开关。
的DG2535 / DG2536具有导通电阻匹配（小于
0.05
Ω
2.7 V）和平坦度（低于0.2
Ω
在2.7 V ），这些
保证在整个电压范围内。此外，低
逻辑阈值进行DG2535 / DG2536的理想接口
低电压DSP的控制信号。
该DG2535 / DG2536具有快速开关速度
突破前先保证。在开状态，所有
开关元件在两个方向上同样进行。
关断隔离和串扰 - 68分贝100千赫。
该DG2535 / DG2536采用Vishay Siliconix公司的
高密度的低电压CMOS工艺。一个eptiaxial层
建，以防止闩锁效应。该DG2535 / DG2536包含
2000 V ESD保护额外的好处。
在节省空间的MSOP- 10和DFN - 10无铅（Pb ） - 免费
封装， DG2535 / DG2536是高性能，低
r
ON
开关电池供电的应用。没有铅（Pb ）是
在制造过程中或者在设备内使用/
打包或外部终端。作为一个坚定的
合作伙伴，社区和环境，日前，Vishay
Siliconix公司生产这种产品的无铅（Pb ） - 免费
设备终端。对于模拟开关产品
在DFN封装制造，铅（Pb ） - 免费" - E3 / E4"
后缀被用来作为一个标志符。铅（Pb ） - 免费DFN
随时购买的产品将具有任一
镍钯金器件端接或100 ％雾锡
设备终端。不同的铅（Pb ） - 免费材料
互换，满足所有JEDEC标准的回流焊和
MSL等级。
特点
低电压操作
低导通电阻 - R的
ON
: 0.35
Ω
在2.7 V
- 69分贝OIRR在2.7 V ， 100千赫
MSOP - 10和DFN - 10封装
ESD保护> 2000伏
闩锁电流> 300毫安（ JESD 78 ）
RoHS指令
柔顺
好处
降低功耗
精度高
减少电路板空间
1.8 V逻辑兼容
高带宽
应用
手机
音箱耳麦开关
音频和视频信号路由
PCMCIA卡
电池供电系统
继电器更换
功能框图及引脚配置
DG2535
V+
NO1
COM1
IN1
NC1
1
2
3
4
5
顶视图
10
9
8
7
6
NO2
COM2
IN2
NC2
GND
真值表
逻辑
0
1
NC1和NC2
ON
关闭
NO1和NO2
关闭
ON
DG2536
V+
NC1
COM1
IN1
NO1
1
2
3
4
5
顶视图
10
9
8
7
6
NC2
COM2
IN2
NO2
GND
订购信息
温度范围
包
MSOP-10
- 4085 ℃下
DFN-10
产品型号
DG2535DQ-T1-E3
DG2536DQ-T1-E3
DG2535DN-T1-E4
DG2536DN-T1-E4
文档编号： 72939
S- 71009 -REV 。 E， 14日， 07
www.vishay.com
1
DG2535/DG2536
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参数
引用V +和GND
IN， COM ，NC ， NO
a
连续电流（ NO ， NC ， COM ）
峰值电流（脉冲为1毫秒， 10 ％占空比）
存储温度（D后缀）
每个方法3015.7 ESD
功率耗散（包）
b
MSOP-10
c
DFN-10
d
极限
- 0.3 + 6
- 0.3 （V + + 0.3 ）
± 300
± 500
- 65 150
>2
320
1191
单位
V
mA
°C
kV
mW
注意事项：
一。在NC ，NO或COM或IN超过V +信号将通过内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免4.0毫瓦/°C， 70°C以上
。减免14.9毫瓦/°C， 70°C以上。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
规格（ V + = 3V）
测试条件
否则，除非指定
V+ = 3 V, ± 10 %, V
IN
= 0.5或1.4 V.
e
范围
- 4085 ℃下
温度
a
民
b
典型值
c
最大
b
单位
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
r
ON
平整度
d
导通电阻
通道间匹配
d
关闭
漏电流
通道上
漏电流
数字控制
输入高电压
d
输入低电压
输入电容
输入电流
符号
V
NO
, V
NC
V
COM
r
ON
r
ON
平整度
Δr
DS （ ON）
I
否（关）
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
I
COM（上）
满
房间
满
V+ = 2.7 V, V
COM
= 0.6 V / 1.5 V，I
NO
, I
NC
= 100毫安
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
满
V
IN
= 0或V +的
满
0
0.35
0.09
V+
0.5
0.6
0.2
0.05
V
Ω
V+ = 3.3 V
V
NO
, V
NC
= 0.3 V/3 V, V
COM
= 3 V/0.3 V
V+ = 3.3 V, V
NO
, V
NC
= V
COM
= 0.3 V/3 V
-1
- 10
-1
- 10
-1
- 10
1.4
1
10
1
10
1
10
nA
V
INH
V
INL
C
in
I
INL
还是我
INH
0.5
10
1
1
V
pF
A
www.vishay.com
2
文档编号： 72939
S- 71009 -REV 。 E， 14日， 07
DG2535/DG2536
Vishay Siliconix公司
规格（ V + = 3V）
测试条件
否则，除非指定
V+ = 3 V, ± 10 %, V
IN
= 0.4或2.0 V
e
范围
- 4085 ℃下
温度
a
房间
满
V
NO
或V
NC
= 2.0 V ，R
L
= 50
Ω,
C
L
= 35 pF的
房间
满
满
C
L
= 1 nF的，V
根
= 1.5 V ，R
根
= 0
Ω
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 100千赫
V
IN
= 0或V + ， F = 1兆赫
V
IN
= 0或V + ， F = 1兆赫
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
满
1
民
b
典型值
c
52
43
6
21
- 69
- 69
145
145
406
406
1.0
A
pF
pC
dB
最大
b
82
90
73
78
ns
单位
参数
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
先开后合式时间
电荷注入
d
关断隔离
d
相声
d
N
O
, N
C
关断电容
d
通道导通电容
d
电源
电源电流
符号
t
ON
t
关闭
t
d
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
否（关）
C
NC （关闭）
C
编号为（ON）的
C
NC （上
I+
V
IN
= 0或V +的
注意事项：
一。房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
B 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，也不进行生产测试。
。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
文档编号： 72939
S- 71009 -REV 。 E， 14日， 07
www.vishay.com
3
DG2535/DG2536
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
0.7
0.6
r
ON
- 导通电阻（ Ω ）
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0.0
V+ = 3.3 V
V+ = 1.8 V
V+ = 2.0 V
V+ = 2.7 V
V+ = 3.0 V
T = 25
°C
I
A
= 100毫安
r
ON
- 导通电阻（ Ω ）
0.8
0.7
0.6
0.5
85
°C
0.4
25
°C
0.3
0.2
0.1
0.0
0.0
- 40
°C
V+ = 3.0 V
I
S
= 100毫安
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
COM
- 模拟电压（ V）
V
COM
- 模拟电压（ V）
r
ON
与V
COM
与电源电压
100000
V+ = 3.0 V
V
IN
= 0 V
I + - 电源电流（ A）
百毫安
10毫安
1毫安
100 A
10 A
1 A
100 nA的
10 nA的
10
1 nA的
r
ON
与模拟电压和温度（ NC1 ）
V+ = 3 V
10000
I + - 电源电流（ NA）
1000
100
10
温度（℃）
100
1K
10 K
100 K
1M
10 M
输入开关频率（Hz ）
电源电流与温度的关系
10000
V+ = 3.0 V
I
COM（上）
1000
漏电流（PA ）
漏电流（PA ）
I
COM （关闭）
100
300
250
200
150
100
50
0
- 50
- 100
- 150
- 200
- 250
1
- 60
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
电源电流与输入开关频率
V+ = 3.0 V
I
COM（上）
I
否（关）
, I
NC （关闭）
I
否（关）
, I
NC （关闭）
10
I
COM （关闭）
- 300
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
温度（℃）
V
COM
- 模拟电压（ V）
漏电流与温度的关系
泄漏与模拟电压
www.vishay.com
4
文档编号： 72939
S- 71009 -REV 。 E， 14日， 07
DG2535/DG2536
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
100
90
t
ON
/ t
关闭
- 开关时间（纳秒）
80
70
60
50
40
30
20
10
0
- 60
- 90
100 K
1M
10 M
频率（Hz）
100 M
1G
t
关闭
V+ = 2 V
t
关闭
V+ = 3 V
t
ON
V+ = 3 V
t
ON
V+ = 2 V
- 10
损失， OIRR ，X
TALK
（ dB）的
损失
10
- 30
X
TA LK
OIRR
- 50
V+ = 3.0 V
R
L
= 50
Ω
- 70
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
温度（℃）
开关时间与温度的关系
插入损耗，关断隔离
串扰与频率
300
250
200
Q - 电荷注入（ PC）
2.00
1.75
- 开关阈值（ V）
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0.00
0
1
2
3
4
5
6
V + - 电源电压（ V）
150
100
50
0
- 50
- 100
- 150
- 200
- 250
- 300
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V+ = 3.0 V
V+ = 2.0 V
V
T
V
COM
- 模拟电压（ V）
开关阈值与电源电压
电荷注入与模拟电压
测试电路
V+
逻辑
输入
V+
开关
输入
NO或NC
IN
逻辑
输入
GND
0V
C
L
（包括网络连接夹具和杂散电容）
V
OUT
= V
COM
R
L
R
L
+ R
ON
逻辑"1" =接通
逻辑输入波形倒置具有开关
相反的逻辑感。
R
L
300
Ω
C
L
35 pF的
COM
开关输出
V
OUT
0.9× V
OUT
开关
产量
0V
t
ON
t
关闭
V
INH
50 %
V
INL
t
r
＆ LT ; 5纳秒
t
f
＆ LT ; 5纳秒
图1.开关时间
文档编号： 72939
S- 71009 -REV 。 E， 14日， 07
www.vishay.com
5
DG2535/DG2536
新产品
Vishay Siliconix公司
0.35 -W低电压双路SPDT模拟开关
特点
D
D
D
D
D
D
低电压操作
低导通电阻 - R的
ON：
0.35
W
@ 2.7 V
69
分贝OIRR @ 2.7 V ， 100千赫
MSOP - 10和DFN - 10封装
ESD保护>2000 V
闩锁电流>300毫安（ JESD 78 ）
好处
D
D
D
D
D
降低功耗
精度高
减少电路板空间
1.8 V逻辑兼容
高带宽
应用
D
D
D
D
D
D
手机
音箱耳麦开关
音频和视频信号路由
PCMCIA卡
电池供电系统
继电器更换
描述
该DG2535 / DG2536是一个子1 -W （ 0.35
W
@ 2.7 V ）双
设计用于低电压应用单刀双掷模拟开关。
的DG2535 / DG2536具有导通电阻匹配（小于
0.05
W
@ 2.7 V）和平坦度（低于0.2
W
@ 2.7 V ），这些
保证在整个电压范围内。此外，低
逻辑阈值进行DG2535 / DG2536的理想接口
低电压DSP的控制信号。
该DG2535 / DG2536具有快速开关速度
突破前先保证。在开状态，所有
开关元件在两个方向上同样进行。
关断隔离和串扰
69
分贝@ 100千赫。
该DG2535 / DG2536采用Vishay Siliconix公司的
高密度的低电压CMOS工艺。一个eptiaxial层
建，以防止闩锁效应。该DG2535 / DG2536包含
2000 -V的ESD保护额外的好处。
在节省空间的MSOP- 10和DFN - 10无铅（Pb ） - 免费的软件包，
的DG2535 / DG2536是高性能，低R
ON
开关，用于
电池供电的应用。没有铅（Pb）被用在
制造过程中无论是内部的器件/封装或在
外部终端。作为一个坚定的合作伙伴社区
与环境，日前，Vishay Siliconix公司生产该产品
与无铅（Pb ） - 免费的设备终端。对于模拟开关
在DFN封装制造的产品中，铅（Pb ） - 免费
“ -E3 / E4 ”后缀被用作一个代号。铅（Pb ） - 免费
随时购买的DFN产品将具有任一
镍钯金器件端接或100 ％雾锡
设备终端。不同的铅（Pb ） - 免费材料
互换，满足所有JEDEC标准的回流焊和
MSL等级。
功能框图及引脚配置
DG2535
V+
NO1
COM1
IN1
NC1
1
2
3
4
5
顶视图
10
9
8
7
6
NO2
COM2
IN2
NC2
GND
真值表
逻辑
0
1
NC1和NC2
ON
关闭
NO1和NO2
关闭
ON
DG2536
V+
NC1
COM1
IN1
NO1
1
2
3
4
5
顶视图
10
9
8
7
6
NC2
COM2
IN2
NO2
GND
-40到85°C
40
DFN-10
订购信息
温度范围
包
MSOP-10
产品型号
DG2535DQ-T1—E3
DG2536DQ-T1—E3
DG2535DN-T1—E3/E4
DG2536DN-T1—E3/E4
文档编号： 72939
S- 41967 -REV 。 B， 01 - NOV- 04
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1
DG2535/DG2536
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参考GND
V + 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 + 6V
IN， COM ，NC ， NO
a . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
-0.3到（V + + 0.3V）
连续电流（ NO ， NC ， COM ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
"300
mA
峰值电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
"500
mA
（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比）
存储温度（D后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150℃
每个方法3015.7 ESD
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
>2千伏
新产品
功率耗散（包）
b
MSOP-10
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 320毫瓦
DFN-10
d
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1191毫瓦
注意事项：
一。数控信号，无需或COM或IN超过V +将被夹住间
最终二极管。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免4.0毫瓦/ _C以上70_C
。减免14.9毫瓦/ _C以上70_C
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
规格（ V + = 3V）
测试条件
否则，除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
r
ON
平整度
d
导通电阻
通道间匹配
d
V
NO
, V
NC
,
V
COM
r
ON
r
ON
平整度
Dr
DS （ ON）
I
否（关）
,
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
信道泄漏电流
I
COM（上）
V+ = 3.3 V, V
NO
, V
NC
= 0.3 V/3 V
V
COM
= 3 V/0.3 V
V+ = 3.3 V, V
NO
, V
NC
= V
COM
= 0.3 V/3 V
V+ 2 7 V
V = 2.7 V, V
COM
= 0 6/1 5 V
0.6/1.5
I
NO
, I
NC
= 100毫安
满
房间
满
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
1
10
1
10
1
10
0
0.35
0.09
V+
0.5
0.6
0.2
0.05
1
10
1
10
1
10
nA
W
V
范围
40
至85℃
符号
V+ = 3 V,
"10%,
V
IN
= 0.5或1.4 V.
e
温度
a
民
b
典型值
c
最大
b
单位
关机漏电流
数字控制
输入高电压
d
输入低电压
输入电容
输入电流
V
INH
满
满
满
V
IN
= 0或V +的
满
1.4
0.5
10
1
1
V
INL
C
in
V
pF
mA
I
INL
还是我
INH
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
先开后合式时间
收费
注射
d
关断隔离
d
相声
d
N
O
, N
C
关断电容
d
通道上
通道导通电容
d
t
ON
V
NO
或V
NC
= 2.0 V ，R
L
= 50
W,
C
L
= 35 pF的
20V
W
t
关闭
t
d
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
否（关）
C
NC （关闭）
C
编号为（ON）的
C
数控（ON）的
V
IN
= 0或V + F = 1 MHz的
V+,
V
NO
或V
NC
= 2.0 V ，R
L
= 50
W,
C
L
= 35 pF的
C
L
= 1 nF的，V
根
= 1.5 V ，R
根
= 0
W
R
L
= 50
W
C
L
= 5 pF的F = 100千赫
W,
PF，
房间
满
房间
满
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
1
52
43
6
21
69
69
145
145
406
406
pF
pC
dB
82
90
73
78
ns
电源
电源电流
I+
V
IN
= 0或V +的
满
1.0
mA
注意事项：
一。房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
B 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，也不进行生产测试。
。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
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S- 41967 -REV 。 B， 01 - NOV- 04
2
DG2535/DG2536
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
r
ON
与V
COM
与电源电压
0.7
0.6
r
ON
导通电阻（
W
)
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0.0
V+ = 3.3 V
V+ = 1.8 V
V+ = 2.0 V
V+ = 2.7 V
V+ = 3.0 V
中T = 25℃
I
A
= 100毫安
r
ON
导通电阻（
W
)
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0.0
V+ = 3.0 V
I
S
= 100毫安
Vishay Siliconix公司
r
ON
与模拟电压和温度（ NC1 ）
85_C
40_C
25_C
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
COM
模拟电压（ V）
V
COM
模拟电压（ V）
电源电流与温度的关系
100000
V+ = 3.0 V
V
IN
= 0 V
I+
电源电流（ A）
百毫安
10毫安
1毫安
100
mA
10
mA
1
mA
100 nA的
10 nA的
10
温度（℃）
1 nA的
电源电流与输入开关频率
V+ = 3 V
10000
I+
电源电流（ NA）
1000
100
10
100
1K
10 K
100 K
1M
10 M
输入开关频率（Hz ）
漏电流与温度的关系
10000
V+ = 3.0 V
1000
漏电流（PA ）
I
COM（上）
I
COM （关闭）
漏电流（PA ）
300
250
200
150
100
50
0
50
100
150
200
250
1
60
40
20
0
20
40
60
80
100
300
0.0
0.5
泄漏与模拟电压
V+ = 3.0 V
I
COM（上）
I
否（关）
, I
NC （关闭）
100
10
I
否（关）
, I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
温度（℃）
V
COM
模拟电压（ V）
文档编号： 72939
S- 41967 -REV 。 B， 01 - NOV- 04
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3
DG2535/DG2536
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
100
90
t
ON
/ t
关闭
切换时间（纳秒）
80
70
60
50
40
30
20
10
0
60
90
40
20
0
20
40
60
80
100
100 K
1M
10 M
频率（Hz）
100 M
1G
温度（℃）
t
关闭
V+ = 2 V
t
ON
V+ = 3 V
t
关闭
V+ = 3 V
开关时间与温度的关系
10
t
ON
V+ = 2 V
损失， OIRR ，X
TALK
（ dB）的
插入损耗，关断隔离
串扰与频率
10
损失
30
X
TALK
OIRR
50
V+ = 3.0 V
R
L
= 50
W
70
开关阈值与电源电压
2.00
1.75
Q
电荷注入（ PC）
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0.00
0
1
2
3
4
5
6
V+
电源电压（ V）
300
250
200
150
100
50
0
50
100
150
200
250
300
0.0
电荷注入与模拟电压
切换门限（V ）
V+ = 2.0 V
V+ = 3.0 V
V
T
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
COM
模拟电压（ V）
测试电路
V+
逻辑
输入
V+
开关
输入
NO或NC
IN
逻辑
输入
GND
0V
C
L
（包括网络连接夹具和杂散电容）
V
OUT
+
V
COM
R
L
)
R
ON
R
L
R
L
300
W
C
L
35 pF的
COM
开关输出
V
OUT
开关
产量
0V
t
ON
t
关闭
V
INH
50%
V
INL
0.9× V
OUT
t
r
t
5纳秒
t
f
t
5纳秒
逻辑“1” =开关开
逻辑输入波形倒置具有开关
相反的逻辑感。
图1 。
开关时间
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文档编号： 72939
S- 41967 -REV 。 B， 01 - NOV- 04
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DG2535/DG2536
新产品
测试电路
V+
逻辑
输入
COM
V
O
R
L
300
W
GND
C
L
35 pF的
V
INH
V
INL
t
r
t
5纳秒
t
f
t
5纳秒
Vishay Siliconix公司
V+
V
NO
V
NC
NO
NC
IN
V
NC
= V
NO
V
O
开关
0V
产量
90%
t
D
t
D
C
L
（包括网络连接夹具和杂散电容）
图2中。
突破前先间隔
V+
V
OUT
R
根
+
V
IN
= 0
V+
V+
NC或NO
IN
GND
COM
V
OUT
C
L
= 1 nF的
IN
On
关闭
Q =
DV
OUT
乘C
L
在依赖于交换机配置：输入极性
通过开关的意识决定的。
On
DV
OUT
网络连接gure 3 。
电荷注入
V+
10 nF的
V+
NC或NO
IN
COM
COM
0V, 2.4 V
IN
NC或NO
GND
10 nF的
V+
COM
V+
0 V, 2.4 V
GND
计
HP4192A
阻抗
分析仪
或同等学历
F = 1 MHz的
R
L
分析仪
关断隔离
+
20日志V
NO NC
V
COM
图4中。
关断隔离
图5中。
道关/开电容
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅技术的可靠性和数据
封装可靠性代表的所有合格的地点的复合物。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记和可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?72939 。
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S- 41967 -REV 。 B， 01 - NOV- 04
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