DDTCxxxxLP （R1 ≠ R2系列）
预偏置小信号表面贴装百毫安NPN晶体管
特点
外延平面片建设
超小型无引脚表面贴装封装
非常适合于自动装配程序
铅的设计免费/符合RoHS （注1 ）
"Green"设备（注2 ）
2
3
1
3
2
E
B
C
R
1
R
2
1
机械数据
案例： DFN1006-3
外壳材料：模压塑料， "Green"成型
化合物。 UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
终端连接：收集点（见图表）
码头：完成
镍钯金退火铜线
引线框架。每MIL -STD- 202方法208
标识信息：请参见第6页
订购信息：参见第6页
重量：0.001克数（近似值）
组件P / N
DDTC123JLP
DDTC143ZLP
DDTC114YLP
R1(NOM)
2.2K
4.7K
10K
R2(NOM)
47K
47K
47K
C
3
图。 1
OUT
IN
1
B
IN
E
B
1
2
E
C
3
OUT
R
1
R
2
GND
2
GND
等效逆变器电路
原理图和引脚配置
图。 2
科幻gure
2
2
2
最大额定值
特征
电源电压
输入电压
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
P / N
DDTC123JLP
DDTC143ZLP
DDTC114YLP
DDTC123JLP
DDTC143ZLP
DDTC114YLP
符号
V
CC
V
IN
价值
50
-5到+12
-5到+30
-5 + 40
100
100
70
250
2
100
单位
V
V
输出电压
功率耗散（注3 ）
功率降额系数25以上
°C
最大集电极电流
I
O
P
D
P
DER
I
C（最大值）
mA
mW
毫瓦/°C的
mA
热特性
特征
接线工作和存储温度范围
热阻，结到环境空气（注3 ）
（相当于NPN之一激烈交界处）
注意事项：
1.
2.
3.
符号
T
j
, T
英镑
R
θJA
价值
-55到+150
400
单位
°C
° C / W
没有故意添加铅。
二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
设备安装在FR- 4 PCB ， 1 inchx0.85inchx0.062inch ;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局文件AP02001 ，这
可第6页或我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf上找到。
DS30755牧师4 - 2
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DDTCxxxxLP （R1 ≠ R2系列）
Diodes公司
电气特性
特征
开关特性
（注4 ）
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压*
发射极 - 基极击穿电压*
集电极截止电流*
底座截止电流（I
BEX
)
集电极 - 基极截断电流
集电极 - 发射极断路开关电流，I
O（关）
发射基截断电流
输入截止电压
基本特征
（注4 ）
基射极导通电压*
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
P / N
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CEX
I
BL
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
我（关闭）
DDTC123JLP
DDTC143ZLP
DDTC114YLP
DDTC123JLP
DDTC143ZLP
DDTC114YLP
DDTC123JLP
DDTC143ZLP
DDTC114YLP
民
50
50
4.5
1.1
50
70
125
150
180
-30
-20
典型值
250
最大
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.85
0.85
0.95
0.98
0.998
0.98
7.2
1.5
7.2
0.15
0.2
0.3
30
-20
单位
V
V
V
μA
μA
μA
μA
mA
V
测试条件
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
C
= 2毫安，我
B
= 0
B
I
E
= 50μA ，我
C
= 0
V
CE
= 50V, V
EB （O FF ）
= 3.0V
V
CE
= 50V, V
EB （O FF ）
= 3.0V
V
CB
= 50V ，我
E
= 0
V
CE
= 50V ，我
B
= 0
B
V
EB
= 5V ，我
C
= 0
V
CE
= 5V ，我
C
= 100μA
V
BE（上）
V
V
CE
= 5V ，我
C
= 2毫安
基射极饱和电压*
输入导通电压
输入电流
V
BE （ SAT ）
V
我（上）
I
I
V
V
mA
V
V
%
%
兆赫
I
C
= 10毫安，我
B
= 1mA时， V
CE
=5V
B
V
O
= 0.3V时，我
C
= 5毫安
V
I
= 5V
V
CE
= 5V ，我
C
= 1毫安
V
CE
= 5V ，我
C
= 2毫安
V
CE
= 5V ，我
C
= 5毫安
V
CE
= 5V ，我
C
= 10毫安
V
CE
= 5V ，我
C
= 50毫安
I
C
= 10毫安，我
B
= 1毫安
B
直流电流增益
h
FE
集电极 - 发射极饱和电压
在输出电压（同V
CE （ SAT ）
)
输入电阻+/- 30 ％
电阻率
小信号特性
过渡频率（增益带宽积）
注意事项：
V
CE （ SAT ）
V
O（上）
ΔR1
Δ
(R2/R1)
Ft
I
C
= 50mA时我
B
= 5毫安
B
I
J
= 2.5毫安，我
O
= 50毫安
V
CE
= 10V ，我
E
= 5毫安中，f = 100MHz的
*由设计保证
4.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
脉冲测试：脉冲宽度， tp<300美国，占空比， d< = 0.02
典型特性曲线
P
D
，功耗（毫瓦）
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
R
θJA
=400
°
C / W
T
A
，环境温度（
°
C)
图。 3功耗降低曲线
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