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DCR1008SF
DCR1008SF
相位控制晶闸管
超前信息
取代2000年1月版， DS4244-3.0
2001年DS4244-4.0月
特点
s
双面冷却
s
高浪涌能力
主要参数
V
DRM
I
T（ AV ）
I
TSM
DVDT *
的di / dt
3600V
1051A
15000A
1000V/
s
200A/
s
应用
s
高功率驱动器
s
高压电源
s
直流电机控制
s
焊接
s
电池充电器
*更高的dV / dt可用的选项
电压额定值
类型编号
重复峰值
电压
V
DRM
V
RRM
V
3600
3500
3400
3300
3200
条件
DCR1008SF36
DCR1008SF35
DCR1008SF34
DCR1008SF33
DCR1008SF32
T
vj
= 0至125℃ ，
I
DRM
= I
RRM
= 150毫安，
V
DRM
, V
RRM
t
p
= 10ms时，
V
帝斯曼
＆放大器; V
RSM
=
V
DRM
＆放大器; V
RRM
+ 100V
分别
外形类型代码：F
见包详细信息以获取更多信息。
图。 1封装外形
较低的电压等级。
订购信息
订购时，选择显示所需的部件号
额定电压选择表。
例如：
DCR1008SF35
注：请使用完整的部件号订购时
而报价在今后的任何对应关系这个数字与
您的订单。
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DCR1008SF
电流额定值
T
例
= 60°C ，除非国家dotherwise 。
符号
双侧冷却
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
T
意思是通态电流
有效值
连续的（直接）通态电流
半波阻性负载
-
-
1051
1650
1508
A
A
A
参数
条件
马克斯。
单位
单面冷却（阳极侧）
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
T
意思是通态电流
有效值
连续的（直接）通态电流
半波阻性负载
-
-
753
1182
1018
A
A
A
电流额定值
T
例
= 60°C ，除非国家dotherwise 。
符号
双侧冷却
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
T
意思是通态电流
有效值
连续的（直接）通态电流
半波阻性负载
-
-
830
1300
1160
A
A
A
参数
条件
马克斯。
单位
单面冷却（阳极侧）
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
T
意思是通态电流
有效值
连续的（直接）通态电流
半波阻性负载
-
-
565
890
770
A
A
A
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DCR1008SF
浪涌额定值
符号
I
TSM
I
2
t
I
TSM
I
2
t
参数
浪涌（非重复）通态电流
I
2
吨融合
浪涌（非重复）通态电流
I
2
吨融合
条件
10ms的半正弦;牛逼
例
= 125
o
C
V
R
= 50% V
RRM
- 1/4正弦
10ms的半正弦;牛逼
例
= 125
o
C
V
R
= 0
马克斯。
12.0
0.72 x 10
6
15.0
1.125 x 10
6
单位
kA
A
2
s
kA
A
2
s
热学和机械数据
符号
参数
条件
双侧冷却
R
日（J -C ）
热阻 - 结到管壳
单面冷却
阴极DC
锁模力19.5kN
与安装复合
导通状态（导通）
T
vj
虚拟结温
反向（阻塞）
T
英镑
-
存储温度范围
锁模力
-
–55
18.0
125
125
22.0
o
分钟。
dc
阳极DC
-
-
-
-
-
-
马克斯。
0.022
0.038
0.052
0.004
0.008
135
单位
o
C / W
o
C / W
C / W
C / W
C / W
o
o
双面
单面
o
R
个（ C-H）
热电阻 - 案件散热器
o
C
C
C
o
kN
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DCR1008SF
动态特性
符号
I
RRM
/I
DRM
dv / dt的
参数
反向峰值和关态电流
断态电压上升的最大线性速度
条件
在V
RRM
/V
DRM
, T
例
= 125
o
C
到67 ％的V
DRM
T
j
= 125
o
C.
从67 ％V
DRM
, I
T
= 1500A ， 50Hz的重复
门source1.5A
t
r
≤
0.5μs的。牛逼
j
= 125
o
C.
不重复
在T
vj
= 125
o
C
在T
vj
= 125
o
C
V
D
= 67% V
DRM
，门源30V ， 15Ω
上升时间0.5μs的，T
j
= 25
o
C
T
j
= 25
o
C，V
D
= 5V
T
j
= 25
o
C，R
克-K
=
∞
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
350
230
马克斯。
150
1000
75
200
1.1
0.57
2.0
900
600
单位
mA
V / μs的
A / μs的
A / μs的
V
m
s
mA
mA
s
的di / dt
率通态电流上升
V
T（ TO ）
r
T
t
gd
I
L
I
H
t
q
阈值电压
通态斜率电阻
延迟时间
闭锁电流
保持电流
I
T
= 3000A ，T
p
为1ms ，T
j
= 125C,
打开-O FF时间
V
RM
= 900V ，二
RR
/ DT = 5A / μs的，
V
DR
= 2800V ，DV
DR
/ DT = 20V / μs的线性
-
500
门极触发特性和额定值
符号
V
GT
I
GT
V
GD
V
FGM
V
FGN
V
RGM
I
FGM
P
GM
P
G（ AV ）
参数
门极触发电压
门极触发电流
门非触发电压
峰值正向栅极电压
峰值正向栅极电压
峰值反向栅极电压
峰值正向栅电流
峰值功率门
平均功耗门
阳极相对于阴极为正的
见附表。图。 4
条件
V
DRM
= 5V ，T
例
= 25
o
C
V
DRM
= 5V ，T
例
= 25
o
C
在V
DRM
T
例
= 125
o
C
阳极相对于阴极为正的
阳极负相对于阴极
马克斯。
3.5
200
0.25
30
0.25
5
30
150
10
单位
V
mA
V
V
V
V
A
W
W
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DCR1008SF
曲线
4000
脉冲的条件下测定
3500
6相
3000
3相
半波
特区
瞬时通态电流I
T
- (A)
3000
意味着功耗 - （W ）
2500
2000
2000
T
j
= 125C
1500
1000
1000
500
0
1.0
2.0
3.0
瞬时通态电压，V
T
- (V)
4.0
00
400
800
1200
意思是通态电流I
T（ AV ）
- (A)
1600
图2最大（极限）的通态特性
V
TM
公式： -
V
TM
= A + BLN （我
T
） + C.I
T
+ D.√I
T
哪里
A = 1.458475
B = –0.098355
C = 0.000484
D = 0.012565
这些值是有效的对于T
j
= 125℃下我
T
500A到4000A
图3耗散曲线
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