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DCR1002SF
DCR1002SF
相位控制晶闸管
超前信息
取代2000年4月版， DS4243-4.3
2001年DS4243-5.0月
特点
s
双面冷却
s
高浪涌能力
s
低导通损耗
主要参数
V
DRM
I
T（ AV ）
I
TSM
DVDT *
的di / dt
1400V
1850A
32500A
1000V/
s
1000A/
s
应用
s
高功率转换器
s
高压电源
s
直流电机控制
*更高的dV / dt可用的选项
电压额定值
类型编号
重复峰值
电压
V
DRM
V
RRM
V
1400
1300
1200
1100
1000
条件
DCR1002SF14
DCR1002SF13
DCR1002SF12
DCR1002SF11
DCR1002SF10
T
vj
= 0至125℃ ，
I
DRM
= I
RRM
= 100mA时
V
DRM
, V
RRM
t
p
= 10ms时，
V
帝斯曼
＆放大器; V
RSM
=
V
DRM
＆放大器; V
RRM
+ 100V
分别
外形类型代码：F
见包详细信息以获取更多信息。
图。 1封装外形
较低的电压等级。
订购信息
订购时，选择显示所需的部件号
额定电压选择表。
例如：
DCR1002SF12
注：请使用完整的部件号订购时
而报价在今后的任何对应关系这个数字与
您的订单。
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DCR1002SF
电流额定值
T
例
= 60℃ ，除非另有说明。
符号
双侧冷却
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
T
意思是通态电流
有效值
连续的（直接）通态电流
半波阻性负载
-
-
1850
2900
2668
A
A
A
参数
条件
马克斯。
单位
单面冷却（阳极侧）
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
T
意思是通态电流
有效值
连续的（直接）通态电流
半波阻性负载
-
-
1190
1870
1550
A
A
A
电流额定值
T
例
= 80°C ，除非另有说明。
符号
双侧冷却
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
T
意思是通态电流
有效值
连续的（直接）通态电流
半波阻性负载
-
-
1430
2245
1780
A
A
A
参数
条件
马克斯。
单位
单面冷却（阳极侧）
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
T
意思是通态电流
有效值
连续的（直接）通态电流
半波阻性负载
-
-
900
1414
1065
A
A
A
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DCR1002SF
浪涌额定值
符号
I
TSM
I
2
t
I
TSM
I
2
t
参数
浪涌（非重复）通态电流
I
2
吨融合
浪涌（非重复）通态电流
I
2
吨融合
条件
10ms的半正弦;牛逼
例
= 125
o
C
V
R
= 50% V
RRM
- 1/4正弦
10ms的半正弦;牛逼
例
= 125
o
C
V
R
= 0
马克斯。
26
3.38 x 10
6
32.5
5.28 x 10
6
单位
kA
A
2
s
kA
A
2
s
热学和机械数据
符号
参数
条件
双侧冷却
R
日（J -C ）
热阻 - 结到管壳
单面冷却
阴极DC
锁模力19.5kN
与安装复合
导通状态（导通）
T
vj
虚拟结温
反向（阻塞）
T
英镑
-
存储温度范围
锁模力
-
–55
18.0
125
125
22.0
o
分钟。
dc
阳极DC
-
-
-
-
-
-
马克斯。
0.018
0.036
0.036
0.003
0.006
135
单位
o
C / W
o
C / W
C / W
C / W
C / W
o
o
双面
单面
o
R
个（ C-H）
热电阻 - 案件散热器
o
C
C
C
o
kN
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DCR1002SF
动态特性
符号
I
RRM
/I
DRM
dv / dt的
参数
反向峰值和关态电流
断态电压上升的最大线性速度
条件
在V
RRM
/V
DRM
, T
例
= 125
o
C
到67 ％的V
DRM
T
j
= 125
o
C.
从80 ％的V
DRM
以1000A
门源20V ， 10Ω
t
r
=为0.5μs JEDEC的RS397
在T
vj
= 125
o
C
在T
vj
= 125
o
C
V
D
= 67% V
DRM
，门源30V ， 15Ω
上升时间0.5μs的，T
j
= 25
o
C
50Hz的重复
不重复
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
100
1000
500
1000
0.9
0.17
2
单位
mA
V / μs的
A / μs的
A / μs的
V
m
s
的di / dt
率通态电流上升
V
T（ TO ）
r
T
t
gd
阈值电压
通态斜率电阻
延迟时间
I
T
= 800A ，T
p
为1ms ，T
j
= 125C,
t
q
打开-O FF时间
V
RM
= 50V ，二
RR
/ DT = 20A / μs的，
V
DR
= 67% V
DRM
， DV
DR
/ DT = 20V / μs的线性
T
j
= 25
o
C，V
D
= 5V
T
j
= 25
o
C，R
克-K
=
∞
-
200
s
I
L
I
H
闭锁电流
保持电流
-
-
350
100
mA
mA
门极触发特性和额定值
符号
V
GT
I
GT
V
GD
V
FGM
V
FGN
V
RGM
I
FGM
P
GM
P
G（ AV ）
参数
门极触发电压
门极触发电流
门非触发电压
峰值正向栅极电压
峰值正向栅极电压
峰值反向栅极电压
峰值正向栅电流
峰值功率门
平均功耗门
阳极相对于阴极为正的
见附表，门特性曲线
条件
V
DRM
= 5V ，T
例
= 25
o
C
V
DRM
= 5V ，T
例
= 25
o
C
在67 ％V
DRM
T
例
= 125
o
C
阳极相对于阴极为正的
阳极负相对于阴极
马克斯。
3.5
200
0.25
30
0.25
5
30
150
10
单位
V
mA
V
V
V
V
A
W
W
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DCR1002SF
曲线
6000
脉冲的条件下进行测定。
条件：T已
j
= 125C
500
5000
瞬时通态电流I
T
- (A)
400
4000
意味着功耗 - （W ）
300
3000
200
2000
dc
1000
100
1/2波
3相
6相
0
0.5
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
瞬时通态电压，V
T
- (V)
2.00
0
0
500
1000
意思是通态电流 - （ A）
1500
图2最大（极限）的通态特性
图3的功耗曲线
V
TM
公式： -
V
TM
= A + BLN （我
T
） + C.I
T
+ D.√I
T
哪里
A = –0.6475
B = 0.3079
C = 0.0002787
D = –0.02311
这些值是有效的对于T
j
= 125℃下我
T
500A向
6000A
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