DB3M.DB4M
硅双向DIACS
特点
在3层， 2 termnal ，密封单IGBT
是专门用于触发晶闸管的设计。
他们证明了目前的低断断裂
过电压，因为他们承受峰值脉冲电流，
在导通对称性在三伏特（ DB6 ） 。
这些单IGBT是基于在thyrisitors使用
相位控制，对灯具的调光电路，通用
电动机速度控制，以及热控制。
电压范围： 28-45 V
小型晶圆电阻
阴极indification
φ
.5±0.1
1
3.4
+0.3
-0.1
0.4±0.1
单位：毫米
绝对额定值
参数
符号
DB3M,DB4M
单位
在打印功耗
T
A
=50
o
C
重复峰值通态
当前
TP = 20秒
f=120Hz
Pc
150.0
mW
I
TRM
T
J
T
英镑
2.0
-40--- +125
-40--- +125
A
o
o
工作结温
储存温度
C
C
电气特性
参数
测试条件
民
击穿电压
（注
1)
V
BO
I + V
BO
I-
我-V
BO
I
I±
VI
V
o
I
BO
t
r
I
R
C=22nf
（注2 ）
见图1
C=22nf
（注2 ）
见图1
I=(I
BO
到我
F
=10mA)
见图1
见图2
C=22nf
（注2 ）
看科幻G.3
V
R
=0.5 V
BO
见图1
DB3M
28
32
36
±3.0
DB4M
35
40
45
单位
典型值
最大
V
转折电压对称性
动态击穿电压
（注1 ）
输出电压
（注1 ）
导通电流
（注1 ）
上升时间
（注1 ）
漏电流
（注1 ）
最大
民
民
最大
典型值
最大
V
V
V
A
S
A
5.0
5.0
100.0
1.5
10.0
注意：
1.
适用于这两个FORW ARD电气特性和反向dirctions 。
2.
并联瓦特第i个设备
收视率和特性曲线
图1 - 电压 - 电流特性曲线
DB3M.DB4M
图2 - 测试电路输出电压
+I
F
10mA
-V
I
BO
I
B
0.5V
BO
+V
10KΩ
500KΩ
D.U.T
220V
60Hz
0.1
F
V
o
R=20
Ω
Ｖ
V
BO
-I
F
FIG.3--测试电路见图2调整R FOR I
P
=0.5A
图4 - 功耗与AMBIENT
温度（最大值）
为P（mW ）
160
140
90%
I
P
120
100
80
60
10%
tr
40
20
0
0
10
20 30
40 50
60
70
80
90
100 110 120 130
TAMB （
℃ )
图5 - V相对变化量
BO
与结
温度（典型值）
图6 - 峰值PULSEE电流VERENT VERSUS
脉冲持续时间（最大值）
I
TRM
(A)
1.08
VBO （ TJ ）
VBO(TJ=25
)
2
1.06
T
J
(
)
1
f=100Hz
TJ初始= 25 ℃
1.04
0.1
TP （
s)
1.02
1.00
25
50
75
100
125
0.01
10
100
1000
10000
BL
特点
银河电子
DB3M.DB4M
电压范围： 28-45 V
硅双向DIACS
在3层， 2 termnal ，密封单IGBT
是专门用于触发晶闸管的设计。
他们证明了目前的低断断裂
过电压，因为他们承受峰值脉冲电流，
在导通对称性在三伏特（ DB6 ） 。
这些单IGBT是基于在thyrisitors使用
相位控制，对灯具的调光电路，通用
电动机速度控制，以及热控制。
小型晶圆电阻
阴极indification
φ
.5±0.1
1
3.4
+0.3
-0.1
0.4±0.1
单位：毫米
绝对额定值
参数
符号
DB3M,DB4M
单位
在打印功耗
T
A
=50
o
C
重复峰值通态
当前
TP = 20秒
f=120Hz
Pc
150.0
mW
I
TRM
T
J
T
英镑
2.0
-40--- +125
-40--- +125
A
o
o
工作结温
储存温度
C
C
电气特性
参数
测试条件
民
击穿电压
（注
1)
V
BO
I + V
BO
I-
我-V
BO
I
I±
VI
V
o
I
BO
t
r
I
R
C=22nf
（注2 ）
见图1
C=22nf
（注2 ）
见图1
I=(I
BO
到我
F
=10mA)
见图1
见图2
C=22nf
（注2 ）
看科幻G.3
V
R
=0.5 V
BO
见图1
DB3M
28
32
36
±3.0
DB4M
35
40
45
单位
典型值
最大
V
转折电压对称性
动态击穿电压
（注1 ）
输出电压
（注1 ）
导通电流
（注1 ）
上升时间
（注1 ）
漏电流
（注1 ）
最大
民
民
最大
典型值
最大
V
V
V
A
S
A
www.galaxycn.com
5.0
5.0
100.0
1.5
10.0
注意：
1.
适用于这两个FORW ARD电气特性和反向dirctions 。
2.
并联瓦特第i个设备
文档编号0283006
BL
银河电子
1.
收视率和特性曲线
图1 - 电压 - 电流特性曲线
DB3M.DB4M
图2 - 测试电路输出电压
+I
F
10mA
-V
I
BO
I
B
0.5V
BO
+V
10KΩ
500KΩ
D.U.T
220V
60Hz
0.1
F
V
o
R=20
Ω
Ｖ
V
BO
-I
F
FIG.3--测试电路见图2调整R FOR I
P
=0.5A
图4 - 功耗与AMBIENT
温度（最大值）
为P（mW ）
160
140
90%
I
P
120
100
80
60
10%
tr
40
20
0
0
10
20 30
40 50
60
70
80
90
100 110 120 130
TAMB （
℃ )
图5 - V相对变化量
BO
与结
温度（典型值）
图6 - 峰值PULSEE电流VERENT VERSUS
脉冲持续时间（最大值）
I
TRM
(A)
1.08
VBO （ TJ ）
VBO(TJ=25
)
2
1.06
T
J
(
)
1
f=100Hz
TJ初始= 25 ℃
1.04
0.1
TP （
s)
1.02
1.00
25
50
75
100
125
0.01
10
100
1000
10000
www.galaxycn.com
文档编号0283006
BL
银河电子
2.
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