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DAC0800 ， DAC0802
www.ti.com
SNAS538C - 1999年6月 - 修订2013年2月
DAC0800 / DAC0802 8位数字 - 模拟转换器
检查样品：
DAC0800 ， DAC0802
1
特点
快速稳定输出电流： 100纳秒
满量程误差： ± 1 LSB
非线性过温度：± 0.1 ％
满量程电流漂移： ± 10 PPM /°C的
高输出合规性：
10V
至+ 18V
互补电流输出
直接与TTL ， CMOS ， PMOS接口和
OTHERS
2象限宽量程倍增能力
宽电源电压范围： ± 4.5V至±18V
低功耗： 33 mW的± 5V
低成本
描述
该DAC0800系列是单片8位高速
电流 - 输出的数字 - 模拟转换器（DAC）的
具有100 ns的典型稳定时间。当使用
作为一个乘法DAC ，单调的性能超过
40到1基准电流的范围是可能的。该
DAC0800系列还具有高合规
互补电流输出允许差
20 Vp-p的用简单的电阻负载的输出电压。
参考到满量程的更好的电流匹配
超过±1 LSB的省去了在满量程微调
更好的大多数应用中，而非线性
比随温度的±0.1％最大程度地减少系统错误
积累。
噪声免疫的投入将接受多种逻辑
的水平。的性能和特性
设备是基本保持不变在± 4.5V至
± 18V的电源电压范围和功耗
只有33毫瓦，具有± 5V电源是独立的逻辑
输入电平。
该
DAC0800,
DAC0802,
DAC0800C
和
DAC0802C是直接替换了DAC -08 ，
DAC- 08A ， DAC- 08C和DAC- 08H分别。为
单电源操作，请参阅AN- 1525 。
2
典型用途
引脚数字代表PDIP封装。 SOIC封装引脚数从该PDIP封装的不同。
图1. ± 20 V
P-P
输出数位类比转换器
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权所有 1999年至2013年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
DAC0800 ， DAC0802
SNAS538C - 1999年6月 - 修订2013年2月
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(1)
绝对最大额定值
电源电压（V
+
V
)
功耗
（ V14到V15 ）
参考输入共模
范围（ V14 ， V15 ）
参考输入电流
逻辑输入
模拟电流输出
(V
S
=
15V)
ESD敏感性
(3)
(2)
± 18V或36V
500毫瓦
V
到V
+
V
到V
+
5毫安
V
到V
加上36V
4.25毫安
TBD V
65°C
至+ 150°C
260°C
300°C
215°C
220°C
参考输入差分电压
储存温度
铅温度。 （焊接， 10秒）
PDIP封装（塑料）
CDIP封装（陶瓷）
表面贴装封装
气相（60秒）
红外（15秒）
(1)
(2)
(3)
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。直流和交流电气规格不
经营超出其规定的工作条件设备时适用。
该DAC0800与DAC0802的最高结温为125°C 。为在所述操作在升高的温度下，设备
CDIP包必须基于100 ° C / W的热阻会减小，结到环境，用于成型PDIP封装175 ° C / W
100 ° C / W的SOIC封装。
人体模型， 100pF的放电通过1.5 kΩ电阻。
工作条件
(1)
民
温度（T
A
)
DAC0800L
DAC0800LC
DAC0802LC
V
+
V
I
REF
(V
=
5V)
I
REF
(V =
15V)
(1)
最大
+125
+70
+70
(V
) + 30
5
2
4
单位
°C
°C
°C
V
V
mA
mA
55
0
0
(V
) + 10
15
1
1
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。直流和交流电气规格不
经营超出其规定的工作条件设备时适用。
2
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电气特性
以下规格适用于V
S
= -15V ，我
REF
= 2毫安和T
民
≤
T
A
≤
T
最大
除非另有规定。产量
特性是指两个余
OUT
我
OUT
.
参数
决议
单调性
非线性
到± ＆ frac12 ; LSB的顺序，所有的位开关为“ON”
或“OFF” ，T
A
=25°C
t
s
建立时间
DAC0800L
DAC0800LC
t
PLH
,
t
PHL
TCI
FS
V
OC
I
FS4
I
FSS
I
ZS
I
FSR
传播延迟
每个位
所有位开关
满量程温度系数
输出电压符合
满量程电流
满量程对称
零刻度电流
输出电流范围
逻辑输入电平
V
IL
V
IH
I
IL
I
IH
V
IS
V
THR
I
15
DL / DT
PSSI
FS +
PSSI
fs
I+
I
I+
I
I+
I
P
D
逻辑“0”的
逻辑“1”的
逻辑输入电流
逻辑“0”的
逻辑“1”的
逻辑输入秋千
逻辑门限范围
参考偏置电流
参考输入转换率
正电源。
灵敏度
负电源
灵敏度
电源电流
电源电流
电源电流
（图
26)
4.5V
≤
V
+
≤
18V
4.5V ≤
V
≤
18V ，我
REF
= 1毫安
V
S
= -5V ，我
REF
= 1毫安
V
S
= +5V,
15V,
I
REF
= 2毫安
V
S
= -15V ，我
REF
= 2毫安
= 5V ，我
REF
= 1毫安
耗电量
+5V,
15V,
I
REF
= 2毫安
= 15V ，我
REF
= 2毫安
4.0
V
LC
= 0V
10V ≤
V
IN
≤
+0.8V
2V
≤
V
IN
≤
+18V
V
=
15V
V
S
= ±15V
10
10
1.0
8.0
0.0001
0.0001
2.3
4.3
2.4
6.4
2.5
6.5
33
108
135
0.01
0.01
3.8
5.8
3.8
7.8
3.8
7.8
48
136
174
2.0
0.002
10
10
18
13.5
3.0
4.0
10
10
1.0
8.0
0.0001
0.0001
2.3
4.3
2.4
6.4
2.5
6.5
33
108
135
0.01
0.01
3.8
5.8
3.8
7.8
3.8
7.8
48
136
174
2.0
0.002
10
10
18
13.5
3.0
μA
μA
V
V
μA
毫安/微秒
%/%
%/%
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mW
mW
mW
2.0
V
=
5V
V
=
8V
to
18V
V
LC
= 0V
0.8
2.0
0.8
V
V
0
0
满量程电流变化< ＆ frac12 ;
LSB ，R
OUT
>20 MΩ ，典型
V
REF
= 10.000V,
R14 = R15 = 5.000千欧，
T
A
=25°C
I
FS4
I
FS2
10
1.984
1.992
±0.5
0.1
2.0
2.0
T
A
=25°C
35
35
±10
60
60
±50
18
2.00
±4.0
1.0
2.1
4.2
0
0
10
1.94
1.99
±1
0.2
2.0
2.0
35
35
±10
60
60
±50
18
2.04
±8.0
2.0
2.1
4.2
ns
ns
PPM /°C的
V
mA
μA
μA
mA
100
测试条件
民
8
8
DAC0802LC
典型值
8
8
最大
8
8
±0.1
135
100
100
135
150
民
8
8
DAC0800L/
DAC0800LC
典型值
8
8
最大
8
8
±0.19
位
位
％ FS
ns
ns
ns
单位
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连接图
图2. PDIP ， CDIP封装 - 顶视图
（见包装数NFG0016E或NFE0016A ）
图3. SOIC封装 - 顶视图
（见包装数D0016A ）
框图
引脚数字代表PDIP封装。 SOIC封装引脚数从该PDIP封装的不同。
图4中。
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典型性能特性
满量程电流
与
参考电流
LSB传播延迟
与
I
FS
图5中。
参考输入
频率响应
图6 。
参考放大器
共模电压范围
曲线1 ：
C
C
= 15 pF的，V
IN
= 2 Vp-p的中心在1V 。
曲线2 ：
C
C
= 15 pF的，V
IN
= 50 MVP -P集中在200毫伏。
曲线3 ：
C
C
= 0 PF， V
IN
= 100 MVP -P集中在0V和应用
通过50Ω连接到引脚14.2V适用于R14 。
图7 。
注。积极的共模范围始终是（V + ）
1.5V.
网络连接gure 8 。
V
TH
— V
LC
与
温度
逻辑输入电流 -
输入电压
图9 。
网络连接gure 10 。
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