【博卡半导体公司BSChttp://www.bocasemi.com】,IC型号D45C10,D45C10 PDF资料,D45C10经销商,ic,电子元器件-51电子网

博卡半导体公司

BSC

http://www.bocasemi.com

博卡半导体公司

BSC

http://www.bocasemi.com

博卡半导体公司

BSC

http://www.bocasemi.com

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

描述

·采用TO- 220封装

·补键入D44C系列

·非常低集电极饱和电压

·快速切换

应用

·专为各种特定的和

通用的应用程序

·分流器和开关稳压器

·低频和高频逆变器

转换器等。

钉扎

针

描述

辐射源

集热器;连接到

安装底座

BASE

D45C系列

Fig.1简化外形（ TO- 220 ）和符号

绝对最大额定值（Ta = 25

)

符号

参数

D45C1,2,3

CBO

集电极 - 基极电压

D45C4,5,6

D45C7,8,9

D45C10,11,12

D45C1,2,3

首席执行官

集电极 - 发射极电压

D45C4,5,6

D45C7,8,9

D45C10,11,12

EBO

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

集电极电流 - 峰值

基极电流（DC）的

总功耗

结温

储存温度

=25

集电极开路

开基

发射极开路

条件

价值

-40

-55

-70

-90

-30

-45

-60

-80

-5

-4

-6

-1

150

-55~150

单位

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

D45C2,3,5,6,8,9,11,12

D45C1,4,7,10

条件

= -1A ，我

=-50mA

民

符号

D45C系列

典型值。

最大

单位

CESAT

集电极 - 发射极

饱和电压

-0.5

= -1A ，我

=-0.1A

= -1A ，我

=-0.1A

=额定V

CES

= -5V ;我

= -0.2A ; V

=-1V

D45C1,4,7,10

= -1A ; V

=-1V

= -2A ; V

=-1V

=-20mA;V

=-4V;

f=1.0MHz

-1.3

-100

-10

120

BESAT

CES

EBO

基射极饱和电压

集电极截止电流

发射极截止电流

D45C2,3,5,6,8,9,11,12

FE-1

直流电流增益

FE-2

直流电流增益

D45C2,5,8,11

D45C3,6,9,12

跃迁频率

兆赫

开关时间

上升时间

贮存时间

下降时间

= -1.0A ; V

=-20V

=-I

=-0.1A

0.2

0.6

0.3

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

包装外形

D45C系列

图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

描述

·带

的TO-220封装

.Complement

键入D44C系列

Very

低集电极饱和电压

·快速

开关

应用

·设计

各种具体的和

通用的应用程序

-Shunt

和开关稳压器

ULOW

高频逆变器

转换器等。

钉扎

针

描述

辐射源

集热器;连接到

安装底座

D45C系列

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

参数

CBO

导½

半

固电

ICO

SEM

的HAn

INC。

BASE

条件

D45C1,2,3

D45C4,5,6

D45C7,8,9

集电极 - 基极电压

发射极开路

D45C10,11,12

D45C1,2,3

D45C4,5,6

集电极 - 发射极电压

D45C7,8,9

D45C10,11,12

开基

Fig.1简化外形（ TO- 220 ）和符号

价值

-40

-55

单位

-70

-90

-30

-45

-60

-80

首席执行官

EBO

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

集电极电流 - 峰值

基极电流（DC）的

总功耗

结温

储存温度

集电极开路

-5

-4

-6

-1

℃

=25℃

150

-55~150

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

D45C2,3,5,6,8,9,11,12

D45C1,4,7,10

BESAT

CES

EBO

基射极饱和电压

集电极截止电流

发射极截止电流

D45C2,3,5,6,8,9,11,12

FE-1

直流电流增益

D45C1,4,7,10

= -1A ; V

=-1V

FE-2

= -0.2A ; V

=-1V

条件

= -1A ，我

=-50mA

民

D45C系列

典型值。

最大

单位

CESAT

集电极 - 发射极

饱和电压

-0.5

= -1A ，我

=-0.1A

= -1A ，我

=-0.1A

=额定V

CES

= -5V ;我

-1.3

-100

-10

120

μA

开关时间

导½

半

固

ICO

SEM

的HAn

INC。

D45C3,6,9,12

= -2A ; V

=-1V

跃迁频率

=-20mA;V

=-4V;

f=1.0MHz

上升时间

贮存时间

下降时间

= -1.0A ; V

=-20V

=-I

=-0.1A

直流电流增益

D45C2,5,8,11

兆赫

0.2

0.6

0.3

μs

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

包装外形

D45C系列

导½

半

固电

ICO

SEM

的HAn

INC。

图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）