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欧洲电源 -
半导体和
电子公司
市场信息
291 S
3,5+0,
深沉= 4 ±0.2两个
C
A
Applikation : Beschaltungsdiode祖GTO - Vorrichtungen
应用: Snubberdiode在GTO - 逆变器
VWK一月
Schnelle Gleichrichterdiode
快速二极管
291 S
ELEKTRISCHE Eigenschaften /电气特性
Hchstzulssige Werte /最大额定值
Periodische Spitzensperrspannung
反向重复峰值电压
Stospitzensperrspannung
非重复性峰值反向电压
Durchlastrom - Grenzeffektivwert / RMS正向电流
Dauergrenzstrom /平均正向电流
Stostrom - Grenzwert
正向电流浪涌
Grenzlastintegral
I了价值
Kritische periodische Ausschaltstromsteilheit
秋季对关键重复率 - 状态
1)
3500V, 4000 V
t
vj
= -40°C...140°C
t
vj
= +25°C...140°C
t
C
= 85°C
t
C
= 51°C
t
vj
= 25°C
t
vj
= 125°C
t
vj
= 25°C
t
vj
= 125°C
t
vj
≤ 125 ° C,I
M
3000 = A,V = 1600 V
F
RM
C = 0125 μF , R = 6
( -di / DT )
COM
700 A / μs的
I了
I
FSM
V
RRM
V
RSM
I
FRMSM
I
FAVM
4500 V
3600V, 4100
4600 V
700 A
290 A
445 A
5200 A
4500 A
135000
100000 As
1)
Charakteristische Werte /特征值
Durchlaspannung /正向电压
Schleusenspannung /阈值电压
Ersatzwiderstand /前进斜率电阻
Sperrstrom /反向电流
Rückstromspitze /峰值反向恢复电流
t
vj
= 125°C我
M
= 1200 A
F
t
vj
= 125°c
t
vj
= 125°C
t
vj
= 125°C ,V = 0.67 V
R
RRM
t
vj
= 125°C ,V = V
RRM
R
i
FM
= 1000 A , -di / DT = 250 A / μs的
F
t
vj
= 125°C ; V
R( SPR )
= 1000 V;
C = 0125 μF ; R = 6
Sperrverzgerungsladung
恢复电荷
i
FM
= 1000 A , -di / DT = 250 A / μs的
F
t
vj
= 125°C ; V
R( SPR )
= 1000 V;
C = 0125 μF ; R = 6
Q
rr
950 μAs
I
RM
V
F
V
(TO)
r
T
i
R
4,15 V
1,9 V
1,76 m
约30毫安
50毫安
500 A
Thermische Eigenschaften /热性能
Innerer Wrmewiderstand
热阻,结到外壳
bergangs - Wrmewiderstand
热电阻,案件散热器
Hchstzulssige Sperrschichttemp 。 / MAX 。结Temperat .. [温度。
Betriebstemperatur /工作温度
Lagertemperatur /储藏温度
Kühlflche /散热面
beidseitig /双面
einseitig /单面
Kühlflche /散热面
beidseitig /双面
einseitig /单面
t
vj
最大
t
c
op
t
英镑
R
thCK
0006 K / W
0012 K / W
125 °C
-40...+125 °C
-40...+150 °C
R
thJC
0.04 K / W
0.08 K / W
Mechanische Eigenschaften /机械性能
Gehuse ,世赫原基/箱,见附录
Anprekraft /夹紧力
Gewicht /重量
Luftstrecke /空气的距离
Kriechstrecke /爬电距离
Feuchteklasse /湿度分类
Schwingfestigkeit /抗振性
DIN 40040
F = 50赫兹
F
G
页首/页1
9 ... 13千牛
约250克
20 mm
30 mm
C
50米/秒
麻省理工学院dieser technischen信息werden Halbleiterbauelemente spezifiziert , jedoch keine Eigenschaften zugesichert 。 SIE镀金
在Verbindung麻省理工学院书房zugehrigen Technischen Erluterungen 。
本技术信息指定半导体器件,但承诺没有的特点。它是有效的在用该组合
属于技术说明。
291 S
2000
0,100
2
i
F
[A]
1500
0,075
Z
(日) JC
Z
( TH) P
〔 K / W〕
0,050
1
I
FAY
120°
60°
I
FAY
1000
500
0,025
I
FAY
180°
2 34 68
2 34 68
DC
180°
2 34 68
2 34 68
I
FAY
0
1
291 S_01
2
3
4
v
F
[V]
5
6
0
0,001
2 34 68
0,01
0,1
1
10
T [ S]
100
291 S_02
图。 1
通态特性我
F
= F(V
F
)
t
vj
= 125°C
图。 2
瞬态热阻抗和直流电流IMPULS
(F = 50赫兹)
参数:电流波形
1.单面冷却
2.双面冷却
的散射范围上限
的散射范围下限
0,030
F = 50赫兹
300
0,025
RTH
〔 K / W〕
0,020
F = 60赫兹
V
FRM
[V]
200
0,015
F = 100赫兹
0,010
F = 200赫兹
100
V
FRM
0,005
F = 500赫兹
0
10
291 S_03
0
20
30
40
50
60
70
80
ED [ % ]
λ
[° EL ]
90
100
291 S_08
500
1000
1500
2000
-di / dt的[A / μs的]
2500
图。 3
RTH
= F ( ED ,频率)
双面和单面冷却
电流波形方波::
参数:频率
图。 4
峰值正向恢复电压(典型值)
t
vj
= 125°C
t
vj
= 25°C
291 S
1000
9
7
I
FM
= 3000A
5
4
3
2
1000A
600A
300A
100A
1000
9
7
5
I
RM
[A]
I
RM
[A]
4
3
2
I
FM
= 3000A
1000A
600A
300A
100A
100
9
7
5
4
3
2
I
FM
-di / dt的
I
RM
Q
rr
100
9
7
5
4
3
2
I
FM
-di / dt的
I
RM
2
3
4
5 6 7 89
2
3
4
Q
rr
V
R( SPR )
V
R( SPR )
5 6 7 89
10
10
291 S_04
2
3
4
5 6 7 89
2
3
4
5 6 7 89
100
-di / dt的[A / μs的]
1000
10
10
291 S_05
100
-di / dt的[A / μs的]
1000
图。五
反向恢复电流(上限约98 %的值)
I
RM
= F( di / dt的)
参数:我
FM
t
vj
125°C; C
S
= 0,125 F
R
S
= 6
;
V
R( SPR )
= 1000 V
图。 6
反向恢复电流(下限约2 %的值)
I
RM
= F( di / dt的)
参数:我
FM
t
vj
125°C; C
S
= 0,125 F
R
S
= 6
;
V
R( SPR )
= 1000 V
2
I
FM
= 3000A
1000
2000A
1000A
600A
1000
Q
rr
[ μAs ]
700
700
Q
rr
[ μAs ]
500
400
5
I
FM
= 3000A
2000A
1000A
600A
300A
500
400
5
2
100A
300A
2
300
100A
300
200
I
FM
200
7
5
4
3
2
2
3
4
5 6 7 8 9
2
-di / dt的
I
RM
Q
rr
7
5
4
3
V
R( SPR )
2
I
FM
-di / dt的
I
RM
Q
rr
V
R( SPR )
4
5 6 7 89
3
4
5 6 7 89
10
291 S_07
100
-di / dt的[A / μs的]
1000
100
10
291 S_06
2
3
4
5 6 7 89
2
3
100
-di / dt的[A / μs的]
1000
图。 7
反向恢复电荷(上限约98 %的值)
Q
rr
= F( di / dt的)
参数:我
FM
t
vj
125°C; C
S
= 0,1 F
R
S
= 6
;
V
R( SPR )
= 1000 V
图。 8
反向恢复电荷(下限约2 %的值)
Q
rr
= F( di / dt的)
参数:我
FM
t
vj
125°C; C
S
= 0,1 F
R
S
= 6
;
V
R( SPR )
= 1000 V
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