TetraFET
D2203UK
金属闸极射频硅场效应管
机械数据
B
H
C
2 3
1
A
D
G
E
5 4
F
黄金金属化
多用途硅
DMOS射频场效应管
5W - 12.5V - 1GHz的
推 - 拉
特点
简化放大器设计
J
K
I
N
M
O
适用于宽带应用
非常低C
RSS
简单的偏置电路
- 低噪声
DQ
销1
3脚
5脚
SOURCE （ COMMON ） PIN 2
排水2
引脚4
门1
排水1
门2
暗淡
mm
A
16.38
B
1.52
C
45°
D
6.35
E
3.30
F
14.22
摹1.27× 45 °
H
1.52
I
6.35
J
0.13
K
2.16
M
1.52
N
5.08
O
18.90
TOL 。
0.26
0.13
5°
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.02
0.13
0.13
最大
0.13
英寸
0.645
0.060
45°
0.250
0.130
0.560
0.05 x 45°
0.060
0.250
0.005
0.085
0.060
0.200
0.744
TOL 。
0.010
0.005
5°
0.005
0.005
0.005
0.005
0.005
0.005
0.001
0.005
0.005
最大
0.005
高增益 - 10分贝最低
应用
VHF / UHF通信
从直流至2 GHz
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
P
D
BV
DSS
BV
GSS
I
D（坐）
T
英镑
T
j
*每方
功耗
漏极 - 源极击穿电压*
门 - 源极击穿电压*
漏电流*
储存温度
最大工作结温
35W
40V
±20V
4A
-65 ℃150℃
200°C
Semelab PLC 。
电话（ 01455 ） 556565.电传： 341927.传真：（ 01455 ） 552612 。
预赛。 9/95
D2203UK
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
参数
测试条件
分钟。
每面
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
g
fs
G
PS
η
VSWR
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏源击穿
电压
零栅极电压
漏电流
栅极漏电流
栅极阈值电压*
正向跨导*
共源功率增益
漏EF网络效率
负载不匹配公差
输入电容
输出电容
V
GS
= 0
V
DS
= 12.5V
V
GS
= 20V
I
D
= 10毫安
V
DS
= 10V
P
O
= 5W
V
DS
= 12.5V
F = 1GHz的
I
DQ
= 0.2A
I
D
= 10毫安
V
GS
= 0
V
DS
= 0
V
DS
= V
GS
I
D
= 0.2A
1
0.18
10
40
20:1
40
典型值。
MAX 。 UNIT
V
1
1
7
mA
A
V
S
dB
%
—
12
10
1
pF
pF
pF
设备总
每面
V
DS
= 0
V
GS
= -5V F = 1MHz的
F = 1MHz的
F = 1MHz的
V
DS
= 12.5V V
GS
= 0
反向传输电容V
DS
= 12.5V V
GS
= 0
脉冲持续时间= 300
s
，占空比
≤
2%
*脉冲测试：
有害材料警告
引线和金属凸缘之间的装置的陶瓷部是氧化铍。氧化铍粉尘是非常
毒性和治疗必须处理和安装，以避免损坏该区域期间服用。
这些设备必须永远不会被抛弃与一般工业和生活废弃物。
热数据
R
THJ情况
热阻结 - 壳
马克斯。 5.0 ° C / W
Semelab PLC 。
电话（ 01455 ） 556565.电传： 341927.传真：（ 01455 ） 552612 。
预赛。 9/95
TetraFET
D2203UK
金属闸极射频硅场效应管
机械数据
B
H
C
2 3
1
A
D
G
E
5 4
F
黄金金属化
多用途硅
DMOS射频场效应管
5W - 12.5V - 1GHz的
推 - 拉
特点
简化放大器设计
J
K
I
N
M
O
适用于宽带应用
非常低C
RSS
简单的偏置电路
- 低噪声
DQ
销1
3脚
5脚
SOURCE （ COMMON ） PIN 2
排水2
引脚4
门1
排水1
门2
暗淡
mm
A
16.38
B
1.52
C
45°
D
6.35
E
3.30
F
14.22
摹1.27× 45 °
H
1.52
I
6.35
J
0.13
K
2.16
M
1.52
N
5.08
O
18.90
TOL 。
0.26
0.13
5°
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.02
0.13
0.13
最大
0.13
英寸
0.645
0.060
45°
0.250
0.130
0.560
0.05 x 45°
0.060
0.250
0.005
0.085
0.060
0.200
0.744
TOL 。
0.010
0.005
5°
0.005
0.005
0.005
0.005
0.005
0.005
0.001
0.005
0.005
最大
0.005
高增益 - 10分贝最低
应用
VHF / UHF通信
从直流至2 GHz
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
P
D
BV
DSS
BV
GSS
I
D（坐）
T
英镑
T
j
*每方
功耗
漏极 - 源极击穿电压*
门 - 源极击穿电压*
漏电流*
储存温度
最大工作结温
35W
40V
±20V
4A
-65 ℃150℃
200°C
Semelab PLC 。
电话（ 01455 ） 556565.电传： 341927.传真：（ 01455 ） 552612 。
预赛。 9/95
D2203UK
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
参数
测试条件
分钟。
每面
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
g
fs
G
PS
η
VSWR
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏源击穿
电压
零栅极电压
漏电流
栅极漏电流
栅极阈值电压*
正向跨导*
共源功率增益
漏EF网络效率
负载不匹配公差
输入电容
输出电容
V
GS
= 0
V
DS
= 12.5V
V
GS
= 20V
I
D
= 10毫安
V
DS
= 10V
P
O
= 5W
V
DS
= 12.5V
F = 1GHz的
I
DQ
= 0.2A
I
D
= 10毫安
V
GS
= 0
V
DS
= 0
V
DS
= V
GS
I
D
= 0.2A
1
0.18
10
40
20:1
40
典型值。
MAX 。 UNIT
V
1
1
7
mA
A
V
S
dB
%
—
12
10
1
pF
pF
pF
设备总
每面
V
DS
= 0
V
GS
= -5V F = 1MHz的
F = 1MHz的
F = 1MHz的
V
DS
= 12.5V V
GS
= 0
反向传输电容V
DS
= 12.5V V
GS
= 0
脉冲持续时间= 300
s
，占空比
≤
2%
*脉冲测试：
有害材料警告
引线和金属凸缘之间的装置的陶瓷部是氧化铍。氧化铍粉尘是非常
毒性和治疗必须处理和安装，以避免损坏该区域期间服用。
这些设备必须永远不会被抛弃与一般工业和生活废弃物。
热数据
R
THJ情况
热阻结 - 壳
马克斯。 5.0 ° C / W
Semelab PLC 。
电话（ 01455 ） 556565.电传： 341927.传真：（ 01455 ） 552612 。
预赛。 9/95
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