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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1294页 > CYU01M16SCCU
初步
CYU01M16SCCU
MoBL3
16兆位( 1M ×16 )伪静态RAM
特点
宽电压范围: 2.2V - 3.6V
访问时间: 70纳秒
超低有功功率
- 典型工作电流:3毫安F = 1兆赫
- 典型工作电流: 18毫安@频率= F
最大
超低待机功耗
16个字的页面模式
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
提供的48球BGA封装
??工作温度: ? 40 ° C至+ 85°C
便携式应用,如蜂窝电话。该装置
可置于待机模式时,取消( CE
1
高或
CE
2
LOW或两者BHE和BLE的高) 。输入/输出
引脚( I / O
0
通过I / O
15
)被置于高阻抗状态
时:取消选择( CE
1
高或CE
2
LOW ) ,输出
禁用( OE高) ,这两个高字节使能和低字节
启用已禁用( BHE , BLE HIGH) ,或写在
操作( CE
1
LOW和CE
2
HIGH和LOW WE ) 。
写设备通过采取芯片使能实现
( CE
1
LOW和CE
2
高)和写使能( WE)输入低电平。
如果低字节使能( BLE )为低电平,然后从I / O引脚(数据I / O
0
通过I / O
7
) ,被写入到所指定的位置的
地址引脚(A
0
至A
19
) 。如果高字节使能( BHE )是
LOW ,然后从I / O引脚上的数据( I / O
8
通过I / O
15
)写入到
在地址引脚指定的位置(A
0
至A
19
).
从设备读通过取芯片完成
启用( CE
1
LOW和CE
2
高)和输出使能( OE )
低,而迫使写使能( WE) HIGH 。如果字节低
使能( BLE)为低电平,那么从所述存储器位置的数据
指定的地址引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果字节
高电平使能( BHE )为低电平,然后从内存中的数据会出现
在I / O
8
到I / O
15
。参见真值表为一个完整
读写模式的描述。
功能说明
[1]
该CYU01M16SCCU是一个高性能的CMOS伪
由16位支持一个组织为1M字静态RAM
异步存储器接口。该设备的特点
先进的电路设计,提供超低的工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命 (的MoBL
)在
逻辑框图
数据驱动因素
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
A
19
行解码器
1M ×16
RAM阵列
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
BHE
WE
OE
BLE
战俘下移
er
电路
CE
2
CE
1
CE
2
CE
1
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
BHE
BLE
注意:
1.对于最佳实践的建议,请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 38-05601牧师* B
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年1月25日
初步
引脚配置
[2, 3]
48球VFBGA
1
BLE
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
I / O
14
I / O
15
A
18
CYU01M16SCCU
MoBL3
2
OE
BHE
I / O
10
I / O
11
顶视图
4
3
A
0
A
3
A
5
A
17
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
1
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
CE
2
I / O
0
I / O
2
V
CC
V
SS
I / O
6
I / O
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
I / O
12
NC
I / O
13
A
19
A
8
A
14
A
12
A
9
产品组合
[4]
功耗
产品
CYU01M16SCCU
分钟。
2.2
V
CC
范围(V )
典型值。
[4]
3.0
马克斯。
3.6
70
速度
(纳秒)
我的操作
CC
(MA )
F = 1MHz的
典型值。
[4]
3
马克斯。
5
f = f
最大
典型值。
[4]
18
马克斯。
25
待我
SB2
(A)
典型值。
[4]
55
马克斯。
70
加电特性
初始化序列示于下图。芯片
选择应该是CE
1
高或CE
2
低电平至少200
s
经过V
CC
已经达到一个稳定值。无访问必须是
在此期间的200尝试
s.
稳定的电源
V
CC
第一次访问
TPU
CE
参数
TPU
描述
芯片使能稳定低V后
CC
分钟。
200
典型值。
马克斯。
单位
s
注意事项:
2.球H6和E3可以用来提升到32兆位和64兆位密度。
3. NC“无连接” - 在内部没有连接到芯片。
4.典型值包括仅供参考,不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC
(典型值)和T
A
= 25°C 。初步测试,
和设计变更后可能影响的参数。
文件编号: 38-05601牧师* B
第12页2
初步
页模式
此装置可以在一个页面读取模式下工作。这是
通过启动该装置的正常读完成。
为了操作该装置在页模式中,上顺序
地址位应该是固定的4字的页面访问
操作时,所有的地址位,除了A1和A0应
固定直至页面访问结束。对于一个8个字
页面访问,所有的地址位,除了A2,A1和A0 ,
页面模式功能
页面长度
页面读取相应的地址
页面读取起始地址
页面方向
CYU01M16SCCU
MoBL3
应该是固定的。对于一个16字的页面模式下,所有的地址
位,除了A3,A2 , A1和A0 ,应该是固定的。
支持的页面长度是四个,八个,十六个字。
随机页面读取支持对所有三个四个,八个,并
16字的页面读取选项。因此,任何一个地址都
用作起始地址。
请参阅下表中的页面的概况
阅读模式。
8字模式
8个字
A2, A1, A0
不关心
不关心
16字模式
16个字
A3, A2, A1, A0
不在乎
不在乎
4字模式
4个字
A1, A0
不关心
不关心
文件编号: 38-05601牧师* B
第12页3
初步
最大额定值
(以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线,没有测试。 )
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压
地电位..............................- 0.3V至V
CCmax
+ 0.3V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[5, 6, 7]
........................- 0.3V至V
CCmax
+ 0.3V
CYU01M16SCCU
MoBL3
直流输入电压
[5, 6, 7]
.................... -0.3V到V
CCmax
+ 0.3V
输出电流为输出( LOW ) ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001V
(每MIL -STD -883方法3015 )
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
设备
范围
操作
温度(T
A
)
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
2.2V至
3.6V
CYU01M16SCCU工业
DC电气特性
(在整个工作范围内)
[5, 6, 7]
CYU01M16SCCU -70纳秒
参数
V
CC
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
电源电压
输出高电压I
OH
= -0.1毫安
V
CC
= 2.2V至3.6V
输出低电压I
OL
- 0.1毫安
V
CC
= 2.2V至3.6V
输入高电压
输入低电压
输入漏
当前
输出漏
当前
V
CC
操作
供应
当前
自动CE
掉电
电流 - CMOS
输入
自动CE
掉电
电流 - CMOS
输入
V
CC
= 2.2V至3.6V
V
CC
= 2.2V至3.6V
GND < V
IN
& LT ; V
CC
GND < V
OUT
& LT ; V
CC
f = f
最大
= 1/t
RC
V
CC
= V
CCmax
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
F = 1MHz的
I
SB1
CE
1
& GT ; V
CC
- 0.2V ,CE
2
& LT ; 0.2V ,V
IN
& GT ; V
CC
– 0.2V, V
IN
< 0.2V F = F
最大
(地址及
仅数据) , F = 0
( OE , WE , BHE和BLE ) ,V
CC
= 3.60V
CE
1
& GT ; V
CC
- 0.2V ,CE
2
& LT ; 0.2V ,
V
IN
& GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
& LT ; 0.2V ,
F = 0,V
CC
=V
CCmax
0.8 * V
CC
–0.3
–1
–1
18
测试条件
分钟。
2.2
V
CC
– 0.2
0.2
V
CC
+ 0.3V
0.2 * V
CC
+1
+1
25
典型值。
[4]
3.0
马克斯。
3.6
单位
V
V
V
V
V
A
A
mA
3
55
5
70
mA
A
I
SB2
55
70
A
电容
[8]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C,F = 1MHz时,
V
CC
= V
CC (典型值)
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
热阻
[8]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
测试条件
VFBGA
56
11
单位
° C / W
° C / W
热阻(结到环境) ,测试条件遵循的标准测试方法
以及用于测量热过程
热阻(结到管壳)
阻抗,按照EIA / JESD51 。
注意事项:
5. V
IL ( MIN )
= -0.5V为脉冲持续时间小于20纳秒。
6. V
IH( MAX)的
= V
CC
+ 0.5V对脉冲持续时间小于20纳秒。
7.过冲和下冲规格的特点,不是100 %测试。
8.测试开始后任何设计或工艺变化,可能会影响这些参数。
文件编号: 38-05601牧师* B
第12页4
初步
交流测试负载和波形
V
CC
产量
R1
V
CC
GND
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
R2
10%
CYU01M16SCCU
MoBL3
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
上升时间= 1 V / ns的
相当于:
戴维南等效
R
TH
产量
V
TH
单位
V
3.0V (V
CC
)
26000
26000
13000
1.50
开关特性
在整个工作范围
[9, 10, 11, 15,14]
70纳秒
参数
读周期
t
RC [ 13 ]
t
CD
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
t
PC
t
PA
读周期时间
芯片取消时间CE
1
=高或
CE
2
= LOW , BLE / BHE高脉冲时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[10, 11, 12]
OE高到高Z
[10, 11, 12]
CE低到低Z
[10, 11, 12]
CE高到高阻
[10, 11, 12]
BLE / BHE低到数据有效
BLE / BHE低到低Z
[10, 11, 12]
BLE / BHE高到高阻
[10, 11, 12]
页面模式读取周期时间
网页模式访问地址
35
5
25
40000
35
10
25
70
5
25
5
70
35
70
15
70
40000
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
单位
页读周期
注意事项:
9.测试条件比三态参数之外的所有参数假设1纳秒/ V信号的转换时间,定时V的基准水平
CC (典型值)。
/ 2,输入脉冲电平
为0V到V
CC
指定I ,并输出负载
OL
/I
OH
如图所示,在“交流测试负载和波形”一节。
10.在任何给定的温度和电压条件下吨
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何
指定设备。所有低Z参数将具有30 pF的(3V)的负载电容来测量
11. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高-impedence状态转变进行测定。
12.高阻抗和低阻抗参数为特征,并未经过100 %测试。
13.如果地址无效信号比min.tRC缩短连续重复40
s,
设备需要一个正常读出时序(叔
RC
)或者需要进入待机状态
至少有一次,在每40
s.
14.为了实现70 ns的性能,所读取的访问必须是芯片使能(CE
1
或CE
2
)控制。也就是说,该地址必须是稳定之前,芯片使能
要积极。
文件编号: 38-05601牧师* B
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    -
    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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