初步
CYU01M16SCCU
MoBL3
16兆位（ 1M ×16 ）伪静态RAM
特点
宽电压范围： 2.2V - 3.6V
访问时间： 70纳秒
超低有功功率
- 典型工作电流：3毫安F = 1兆赫
- 典型工作电流： 18毫安@频率= F
最大
超低待机功耗
16个字的页面模式
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
提供的48球BGA封装
??工作温度： ？ 40 ° C至+ 85°C
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
可置于待机模式时，取消（ CE
1
高或
CE
2
LOW或两者BHE和BLE的高） 。输入/输出
引脚（ I / O
0
通过I / O
15
）被置于高阻抗状态
时：取消选择（ CE
1
高或CE
2
LOW ） ，输出
禁用（ OE高） ，这两个高字节使能和低字节
启用已禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写在
操作（ CE
1
LOW和CE
2
HIGH和LOW WE ） 。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE
1
LOW和CE
2
高）和写使能（ WE）输入低电平。
如果低字节使能（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，被写入到所指定的位置的
地址引脚（A
0
至A
19
） 。如果高字节使能（ BHE ）是
LOW ，然后从I / O引脚上的数据（ I / O
8
通过I / O
15
）写入到
在地址引脚指定的位置（A
0
至A
19
).
从设备读通过取芯片完成
启用（ CE
1
LOW和CE
2
高）和输出使能（ OE ）
低，而迫使写使能（ WE） HIGH 。如果字节低
使能（ BLE）为低电平，那么从所述存储器位置的数据
指定的地址引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果字节
高电平使能（ BHE ）为低电平，然后从内存中的数据会出现
在I / O
8
到I / O
15
。参见真值表为一个完整
读写模式的描述。
功能说明
[1]
该CYU01M16SCCU是一个高性能的CMOS伪
由16位支持一个组织为1M字静态RAM
异步存储器接口。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低的工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL
）在
逻辑框图
数据驱动因素
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
A
19
行解码器
1M ×16
RAM阵列
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
BHE
WE
OE
BLE
战俘下移
er
电路
CE
2
CE
1
CE
2
CE
1
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
BHE
BLE
注意：
1.对于最佳实践的建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05601牧师* B
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年1月25日
初步
引脚配置
[2, 3]
48球VFBGA
1
BLE
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
I / O
14
I / O
15
A
18
CYU01M16SCCU
MoBL3
2
OE
BHE
I / O
10
I / O
11
顶视图
4
3
A
0
A
3
A
5
A
17
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
1
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
CE
2
I / O
0
I / O
2
V
CC
V
SS
I / O
6
I / O
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
I / O
12
NC
I / O
13
A
19
A
8
A
14
A
12
A
9
产品组合
[4]
功耗
产品
CYU01M16SCCU
分钟。
2.2
V
CC
范围（V ）
典型值。
[4]
3.0
马克斯。
3.6
70
速度
（纳秒）
我的操作
CC
（MA ）
F = 1MHz的
典型值。
[4]
3
马克斯。
5
f = f
最大
典型值。
[4]
18
马克斯。
25
待我
SB2
(A)
典型值。
[4]
55
马克斯。
70
加电特性
初始化序列示于下图。芯片
选择应该是CE
1
高或CE
2
低电平至少200
s
经过V
CC
已经达到一个稳定值。无访问必须是
在此期间的200尝试
s.
稳定的电源
V
CC
第一次访问
TPU
CE
参数
TPU
描述
芯片使能稳定低V后
CC
分钟。
200
典型值。
马克斯。
单位
s
注意事项：
2.球H6和E3可以用来提升到32兆位和64兆位密度。
3. NC“无连接” - 在内部没有连接到芯片。
4.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC
（典型值）和T
A
= 25°C 。初步测试，
和设计变更后可能影响的参数。
文件编号： 38-05601牧师* B
第12页2
初步
页模式
此装置可以在一个页面读取模式下工作。这是
通过启动该装置的正常读完成。
为了操作该装置在页模式中，上顺序
地址位应该是固定的4字的页面访问
操作时，所有的地址位，除了A1和A0应
固定直至页面访问结束。对于一个8个字
页面访问，所有的地址位，除了A2，A1和A0 ，
页面模式功能
页面长度
页面读取相应的地址
页面读取起始地址
页面方向
CYU01M16SCCU
MoBL3
应该是固定的。对于一个16字的页面模式下，所有的地址
位，除了A3，A2 ， A1和A0 ，应该是固定的。
支持的页面长度是四个，八个，十六个字。
随机页面读取支持对所有三个四个，八个，并
16字的页面读取选项。因此，任何一个地址都
用作起始地址。
请参阅下表中的页面的概况
阅读模式。
8字模式
8个字
A2, A1, A0
不关心
不关心
16字模式
16个字
A3, A2, A1, A0
不在乎
不在乎
4字模式
4个字
A1, A0
不关心
不关心
文件编号： 38-05601牧师* B
第12页3
初步
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压
地电位..............................- 0.3V至V
CCmax
+ 0.3V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[5, 6, 7]
........................- 0.3V至V
CCmax
+ 0.3V
CYU01M16SCCU
MoBL3
直流输入电压
[5, 6, 7]
.................... -0.3V到V
CCmax
+ 0.3V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
设备
范围
操作
温度（T
A
)
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
2.2V至
3.6V
CYU01M16SCCU工业
DC电气特性
（在整个工作范围内）
[5, 6, 7]
CYU01M16SCCU -70纳秒
参数
V
CC
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
电源电压
输出高电压I
OH
= -0.1毫安
V
CC
= 2.2V至3.6V
输出低电压I
OL
- 0.1毫安
V
CC
= 2.2V至3.6V
输入高电压
输入低电压
输入漏
当前
输出漏
当前
V
CC
操作
供应
当前
自动CE
掉电
电流 - CMOS
输入
自动CE
掉电
电流 - CMOS
输入
V
CC
= 2.2V至3.6V
V
CC
= 2.2V至3.6V
GND < V
IN
＆ LT ; V
CC
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
f = f
最大
= 1/t
RC
V
CC
= V
CCmax
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
F = 1MHz的
I
SB1
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V ，CE
2
＆ LT ; 0.2V ，V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2V, V
IN
< 0.2V F = F
最大
（地址及
仅数据） ， F = 0
（ OE ， WE ， BHE和BLE ） ，V
CC
= 3.60V
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V ，CE
2
＆ LT ; 0.2V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
=V
CCmax
0.8 * V
CC
–0.3
–1
–1
18
测试条件
分钟。
2.2
V
CC
– 0.2
0.2
V
CC
+ 0.3V
0.2 * V
CC
+1
+1
25
典型值。
[4]
3.0
马克斯。
3.6
单位
V
V
V
V
V
A
A
mA
3
55
5
70
mA
A
I
SB2
55
70
A
电容
[8]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
热阻
[8]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
测试条件
VFBGA
56
11
单位
° C / W
° C / W
热阻（结到环境） ，测试条件遵循的标准测试方法
以及用于测量热过程
热阻（结到管壳）
阻抗，按照EIA / JESD51 。
注意事项：
5. V
IL （ MIN ）
= -0.5V为脉冲持续时间小于20纳秒。
6. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.5V对脉冲持续时间小于20纳秒。
7.过冲和下冲规格的特点，不是100 ％测试。
8.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05601牧师* B
第12页4
初步
交流测试负载和波形
V
CC
产量
R1
V
CC
GND
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
R2
10%
CYU01M16SCCU
MoBL3
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
上升时间= 1 V / ns的
相当于：
戴维南等效
R
TH
产量
V
TH
单位
V
3.0V (V
CC
)
26000
26000
13000
1.50
开关特性
在整个工作范围
[9, 10, 11, 15,14]
70纳秒
参数
读周期
t
RC [ 13 ]
t
CD
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
t
PC
t
PA
读周期时间
芯片取消时间CE
1
=高或
CE
2
= LOW ， BLE / BHE高脉冲时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[10, 11, 12]
OE高到高Z
[10, 11, 12]
CE低到低Z
[10, 11, 12]
CE高到高阻
[10, 11, 12]
BLE / BHE低到数据有效
BLE / BHE低到低Z
[10, 11, 12]
BLE / BHE高到高阻
[10, 11, 12]
页面模式读取周期时间
网页模式访问地址
35
5
25
40000
35
10
25
70
5
25
5
70
35
70
15
70
40000
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
单位
页读周期
注意事项：
9.测试条件比三态参数之外的所有参数假设1纳秒/ V信号的转换时间，定时V的基准水平
CC （典型值）。
/ 2，输入脉冲电平
为0V到V
CC
指定I ，并输出负载
OL
/I
OH
如图所示，在“交流测试负载和波形”一节。
10.在任何给定的温度和电压条件下吨
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何
指定设备。所有低Z参数将具有30 pF的（3V）的负载电容来测量
11. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高-impedence状态转变进行测定。
12.高阻抗和低阻抗参数为特征，并未经过100 ％测试。
13.如果地址无效信号比min.tRC缩短连续重复40
s,
设备需要一个正常读出时序（叔
RC
）或者需要进入待机状态
至少有一次，在每40
s.
14.为了实现70 ns的性能，所读取的访问必须是芯片使能（CE
1
或CE
2
）控制。也就是说，该地址必须是稳定之前，芯片使能
要积极。
文件编号： 38-05601牧师* B
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