CYM1841A
CYM1841B
CYM1841C
256K ×32静态RAM模块
特点
高密度8兆位的SRAM模块
32位标准封装支持从16K密度
×32 ，通过1M ×32
高速CMOS SRAM的
- 访问12纳秒的时间
低有功功率
- 5.3W （最大） ，在25毫微秒
SMD技术
TTL兼容的输入和输出
低调
- 最大。在0.58的高度。
提供ZIP ， SIMM和角度的SIMM足迹
用1M ×32兼容的72引脚SIMM版
(CYM1851)
读取或写入可以在单个字节或任何执行
通过适当选择使用相结合的多个字节。
写入每个字节是有成就的时候适当的
片选（ CS）和写使能（ WE）的投入都很低。
上的输入/输出管脚（ I / O）数据被写入到存储器
在地址引脚指定位置（A
0
至A
17
).
阅读该设备通过采用片选完成
（ CS ）低，而写使能（ WE）仍然很高。下
这些条件下，所述存储器单元的内容试样
田间上的地址引脚会出现在数据输入/输出
引脚（ I / O） 。
的数据输入/输出管脚停留在高阻抗状态
当写使能为低或相应的片选
高。
两个引脚（ PD
0
和PD
1
）被用来识别模块存储器
密度的应用中JE-的替换版本
DEC-标准模块可以互换。
该CYM1841A ， CYM1841B和CYM1841C是100％销，
包，并电相同。该CYM1841A利用
角部电源和接地的SRAM中， CYM1841B利用
256K ×16的SRAM ，该CYM1841C利用中心的电力和
地面的SRAM 。
一个72针的SIMM提供的兼容性与1M ×32
CYM1851 。这个版本是座升级到CYM1851 。
无论是64引脚和72引脚的SIMM模块可与
无论是锡铅或在边缘10微英寸镀金的
联系人。
功能说明
该CYM1841A / B / C是高性能的8兆静
RAM模块由32位组织为256K字。这MOD-
ULE从8 256K ×4的SRAM （ 1841A / C）或构造
256K ×16的SRAM （ 1841B ）中SOJ封装安装在一个
环氧树脂层压板引脚。 4个片选（ CS
1
， CS
2
,
CS
3
， CS
4
）用于独立地使所述四个字节。
逻辑框图
A
0
– A
17
OE
WE
256K ×4
SRAM
CS
1
256K ×4
SRAM
CS
2
256K ×4
SRAM
CS
3
256K ×4
SRAM
CS
4
1841A–1
18
PD
0
–
PD
1
–
PD
2
–
PD
3
–
GND
GND
OPEN （ 72针专用）
OPEN （ 72针专用）
4
I / O
0
- I / O
3
256K ×4
SRAM
4
I / O
4
- I / O
7
4
I / O
8
- I / O
11
256K ×4
SRAM
4
I / O
12
- I / O
15
4
I / O
16
- I / O
19
256K ×4
SRAM
4
I / O
20
-I / O
23
4
I / O
24
- I / O
27
256K ×4
SRAM
4
I / O
28
-I / O
31
赛普拉斯半导体公司
3901北一街
圣荷西
CA 95134
408-943-2600
2000年6月13日
CYM1841A
CYM1841B
CYM1841C
逻辑框图（ 1841B ）
A
0
–A
17
OE
WE
CS
1
CS
2
CS
3
CS
4
18
PD
0
–
PD
1
–
PD
2
–
PD
3
–
GND
GND
OPEN （ 72针专用）
OPEN （ 72针专用）
256K ×16
SRAM
8
I / O
16
-I / O
23
I / O
24
-I / O
31
8
256K ×16
SRAM
8
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
1841A–1
8
选购指南
1841C-12
最大访问时间（纳秒）
最大工作
电流（mA ）
最长待机
电流（mA ）
12
1600
480
1841B/C-15
15
1600
480
1841A/B/C-20
20
1120
480
1841A/B/C-25
25
960
480
1841A / B / C - 35 1841A / B / C- 45
35
960
480
45
960
480
阴影区域包含的初步信息。
2
CYM1841A
CYM1841B
CYM1841C
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度
..................................... –
55 ° C至+ 125°C
环境温度与
电源的应用
.................................................... –
10 ° C至+ 85°C
电源电压对地电位
..................–
0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
..................................................... –
0.5V至+ 7.0V
直流输入电压
................................................. –
0.5V至+ 7.0V
工作范围
范围
广告
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
V
CC
5V ± 10%
电气特性
在整个工作范围
参
TER
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
1841C
-
12
1841B/C
-
15
描述
输出高
电压
输出低
电压
输入高
电压
输入低
电压
输入泄漏
目前的年龄
输出泄漏
目前的年龄
V
CC
Operat-
ING
电源电流
租金
自动CS
掉电
当前
[1]
自动CS
掉电
当前
[1]
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，我
OUT
= 0 mA时，
CS < V
IL
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.5
–16
–10
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+16
+10
1600
2.2
–0.5
–16
–10
马克斯。
1841A/B/C
-20
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+16
+10
1120
2.2
–0.5
–16
–10
马克斯。
1841A/B/C
-25, 35, 45
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+16
+10
960
马克斯。
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
I
SB1
最大。 V
CC
， CS > V
IH
,
分钟。占空比= 100 ％
最大。 V
CC
， CS > V
CC
-
0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2V,
或V
IN
＆ LT ; 0.2V
480
480
480
mA
I
SB2
240
200
200
mA
电容
[2]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
[3]
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
70/20
20
单位
pF
pF
注意事项：
1.上拉电阻到V
CC
在CS输入必须保持在V取消设备
CC
电，否则我
SB
将超过给定值。
2.测试以抽样方式。
3. 20 pF的对CS ， 70 pF的所有其他人。
4
QQ：2881677436 复制
