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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1388页 > CP82C83H
82C83H
1997年3月
CMOS八进制锁存反相总线驱动程序
描述
Intersil的82C83H是一种高性能的CMOS八路
使用自对准硅栅锁存缓冲器制
CMOS工艺(缩放佐治四)。该82C83H提供了一个8
位并行锁存器/缓冲器采用20引线引脚封装。活跃
高频闪( STB )输入允许数据的透明传输
和锁存器上的该信号的负跳变数据。该
低电平有效输出使能( OE )允许简单的界面,
微处理器系统。该82C83H提供反向数据
在输出端。
特点
完整的8位并行锁存缓冲器
双极型8283兼容
三态反相输出
传播延迟。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25ns的最大
选通输入
- 减少操作电源
- 无需上拉电阻器
单5V电源
低功耗工作
- ICCSB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10毫安
工作温度范围
- C82C83H 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.0
o
C至+70
o
C
- I82C83H 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至+ 85
o
C
- M82C83H 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
订购信息
产品型号
CP82C83H
IP82C83H
CS82C83H
IS82C83H
CD82C83H
ID82C83H
MD82C83H/B
8406702RA
MR82C83H/B
84067022A
SMD #
20垫CLCC
SMD #
20 Ld的CERDIP
20 Ld的PLCC
20 Ld的PDIP
温度范围
0
o
C至+70
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
0
o
C至+70
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
0
o
C至+70
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
0
o
C至+70
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
PKG 。 NO
E20.3
E20.3
N20.35
N20.35
F20.3
F20.3
F20.3
F20.3
J20.A
J20.A
引脚配置
82C83H ( PDIP , CERDIP )
顶视图
DI
0
DI
1
DI
2
DI
3
DI
4
DI
5
DI
6
DI
7
OE
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 V
CC
19 DO
0
18做
1
17 DO
2
16 DO
3
15 DO
4
14 DO
5
13 DO
6
12 DO
7
11机顶盒
9
OE
10
GND
11
机顶盒
12
DO
7
13
DO
6
DI
3
DI
4
DI
5
DI
6
DI
7
4
5
6
7
8
18做
1
17 DO
2
16 DO
3
15 DO
4
14 DO
5
82C83H ( PLCC , CLCC )
顶视图
DO
0
19
V
CC
20
DI
2
DI
1
2
DI
0
1
3
GND 10
真值表
机顶盒
X
H
H
H =逻辑一
L =逻辑零
X =无关
OE
H
L
L
L
DI
X
L
H
X
DO
高阻
H
L
DI
0
- 迪
7
DO
0
- DO
7
机顶盒
OE
引脚名称
描述
数据输入引脚
数据输出引脚
活跃的高频闪
低电平有效输出使能
HI- Z =高阻抗
- 负跳变
=锁存到最后的值
数据
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
网络文件编号
2971.1
4-281
82C83H
工作原理图
DI0
Q
CLK
DO0
DI1
DI2
DI3
DI4
DI5
DI6
DI7
DO1
DO2
DO3
DO4
DO5
DO6
DO7
状态) 。该82C8X系列选通输入意味着这一条件
化将在时间的装置处于反式仅发生
父模式(STB =逻辑1 ) 。 ICC仍低于
10μA的那段时间最大ICC待机特定网络阳离子
输入被禁用,从而大大降低了平均
在82C8X系列器件的功耗。
V
CC
P
OE
DATA IN
V
CC
P
N
P
国内
数据
N
机顶盒
OE
N
图2. 82C86H / 87H选通输入
选通输入
中的锁存器的正常系统操作,信号
总线在设备投入将成为高阻抗或
使跃迁无关的锁存器的操作。
这些无关的输入转换开关的输入电路
并且通常会导致增加功率耗散
CMOS器件通过创建之间的低电阻通路
V
CC
和GND当信号处于或接近所述输入开关
荷兰国际集团的门槛。另外,如果驱动信号变为高
阻抗( `` FL燕麦'状态) ,它可以创建一个indetermi-
在输入内特逻辑状态,并导致中断
设备的操作。
Intersil的82C8X系列公交车司机则消除了这些
通过关闭数据输入时,数据被锁存条件
机顶盒(STB =逻辑0为82C82 / 83H ),当该装置是
禁用( OE =逻辑1的82C86H / 87H ) 。这些门
输入断开V的输入电路
CC
地电源引脚通过关闭上部P沟道
和低位的N沟道(参见图1和图2)。目前没有溢流
从V
CC
到GND时输入端的电压和无效的发生
从浮动的输入逻辑状态不被发送。下一个
阶段被保持到一个有效的逻辑电平的内部的设备。
V
CC
P
P
机顶盒
DATA IN
N
N
P
国内
数据
V
CC
去耦电容
进行充电和放电所需要的瞬态电流
在82C83H数据表300pF负载电容特定网络版
由下式确定
我= C
L
( dv / dt的)
假定所有的输出的同时改变状态,并
该dv / dt的是恒定的;
(
V
CC
×
80%
)
-
I
=
C
L
-------------------------------------------------------
t
t
R
F
(当量1)
其中T
R
= 20ns的,V
CC
= 5.0V ,C
L
= 300pF每8输出
放。
I = (8 ×300× 10
-12
)×( 5.0V ×0.8 )/( 20 ×10
-9
) = 480毫安
此电流尖峰可能会导致一个大的负电压尖峰
V
CC
这可能导致设备的操作不当。以1-科幻
之三出这种噪音,建议一个0.1μF的陶瓷盘
电容放置V之间
CC
和GND在每个装置中,
与被安置在靠近该设备成为可能。
ALE
路开关连接
公共汽车
ICC
地址
地址
V
CC
P
V
CC
P
机顶盒
N
P
国内
数据
N
N
N
DATA IN
图1. 82C82 / 83H
直流输入电压水平,也可以导致增加的IC卡是否
这些输入电平接近最小V
IH
或最大
V
IL
条件。这是由于在输入的操作税务局局长
cuitry在其线性工作区域(部分导电
选通输入图3.系统的影响
4-282
82C83H
绝对最大额定值
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 8.0V
输入,输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND 0.5V至V
CC
+0.5V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
热信息
热电阻(典型值)
θ
龙安
C / W
θ
JCO
C / W
CERDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
70
16
CLCC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
80
20
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
75
不适用
PLCC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
75
不适用
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
最高结温陶瓷封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
最高结温塑料包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
引线温度(焊接10秒) ( PLCC - 只会导致提示) 。 。 +300
o
C
工作条件
工作电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5V至+ 5.5V
工作温度范围
C82C83H 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至+70
o
C
I82C83H 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至+ 85
o
C
M82C83H 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
模具特点
门数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265 ·盖茨
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
直流电特定网络阳离子
V
CC
= 5.0V
±
10%; T
A
= 0
o
C至+70
o
C( C82C83H ) ;
T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C( I82C83H ) ;
T
A
= -55
o
C至+ 125
o
C( M82C83H )
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
I
I
O
lCCSB
参数
合乎逻辑的输入电压
2.0
2.2
最大
-
单位
V
测试条件
C82C83H , I82C83H ,
M82C83H , (注1 )
逻辑零输入电压
合乎逻辑的输出电压
3.0
V
CC
-0.4V
0.8
-
V
V
I
OH
= -8mA ,
I
OH
= -100mA , OE = GND
I
OL
= 20mA时, OE = GND
V
IN
= GND或V
CC
,
DIP引脚1-9,11
V
O
= GND或OE
V
CC
-0.5V
DIP引脚12-19
V
IN
= V
CC
或GND
V
CC
= 5.5V输出打开
T
A
= +25
o
C,V
CC
= 5V ,典型
(见注2 )
逻辑零的输出电压
输入漏电流
-10
0.45
10
V
A
A
A
毫安/
兆赫
输出漏电流
-10
10
待机电源电流
-
10
IC COP
工作电源电流
-
1
注意事项:
1. V
IH
通过施加幅值的脉冲= V测
lHMIN
到一个数据输入的时间,并检查相应的设备输出
一个有效的逻辑1 - 在有效输入高电平时间。控制引脚( STB , CE)与所有设备数据输入引脚在V分别测试
CC
-0.4V.
2.典型ICCOP = 1毫安/机顶盒周期时间兆赫。 (实施例: 5MHz的
P,
ALE = 1.25MHz的, ICCOP = 1.25毫安) 。
电容
符号
C
IN
C
OUT
T
A
= +25
o
C
参数
输入电容
输出电容
典型
13
20
单位
pF
pF
测试条件
FREQ = 1MHz时,所有的测量
ments是参照设备
GND
4-283
82C83H
AC电气特定网络阳离子
V
CC
= 5.0V
±10%;
C
L
= 300pF (注1 ) ,频率为1MHz =
T
A
= 0
o
C至+70
o
C( C82C83H ) ;
T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C( l82C83H ) ;
T
A
= -55
o
C至+ 125
o
C( M82C83H )
范围
符号
(1) TlVOV
(2) TSHOV
(3) TEHOZ
(4) TELOV
(5) TlVSL
(6) TSLIX
(7) TSHSL
( 8 ) TR , TF
注意事项:
1.输出负载电容额定300pF为陶瓷和塑料封装。
测试按照测试负载电路2.所有AC参数。输入上升和高大的时间驱动为1ns / V 。
3.输入测试信号必须V之间切换
IL
-0.4V和V
lH
+0.4V.
参数
传播延迟的输入到输出
传输延迟STB到输出
输出禁止时间
输出使能时间
输入到机顶盒成立时间
输入STB保持时间
STB高电平时间
输入上升/下降时间
5
10
5
10
0
30
15
-
最大
25
50
22
45
-
-
-
20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
测试条件
见注释2 , 3
见注释2 , 3
见注释2 , 3
见注释2 , 3
见注释2 , 3
见注释2 , 3
见注释2 , 3
见注释2 , 3
时序波形
TR , TF ( 8 )
输入
2.0V
0.8V
TIVSL (5)
机顶盒
TSHSL (7)
OE
TIVOV
(1)
输出
TSHOV (2)
TSLIX
(6)
TEHOZ (3)
VOH -0.1V
VOL + 0.1V
TELOV (4)
3.0V
0.45V
所有定时测量在1.5V ,除非另有说明。
图4.时序波形
测试负载电路
2.27V
91
产量
TEST
300pF
(见注)
产量
1.5V
180
TEST
300pF
(见注)
图5. TIVOV , TSHOV
图6. TELOV输出高电平使能
4-284
82C83H
测试负载电路
(续)
1.5V
51
产量
TEST
300pF
(见注)
产量
2.27V
91
TEST
50pF
(见注)
注:包括夹具和杂散电容。
图7. TELOV输出低电平使能
图8. TEHOZ输出低/高DISABLE
老化的电路
V
CC
V
CC
R4
20 19
18
17
16
15
14
9
10 11 12 13
R4
R4
R4
R4
R4
V
CC
2
R4
V
CC
2
R4
C1
F2
F2
R4
R4
R1
F2
F2
F2
F2
F2
F2
F2
F2
F0
R1
R1
R1
R1
R1
R1
R1
R1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
R1
C1
A
A
A
A
A
A
A
A
F1
A
R2
V
CC
R2
F2
F2
F2
F2
F2
R4
R4
R4
R4
R4
4
5
6
7
8
3
2
R3
F0
图9. MD82C83H CERDIP
注意事项:
1. V
CC
= 5.5V
±
0.5V GND = 0V
2. V
IH
= 4.5V
±
10%
3. V
IL
= -0.2 0.4V
4. R1 = 47KW
±
5%
5, R2 = 2.0KW
±
5%
6. R3 = 1.0KW
±
5%
7. R4 = 5.0KW
±
5%
8. C1 = 0.01μF最低
9. F0 = 100kHz的
±
10%
10. F1 = F0/2, F2 = F1/2, F3 = F2/2
图10. MR82C83H CLCC
4-285
F1
R3
R4
V
CC
1
F2
2
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CP82C83H
    -
    -
    -
    -
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联系人:林小姐 胡先生 张先生
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联系人:李
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