1CY 7C47 4
CY7C470
CY7C472
CY7C474
8K ×9先进先出， 16K ×9 FIFO
32K ×9 FIFO ，具有可编程标志
特点
8K ×9 ，16K ×9 ，和32K ×9的FIFO缓冲存储器中
异步读/写
高速33.3 - MHz读/写无关
深度/宽度
低功耗运行
— I
CC
（最大）= 70毫安
可编程几乎满/空标志
空，近空，半满，几乎完全和完整
的状态标志
可编程重发
可扩展的宽度
5V
±
10 ％供应
TTL兼容
三态输出
专有0.8微米CMOS工艺
在600密耳DIP ， PLCC和LCC封装。每个FIFO
存储器被组织，以使数据被读出，在同一
按顺序，这是书面。三个状态引脚， EMP-
TY /全（ E / F） ，可编程几乎满/空（ PAFE ） ，和
半满（HF ） -are提供给用户。这些引脚是否变形
编码确定以下六种状态之一：空，几乎是空白，
超过半满，大于半满，几乎全满，少
满。
在读操作和写操作可以是异步的;每
可发生于33.3兆赫的速率。发生写操作
当写入（W ）信号变为低电平。阅读时出现读
（R） - 变为低。这九个数据输出进入高阻抗
ANCE状态，当R为HIGH 。
用户可存储该读出指针进行重传的值
通过使用对MARK销。一个低的重传（ RT ）输入
使得FIFO通过重置读指针重新发送数据
于存储在标记指针的值。
在独立和宽度扩展配置中，低
对重传（ RT ）输入，使FIFO重新发送
数据。与标记功能，重传可以从任何单词开始
在FIFO中。
该CYC47X系列采用专有的0.8 - MI-制造
cron的N阱CMOS技术。输入ESD保护是更大
超过2001V和闩锁，防止通过使用可靠
布局技术，保护环和衬底偏置发生器。
功能说明
该CYC47X FIFO系列包括高速，低功耗，
先入先出（ FIFO ）存储器，可编程标志和
重发标志。该CY7C470 ， CY7C472和CY7C474是
8K ， 16K和32K分别由字9位宽。他们是
逻辑框图
DATAINPUTS
(D
0
–D
8
)
销刀豆网络gurations
PLCC / LCC
顶视图
W
4
可编程
标志寄存器
D
2
D
1
D
0
标志
旗
逻辑
HF
E / F
PAFE
R
RT
标志
PAFE
Q
0
Q
1
NC
Q
2
5
6
7
8
9
10
11
12
7C470
7C472
7C474
3
2
1
32 31 30
29
28
27
26
25
24
23
22
D
8
D
6
D
7
NC
RT
MR
E / F
HF
Q
7
Q
6
D
3
D
2
D
1
D
0
标志
PAFE
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Q
8
GND
标志
指针
7C470–2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
7C470
7C472
7C474
DIP
顶视图
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
cc
D
4
D
5
D
6
D
7
RT
MR
E / F
HF
Q
7
Q
6
Q
5
Q
4
R
W
写
指针
RAM阵列
8K ×9
16K ×9
32K ×9
读
指针
13
21
14 15 16 17 18 19 20
7C470–3
三
状态
缓冲器
DATAOUTPUTS
(Q
0
–Q
8
)
RESET
逻辑
MR
7C470–1
赛普拉斯半导体公司
3901北一街
圣荷西
CA 95134
408-943-2600
1990年12月 - 修订1995年4月
CY7C470
CY7C472
CY7C474
选购指南
7C470–15
7C472–15
7C474–15
频率（MHz）
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
广告
军事/工业
33.3
15
105
7C470–20
7C472–20
7C474–20
33.3
20
7C470–25
7C472–25
7C474–25
28.5
25
7C470–40
7C472–40
7C474–40
20
40
最大额定值
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位............... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态.............................................. 。 -0.5V至+ 7.0V
直流输入电压............................................ -3.0V至+ 7.0V
功耗................................................ .......... 1.0W
输出电流，输出入（LOW ） ............................ 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
军事
[1]
环境
温度
0
°
C至+70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
–55
°
C至+ 125
°
C
V
CC
5V
±
10%
5V
±
10%
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
[2]
7C470–15
7C472–15
7C474–15
参
TER
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
I
SB2
I
OS[3]
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
工作电流
待机电流
掉电电流
输出短路电流
GND
≤
V
I
≤
V
CC
R
≥
V
IH
， GND
≤
V
O
≤
V
CC
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0毫安
所有输入=
V
IH
分钟。
所有输入=
V
CC
–0.2V
Com'l
军用/工业
Com'l
军用/工业
Com'l
军用/工业
–90
20
25
–90
25
30
–10
–10
描述
输出高电压
输出低电压
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -2.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
Com'l
军用/工业
0.8
+10
+10
105
110
–10
–10
2.2
2.2
0.8
+10
+10
–10
–10
分钟。
2.4
0.4
马克斯。
7C470–20
7C472–20
7C474–20
分钟。
2.4
0.4
2.2
2.2
0.8
+10
+10
90
95
25
30
20
25
–90
mA
mA
mA
V
A
A
mA
马克斯。
7C470–25
7C472–25
7C474–25
分钟。
2.4
0.4
马克斯。
单位
V
V
V
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
注意事项：
1. T
A
是外壳温度的「即时」 。
2.请参见本规范A组分组测试信息的最后一页。
3.不能有多于一个的输出应在同一时间进行测试。短路的持续时间应不超过一秒。
2
CY7C470
CY7C472
CY7C474
电气特性
在整个工作范围
[2]
（续）
7C470–40
7C472–40
7C474–40
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
I
SB2
I
OS[3]
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
工作电流
待机电流
掉电电流
输出短路电流
GND
≤
V
I
≤
V
CC
R
≥
V
IH
， GND
≤
V
O
≤
V
CC
V
CC
=最大，我
OUT
= 0毫安
所有输入= V
IH
分钟。
所有输入= V
CC
–0.2V
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
Com'l
军用/工业
Com'l
军用/工业
Com'l
军用/工业
–10
–10
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -2.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
Com'l
军用/工业
2.2
2.2
0.8
+10
+10
70
75
25
30
20
25
–90
mA
mA
mA
V
A
A
mA
分钟。
2.4
0.4
马克斯。
单位
V
V
V
电容
[4]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 4.5V
马克斯。
10
12
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
JIGAND
范围
相当于：
R2
333
7C470–4
R1 500
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R1 500
3.0V
R2
333
7C470–5
所有的输入脉冲
10%
90%
90%
10%
≤
5纳秒
7C470–6
GND
≤
5纳秒
(a)
(b)
戴维南等效
200
产量
2V
注意：
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
3
CY7C470
CY7C472
CY7C474
开关特性
在整个工作范围
[5, 6]
7C470–15
7C472–15
7C474–15
参数
t
CY
t
A
t
RV
t
PW
t
LZR
t
DV[7]
t
HZ[7]
t
HWZ
t
SD
t
HD
t
EFD
t
英语
t
HFD
t
AFED
t
RAE
t
WAF
描述
周期
存取时间
恢复时间
脉冲宽度
读低到低Z
从读高有效数据
阅读HIGH到高Z
写高到低Z
数据建立时间
数据保持时间
E / F延迟
MR为E / F LOW
HF延迟
PAFE延迟
从有效的阅读
写高
从有效的写
读高
15
15
5
11
0
15
25
25
25
20
20
15
15
3
3
15
5
12
0
20
30
30
30
25
25
分钟。
30
15
10
20
3
3
15
5
15
0
25
35
35
35
40
40
马克斯。
7C470–20
7C472–20
7C474–20
分钟。
30
20
10
25
3
3
18
5
20
0
40
50
50
50
马克斯。
7C470–25
7C472–25
7C474–25
分钟。
35
25
10
40
3
3
25
马克斯。
7C470–40
7C472–40
7C474–40
分钟。
50
40
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项：
5.试验条件假设为5纳秒或更少的信号发送时间，定时1.5V的参考电平，并输出装载指定我的
OL
/I
OH
和30 pF负载
电容，如在（a）部分的AC测试负载和波形的，除非另有规定。
6.参见本规范为A组分组测试信息的最后一页。
7. t
HZR
和T
DVR
使用电容载荷作为交流测试负载（b）部分。吨
HZR
过渡是从V测定500 mV的
OL
和-500 mV的从V
OH
. t
DVR
转换测量
在1.5V的水平。吨
HWZ
和T
LZR
过渡处测量
±100
毫伏的稳定状态。
4
CY7C470
CY7C472
CY7C474
开关波形
异步读写
t
CY
t
PW
t
RV
t
A
t
A
R
t
LZR
Q
0
–Q
8
t
PW
W
t
DVR
数据有效
t
CY
t
RV
t
HZR
数据有效
t
PW
t
SD
D
0
–D
8
t
HD
t
SD
t
HD
7C470–7
数据有效
数据有效
MasterReset （没有写入可编程标志寄存器）
t
CY
MR
R，W
t
HFD
HF
E / F
t
英语
PAFE
t
AFED
7C470–8
t
PW
t
RV
t
RV
主复位（写入可编程标志寄存器）
[8,9]
t
CY
t
PW
MR
t
PW
瓦特（R）的
t
CY
D
0
–D
8
(Q
0
–Q
8
)
有效
t
HD
t
RV
t
RV
t
CY
t
RV
t
RV
7C470–9
注意事项：
在括号8.波形标签涉及到可编程标志寄存器从输出端口写（Q
0
– Q
8
).
9.主复位（MR ）必须低脉冲，一旦之前的节目。
5
1CY 7C47 4
CY7C470
CY7C472
CY7C474
8K ×9先进先出， 16K ×9 FIFO
32K ×9 FIFO ，具有可编程标志
特点
8K ×9 ，16K ×9 ，和32K ×9的FIFO缓冲存储器中
异步读/写
高速33.3 - MHz读/写无关
深度/宽度
低功耗运行
— I
CC
（最大）= 70毫安
可编程几乎满/空标志
空，近空，半满，几乎完全和完整
的状态标志
可编程重发
可扩展的宽度
5V
±
10 ％供应
TTL兼容
三态输出
专有0.8微米CMOS工艺
在600密耳DIP ， PLCC和LCC封装。每个FIFO
存储器被组织，以使数据被读出，在同一
按顺序，这是书面。三个状态引脚， EMP-
TY /全（ E / F） ，可编程几乎满/空（ PAFE ） ，和
半满（HF ） -are提供给用户。这些引脚是否变形
编码确定以下六种状态之一：空，几乎是空白，
超过半满，大于半满，几乎全满，少
满。
在读操作和写操作可以是异步的;每
可发生于33.3兆赫的速率。发生写操作
当写入（W ）信号变为低电平。阅读时出现读
（R） - 变为低。这九个数据输出进入高阻抗
ANCE状态，当R为HIGH 。
用户可存储该读出指针进行重传的值
通过使用对MARK销。一个低的重传（ RT ）输入
使得FIFO通过重置读指针重新发送数据
于存储在标记指针的值。
在独立和宽度扩展配置中，低
对重传（ RT ）输入，使FIFO重新发送
数据。与标记功能，重传可以从任何单词开始
在FIFO中。
该CYC47X系列采用专有的0.8 - MI-制造
cron的N阱CMOS技术。输入ESD保护是更大
超过2001V和闩锁，防止通过使用可靠
布局技术，保护环和衬底偏置发生器。
功能说明
该CYC47X FIFO系列包括高速，低功耗，
先入先出（ FIFO ）存储器，可编程标志和
重发标志。该CY7C470 ， CY7C472和CY7C474是
8K ， 16K和32K分别由字9位宽。他们是
逻辑框图
DATAINPUTS
(D
0
–D
8
)
销刀豆网络gurations
PLCC / LCC
顶视图
W
4
可编程
标志寄存器
D
2
D
1
D
0
标志
旗
逻辑
HF
E / F
PAFE
R
RT
标志
PAFE
Q
0
Q
1
NC
Q
2
5
6
7
8
9
10
11
12
7C470
7C472
7C474
3
2
1
32 31 30
29
28
27
26
25
24
23
22
D
8
D
6
D
7
NC
RT
MR
E / F
HF
Q
7
Q
6
D
3
D
2
D
1
D
0
标志
PAFE
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Q
8
GND
标志
指针
7C470–2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
7C470
7C472
7C474
DIP
顶视图
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
cc
D
4
D
5
D
6
D
7
RT
MR
E / F
HF
Q
7
Q
6
Q
5
Q
4
R
W
写
指针
RAM阵列
8K ×9
16K ×9
32K ×9
读
指针
13
21
14 15 16 17 18 19 20
7C470–3
三
状态
缓冲器
DATAOUTPUTS
(Q
0
–Q
8
)
RESET
逻辑
MR
7C470–1
赛普拉斯半导体公司
3901北一街
圣荷西
CA 95134
408-943-2600
1990年12月 - 修订1995年4月
CY7C470
CY7C472
CY7C474
选购指南
7C470–15
7C472–15
7C474–15
频率（MHz）
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
广告
军事/工业
33.3
15
105
7C470–20
7C472–20
7C474–20
33.3
20
7C470–25
7C472–25
7C474–25
28.5
25
7C470–40
7C472–40
7C474–40
20
40
最大额定值
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位............... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态.............................................. 。 -0.5V至+ 7.0V
直流输入电压............................................ -3.0V至+ 7.0V
功耗................................................ .......... 1.0W
输出电流，输出入（LOW ） ............................ 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
军事
[1]
环境
温度
0
°
C至+70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
–55
°
C至+ 125
°
C
V
CC
5V
±
10%
5V
±
10%
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
[2]
7C470–15
7C472–15
7C474–15
参
TER
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
I
SB2
I
OS[3]
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
工作电流
待机电流
掉电电流
输出短路电流
GND
≤
V
I
≤
V
CC
R
≥
V
IH
， GND
≤
V
O
≤
V
CC
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0毫安
所有输入=
V
IH
分钟。
所有输入=
V
CC
–0.2V
Com'l
军用/工业
Com'l
军用/工业
Com'l
军用/工业
–90
20
25
–90
25
30
–10
–10
描述
输出高电压
输出低电压
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -2.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
Com'l
军用/工业
0.8
+10
+10
105
110
–10
–10
2.2
2.2
0.8
+10
+10
–10
–10
分钟。
2.4
0.4
马克斯。
7C470–20
7C472–20
7C474–20
分钟。
2.4
0.4
2.2
2.2
0.8
+10
+10
90
95
25
30
20
25
–90
mA
mA
mA
V
A
A
mA
马克斯。
7C470–25
7C472–25
7C474–25
分钟。
2.4
0.4
马克斯。
单位
V
V
V
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
注意事项：
1. T
A
是外壳温度的「即时」 。
2.请参见本规范A组分组测试信息的最后一页。
3.不能有多于一个的输出应在同一时间进行测试。短路的持续时间应不超过一秒。
2
CY7C470
CY7C472
CY7C474
电气特性
在整个工作范围
[2]
（续）
7C470–40
7C472–40
7C474–40
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
I
SB2
I
OS[3]
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
工作电流
待机电流
掉电电流
输出短路电流
GND
≤
V
I
≤
V
CC
R
≥
V
IH
， GND
≤
V
O
≤
V
CC
V
CC
=最大，我
OUT
= 0毫安
所有输入= V
IH
分钟。
所有输入= V
CC
–0.2V
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
Com'l
军用/工业
Com'l
军用/工业
Com'l
军用/工业
–10
–10
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -2.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
Com'l
军用/工业
2.2
2.2
0.8
+10
+10
70
75
25
30
20
25
–90
mA
mA
mA
V
A
A
mA
分钟。
2.4
0.4
马克斯。
单位
V
V
V
电容
[4]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 4.5V
马克斯。
10
12
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
JIGAND
范围
相当于：
R2
333
7C470–4
R1 500
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R1 500
3.0V
R2
333
7C470–5
所有的输入脉冲
10%
90%
90%
10%
≤
5纳秒
7C470–6
GND
≤
5纳秒
(a)
(b)
戴维南等效
200
产量
2V
注意：
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
3
CY7C470
CY7C472
CY7C474
开关特性
在整个工作范围
[5, 6]
7C470–15
7C472–15
7C474–15
参数
t
CY
t
A
t
RV
t
PW
t
LZR
t
DV[7]
t
HZ[7]
t
HWZ
t
SD
t
HD
t
EFD
t
英语
t
HFD
t
AFED
t
RAE
t
WAF
描述
周期
存取时间
恢复时间
脉冲宽度
读低到低Z
从读高有效数据
阅读HIGH到高Z
写高到低Z
数据建立时间
数据保持时间
E / F延迟
MR为E / F LOW
HF延迟
PAFE延迟
从有效的阅读
写高
从有效的写
读高
15
15
5
11
0
15
25
25
25
20
20
15
15
3
3
15
5
12
0
20
30
30
30
25
25
分钟。
30
15
10
20
3
3
15
5
15
0
25
35
35
35
40
40
马克斯。
7C470–20
7C472–20
7C474–20
分钟。
30
20
10
25
3
3
18
5
20
0
40
50
50
50
马克斯。
7C470–25
7C472–25
7C474–25
分钟。
35
25
10
40
3
3
25
马克斯。
7C470–40
7C472–40
7C474–40
分钟。
50
40
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项：
5.试验条件假设为5纳秒或更少的信号发送时间，定时1.5V的参考电平，并输出装载指定我的
OL
/I
OH
和30 pF负载
电容，如在（a）部分的AC测试负载和波形的，除非另有规定。
6.参见本规范为A组分组测试信息的最后一页。
7. t
HZR
和T
DVR
使用电容载荷作为交流测试负载（b）部分。吨
HZR
过渡是从V测定500 mV的
OL
和-500 mV的从V
OH
. t
DVR
转换测量
在1.5V的水平。吨
HWZ
和T
LZR
过渡处测量
±100
毫伏的稳定状态。
4
CY7C470
CY7C472
CY7C474
开关波形
异步读写
t
CY
t
PW
t
RV
t
A
t
A
R
t
LZR
Q
0
–Q
8
t
PW
W
t
DVR
数据有效
t
CY
t
RV
t
HZR
数据有效
t
PW
t
SD
D
0
–D
8
t
HD
t
SD
t
HD
7C470–7
数据有效
数据有效
MasterReset （没有写入可编程标志寄存器）
t
CY
MR
R，W
t
HFD
HF
E / F
t
英语
PAFE
t
AFED
7C470–8
t
PW
t
RV
t
RV
主复位（写入可编程标志寄存器）
[8,9]
t
CY
t
PW
MR
t
PW
瓦特（R）的
t
CY
D
0
–D
8
(Q
0
–Q
8
)
有效
t
HD
t
RV
t
RV
t
CY
t
RV
t
RV
7C470–9
注意事项：
在括号8.波形标签涉及到可编程标志寄存器从输出端口写（Q
0
– Q
8
).
9.主复位（MR ）必须低脉冲，一旦之前的节目。
5
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