CY7C419 / 21 /25 /三万三千二百五十六分之二十九/ 512 / 1K / 2K / 4K ×9异步FIFO
CY7C419/21/25/29/33
五百一十二分之二百五十六/ 1K / 2K / 4K ×9异步FIFO
特点
异步先入先出（FIFO ）缓冲存储器
256× 9 （ CY7C419 ）
512× 9 （ CY7C421 ）
1K ×9 （ CY7C425 ）
2K ×9 （ CY7C429 ）
4K ×9 （ CY7C433 ）
双端口RAM单元
高速50.0 - MHz读/写无关
深度/宽度
低工作功耗：我
CC
= 35毫安
空和满标志（半满标志单机）
TTL兼容
重传在独立
可扩展的宽度
PLCC ，为7x7 TQFP ， SOJ ， 300万和600万DIP
无铅封装
引脚兼容，功能上等同于IDT7200 ，
IDT7201 ， IDT7202 ， IDT7203 ， IDT7204 ， AM7200 ， AM7201 ，
AM7202 ， AM7203 ， AM7204和
600密耳宽，300密耳全包。他们是， respec-
疑心， 256 ， 512 ， 1024 ， 2048 ，和4096的话通过9位宽。
每个FIFO存储器被组织，以使数据被读入
同样的顺序，这是书面。满和空
设置标志，以防止溢出和下溢。三
还提供了额外的引脚，方便无限
扩张的宽度，深度，或两者兼而有之。深度扩张
技术拨转控制信号从一个设备到
另一个平行，从而消除了串行加法的
的传播延迟，使得吞吐量没有降低。数据
转向以类似的方式。
在读操作和写操作可以是异步的;每
可发生于50.0兆赫的速率。发生写操作
当写（W）的信号为LOW 。阅读时出现读取（ R）
变低。这九个数据输出到高阻抗
状态当R为高。
阿半满（ HF）的输出标记提供了一种可有效的
独立和宽度扩展配置。在深度
扩展配置，该引脚提供了扩张
这是用来告诉下FIFO中，这将是（XO）信息
激活。
在独立和宽度扩展配置中，低
对重传（ RT ）输入，使FIFO的重传
的数据。读使能（R）和写使能（W ）都必须
重发时高，然后R用于访问数据。
该CY7C419 ， CY7C420 ， CY7C421 ， CY7C424 ， CY7C425 ，
CY7C428 ， CY7C429 ， CY7C432和CY7C433是捏造
采用先进的0.65微米的P阱CMOS技术。
输入ESD保护大于2000V和闩锁是
防止通过精心的布局和保护环。
功能说明
该CY7C419 ， CY7C420 / 1 ， CY7C424 / 5 ， CY7C428 / 9 ，和
CY7C432 / 3是先入先出中提供（先进先出）存储器
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-06001牧师* B
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的二〇〇五年六月三十〇日
CY7C419/21/25/29/33
逻辑框图
数据输入
(D0–D 8)
销刀豆网络gurations
PLCC / LCC
顶视图
D
3
D
8
W
NC
V
cc
D
4
D
5
4 3 2 1 323130
5
29
6
28
7
27
8
26
7C419
7C421/5/9 25
9
7C433
10
24
11
23
12
22
13
21
14 15 1617 181920
Q
3
Q
8
GND
NC
R
Q
4
Q
5
W
D
8
D
3
D
2
D
1
D
0
XI
FF
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Q
8
GND
DIP
顶视图
1
28
2
27
3
26
4
25
5
24
7C419
6 7C420/1 23
7 7C424/5 22
8 7C428/9 21
7C432/3
9
20
10
19
11
18
12
17
13
16
15
14
VCC
D
4
D
5
D
6
D
7
FL / RT
MR
EF
XO / HF
Q
7
Q
6
Q
5
Q
4
R
W
写
控制
写
指针
RAM阵列
256 x 9
512 x 9
1024x 9
2048x 9
4096x 9
读
指针
D
2
D
1
D
0
XI
FF
Q
0
Q
1
NC
Q
2
D
6
D
7
NC
FL / RT
MR
EF
XO / HF
Q
7
Q
6
三
状态
缓冲器
数据输出
(Q0–Q 8)
R
读
控制
旗
逻辑
RESET
逻辑
MR
FL / RT
TQFP
顶视图
D
3
D
8
W
V
CC
D
4
D
2
EF
FF
32 3130 29 28 27 26 25
D
1
D
0
NC
NC
XI
FF
Q
0
Q
1
1
2
3
4
5
6
7
8
24
23
22
21
20
19
18
17
D
5
D
6
D
7
FL / RT
NC
NC
MR
EF
XO / HF
Q
7
XI
扩张
逻辑
XO / HF
7C419
7C421/5/9
7C433
9 10 11 12 13 14 15 16
Q
2
Q
3
Q
8
GND
R
Q
4
Q
5
选购指南
256 x 9
512 ×9 （ 600万只）
512 x 9
1K ×9 （ 600万只）
1K ×9
2K ×9 （ 600万只）
2K ×9
4K ×9 （ 600万只）
4K ×9
频率（MHz）
最大访问时间（纳秒）
I
CC1
（MA ）
7C433–10
50
10
35
7C433–15
40
15
35
7C433–20
33.3
20
35
7C429–10
7C429–15
7C425–10
7C425–15
7C421–10
7C421–15
7C419–10
7C419–15
7C420–20
7C421–20
7C424–20
7C425–20
7C428–20
7C429–20
7C429–25
7C432–25
7C433–25
28.5
25
35
7C433–30
25
30
35
7C429–30
7C429–40
7C432–40
7C433–40
20
40
35
7C433–65
12.5
65
35
7C420–25
7C421–25
7C424–25
7C425–25
7C421–30
7C424–30
7C425–30
7C419–30
7C419–40
7C420–40
7C421–40
7C424–40
7C425–40
7C420–65
7C421–65
7C424–65
7C425–65
7C428–65
7C429–65
最大额定值
[1]
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度.................................- 65
°
C至+150
°
C
环境温度与
电源应用.............................................- 55
°
C至+ 125
°
C
电源电压对地电位............... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态.............................................. ..- 0.5V至+ 7.0V
直流输入电压0.5V ............................................-至+ 7.0V
功耗................................................ .......... 1.0W
输出电流，输出入（LOW ） ............................ 20毫安
静电放电电压............................................ >2000V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
注意：
1.单电源供电：对任何输入或I / O引脚不能超过电期间电源引脚上的电压。
文件编号： 38-06001牧师* B
Q
6
第25 2
CY7C419/21/25/29/33
工作范围
范围
广告
产业
军事
环境温度
[2]
0
°
C至+ 70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
–55
°
C至+ 125
°
C
V
CC
5V
±
10%
5V
±
10%
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
[3]
7C419–10, 15, 30, 40
7C420/1–10, 15, 20, 25, 30, 40, 65
7C424/5–10, 15, 20, 25, 30, 40, 65
7C428/9–10, 15, 20, 25, 30, 40, 65
7C432/3–10, 15, 20, 25, 30, 40, 65
分钟。
马克斯。
2.4
0.4
2.0
V
CC
2.2
V
CC
注4
0.8
–10
+10
–10
+10
–90
参数
描述
V
OH
输出高电压
V
OL
输出低电压
V
IH
输入高电压
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
输出短路电流
[5]
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -2.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
Com'l
军用/工业
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
> V
IH
， GND < V
O
＆ LT ; V
CC
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
单位
V
V
V
V
A
A
mA
电气特性
在整个工作范围
[3]
（续）
7C419–10
7C421–10
7C425–10
7C429–10
7C433–10
参数
I
CC
描述
工作电流
测试条件
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0毫安
f = f
最大
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0毫安
F = 20MHz的
所有输入=
V
IH
分钟。
Com'l
军用/工业
Com'l
35
85
7C419–15
7C421–15
7C425–15
7C429–15
7C433–15
65
100
35
7C420–20
7C421–20
7C424–20
7C425–20
7C428–20
7C429–20
7C433–20
55
90
35
7C420–25
7C421–25
7C424–25
7C425–25
7C429–25
7C432–25
7C433–25
单位
mA
50
80
35
mA
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。
I
CC1
工作电流
I
SB1
I
SB2
待机电流
Com'l
军用/工业
Com'l
军用/工业
10
5
10
15
5
8
10
15
5
8
10
15
5
8
mA
mA
掉电电流所有输入>
V
CC
–0.2V
注意事项：
2. T
A
是外壳温度的「即时」 。
3.请参见本规范A组分组测试信息的最后一页。
4. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
5.用于测试目的，而不是一个以上的输出的时间应短。短路测试持续时间不应超过30秒。
文件编号： 38-06001牧师* B
第25 3
CY7C419/21/25/29/33
电气特性
在整个工作范围
[3]
（续）
7C419–30
7C421–30
7C424–30
7C425–30
7C429–30
7C433–30
参数
I
CC
描述
工作电流
测试条件
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0毫安
f = f
最大
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0毫安
F = 20MHz的
所有输入=
V
IH
分钟。
所有输入>
V
CC
–0.2V
Com'l
军用/工业
Com'l
分钟。
马克斯。
40
75
35
7C419–40
7C420–40
7C421–40
7C424–40
7C425–40
7C429–40
7C432–40
7C433–40
分钟。
马克斯。
35
70
35
7C420–65
7C421–65
7C424–65
7C425–65
7C428–65
7C429–65
7C433–65
分钟。
马克斯。
35
65
35
mA
单位
mA
I
CC1
工作电流
I
SB1
I
SB2
待机电流
掉电电流
Com'l
米尔
Com'l
米尔
10
15
5
8
10
15
5
8
10
15
5
8
mA
mA
电容
[6]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25
°
C，F = 1MHz时，
V
CC
= 4.5V
马克斯。
6
6
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
JIGAND
范围
R2
333
R1 500
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
JIGAND
范围
R2
333
R1 500
3.0V
GND
≤
3纳秒
所有的输入脉冲
90%
10%
90%
10%
≤
3纳秒
(a)
(b)
相当于：
戴维南等效
200
产量
2V
注意：
6.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-06001牧师* B
第25 4
CY7C419/21/25/29/33
开关特性
在整个工作范围
[7, 8]
7C419–10
7C421–10
7C425–10
7C429–10
7C433–10
参数
t
RC
t
A
t
RR
t
PR
t
LZR
[6,9]
[9,10]
7C419–15
7C421–15
7C425–15
7C429–15
7C433–15
分钟。
25
马克斯。
15
10
15
3
5
10
20
3
5
15
25
15
5
10
8
0
25
15
10
15
15
25
15
10
30
20
5
10
12
0
30
20
10
20
20
30
20
10
15
35
25
5
10
15
0
35
25
10
25
25
35
25
10
7C420–20
7C421–20
7C424–20
7C425–20
7C428–20
7C429–20
7C433–20
分钟。
30
20
10
25
3
5
18
马克斯。
7C420–25
7C421–25
7C424–25
7C425–25
7C429–25
7C432–25
7C433–25
分钟。
35
25
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
读周期时间
存取时间
阅读恢复时间
阅读脉宽
读低到低Z
数据有效读高后
阅读HIGH到高Z
写周期时间
把脉冲宽度
写高到低Z
写恢复时间
数据建立时间
数据保持时间
MR周期时间
MR脉冲宽度
MR恢复时间
阅读HIGH到高先生
写HIGH到高先生
重发周期时间
重发脉冲宽度
重发恢复时间
分钟。
20
马克斯。
10
10
10
3
5
15
20
10
5
10
6
0
20
10
10
10
10
20
10
10
t
DVR
t
WC
t
PW
t
HZR[6,9,10]
t
HWZ[6,9]
t
WR
t
SD
t
HD
t
MRSC
t
PMR
t
RMR
t
乡郊小工程
t
预激
t
RTC
t
PRT
t
RTR
注意事项：
7.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平，输出负载指定我的
OL
/I
OH
和30 pF负载
电容，如在（a）部分的AC测试负载和波形的，除非另有规定。
8.请参见本规范A组分组测试信息的最后一页。
9. t
HZR
过渡是从V测定200 mV的
OL
和-200 mV的从V
OH
. t
DVR
过渡处测量的1.5V电平。吨
HWZ
和T
LZR
转换测量
at
±100
毫伏的稳定状态。
10. t
HZR
和T
DVR
使用电容负载的部分交流测试负载和波形（B ） 。
文件编号： 38-06001牧师* B
第25 5
19/21/25/29/
CY7C419/21/25/29/33
五百一十二分之二百五十六/ 1K / 2K / 4K ×9异步FIFO
特点
异步先入先出（FIFO ）缓冲存储器
256× 9 （ CY7C419 ）
512× 9 （ CY7C421 ）
1K ×9 （ CY7C425 ）
2K ×9 （ CY7C429 ）
4K ×9 （ CY7C433 ）
双端口RAM单元
高速50.0 - MHz读/写无关
深度/宽度
较低的工作功耗：我
CC
= 35毫安
空和满标志（半满标志单机）
TTL兼容
转发在独立
可扩展的宽度
PLCC ，为7x7 TQFP ， SOJ ， 300万和600万DIP
引脚兼容和功能上等同于IDT7200 ，
IDT7201 ， IDT7202 ， IDT7203 ， IDT7204 ， AM7200 ， AM7201 ，
AM7202 ， AM7203 ， AM7204和
每个FIFO存储器被组织，以使数据被读入
同样的顺序，这是书面。满和空
设置标志，以防止溢出和下溢。三AD-
还提供ditional销，方便无限扩展
宽度，深度，或两者兼而有之。深度扩展技术公牛
从一个设备到另一个平行，从而将控制信号
消除了串行加法传播延迟，使
吞吐量没有降低。数据被控制以类似的方式。
在读操作和写操作可以是异步的;每
可发生于50.0兆赫的速率。发生写操作
当写（W）的信号为LOW 。阅读时出现读取（ R）
变低。这九个数据输出到高阻抗
状态当R为高。
半满（ HF）输出标志提供了一种可在有效标
dalone和宽度扩展配置。在深度EX-
潘申配置，该引脚提供了扩张
这是用来告诉下FIFO中，这将是（XO）信息
激活。
在独立和宽度扩展配置中，低
对重传（ RT ）输入，使FIFO的重传
的数据。读使能（R）和写使能（W ）都必须
重发时高，然后R用于访问数据。
该CY7C419 ， CY7C420 ， CY7C421 ， CY7C424 ， CY7C425 ，
CY7C428 ， CY7C429 ， CY7C432和CY7C433是捏造
采用先进的0.65微米的P阱CMOS技术。在 -
把ESD保护大于2000V和闩锁是预
通过精心的布局和保护环排出。
功能说明
该CY7C419 ， CY7C420 / 1 ， CY7C424 / 5 ， CY7C428 / 9 ，和
CY7C432 / 3是先入先出中提供（先进先出）存储器
600密耳宽，300密耳全包。他们是， respec-
疑心， 256 ， 512 ， 1024 ， 2048 ，和4096的话通过9位宽。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-06001修订版**
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的二〇〇二年十二月三十零日
CY7C419/21/25/29/33
逻辑框图
数据输入
(D0–D 8)
销刀豆网络gurations
PLCC / LCC
顶视图
D
3
D
8
W
NC
V
cc
D
4
D
5
4 3 2 1 323130
D
2
5
29
D
1
6
28
D
0
7
27
十一8
26
7C419
FF 9
7C421/5/9 25
7C433
Q
0
10
24
Q
1
11
23
NC 12
22
Q
2
13
21
14 15 1617 181920
Q
3
Q
8
GND
NC
R
Q
4
Q
5
W
D
8
D
3
D
2
D
1
D
0
XI
FF
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Q
8
GND
DIP
顶视图
28
1
27
2
26
3
4
25
5
24
7C419
6 7C420/1 23
7 7C424/5 22
8 7C428/9 21
7C432/3
9
20
10
19
11
18
12
17
13
16
15
14
VCC
D
4
D
5
D
6
D
7
FL / RT
MR
EF
XO / HF
Q
7
Q
6
Q
5
Q
4
R
C420–3
W
写
控制
写
指针
RAM阵列
256 x 9
512 x 9
1024x 9
2048x 9
4096x 9
读
指针
D
6
D
7
NC
FL / RT
MR
EF
XO / HF
Q
7
Q
6
C420–2
三
状态
缓冲器
数据输出
(Q0–Q 8)
R
读
控制
旗
逻辑
RESET
逻辑
MR
FL / RT
TQFP
顶视图
D
3
D
8
W
V
CC
D
4
D
2
EF
FF
32 3130 29 28 27 26 25
D
1
D
0
NC
NC
XI
FF
Q
0
Q
1
1
2
3
4
5
6
7
8
24
23
22
21
20
19
18
17
D
5
D
6
D
7
FL / RT
NC
NC
MR
EF
XO / HF
Q
7
XI
扩张
逻辑
XO / HF
C420–1
7C419
7C421/5/9
7C433
9 10 11 12 13 14 15 16
C420–4
Q
2
Q
3
Q
8
GND
R
Q
4
Q
5
Q
6
选购指南
256 x 9
512 ×9 （ 600万只）
512 x 9
1K ×9 （ 600万只）
1K ×9
2K ×9 （ 600万只）
2K ×9
4K ×9 （ 600万只）
4K ×9
频率（MHz）
最大访问时间（纳秒）
I
CC1
（MA ）
7C433–10
50
10
35
[1]
7C419–10
7C421–10
7C425–10
7C429–10
7C419–15
7C420–20
7C421–15
7C425–15
7C429–15
7C433–15
40
15
35
7C421–20
7C424–20
7C425–20
7C428–20
7C429–20
7C433–20
33.3
20
35
7C429–25
7C432–25
7C433–25
28.5
25
35
7C420–25
7C421–25
7C424–25
7C425–25
7C419–30
7C421–30
7C424–30
7C425–30
7C429–30
7C433–30
25
30
35
7C419–40
7C420–40
7C421–40
7C424–40
7C425–40
7C429–40
7C432–40
7C433–40
20
40
35
7C433–65
12.5
65
35
7C420–65
7C421–65
7C424–65
7C425–65
7C428–65
7C429–65
最大额定值
直流电压应用到输出的
在高Z状态.............................................. ..- 0.5V至+ 7.0V
直流输入电压0.5V ............................................-至+ 7.0V
功耗................................................ .......... 1.0W
输出电流，输出入（LOW ） ............................ 20毫安
静电放电电压........................................... >2000V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度.................................- 65
°
C至+150
°
C
环境温度与
电源应用.............................................- 55
°
C至+ 125
°
C
电源电压对地电位............... -0.5V至+ 7.0V
注意：
1.单电源供电：对任何输入或I / O引脚不能超过电期间电源引脚上的电压。
文件编号： 38-06001修订版**
第22页2
CY7C419/21/25/29/33
工作范围
范围
广告
产业
军事
环境温度
[2]
0
°
C至+ 70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
–55
°
C至+ 125
°
C
V
CC
5V
±
10%
5V
±
10%
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
[3]
7C419–10, 15, 30, 40
7C420/1–10, 15, 20, 25, 30, 40, 65
7C424/5–10, 15, 20, 25, 30, 40, 65
7C428/9–10, 15, 20, 25, 30, 40, 65
7C432/3–10, 15, 20, 25, 30, 40, 65
参数
描述
V
OH
输出高电压
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
输出短路电流
[5]
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
> V
IH
， GND < V
O
＆ LT ; V
CC
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -2.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
Com'l
军用/工业
分钟。
2.4
2.0
2.2
注4
–10
–10
马克斯。
0.4
V
CC
V
CC
0.8
+10
+10
–90
单位
V
V
V
V
A
A
mA
电气特性
在整个工作范围
[3]
（续）
7C419–10
7C421–10
7C425–10
7C429–10
7C433–10
参数
I
CC
描述
工作电流
测试条件
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0毫安
f = f
最大
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0毫安
F = 20MHz的
所有输入=
V
IH
分钟。
Com'l
军用/工业
Com'l
35
85
7C419–15
7C421–15
7C425–15
7C429–15
7C433–15
65
100
35
7C420–20
7C421–20
7C424–20
7C425–20
7C428–20
7C429–20
7C433–20
55
90
35
7C420–25
7C421–25
7C424–25
7C425–25
7C429–25
7C432–25
7C433–25
单位
mA
50
80
35
mA
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。
I
CC1
工作电流
I
SB1
I
SB2
待机电流
Com'l
军用/工业
Com'l
军用/工业
10
5
10
15
5
8
10
15
5
8
10
15
5
8
mA
mA
掉电电流所有输入>
V
CC
–0.2V
注意事项：
2. T
A
是外壳温度的「即时」 。
3.请参见本规范A组分组测试信息的最后一页。
4. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
5.用于测试目的，而不是一个以上的输出的时间应短。短路测试持续时间不应超过30秒。
文件编号： 38-06001修订版**
第22页3
CY7C419/21/25/29/33
电气特性
在整个工作范围
[3]
（续）
7C419–30
7C421–30
7C424–30
7C425–30
7C429–30
7C433–30
参数
I
CC
描述
工作电流
测试条件
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0毫安
f = f
最大
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0毫安
F = 20MHz的
所有输入=
V
IH
分钟。
所有输入>
V
CC
–0.2V
Com'l
军用/工业
Com'l
分钟。
马克斯。
40
75
35
7C419–40
7C420–40
7C421–40
7C424–40
7C425–40
7C429–40
7C432–40
7C433–40
分钟。
马克斯。
35
70
35
7C420–65
7C421–65
7C424–65
7C425–65
7C428–65
7C429–65
7C433–65
分钟。
马克斯。
35
65
35
mA
单位
mA
I
CC1
工作电流
I
SB1
I
SB2
待机电流
掉电电流
Com'l
米尔
Com'l
米尔
10
15
5
8
10
15
5
8
10
15
5
8
mA
mA
电容
[6]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25
°
C，F = 1MHz时，
V
CC
= 4.5V
马克斯。
6
6
单位
pF
pF
注意：
6.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
交流测试负载和波形
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
JIGAND
范围
R2
333
C420–6
R1 500
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
JIGAND
范围
R1 500
3.0V
R2
333
C420–7
所有的输入脉冲
90%
10%
90%
10%
GND
≤
3纳秒
≤
3纳秒
C420–8
(a)
(b)
相当于：
戴维南等效
200
产量
2V
文件编号： 38-06001修订版**
第22页4
CY7C419/21/25/29/33
开关特性
在整个工作范围
[7, 8]
7C419–10
7C421–10
7C425–10
7C429–10
7C433–10
参数
t
RC
t
A
t
RR
t
PR
t
LZR[6,9]
t
DVR[9,10]
t
HZR[6,9,10]
t
WC
t
PW
t
HWZ[6,9]
t
WR
t
SD
t
HD
t
MRSC
t
PMR
t
RMR
t
乡郊小工程
t
预激
t
RTC
t
PRT
t
RTR
存取时间
阅读恢复时间
阅读脉宽
读低到低Z
数据有效读高后
阅读HIGH到高Z
写周期时间
把脉冲宽度
写高到低Z
写恢复时间
数据建立时间
数据保持时间
MR周期时间
MR脉冲宽度
MR恢复时间
阅读HIGH到高先生
写HIGH到高先生
重发周期时间
重发脉冲宽度
重发恢复时间
20
10
5
10
6
0
20
10
10
10
10
20
10
10
10
10
3
5
15
25
15
5
10
8
0
25
15
10
15
15
25
15
10
描述
读周期时间
分钟。
20
10
10
15
3
5
15
30
20
5
10
12
0
30
20
10
20
20
30
20
10
马克斯。
7C419–15
7C421–15
7C425–15
7C429–15
7C433–15
分钟。
25
15
10
20
3
5
15
35
25
5
10
15
0
35
25
10
25
25
35
25
10
马克斯。
7C420–20
7C421–20
7C424–20
7C425–20
7C428–20
7C429–20
7C433–20
分钟。
30
20
10
25
3
5
18
马克斯。
7C420–25
7C421–25
7C424–25
7C425–25
7C429–25
7C432–25
7C433–25
分钟。
35
25
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项：
7.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平，输出负载指定我的
OL
/I
OH
和30 pF负载
电容，如在（a）部分的AC测试负载和波形的，除非另有规定。
8.请参见本规范A组分组测试信息的最后一页。
9. t
HZR
过渡是从V测定200 mV的
OL
和-200 mV的从V
OH
. t
DVR
过渡处测量的1.5V电平。吨
HWZ
和T
LZR
转换测量
at
±
为100mV ，从稳定状态。
10. t
HZR
和T
DVR
使用电容负载的部分交流测试负载和波形（B ） 。
文件编号： 38-06001修订版**
第22页5
CY7C419 / 21 /25 /三万三千二百五十六分之二十九/ 512 / 1K / 2K / 4K ×9异步FIFO
CY7C419/21/25/29/33
五百一十二分之二百五十六/ 1K / 2K / 4K ×9异步FIFO
特点
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
功能说明
该CY7C419 ， CY7C420 / 1 ， CY7C424 / 5 ， CY7C428 / 9 ，和
CY7C432 / 3是先入先出中提供（先进先出）存储器
600密耳宽，300密耳全包。有256个， 512 ，
1024 ， 2048 ，和4096字分别通过9位宽。每
FIFO存储器被组织，以使数据被读出，在同一
按顺序，这是书面。满和空标志
以防止溢出和下溢。另外三个引脚
还提供了便于无限扩展的宽度，深度
或两者。深度扩展技术拨转控制
从并联一个设备到另一个信号。这消除了
串行加法传播延迟，从而使吞吐量不
减少。数据被控制以类似的方式。
在读操作和写操作可以是异步的;每罐
出现在50兆赫的速率。发生在写操作时，
写（ W）的信号为LOW 。阅读时出现读取（ R）变低。
这九个数据输出进入高阻抗状态，当R为
高。
半满（ HF）输出标志，是独立有效的，
宽度扩展配置提供。在深度
扩展配置，该引脚提供了扩张
这是用来告诉下的FIFO ，它是（XO）信息
激活。
在独立和宽度扩展配置的低电平
重传（ RT ）输入，使FIFO的重传
数据。读使能（R）和写使能（W）的必须都为高电平
重发，然后在R用于访问数据。
该CY7C419 ， CY7C420 ， CY7C421 ， CY7C424 ， CY7C425 ，
CY7C428 ， CY7C429 ， CY7C432和CY7C433是捏造
采用先进的0.65微米的P阱CMOS技术。输入
ESD保护大于2000V和闩锁，防止
通过精心的布局和保护环。
异步先入先出（FIFO ）缓冲存储器
256× 9 （ CY7C419 ）
512× 9 （ CY7C421 ）
1K ×9 （ CY7C425 ）
2K ×9 （ CY7C429 ）
4K ×9 （ CY7C433 ）
双端口RAM单元
高速50 MHz的读取和写入的深度和独立
宽度
较低的工作功耗：我
CC
= 35毫安
空和满标志（半满标志单机）
TTL兼容
转发在独立
可扩展的宽度
PLCC ，为7x7 TQFP ， SOJ ， 300万和600万DIP
无铅适用的货物
引脚兼容和功能上等同于IDT7200 ，
IDT7201 ， IDT7202 ， IDT7203 ， IDT7204 ， AM7200 ， AM7201 ，
AM7202 ， AM7203 ， AM7204和
逻辑框图
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-06001牧师* C
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2008年12月9日
[+ ]反馈
CY7C419/21/25/29/33
最大额定值
超出最大额定值可能损害的使用寿命
装置。这些用户指导未经测试。
[1]
存储温度................................. -65
°
C至+150
°
C
环境温度与功耗的应用-55 ..
°
C至+ 125
°
C
电源电压对地电位................- 0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态.............................................. ..- 0.5V至+ 7.0V
直流输入电压0.5V ............................................-至+ 7.0V
功耗................................................ .......... 1.0W
电气特性
在整个工作范围
[3]
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
输出短路电流
[5]
输出电流，输出入（LOW ） ............................ 20毫安
静电放电电压............................................ >2000V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
[2]
0
°
C至+ 70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
V
CC
5V
±
10%
5V
±
10%
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -2.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
广告
产业
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
> V
IH
， GND < V
O
＆ LT ; V
CC
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
所有速度等级
民
2.4
2.0
2.2
[4]
最大
0.4
V
CC
V
CC
0.8
+10
+10
–90
单位
V
V
V
V
μA
μA
mA
–10
–10
笔记
1.单电源供电：对任何输入或I / O引脚不能超过电期间电源引脚上的电压。
2. T
A
是外壳温度的「即时」 。
3.请参见本规范A组分组测试信息的最后一页。
4. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
5.用于测试目的，而不是一个以上的输出的时间应短。短路测试持续时间不应超过30秒。
文件编号： 38-06001牧师* C
第17页3
[+ ]反馈
CY7C419/21/25/29/33
电气特性
在整个工作范围
参数
I
CC
I
CC1
I
SB1
I
SB2
描述
工作电流
测试条件
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0毫安
f = f
最大
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0毫安
F = 20MHz的
所有输入=
V
IH
分钟。
广告
产业
广告
–10
–15
–20
–25
民
最大
85
民
最大
65
100
35
民
最大
55
90
35
民
最大
50
80
35
单位
mA
工作电流
35
mA
待机电流
掉电电流所有输入>
V
CC
–0.2V
广告
产业
广告
产业
10
5
10
15
5
8
10
15
5
8
10
15
5
8
mA
mA
电气特性
在整个工作范围
[3]
参数
I
CC
I
CC1
I
SB1
I
SB2
描述
工作电流
测试条件
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0毫安
f = f
最大
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0毫安
F = 20MHz的
所有输入=
V
IH
分钟。
广告
产业
广告
–30
–40
–65
民
最大
40
75
35
民
最大
35
70
35
民
最大
35
65
35
单位
mA
工作电流
mA
待机电流
掉电电流所有输入>
V
CC
–0.2V
广告
产业
广告
产业
10
15
5
8
10
15
5
8
10
15
5
8
mA
mA
电容
[6]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25
°
C，F = 1
兆赫，V
CC
= 4.5V
最大
6
6
单位
pF
pF
记
6.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-06001牧师* C
第17页4
[+ ]反馈
CY7C419/21/25/29/33
开关特性
在整个工作范围
[7, 8]
参数
t
RC
t
A
t
RR
t
PR
t
LZR[6,9]
t
DVR[9,10]
t
HZR[6,9,10]
t
WC
t
PW
t
HWZ[6,9]
t
WR
t
SD
t
HD
t
MRSC
t
PMR
t
RMR
t
乡郊小工程
t
预激
t
RTC
t
PRT
t
RTR
t
英语
t
仁人家园
t
FFH
t
REF
t
RFF
t
世界经济论坛
t
WFF
t
WHF
t
RHF
t
RAE
t
RPE
t
WAF
t
WPF
t
XOL
t
XOH
描述
读周期时间
存取时间
阅读恢复时间
阅读脉宽
读低到低Z
数据有效读高后
阅读HIGH到高Z
写周期时间
把脉冲宽度
写高到低Z
写恢复时间
数据建立时间
数据保持时间
MR周期时间
MR脉冲宽度
MR恢复时间
阅读HIGH到高先生
写HIGH到高先生
重发周期时间
重发脉冲宽度
重发恢复时间
先生EF低
先生HF高
先生FF HIGH
读低到EF低
阅读HIGH到FF高
写HIGH到EF高
写低到FF低
写低到HF LOW
阅读HIGH到HF高
有效的阅读从写高位
有效的读脉冲宽度后， EF高
从读高效写
有效的写入脉冲宽度FF高后
扩展出低时延的时钟
扩展淘汰高延迟的时钟
–10
–15
–20
–25
民
20
10
10
3
5
最大
10
民
25
10
15
3
5
最大
15
民
30
10
20
3
5
最大
20
民
35
10
25
3
5
最大
25
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
15
20
10
5
10
6
0
20
10
10
10
10
20
10
10
20
20
20
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
15
15
25
15
5
10
8
0
25
15
10
15
15
25
15
10
15
30
20
5
10
12
0
30
20
10
20
20
30
20
10
25
25
25
15
15
15
15
15
15
15
20
15
20
15
15
15
35
25
5
10
15
0
35
25
10
25
25
35
25
10
30
30
30
20
20
20
20
20
20
20
25
20
25
20
20
18
35
35
35
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
笔记
7.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平，输出负载指定我的
OL
/I
OH
和30 pF的电容负载，
交流测试负载和波形的在部分（ a）中，除非另有规定。
8.请参见本规范A组分组测试信息的最后一页。
9. t
HZR
过渡是从V测定200 mV的
OL
和-200 mV的从V
OH
. t
DVR
过渡处测量的1.5V电平。吨
HWZ
和T
LZR
过渡处测量
±100
毫伏的稳定状态。
10. t
HZR
和T
DVR
使用电容负载的部分交流测试负载和波形（B ） 。
文件编号： 38-06001牧师* C
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