CD40106BM CD40106BC六角施密特触发器
1988年2月
CD40106BM CD40106BC六角施密特触发器
概述
该CD40106B六角施密特触发器是一种单片完井
甘南MOS （ CMOS ）与N-构建集成电路
和P沟道增强型晶体管的正和
负向阈值电压V
T
a
和V
T
b
表明低
变化相对于温度（典型值0 0005V下以
V
DD
e
10V ）和滞后V
T
a
b
V
T
b
t
0 2 V
DD
is
保证
所有的输入免受损害，由于静态显示
负责通过二极管钳位到V
DD
和V
SS
特点
Y
Y
Y
Y
宽电源电压范围
高噪声抗扰度
低功耗
TTL兼容
迟滞
Y
Y
3V至15V
0 7 V
DD
（典型值）
扇出2驾驶74L
或1驾驶74LS
0 4 V
DD
（典型值）
0 2 V
DD
保证
相当于MM54C14 MM74C14
相当于MC14584B
接线图
双列直插式封装
开关时间波形
TL F 5985 - 3
t
r
e
t
f
e
20纳秒
订单号CD40106B
TL F 5985 - 2
顶视图
原理图
TL F 5985 - 1
C
1995年全国半导体公司
TL F 5985
RRD - B30M105印制在U S A
绝对最大额定值
（注1
2)
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
直流电源电压（V
DD
)
输入电压（V
IN
)
存储温度范围（T
S
)
功耗（P
D
)
双列直插式
小尺寸
引线温度（T
L
)
（焊接10秒）
b
0至5
a
18 V
DC
b
0 5 V
DD
a
0 5 V
DC
b
65℃，以
a
150 C
推荐工作
条件
（注2 ）
直流电源电压（V
DD
)
输入电压（V
IN
)
工作温度范围（T
A
)
CD40106BM
CD40106BC
3至15V
DC
0到V
DD
V
DC
b
55 ℃
a
125 C
b
40℃
a
85 C
700毫瓦
500毫瓦
260 C
DC电气特性
CD40106BM （注2）
符号
I
DD
参数
静态器件
当前
条件
V
DD
e
5V
V
IN
e
V
DD
或V
SS
V
DD
e
10V
V
IN
e
V
DD
或V
SS
V
DD
e
15V
V
IN
e
V
DD
或V
SS
b
55 C
a
25 C
a
125 C
单位
mA
mA
mA
民
最大
10
20
40
民
典型值
最大
10
20
40
民
最大
30
60
120
V
OL
低电平输出
电压
l
I
O
l
k
1
mA
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
0 05
0 05
0 05
4 95
9 95
14 95
07
14
21
30
60
90
10
20
30
0 64
16
42
b
0 64
b
1 6
b
4 2
b
0 10
0 05
0 05
0 05
4 95
9 95
14 95
5
10
15
14
32
50
36
68
10 0
22
36
50
0 88
2 25
88
b
0 88
b
2 25
b
8 8
b
10
b
5
b
0 10
0 05
0 05
0 05
4 95
0 95
14 95
V
V
V
V
V
V
V
OH
高电平输出
电压
l
I
O
l
k
1
mA
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
T
b
负向阈值V
DD
e
5V V
O
e
4 5V
电压
V
DD
e
10V V
O
e
9V
V
DD
e
15V V
O
e
13 5V
正向阈值
电压
迟滞（V
T
a
b
V
T
b
)
V
DD
e
5V V
O
e
0 5V
V
DD
e
10V V
O
e
1V
V
DD
e
15V V
O
e
1 5V
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V V
O
e
0 4V
V
DD
e
10V V
O
e
0 5V
V
DD
e
15V V
O
e
1 5V
V
DD
e
5V V
O
e
4 6V
V
DD
e
10V V
O
e
9 5V
V
DD
e
15V V
O
e
13 5V
V
DD
e
15V V
IN
e
0V
V
DD
e
15V V
IN
e
15V
20
40
60
43
86
12 9
36
72
10 8
07
14
21
30
60
90
10
20
30
0 51
13
34
b
0 51
b
1 3
b
3 4
20
40
60
43
86
12 9
36
72
10 8
07
14
21
30
60
90
10
20
30
0 36
09
24
b
0 36
b
0 9
b
2 4
20
40
60
43
86
12 9
36
72
10 8
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
T
a
V
H
I
OL
低电平输出
电流（注3）
高电平输出
电流（注3）
输入电流
I
OH
I
IN
b
1 0
0 10
10
b
5
0 10
10
mA
mA
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证，他们的目的不是意味着设备
应在这些限制“推荐工作条件' '和''电气特性'' '的表提供了条件，实际设备进行操作
手术
注2
V
SS
e
0V ，除非另有说明
注3
I
OH
我
OL
在测试一个输出一次
2
DC电气特性
CD40106BC （注2）
符号
I
DD
参数
静态电流器件
条件
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
b
40 C
a
25 C
a
85 C
单位
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
民
最大
40
80
16 0
0 05
0 05
0 05
民
典型值
最大
40
80
16 0
0 05
0 05
0 05
民
最大
30
60
120
0 05
0 05
0 05
V
OL
低电平输出
电压
l
I
O
l
k
1
mA
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
OH
高电平输出
电压
l
I
O
l
k
1
mA
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
4 95
9 95
14 95
07
14
21
30
60
90
10
20
30
0 52
13
36
20
40
60
43
86
12 9
36
72
10 8
4 95
9 95
14 95
07
14
21
30
60
90
10
20
30
0 44
11
30
b
0 44
b
1 1
b
3 0
b
0 30
5
10
15
14
32
50
36
68
10 0
22
36
50
0 88
2 25
88
b
0 88
b
2 25
b
8 8
b
10
b
5
b
0 30
4 95
0 95
14 95
20
40
60
43
86
12 9
36
72
10 8
07
14
21
30
60
90
10
20
30
0 36
09
24
b
0 36
b
0 9
b
2 4
b
1 0
V
T
b
负向阈值V
DD
e
5V V
O
e
4 5V
电压
V
DD
e
10V V
O
e
9V
V
DD
e
15V V
O
e
13 5V
正向阈值
电压
迟滞（V
T
a
b
V
T
b
)
电压
低电平输出
电流（注3）
高电平输出
电流（注3）
输入电流
V
DD
e
5V V
O
e
0 5V
V
DD
e
10V V
O
e
1V
V
DD
e
15V V
O
e
1 5V
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V V
O
e
0 4V
V
DD
e
10V V
O
e
0 5V
V
DD
e
15V V
O
e
1 5V
20
40
60
43
86
12 9
36
72
10 8
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
T
a
V
H
I
OL
I
OH
b
0 52
V
DD
e
5V V
O
e
4 6V
b
1 3
V
DD
e
10V V
O
e
9 5V
V
DD
e
15V V
O
e
13 5V
b
3 6
I
IN
V
DD
e
15V V
IN
e
0V
V
DD
e
15V V
IN
e
15V
0 30
10
b
5
0 30
10
mA
mA
AC电气特性
T
A
e
25 C C
L
e
50 pF的
L
e
20万吨
r
和T
f
e
20毫微秒，除非另有说明
符号
t
PHL
或T
PLH
参数
从传播延迟时间
输入到输出
转换时间
条件
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
任何输入
任意门（注4 ）
民
典型值
220
80
70
100
50
40
5
14
最大
400
200
160
200
100
80
75
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
t
THL
或T
TLH
C
IN
C
PD
平均输入电容
功率耗散能力
AC参数都保证了DC相关测试
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证，他们的目的不是意味着设备
应在这些限制“推荐工作条件' '和''电气特性'' '的表提供了条件，实际设备进行操作
手术
注2
V
SS
e
0V ，除非另有说明
注3
I
OH
我
OL
在测试一个输出一次
注4
C
PD
决定任何CMOS器件有关完整说明，请参见54C 74C系列的特点应用笔记的空载交流电耗
AN-90
3
CD40106BC六角施密特触发器
1987年10月
修订后的1999年1月
CD40106BC
六角施密特触发器
概述
该CD40106BC六角施密特触发器是一种单片的COM
互补MOS （CMOS）集成电路构成
用N-和P-沟道增强型晶体管。的位置
略去和负向阈值电压V
T+
和V
T
,
显示相对于温度（典型值低变异
0.0005V / ℃，在V
DD
=
10V ） ，和滞后，V
T+
V
T
≥
0.2
V
DD
得到保障。
所有的输入免受损害，由于静态显示
负责通过二极管钳位到V
DD
和V
SS
.
特点
s
宽电源电压范围：
s
高抗干扰性：
s
低功耗TTL兼容：
扇出2驾驶74L或1驾驶74LS
s
迟滞： 0.4 V
DD
（ TYP。） ，
0.2 V
DD
保证
s
相当于MM74C14
s
相当于MC14584B
3V至15V
0.7 V
DD
（典型值）。
订购代码：
订单号
CD40106BCM
CD40106BCN
包装数
M14A
N14A
包装说明
14引脚小外形集成电路（ SOIC ） ， JEDEC MS- 120 ， 0.150 “窄体
14引脚塑料双列直插式封装（ PDIP ） ， JEDEC MS- 001 ， 0.300 “宽
在磁带和卷轴可用的设备也。通过附加的后缀字母“X”的订货代码指定。
接线图
引脚分配为DIP和SOIC
原理图
顶视图
1999仙童半导体公司
DS005985.prf
www.fairchildsemi.com
CD40106BC
AC电气特性
（注4 ）
T
A
=
25
°
C, C
L
=
为50 pF ，R
L
=
200K ，T
r
和T
f
=
20毫微秒，除非另有说明
符号
t
PHL
或T
PLH
参数
从传播延迟时间
输入到输出
t
THL
或T
TLH
转换时间
条件
V
DD
=
5V
V
DD
=
10V
V
DD
=
15V
V
DD
=
5V
V
DD
=
10V
V
DD
=
15V
C
IN
C
PD
平均输入电容
功率耗散能力
任何输入
任意门（注5 ）
民
典型值
220
80
70
100
50
40
5
14
最大
400
200
160
200
100
80
7.5
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
注4 ：
AC参数都保证了DC相关测试。
注5 ：
C
PD
决定任何CMOS器件的空载交流电耗。有关完整的解释见74C的家族特征应用笔记，
AN-90.
开关时间波形
t
r
=
t
f
=
20纳秒
典型应用
低功耗振荡器
注：该公式假设
t
1
+
t
2
＆ GT ;＆ GT ;
t
PHL
+
t
PLH
3
www.fairchildsemi.com
CD40106BC
物理尺寸
英寸（毫米），除非另有说明
16引脚小外形集成电路（ SOIC ） ， JEDEC MS- 120 ， 0.150 “窄体
包装数M14A
5
www.fairchildsemi.com
CD40106BC六角施密特触发器
1987年10月
修订后的2003年9月
CD40106BC
六角施密特触发器
概述
该CD40106BC六角施密特触发器是一种单片的COM
互补MOS （CMOS）集成电路构成
用N-和P-沟道增强型晶体管。的位置
略去和负向阈值电压V
T+
和V
T
,
显示相对于温度（典型值低变异
0.0005V/
°
C上V
DD
=
10V ） ，和滞后，V
T+
V
T
≥
0.2
V
DD
得到保障。
所有的输入免受损害，由于静态显示
负责通过二极管钳位到V
DD
和V
SS
.
特点
s
宽电源电压范围：
s
低功耗TTL兼容：
扇出2驾驶74L或1驾驶74LS
s
滞后：
0.4 V
DD
（ TYP。） ，
0.2 V
DD
保证
s
相当于MM74C14
3V至15V
s
高抗干扰性： 0.7 V
DD
（典型值）。
订购代码：
订单号
CD40106BCM
CD40106BCN
包装数
M14A
N14A
包装说明
14引脚小外形集成电路（ SOIC ） ， JEDEC MS- 012 ， 0.150"窄
14引脚塑料双列直插式封装（ PDIP ） ， JEDEC MS- 001 ， 0.300"宽
在磁带和卷轴可用的设备也。通过附加的后缀字母“X”的订货代码指定。
接线图
原理图
顶视图
2003仙童半导体公司
DS005985
www.fairchildsemi.com
CD40106BC
AC电气特性
（注4 ）
T
A
=
25
°
C, C
L
=
为50 pF ，R
L
=
200K ，T
r
和T
f
=
20毫微秒，除非另有说明
符号
t
PHL
或T
PLH
输入到输出
t
THL
或T
TLH
转换时间
参数
从传播延迟时间
条件
V
DD
=
5V
V
DD
=
10V
V
DD
=
15V
V
DD
=
5V
V
DD
=
10V
V
DD
=
15V
C
IN
C
PD
平均输入电容
功率耗散能力
任何输入
任意门（注5 ）
民
典型值
220
80
70
100
50
40
5
14
最大
400
200
160
200
100
80
7.5
pF
pF
ns
ns
单位
注4 ：
AC参数都保证了DC相关测试。
注5 ：
C
PD
决定任何CMOS器件的空载交流电耗。有关完整的解释见74C的家族特征应用笔记，
AN-90.
开关时间波形
t
r
=
t
f
=
20纳秒
典型应用
低功耗振荡器
注：该公式假设
t
1
+
t
2
＆ GT ;＆ GT ;
t
PHL
+
t
PLH
3
www.fairchildsemi.com
CD40106BC
物理尺寸
英寸（毫米），除非另有说明
14引脚小外形集成电路（ SOIC ） ， JEDEC MS- 012 ， 0.150"窄
包装数M14A
5
www.fairchildsemi.com
QQ：2880707522 复制
