1CY 7C40 9A
CY7C408A
CY7C409A
64 ×8 FIFO级联
64 ×9级联FIFO
特点
64 ×8和64× 9先入先出（FIFO ）缓冲存储器
35 - MHz的移入和移出率
几乎全/近空和半满标志
双口RAM架构
快速（ 50纳秒）泡透
独立的异步输入和输出
输出使能（ CY7C408A ）
可扩展的字宽和深度的FIFO
5V
±
10 ％供应
完整的TTL
能够承受大于2001V的电 -
静电放电电压
300万， 28引脚DIP
因为它被存储在溶解氧相同的顺序
0
做
8
输出引脚
移出来的控制下（SO）输入时的输出
准备就绪（ OR）控制信号为高电平。如果FIFO满（ IR低） ，
在SI输入上的脉冲被忽略;如果FIFO为空（OR
低） ，在SO输入的脉冲被忽略。
和OR信号也被用于连接的FIFO中的红外
平行于使更宽字或串联，使更深
缓冲液中，或两者兼而有之。
并行扩展更广泛的词是由逻辑实现
AND运算红外一个OR的各个输出端（分别）
在一起的FIFO （图
5).
逻辑与运算保证所有
的的FIFO或者准备好接受更多数据（ IR高）
或者准备好输出数据（OR高） ，从而补偿
变型中的设备之间的传播延迟时间。
串行扩展（级联）进行更深入的缓冲存储器是
通过连接FIFO衣柜的数据输出完成
到数据源（上游设备）的数据输入
下面（下游）的FIFO （图
4).
此外，为了确保
正确的操作，上游FIFO的SO信号必须
连接在上游FIFO的OR输出。在这个系列
扩张构造中，IR和OR信号用于
通过FIFO中的数据传递。
读，写操作是完全异步的，
使FIFO进入可用作两个数字之间的缓冲
对各种不同工作频率的机器。高
在移动和移位这些FIFO的辍学率，以及它们的吞吐量
率由于快速bubblethrough时间，这是由于它们
双口RAM的架构，使它们非常适用于高速
通信和控制器。
功能说明
该CY7C408A和CY7C409A是64字深， 8位或
9位宽的先入先出（FIFO ）缓冲存储器。此外
在行业标准的握手信号，几乎全/ AL-
最空（ AFE）和半满（ HF ）提供标志。
AFE为高时， FIFO几乎满或者几乎是空的，
否则AFE为低。 HF为高当FIFO半满，
否则HF为低。
该CY7C408A具有输出使能（OE ）功能。
所述存储器接收8位或9位并行字作为它的输入（DI
0
DI
8
）的偏移（SI）的输入时，输入的控制下
准备就绪（ IR ）控制信号为高电平。的数据被输出时，在
逻辑框图
SI
IR
输入
控制
逻辑
写指针
WRITEMULTIPLEXER
几乎全/
几乎是空的
半满
AFE
HF
做0
.
.
.
DO 7
DATAOUT
销刀豆网络gurations
AFE
HF
IR
SI
迪0
迪1
GND
1
28
2
27
3
26
4
25
5
24
6
23
7C408A
7 7C409A 22
21
8
9
20
10
19
11
18
12
17
13
16
15
14
VCC
MR
SO
OR
DO0
DO1
GND
DO2
DO3
DO4
DO5
DO6
DO7
OE （ 7C408A ）
DO8 （ 7C409A ）
C408A–3
C408A–1
迪0
.
.
.
DI 7
（ 7C409A ） DI 8
DATA IN
内存
ARRAY
读出复
MR
主
RESET
读指针
产量
控制
逻辑
迪2
迪3
DO 8 （ 7C409A ）
DI 4
DI 5
6迪
OE （ 7C408A ）
DI 7
OR
（ 7C408A ） NC
（ 7C409A ） DI8
SO
标志定义
HF
L
L
H
H
AFE
H
L
L
H
也就是说存储
0-8
9 - 31
32 - 55
56 - 64
迪0
迪1
GND
迪2
迪3
DI 4
DI 5
4 3 2 1 28 27 26
25
5
24
6
23
7
7C408A
22
8
7C409A
21
9
20
10
19
11
12 13 14 15 1617 18
OR
做0
做1
GND
DO 2
做3
做4
C408A–2
赛普拉斯半导体公司
3901北一街
圣荷西
CA 95134
408-943-2600
1986年7月 - 修订1994年7月
CY7C408A
CY7C409A
选购指南
7C408A-15
7C409A-15
最大位移速率（兆赫）
最大工作
电流（mA ）
[1]
广告
军事
15
115
140
7C408A-25
7C409A-25
25
125
150
7C408A-35
7C409A-35
35
135
不适用
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度
..................................... 65°C
至+ 150°C
环境温度与
电源应用................................................ ..
55°C
至+ 125°C
电源电压对地电位
.................0.5V
至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态（ 7C408A ） ...................................- 0.5V至+ 7.0V
直流输入电压
.................................................3.0V
至+ 7.0V
功耗................................................ .......... 1.0W
输出电流，输出入（低） ............................. 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
工作范围
范围
广告
军事
[2]
环境
温度
0
°
C至+70
°
C
55
°
C至+ 125
°
C
V
CC
5V
±10%
5V
±10%
电气特性
在整个工作范围（除非另有说明）
[3]
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OS
I
CCQ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出短路电流
[4]
静态电源电流
电源电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
=最大，我
OUT
= 0毫安
V
IN
＆ LT ; V
IL
, V
IN
＆ GT ; V
IH
I
CC
= I
CCQ
+ 1毫安/ MHz的
×
(f
SI
+ f
SO
)/2
广告
军事
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
3.0
10
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+10
90
100
125
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
mA
mA
电容
[5]
参数
C
IN
C
OUT
注意事项：
1.
2.
3.
4.
5.
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 4.5V
马克斯。
5
7
单位
pF
pF
I
CC
= I
CCQ
+ 1毫安/ MHz的
×
(f
SI
+ f
SO
)/2
T
A
是外壳温度的「即时」 。
请参见本规范A组分组测试信息的最后一页。
出于测试目的，而不是多个输出的时间应短。短路测试持续时间不应超过30秒。
最初和之后的任何设计或工艺变化，可能影响这些参数进行测试。
交流测试负载和波形
R1 482
5V
产量
C
L
INCLUDING
夹具
范围
相当于：
30 pF的
R2
256
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
256
GND
≤
5纳秒
R1 482
3.0V
90%
10%
90%
10%
≤
5纳秒
所有的输入脉冲
(a)
(b)
C408A–4
C408A–5
戴维南等效
167
1.73V
C408A–6
产量
2
CY7C408A
CY7C409A
开关特性
在整个工作范围
[3, 6]
TEST
条件
注7：
注7：
注7：
注8
注8
23
25
0
30
35
40
注7：
注7：
23
25
35
40
0
0
10
注9
注9
注10
注11
注12
注7：
5
30
6
6
35
35
65
65
65
65
55
25
55
55
注13
55
55
55
28
45
10
45
45
45
45
45
20
65
0
0
10
5
20
6
6
30
30
55
55
55
55
35
10
35
35
35
35
35
16
60
11
24
21
23
0
0
10
5
20
6
6
25
25
45
45
45
45
50
7C408A-15
7C409A-15
分钟。
马克斯。
15
11
24
0
20
21
23
9
17
15
16
7C408A-25
7C409A-25
分钟。
马克斯。
25
9
17
0
12
15
16
7C408A-35
7C409A-35
分钟。
马克斯。
35
单位
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
f
O
t
PHSI
t
PLSI
t
SSI
t
恒指
t
DLIR
t
DHIR
t
PHSO
t
PLSO
t
DLOR
t
DHOR
t
SOR
t
HSO
t
BT
t
爵士
t
HIR
t
PIR
t
POR
t
DLZOE
t
DHZOE
t
DHHF
t
DLHF
t
DLAFE
t
DHAFE
t
PMR
t
DSI
t
DOR
t
DIR
t
LZMR
t
AFE
t
HF
t
OD
描述
工作频率
SI的时候了
SI低时间
数据建立到SI
从SI数据保持
延迟， SI HIGH到LOW IR
延迟， SI低到高IR
如此之高的时间
如此低的时间
延迟，这么高至或低
延迟，如此之低，以或高
数据建立到或高
从如此低的数据保持
秋季穿，泡泡回时间
数据建立到IR
从红外数据保持
输入就绪脉冲高电平
输出就绪脉冲高电平
OE低到低Z （ 7C408A ）
OE高来高Z（ 7C408A ）
SI低到高HF
如此低的HF的低
SO或SI低到外汇局LOW
SO或SI低到外汇局HIGH
MR脉冲宽度
高先生向SI高
MR为低或低
MR低到高IR
MR低输出低电平
MR低到高AFE
MR低到HF LOW
如此低的下一个数据输出有效
注意事项：
6.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平，输出负载指定我的
OL
/I
OH
和30 pF负载
电容，如在部分（a）和交流测试负载和波形（ b）中。
7. 1/f
O
> （T
PHSI
+ t
PLSI
), 1/f
O
> （T
PHSO
+ t
PLSO
).
8. t
SSI
和T
恒指
申请时内存没有满。
9. t
爵士
和T
HIR
申请时内存已满， SI高，最小的气泡通过（T
BT
）的条件存在。
10.在任何给定的工作条件吨
PIR
> （T
PHSO
需要）。
11.在任何给定的工作条件吨
POR
> （T
PHSI
需要）。
12. t
DHZOE
和T
DLZOE
用C指定
L
= 5 pF的在交流测试负载和波形（b）部分。吨
DHZOE
转换测量
±500
毫伏从稳态
电压。吨
DLZOE
转换测量
±100
毫伏从稳态电压。这些参数都保证，而不是100 ％测试。
13.所有的数据输出将处于低电平复位后变为高电平，直到数据被输入到FIFO中。
3
1CY 7C40 9A
CY7C408A
CY7C409A
64 ×8 FIFO级联
64 ×9级联FIFO
特点
64 ×8和64× 9先入先出（FIFO ）缓冲存储器
35 - MHz的移入和移出率
几乎全/近空和半满标志
双口RAM架构
快速（ 50纳秒）泡透
独立的异步输入和输出
输出使能（ CY7C408A ）
可扩展的字宽和深度的FIFO
5V
±
10 ％供应
完整的TTL
能够承受大于2001V的电 -
静电放电电压
300万， 28引脚DIP
因为它被存储在溶解氧相同的顺序
0
做
8
输出引脚
移出来的控制下（SO）输入时的输出
准备就绪（ OR）控制信号为高电平。如果FIFO满（ IR低） ，
在SI输入上的脉冲被忽略;如果FIFO为空（OR
低） ，在SO输入的脉冲被忽略。
和OR信号也被用于连接的FIFO中的红外
平行于使更宽字或串联，使更深
缓冲液中，或两者兼而有之。
并行扩展更广泛的词是由逻辑实现
AND运算红外一个OR的各个输出端（分别）
在一起的FIFO （图
5).
逻辑与运算保证所有
的的FIFO或者准备好接受更多数据（ IR高）
或者准备好输出数据（OR高） ，从而补偿
变型中的设备之间的传播延迟时间。
串行扩展（级联）进行更深入的缓冲存储器是
通过连接FIFO衣柜的数据输出完成
到数据源（上游设备）的数据输入
下面（下游）的FIFO （图
4).
此外，为了确保
正确的操作，上游FIFO的SO信号必须
连接在上游FIFO的OR输出。在这个系列
扩张构造中，IR和OR信号用于
通过FIFO中的数据传递。
读，写操作是完全异步的，
使FIFO进入可用作两个数字之间的缓冲
对各种不同工作频率的机器。高
在移动和移位这些FIFO的辍学率，以及它们的吞吐量
率由于快速bubblethrough时间，这是由于它们
双口RAM的架构，使它们非常适用于高速
通信和控制器。
功能说明
该CY7C408A和CY7C409A是64字深， 8位或
9位宽的先入先出（FIFO ）缓冲存储器。此外
在行业标准的握手信号，几乎全/ AL-
最空（ AFE）和半满（ HF ）提供标志。
AFE为高时， FIFO几乎满或者几乎是空的，
否则AFE为低。 HF为高当FIFO半满，
否则HF为低。
该CY7C408A具有输出使能（OE ）功能。
所述存储器接收8位或9位并行字作为它的输入（DI
0
DI
8
）的偏移（SI）的输入时，输入的控制下
准备就绪（ IR ）控制信号为高电平。的数据被输出时，在
逻辑框图
SI
IR
输入
控制
逻辑
写指针
WRITEMULTIPLEXER
几乎全/
几乎是空的
半满
AFE
HF
做0
.
.
.
DO 7
DATAOUT
销刀豆网络gurations
AFE
HF
IR
SI
迪0
迪1
GND
1
28
2
27
3
26
4
25
5
24
6
23
7C408A
7 7C409A 22
21
8
9
20
10
19
11
18
12
17
13
16
15
14
VCC
MR
SO
OR
DO0
DO1
GND
DO2
DO3
DO4
DO5
DO6
DO7
OE （ 7C408A ）
DO8 （ 7C409A ）
C408A–3
C408A–1
迪0
.
.
.
DI 7
（ 7C409A ） DI 8
DATA IN
内存
ARRAY
读出复
MR
主
RESET
读指针
产量
控制
逻辑
迪2
迪3
DO 8 （ 7C409A ）
DI 4
DI 5
6迪
OE （ 7C408A ）
DI 7
OR
（ 7C408A ） NC
（ 7C409A ） DI8
SO
标志定义
HF
L
L
H
H
AFE
H
L
L
H
也就是说存储
0-8
9 - 31
32 - 55
56 - 64
迪0
迪1
GND
迪2
迪3
DI 4
DI 5
4 3 2 1 28 27 26
25
5
24
6
23
7
7C408A
22
8
7C409A
21
9
20
10
19
11
12 13 14 15 1617 18
OR
做0
做1
GND
DO 2
做3
做4
C408A–2
赛普拉斯半导体公司
3901北一街
圣荷西
CA 95134
408-943-2600
1986年7月 - 修订1994年7月
CY7C408A
CY7C409A
选购指南
7C408A-15
7C409A-15
最大位移速率（兆赫）
最大工作
电流（mA ）
[1]
广告
军事
15
115
140
7C408A-25
7C409A-25
25
125
150
7C408A-35
7C409A-35
35
135
不适用
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度
..................................... 65°C
至+ 150°C
环境温度与
电源应用................................................ ..
55°C
至+ 125°C
电源电压对地电位
.................0.5V
至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态（ 7C408A ） ...................................- 0.5V至+ 7.0V
直流输入电压
.................................................3.0V
至+ 7.0V
功耗................................................ .......... 1.0W
输出电流，输出入（低） ............................. 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
工作范围
范围
广告
军事
[2]
环境
温度
0
°
C至+70
°
C
55
°
C至+ 125
°
C
V
CC
5V
±10%
5V
±10%
电气特性
在整个工作范围（除非另有说明）
[3]
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OS
I
CCQ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出短路电流
[4]
静态电源电流
电源电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
=最大，我
OUT
= 0毫安
V
IN
＆ LT ; V
IL
, V
IN
＆ GT ; V
IH
I
CC
= I
CCQ
+ 1毫安/ MHz的
×
(f
SI
+ f
SO
)/2
广告
军事
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
3.0
10
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+10
90
100
125
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
mA
mA
电容
[5]
参数
C
IN
C
OUT
注意事项：
1.
2.
3.
4.
5.
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 4.5V
马克斯。
5
7
单位
pF
pF
I
CC
= I
CCQ
+ 1毫安/ MHz的
×
(f
SI
+ f
SO
)/2
T
A
是外壳温度的「即时」 。
请参见本规范A组分组测试信息的最后一页。
出于测试目的，而不是多个输出的时间应短。短路测试持续时间不应超过30秒。
最初和之后的任何设计或工艺变化，可能影响这些参数进行测试。
交流测试负载和波形
R1 482
5V
产量
C
L
INCLUDING
夹具
范围
相当于：
30 pF的
R2
256
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
256
GND
≤
5纳秒
R1 482
3.0V
90%
10%
90%
10%
≤
5纳秒
所有的输入脉冲
(a)
(b)
C408A–4
C408A–5
戴维南等效
167
1.73V
C408A–6
产量
2
CY7C408A
CY7C409A
开关特性
在整个工作范围
[3, 6]
TEST
条件
注7：
注7：
注7：
注8
注8
23
25
0
30
35
40
注7：
注7：
23
25
35
40
0
0
10
注9
注9
注10
注11
注12
注7：
5
30
6
6
35
35
65
65
65
65
55
25
55
55
注13
55
55
55
28
45
10
45
45
45
45
45
20
65
0
0
10
5
20
6
6
30
30
55
55
55
55
35
10
35
35
35
35
35
16
60
11
24
21
23
0
0
10
5
20
6
6
25
25
45
45
45
45
50
7C408A-15
7C409A-15
分钟。
马克斯。
15
11
24
0
20
21
23
9
17
15
16
7C408A-25
7C409A-25
分钟。
马克斯。
25
9
17
0
12
15
16
7C408A-35
7C409A-35
分钟。
马克斯。
35
单位
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
f
O
t
PHSI
t
PLSI
t
SSI
t
恒指
t
DLIR
t
DHIR
t
PHSO
t
PLSO
t
DLOR
t
DHOR
t
SOR
t
HSO
t
BT
t
爵士
t
HIR
t
PIR
t
POR
t
DLZOE
t
DHZOE
t
DHHF
t
DLHF
t
DLAFE
t
DHAFE
t
PMR
t
DSI
t
DOR
t
DIR
t
LZMR
t
AFE
t
HF
t
OD
描述
工作频率
SI的时候了
SI低时间
数据建立到SI
从SI数据保持
延迟， SI HIGH到LOW IR
延迟， SI低到高IR
如此之高的时间
如此低的时间
延迟，这么高至或低
延迟，如此之低，以或高
数据建立到或高
从如此低的数据保持
秋季穿，泡泡回时间
数据建立到IR
从红外数据保持
输入就绪脉冲高电平
输出就绪脉冲高电平
OE低到低Z （ 7C408A ）
OE高来高Z（ 7C408A ）
SI低到高HF
如此低的HF的低
SO或SI低到外汇局LOW
SO或SI低到外汇局HIGH
MR脉冲宽度
高先生向SI高
MR为低或低
MR低到高IR
MR低输出低电平
MR低到高AFE
MR低到HF LOW
如此低的下一个数据输出有效
注意事项：
6.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平，输出负载指定我的
OL
/I
OH
和30 pF负载
电容，如在部分（a）和交流测试负载和波形（ b）中。
7. 1/f
O
> （T
PHSI
+ t
PLSI
), 1/f
O
> （T
PHSO
+ t
PLSO
).
8. t
SSI
和T
恒指
申请时内存没有满。
9. t
爵士
和T
HIR
申请时内存已满， SI高，最小的气泡通过（T
BT
）的条件存在。
10.在任何给定的工作条件吨
PIR
> （T
PHSO
需要）。
11.在任何给定的工作条件吨
POR
> （T
PHSI
需要）。
12. t
DHZOE
和T
DLZOE
用C指定
L
= 5 pF的在交流测试负载和波形（b）部分。吨
DHZOE
转换测量
±500
毫伏从稳态
电压。吨
DLZOE
转换测量
±100
毫伏从稳态电压。这些参数都保证，而不是100 ％测试。
13.所有的数据输出将处于低电平复位后变为高电平，直到数据被输入到FIFO中。
3
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