1
初步
CY7C056V
CY7C057V
3.3V 16K / 32K ×36
FLEx36 异步双端口静态RAM
特点
真正的双端口存储器单元允许simulta-
相同的内存位置neous访问
16K ×36的组织( CY7C056V )
32K ×36的组织( CY7C057V )
0.25微米CMOS的最佳速度/功耗
高速访问: 10/12/15/20 NS
低功耗运行
—
主动:我
CC
= 260 mA(典型值)
- 待机:我
SB3
= 10
A
(典型值)
完全异步操作
自动断电
可扩展数据总线72位或更多使用Mas-
使用多个设备时器/从芯片选择
片上仲裁逻辑
包括信号灯,允许软件握手
端口之间
INT标志的端口到端口的通信
字节在左侧选择端口
对正确的端口总线匹配
通过双芯片深度扩展使
引脚选择主机或从机
商业和工业温度范围
·小型封装
- 144引脚TQFP封装( 20 ×20 ×1.4 MM)
—
172球BGA封装(1.0毫米间距) ( 15 ×15× 0.51毫米)
逻辑框图
读/写
L
B
0
–B
3
CE
0L
CE
1L
OE
L
9
读/写
R
左
PORT
控制
逻辑
右
PORT
控制
逻辑
9
9
CE
L
CE
R
CE
0R
CE
1R
OE
R
BA
WA
I / O
0L
-I / O
8L
9
I / O
9L
-I / O
17L
9
I / O
18L
-I / O
26L
9
I / O
控制
I / O
控制
9
9
公共汽车
MATCH
9/18/36
I / O
R
I / O
27L
-I / O
35L
BM
SIZE
A
0L
–A
13/14L
[1]
14/15
地址
解码
14/15
真正的双端口
RAM阵列
地址
解码
14/15
14/15
A
0R
–A
13/14R
[1]
打断
SEMAPHORE
仲裁
SEM
L
忙
L
INT
L
[2]
SEM
R
忙
R
INT
R
M / S
[2]
注意事项:
1. A
0
–A
13
为16K ;一
0
–A
14
对于32K器件。
2. BUSY是在主模式下的输出和输入从机模式。
有关最新信息,请访问赛普拉斯网站www.cypress.com
赛普拉斯半导体公司
3901北一街
圣荷西
CA 95134
408-943-2600
2000年4月27日
初步
功能说明
该CY7C056V和CY7C057V是低功耗CMOS 16K
和32K ×36的双口静态RAM 。各仲裁
方案被包括在设备的处理的情况
当多个处理器访问同一块数据。两
提供端口,允许独立的,异步的AC-
塞斯的读取和写入到任意位置的内存。 DE-的
虎钳可以用作独立的36位双端口静态
的RAM或多个设备可以以功能相结合
作为一个72位或更宽的主/从双口静态RAM 。的M / S的
销被设置用于实现72位或者更宽存储器应用程序
阳离子,而不需要单独的主站和从站devic-
ES或额外的分立逻辑。应用领域包括跨
处理器/多处理器设计,通信状态
缓冲和双端口视频/图形内存。
CY7C056V
CY7C057V
每个端口都有独立的控制引脚:芯片使能( CE )
[3]
,
读或写使能(R / W)和输出使能( OE ) 。两
提供了每个端口( BUSY和INT)的标志。 BUSY显
的NAL该端口正在尝试当前访问相同的位置
通过另一端口被存取。中断标志位( INT ) per-
通过一个装置端口或系统之间的通信MITS
邮件箱。通过这些信号被用来传递一个标志,或者令牌,
从一个端口到另一个时,表示一个共享资源是
在使用中。旗语逻辑由八个共享
锁存器。只有一侧可控制锁存器(信号)在
任何时间。信号量的控制指示的共享重
源正在使用中。自动断电功能所配置
每个端口通过片选( CE上的独立受控
0
和
CE
1
)引脚。
该CY7C056V和CY7C057V是144引脚薄型可用
四塑料扁平封装( TQFP )和172球的球栅阵列
( BGA)封装。
注意:
3. CE为低电平时, CE
0
≤
V
IL
和CE
1
≥
V
IH
.
2
初步
销刀豆网络gurations
(续)
172球的球栅阵列( BGA )
顶视图
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
I/O32L
CY7C056V
CY7C057V
2
I/O30L
3
NC
4
VSS
5
I/O13L
6
VDD
7
8
9
VDD
10
I/O13R
11
VSS
12
NC
13
I/O30R
14
I/O32R
I / O11L I / O11R
A0L
I/O33L
I/O29
I/O17L
I / O14L I / O12L
I/O9L
I/O9R
I / O12R I / O14R I / O17R
I / O29R I / O33R
A0R
NC
A1L
I/O31L
I/O27L
NC
I / O15L I / O10L I / O10R I / O15R
NC
I/O27R
I/O31R
A1R
NC
A2L
A3L
I/O35L
I/O34L
I / O28L I / O16L
VSS
VSS
I / O16R I / O28R I / O34R
I/O35R
A3R
A2R
A4L
A5L
NC
B0L
NC
NC
NC
NC
BM
NC
A5R
A4R
VDD
A6L
A7L
B1L
NC
NC
SIZE
A7R
A6R
VDD
OEL
B2L
B3L
CE0L
CE0R
BA
WA
OER
VSS
R / WL
A8L
CE1L
CE1R
A8R
R / WR
VSS
A9L
A10L
VSS
M / S
NC
NC
VDD
VDD
A10R
A9R
A11L
A12L
NC
SEML
NC
NC
NC
NC
SEMR
NC
A12R
A11R
BUSYL
A13L
[4]
INTL
I/O26L
I / O25L I / O19L
VSS
VSS
I / O19R I / O25R I / O26R
INTR
A13R
[5]
NC
BUSYR
NC
NC
I/O22L
I/O18L
NC
I/O7L
I/O2L
I/O2R
I/O7R
NC
I/O18R
I/O22R
NC
I/O24L
I/O20L
I/O8L
I/O6L
I/O5L
I/O3L
I/O0L
I/O0R
I/3R
I/O5R
I/O6R
I/O8R
I/O20R
I/O24R
I/O23L
I/O21L
NC
VSS
I/O4L
VDD
I/O1L
I/O1R
VDD
I/O4R
VSS
NC
I/O21R
I/O23R
4
初步
选购指南
CY7C056V
CY7C057V
-10
最大访问时间(纳秒)
典型工作电流(mA )
典型待机电流为我
SB1
(毫安) (两个端口TTL电平)
典型待机电流为我
SB3
( μA ) (两个端口CMOS
级)
10
260
60
10
A
CY7C056V
CY7C057V
-12
12
250
55
10
A
CY7C056V
CY7C057V
CY7C056V
CY7C057V
-15
15
240
50
10
A
CY7C056V
CY7C057V
-20
20
230
45
10
A
引脚德网络nitions
左侧端口
A
0L
–A
13/14L
SEM
L
CE
0L
,CE
1L
INT
L
忙
L
I / O
0L
-I / O
35L
OE
L
读/写
L
B
0
–B
3
BM , SIZE
WA , BA
M / S
V
SS
V
DD
SEM
R
CE
0R
,CE
1R
INT
R
忙
R
I / O
0R
-I / O
35R
OE
R
读/写
R
正确的端口
A
0R
–A
13/14R
信号灯启用
芯片使能( CE为低电平时, CE
0
≤
V
IL
和CE
1
≥
V
IH
)
中断标志
忙标志
数据总线输入/输出
OUTPUT ENABLE
读/写使能
字节选择输入。声称这些信号能够读取和写入能操作
ations到存储器阵列的相应字节。
见总线匹配的细节。
见总线匹配的细节。
主机或从机选择
地
动力
输出电流为输出( LOW ) ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001V
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
描述
地址(A
0
–A
13
为16K ;一
0
–A
14
对于32K器件)
最大额定值
(以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线,没有测试。 )
储存温度.................................- 65
°
C至+150
°
C
环境温度与
电源应用.............................................- 55
°
C至+ 125
°
C
电源电压对地电位............... -0.5V至+ 4.6V
直流电压适用于
在高Z状态...........................- 0.5V至V输出
DD
+0.5V
直流输入电压...................................- 0.5V至V
DD
+0.5V
[6]
注意:
6,脉冲宽度< 20纳秒。
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
0
°
C至+70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
V
DD
3.3V
±
165毫伏
3.3V
±
165毫伏
阴影区域包含预览。
5