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CY7C25682KV18
CY7C25702KV18
72兆位的DDR II + SRAM双字突发架构
( 2.5周期读延迟)与ODT
72兆位的DDR II + SRAM双字突发架构( 2.5周期读延迟)与ODT
特点
CON连接gurations
2.5循环读周期延迟:
CY7C25682KV18 - 4米× 18
CY7C25702KV18 - 2米× 36
72兆位密度(4M ×18 ,2M × 36)的
550 MHz时钟实现高带宽
双字突发降低地址总线频率
在传输双倍数据速率( DDR )接口(数据
1100兆赫),在550 MHz的
可在2.5个时钟周期延迟
两个输入时钟( K和K )用于精确DDR定时
SRAM仅使用上升沿
在高速路时钟( CQ和CQ )简化了数据采集
系统
数据有效引脚( QVLD )来表示输出有效数据
片上端接( ODT )功能
支持
[x:0]
, BWS
[x:0]
和K / K个输入
同步内部自定时写入
DDR II +工作在2.5周期读延迟时, DOFF是
置为高电平
操作类似于DDR I的设备与1周期读延迟
当DOFF为低电平
核心V
DD
= 1.8 V ±0.1 V ; I / O V
DDQ
= 1.4 V到V
DD[1]
同时支持1.5 V和1.8 V的I / O供电
HSTL输入和可变驱动HSTL输出缓冲器
可在165球FBGA封装( 13 × 15 × 1.4毫米)
提供两种无铅和无无铅封装
JTAG 1149.1兼容的测试访问端口
锁相环( PLL ),用于精确的数据放置
功能说明
该CY7C25682KV18和CY7C25702KV18是1.8 V
同步SRAM的流水线配备DDR II +
架构。在DDR II +由SRAM核心与
先进的同步外围电路。读地址
写锁存输入的备选上升沿( K)
时钟。写数据被登记在两个钾的上升沿和
K.读取数据驱动日K和K的每一个上升沿
地址位置具有两个18位字相关联的
( CY7C25682KV18 ) ,或36位字( CY7C25702KV18 ),该
相继爆出进入或离开设备。
这些器件具有片上终端功能的支持
当d
[x:0]
, BWS
[x:0]
和K / K的投入,这有助于消除
外部终端电阻,降低成本,缩小电路板面积,
并简化电路板布线。
异步输入包括一个输出阻抗匹配
输入( ZQ ) 。同步数据输出(Q ,共享相同的
物理引脚作为输入的数据D)被紧密地匹配于两个
输出回波时钟CQ / CQ ,省去了单独
从每个单独的DDR SRAM的捕获系统中的数据
设计。
所有同步输入都会通过由控制输入寄存器
K或K输入时钟。所有数据输出通过输出
寄存器由K或K输入时钟控制。写的
带有片上同步自定时写电路进行。
选购指南
描述
最大工作频率
最大工作电流
× 18
× 36
550兆赫
550
760
970
500兆赫
500
700
890
450兆赫
450
650
820
400兆赫
400
590
750
单位
兆赫
mA
1.赛普拉斯QDR II +器件超过QDR联盟规范,可支持V
DDQ
= 1.4 V到V
DD
.
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 001-66483修订版* B
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2013年2月20日
CY7C25682KV18
CY7C25702KV18
逻辑框图 - CY7C25682KV18
A
(20:0)
LD
K
K
DOFF
21
写添加。解码
阅读添加。解码
地址
注册
REG
2M ×18阵列
REG
18
2M ×18阵列
CLK
将军
产量
逻辑
控制
读/写
读取数据寄存器。
36
控制
逻辑
CQ
CQ
18
V
REF
读/写
BWS
[1:0]
18
18
注册。
注册。
注册。 18
18
DQ
[17:0]
QVLD
逻辑框图 - CY7C25702KV18
A
(19:0)
LD
K
K
DOFF
20
写添加。解码
阅读添加。解码
地址
注册
REG
1M ×36阵列
REG
36
1M ×36阵列
CLK
将军
产量
逻辑
控制
读/写
读取数据寄存器。
72
控制
逻辑
CQ
CQ
36
V
REF
读/写
BWS
[3:0]
36
36
注册。
注册。
注册。 36
36
DQ
[35:0]
QVLD
文件编号: 001-66483修订版* B
第29页2
CY7C25682KV18
CY7C25702KV18
目录
引脚配置................................................ ........... 4
引脚定义................................................ .................. 5
功能概述................................................ 7 ........
读操作................................................ ......... 7
写操作................................................ ......... 7
写字节操作............................................... 7 ..
DDR操作................................................ ............ 7
深度扩展................................................ ......... 7
可编程阻抗.......................................... 7
随路时钟................................................ ................ 7
有效的数据指标( QVLD ) ........................................ 8
片上端接( ODT ) .......................................... 8
PLL ................................................. ............................. 8
应用实例................................................ 8 ........
真值表................................................ ........................ 9
写周期说明............................................... 9 ..
写周期说明............................................... 10
IEEE 1149.1串行边界扫描( JTAG ) .................. 11
禁用JTAG特性...................................... 11
测试访问端口............................................... ........ 11
执行TAP复位........................................... 11
TAP寄存器................................................ ........... 11
TAP指令集............................................... .... 11
TAP控制器状态图....................................... 13
TAP控制器框图...................................... 14
TAP电气特性...................................... 14
TAP交流开关特性............................... 15
TAP时序和测试条件.................................. 16
识别寄存器定义................................ 17
扫描寄存器大小............................................... ........ 17
指令代码................................................ ........... 17
边界扫描顺序............................................... ..... 18
上电顺序DDR II + SRAM ......................... 19
开机顺序............................................... .. 19
PLL限制................................................ ......... 19
最大额定值................................................ ........... 20
经营范围................................................ ............. 20
中子软错误免疫性......................................... 20
电气特性............................................... 20
直流电气特性..................................... 20
AC电气特性..................................... 22
电容................................................. ................... 22
热阻................................................ ........ 22
交流测试负载和波形..................................... 22
开关特性.............................................. 23
开关波形................................................ .... 24
读/写/取消序列................................ 24
订购信息................................................ ...... 25
订购代码定义......................................... 25
包图................................................ ............ 26
与缩略语................................................. ....................... 27
文档约定................................................ 27
计量单位............................................... ........ 27
文档历史记录页............................................... .. 28
销售,解决方案和法律信息...................... 29
全球销售和设计支持....................... 29
产品................................................. ................... 29
的PSoC解决方案................................................ ......... 29
文件编号: 001-66483修订版* B
第29页3
CY7C25682KV18
CY7C25702KV18
销刀豆网络gurations
引脚配置CY7C25682KV18和CY7C25702KV18随之而来。
[2]
CY7C25682KV18 ( 4米× 18 )
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
CQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DOFF
NC
NC
NC
NC
NC
NC
TDO
2
A
DQ9
NC
NC
NC
DQ12
NC
V
REF
NC
NC
DQ15
NC
NC
NC
TCK
3
A
NC
NC
DQ10
DQ11
NC
DQ13
V
DDQ
NC
DQ14
NC
NC
DQ16
DQ17
A
4
读/写
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
5
BWS
1
NC/288M
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
A
6
K
K
NC
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
A
QVLD
ODT
7
NC/144M
BWS
0
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
A
8
LD
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
9
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
A
10
A
NC
DQ7
NC
NC
NC
NC
V
REF
DQ4
NC
NC
DQ1
NC
NC
TMS
11
CQ
DQ8
NC
NC
DQ6
DQ5
NC
ZQ
NC
DQ3
DQ2
NC
NC
DQ0
TDI
CY7C25702KV18 ( 2M ×36 )
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
CQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DOFF
NC
NC
NC
NC
NC
NC
TDO
2
NC/144M
DQ27
NC
DQ29
NC
DQ30
DQ31
V
REF
NC
NC
DQ33
NC
DQ35
NC
TCK
3
A
DQ18
DQ28
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
V
DDQ
DQ32
DQ23
DQ24
DQ34
DQ25
DQ26
A
4
读/写
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
5
BWS
2
BWS
3
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
A
6
K
K
NC
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
A
QVLD
ODT
7
BWS
1
BWS
0
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
A
8
LD
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
9
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
A
10
A
NC
DQ17
NC
DQ15
NC
NC
V
REF
DQ13
DQ12
NC
DQ11
NC
DQ9
TMS
11
CQ
DQ8
DQ7
DQ16
DQ6
DQ5
DQ14
ZQ
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ10
DQ0
TDI
2. NC / 144M和NC / 288M未连接到所述管芯,并且可以连接到任何电压电平。
文件编号: 001-66483修订版* B
第29页4
CY7C25682KV18
CY7C25702KV18
引脚德网络nitions
引脚名称
DQ
[x:0]
I / O
引脚说明
输入输出 -
数据的输入输出信号。
输入采样的K和K时钟有效的写在上升沿
同步操作。这些管脚输出所请求的数据时,读操作被激活。有效数据是
在读操作期间驱动出在两个K和K时钟周期的上升沿。当读取访问
取消选择,Q
[x:0]
自动为三态的。
CY7C25682KV18
DQ
[17:0]
CY7C25702KV18
DQ
[35:0]
输入 -
同步加载。
采样在K时钟的上升沿。该输入为低电平时,总线
同步周期序列定义。这个定义包括地址和读/写方向。所有交易
操作上的脉冲串的2个数据。 LD必须满足建立和保持周围K的边缘倍
输入 -
字节写选择0 , 1 , 2 , 3
低电平有效。
采样的K和K时钟在上升边缘
同步写操作。用于选择哪个字节的当前部分中写入设备
写操作。不写入的字节保持不变。
CY7C25682KV18 BWS
0
控件D
[8:0]
和BWS
1
控件D
[17:9].
CY7C25702KV18
BWS
0
控件D
[8:0]
, BWS
1
控件D
[17:9]
, BWS
2
控件D
[26:18]
和BWS
3
控件D
[35:27]
.
所有的字节写选择采样的相同沿的数据。取消选择一个字节写选择
忽略数据的对应字节,并且不写入到器件中。
输入 -
地址输入。
在有源读写操作采样在K时钟的上升沿。
同步这些地址输入复用于读取和写入操作。在内部,该装置是
组织为4米× 18 CY7C25682KV18 (每个的2M ×18 2阵列) ,和2M × 36(2每个阵列
的1M × 36),用于CY7C25702KV18 。
输入 -
同步读取或写入的输入。
当LD为低时,该输入指定的访问类型(读时
同步R / W为高电平,写当R / W为低电平)加载的地址。 R / W必须满足建立和保持时间
K.周围边缘
有效的输出
有效的输出指标。
在Q有效表示有效的输出数据。 QVLD是边缘与CQ和CQ对齐。
指标
片上终端输入。
该引脚用于片上端接输入信号。 ODT范围
模上
终端选择上电时初始化进行。的低电平引脚选择低范围如下
RQ / 3.33 175
?? <
RQ < 350
(其中
RQ是绑ZQ引脚上的电阻器) A HIGH在这个引脚选择
输入引脚
大范围如下RQ / 1.66 175
?? <
RQ < 250
(其中
RQ是绑ZQ引脚上的电阻器) 。当
悬空,高范围终止值默认被选中。
输入时钟
输入时钟
正向输入时钟输入。
的K上升沿用于捕获同步输入到装置
并推动了通过Q数据
[x:0]
。所有访问都在K的上升沿启动
负输入时钟输入。
K被用于捕获同步的数据被提供给该装置,并
开车出的数据通过Q
[x:0]
.
LD
BWS
0
,
BWS
1
,
BWS
2
,
BWS
3
A
读/写
QVLD
ODT
[3]
K
K
3.片上端接( ODT )功能,支持程序D
[x:0]
, BWS
[x:0]
和K / K个输入。
文件编号: 001-66483修订版* B
第29页5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CY7C25702KV18-500BZXC
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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    电话:18922805453
    联系人:连
    地址:福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

    CY7C25702KV18-500BZXC
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:18913062888
联系人:陈先生
地址:江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
CY7C25702KV18-500BZXC
Infineon
24+
5200
PG-BGA-165
原装正品现货
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电话:0755-23995152
联系人:林
地址:广东省深圳市福田区华强北国利大厦25层2533室
CY7C25702KV18-500BZXC
Infineon
23+
12000
原厂封装
原装现货可含税
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联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
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CYPRESS/赛普拉斯
2403+
6709
BGA
原装现货假一赔十
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电话:0755-82563615 82563213
联系人:王云
地址:深圳市华强北上步204栋五楼520室
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CYPRESS
2425+
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CY7C25702KV18-500BZXC
CYPRESS/赛普拉斯
2443+
23000
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
CY7C25702KV18-500BZXC
CYPRESS/赛普拉斯
24+
12300
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