双路单片CMOS / DMOS
T形构造模拟开关
公司
CWB5341
特点
描述
该CWB5341是一个双单片模拟开关。设计
利用"T"交换技术该设备给出
极低的串扰和非常高的关断隔离。该
CWB5341是建立在Calogic专有的CMOS / DMOS
过程中实现超低TTL兼容
电容和出色的开关性能。
订购信息
部分
包
温度范围
CWB5341CP塑料的14引脚DIP
0至+85
o
C
CWB5341CY塑料SO- 14表面贴装0至+85
o
C
XCWB5341排序芯片载体
0至+85
o
C
超高关闭隔离。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 > 80分贝@ 10MHz的
低通道到通道的串扰。 。 。 > 80分贝@ 10MHz的
TTL兼容输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 < 100欧姆
低导通电阻。 。
宽的带宽。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -1.0dB @ 50MHz的
射频和视频切换
高频交叉点
视频路由
数据采集
引脚配置
应用
功能图
V+
常见的1
D1
GND
D2
V-
常见的2
1
2
3
4
5
6
7
CWB5341CP
14 S1
13种常见1
S1
D1
常见的1
12 IN1
11 N / C
10 IN2
9
8
S2
IN1
GND
S2
D2
C0MM0N 2
N / C
IN2
每包两个单刀单掷“T”开关。
交换机在逻辑“0”输入位置显示。
补偿网络可以连接到普通的1和普通的2 。
V+
常见的1
D1
GND
D2
V-
常见的2
1
2
3
4
5
6
7
CWB5341CY
14
13
12
11
10
9
8
S1
常见的1
IN1
N / C
IN2
S2
N / C
所有设备包括二极管，以保护输入对造成的损害
高静态电压或电场;然而，它是表示
采取预防措施不要超过推荐的最大
输入电压。所有未使用的输入必须连接到一个
适当的逻辑电平（或V
cc
或GND ） 。
CWB
CWB5341
公司
绝对最大额定值
V-
V+
V
IN
I
L
I
S
I
S
T
J
T
S
P
D
负电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -20V
正电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 20V
控制输入电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V + + 0.3V
V- -0.3V
连续电流，除S或D.任何引脚。 。 。 。 。 20毫安
连续电流，S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
峰值脉冲电流，S或D， 80μsec ，1％，
占空比。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55到+125
o
C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55到+125
o
C
功率耗散（减免在12MW /
o
C,
上述85
o
C） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500mW的
推荐工作条件
V-
V+
V
IN
VS
T
OP
负电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -8.0至-15V
正电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +8.0至+ 15V
控制输入电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到+ 5V
模拟开关电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -10 + 10V
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0至+85
o
C
电气特性
（ V - = -15V ， V + = + 15V ，除非另有说明，T
A
= +25
o
C)
符号
STATIC
V
类似物
r
DS （ ON）
V
IH
V
IL
I
IN
I
D（关闭）
I
S（ OFF）
I-
I+
动态
t
ON
t
关闭
O
IRR
C
CRR
C
d
C
s
参数
模拟信号范围
Channel开启电阻
逻辑高电平输入电压
逻辑低电平输入电压
逻辑输入漏电流
关机漏电流
负电源静态电流
正电源静态电流
开关导通时间
开关关断时间
80
80
频率滚降（带宽）
漏极节点电容
源 - 节点电容
1.0
0.3
3.0
3.0
pF
4.5
民
-10
100
110
200
3.4
0.01
0.02
0.2
0.4
-0.1
0.1
150
120
典型值
最大
+10
160
160
320
1.0
0.1
0.1
5.0
5.0
-0.5
0.5
250
220
单位
V
V
S
= -10V ，我
S
= -1.0mA
V
S
= + 2.0V ，我
S
= + 1.0毫安
V
S
= + 10V ，我
S
= + 1.0毫安
测试条件
V
A
nA
A
V
IN
= +5.0V
V
IN
= +15V
V
D
= +10V, V
S
= -10V
V
S
= +10V, V
D
= -10V
V
IN
= 0或V +的
纳秒
V
IN
= 5.0V
F = 10MHz时，R
L
= 50
F = 10MHz时，RL = 50Ω
F = 50MHz的，R
L
= 50
V
D
= 0
F = 1MHz时， V
IN
= 0
V
S
= 0
dB
电气特性
（ V - = -15V ， V + = + 15V ，除非另有说明）
极限温度下
符号
STATIC
V
类似物
r
DS （ ON）
参数
最大@ T
A
=
+85
o
C
±10
240
240
480
1.0
2.0
100
100
-20
20
单位
测试条件
模拟信号范围
开关导通电阻
逻辑输入
漏电流
关闭
漏电流
供应
静态电流
V
A
nA
mA
V
S
= -10V ，我
S
= + 1.0毫安
V
S
= + 2.0V ，我
S
= + 1.0毫安
V
S
= + 10V ，我
S
= + 1.0毫安
V
IN
= +5.0V
V
IN
= +15V
V
D
= +10V, V
S
= -10V
V
S
= +10V, V
D
= -10V
V
IN
= 0或V +的
I
IN
I
D（关闭）
I
S（ OFF）
I-
I+
QQ：2880707522 复制
