7c147: 12/4/89
修订：周四， 1993年11月11日
特点
D
D
D
D
D
D
D
自动电源关闭时， DESE
lected
CMOS的最佳速度/功耗
高速
25纳秒
低有功功率
440毫瓦（商业）
605毫瓦（军事）
低待机功耗
55毫瓦
TTL兼容的输入和输出
能够承受大于
2001V的静电放电
该CY7C147是一种高性能
CMOS静态RAM组织为4096
字1位。简单的内存扩展
由低电平有效芯片使能提供
（ CE）和三态驱动器。该
CY7C147具有自动断电
特性，降低了功耗
80％的时候取消。
Writingtothedeviceisaccomplishedwhen
片选（ CE）和写使能
功能说明
（WE）输入端都是低电平。上的数据
输入引脚（ DI）被写入到存储器
在地址引脚指定位置（A
0
至A
11
).
Readingthedeviceisaccomplished bytak
ingthechipenable （ CE ） LOWwhile （ WE）
仍然很高。在这些条件下
该单元的内容上指定
地址引线将出现在数据
输出（ DO ）引脚。
输出引脚保持在一个较高的IMPE
舞蹈状态，当芯片使能为高，或
写使能（WE）是低电压。
引脚配置
4K ×1静态RAM
CY7C147
逻辑框图
DIP
顶视图
DI
A
0
A
1
输入缓冲器
A
2
A
3
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
18
17
16
15
14
13
12
11
10
V
CC
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
DI
CE
SENSE AMP
A
1
A
2
A
3
A
6
A
7
行解码器
A
0
A
5
DO
64 x 64
ARRAY
DO
WE
GND
C147 2
CE
COLUMN
解码器
动力
下
WE
A
4
A
5
A
8
A A
9
10
A
11
C147 1
选购指南
最大访问时间（纳秒） ）
(
广告
军事
最大工作电流（mA ） ）商业
P克
(
军事
最大待机电流（mA ） ）商业
y
(
军事
赛普拉斯半导体公司
7C147-25
25
90
15
7C147-35
35
35
80
110
10
10
7C147-45
45
45
80
110
10
10
D
3901北一街
D
圣荷西
D
CA 95134
D
408-943-2600
1985年12月 - 修订1992年11月
7c147: 12/4/89
修订：周四， 1993年11月11日
CY7C147
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南，
未测试）。
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
_
C至+150
_
C
环境温度与
电源中的应用。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
_
C至+ 125
_
C
电源电压对地电位
（引脚18至引脚9） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 7.0V
直流输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -3.0V至+ 7.0V
电气特性
输出电流为输出（ LOW ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
静电放电电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 >2001V
（每MIL STD 883 ，方法3015 ）
闩锁电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 >200毫安
工作范围
环境
范围
温度
V
CC
广告
军事
[1]
0
_
C至+70
_
C
-55
_
C至+ 125
_
C
5V ± 10%
5V ± 10%
在整个工作范围
[2]
7C147-25
7C147-35, 45
分钟。
马克斯。
单位
TEST
条件
分钟。
马克斯。
参数
描述
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入负载电流
输出漏
当前
输出短路
短路电流
[3]
V
CC
操作
p
g
电源电流
S
L C
t
自动
掉电电流
P
D
C
t
[5]
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 12.0毫安
2.4
0.4
2.0
-3.0
6.0
0.8
+10
+50
-350
90
15
2.4
0.4
2.0
-3.0
-10
-50
6.0
0.8
+10
+50
-350
80
110
10
10
V
V
V
V
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC =
最大，
,
I
OUT
= 0毫安
A
最大。 V
CC
,
CE > V
IH
Com'l
米尔
Com'l
米尔
-10
-50
m
A
m
A
mA
mA
mA
CE
[4]
电容
参数
描述
测试条件
马克斯。
单位
C
IN
C
OUT
注意事项：
输入电容
输出电容
T
A
= 25
_
C，F = 1MHz时，
5
V
CC
= 5.0V
4.
5.
8
8
pF
pF
1.
2.
3.
T
A
是"instant on"外壳温度。
见本规范的A组小组测试最后一页
信息。
短路的持续时间不得超过30秒钟。
一个上拉电阻到V
CC
在CE输入是必需的，以保持日
在VCC上电副取消，否则我
SB
将超过价值观
给出。
测试的最初和之后的任何设计或工艺变化，可能自动对焦
FECT这些参数。
2
7c147: 12/4/89
修订：周四， 1993年11月11日
CY7C147
交流测试负载和波形
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
相当于：
R1 329
W
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R1 329
W
3.0V
R2
255
W
(b)
R2
255
W
(a)
GND
＆ LT ; 5纳秒
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
10%
＆ LT ; 5纳秒
C147 4
C147 3
TH
蛇毒等效
125
W
产量
1.90V
7C147-25
7C147-35
分钟。
马克斯。
7C147-45
分钟。
马克斯。
单位
开关特性
在整个工作范围
[6]
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
CE低到低Z
[7]
CE高到高阻
[7, 8]
CE低到通电
CE高到掉电
0
20
5
20
0
20
3
25
5
30
0
20
25
25
5
35
5
30
35
35
5
45
45
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
写周期
[9]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址设置为写入结束
从写端地址保持
地址设置为写开始
WE脉冲宽度
数据设置为写入结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[7]
WE低到高Z
[7, 8]
9.
25
25
25
0
0
15
15
0
0
15
35
35
35
0
0
20
20
10
0
20
45
45
45
0
0
25
25
10
0
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项：
6.测试条件假设5 ns以下，定时信号转换时间
的0 1.5V输入脉冲电平参考电平3.0V ，输出
,
,
装载指定I的
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
7.
8.
在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZ
小于吨
LZ
为所有设备。
t
HZCE
和T
HZWE
用C进行测试
L
= 5 AC测试pF的作为第（二）
负载。转变是从稳态电压测量± 500 mV的。
存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
低和WE低。这两个信号必须为低电平启动写
而无论是信号可以通过去HIGH结束写入。在数据
把建立和保持时间应参考的上升沿
因此终止了写入的信号。
3
7c147: 12/4/89
修订：周四， 1993年11月11日
CY7C147
开关波形
（续）
写周期号2 （ CE控制）
[9, 13]
t
WC
地址
t
SA
CE
t
AW
t
PWE
WE
t
HA
t
SCE
t
SD
DATA IN
t
HZWE
数据
IN
有效
t
HD
高阻抗
数据输出
数据中，未定义
C147 8
注意事项：
13.如果CE同时变为高电平与WE高电平时，输出再
电源处于高阻抗状态。
典型的DC和AC特性
输出源电流（mA）
归一化电源电流
- 电源电压
1.4
SB
SB
归一化电源电流
- 环境温度
1.2
1.0
0.8
I
CC
输出源电流
与输出电压
120
100
80
60
40
20
0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
T
A
= 25
_
C
V
CC
= 5.0V
归一化我
CC
, I
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
4.0
4.5
I
CC
T
A
= 25
_
C
V
IN
= 5.0V
归一化我
CC
, I
1.2
0.6
0.4
0.2
V
CC
= 5.0V
V
IN
= 5.0V
I
SB
25
125
I
SB
5.0
5.5
6.0
0.0
-55
电源电压（ V）
环境温度（
_
C)
输出电压（V）
归一化存取时间
- 电源电压
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
1.6
归一化存取时间
- 环境温度
输出灌电流（mA）
160
140
120
100
80
60
40
20
0
25
125
输出灌电流
与输出电压
归一吨
AA
归一吨
AA
1.4
1.2
T
A
= 25
_
C
1.0
V
CC
= 5.0V
0.8
T
A
= 25
_
C
V
CC
= 5.0V
0.9
0.8
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
0.6
-55
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
电源电压（ V）
环境温度（
_
C)
输出电压（V）
5
7c147: 12/4/89
修订：周四， 1993年11月11日
特点
D
D
D
D
D
D
D
自动电源关闭时， DESE
lected
CMOS的最佳速度/功耗
高速
25纳秒
低有功功率
440毫瓦（商业）
605毫瓦（军事）
低待机功耗
55毫瓦
TTL兼容的输入和输出
能够承受大于
2001V的静电放电
该CY7C147是一种高性能
CMOS静态RAM组织为4096
字1位。简单的内存扩展
由低电平有效芯片使能提供
（ CE）和三态驱动器。该
CY7C147具有自动断电
特性，降低了功耗
80％的时候取消。
Writingtothedeviceisaccomplishedwhen
片选（ CE）和写使能
功能说明
（WE）输入端都是低电平。上的数据
输入引脚（ DI）被写入到存储器
在地址引脚指定位置（A
0
至A
11
).
Readingthedeviceisaccomplished bytak
ingthechipenable （ CE ） LOWwhile （ WE）
仍然很高。在这些条件下
该单元的内容上指定
地址引线将出现在数据
输出（ DO ）引脚。
输出引脚保持在一个较高的IMPE
舞蹈状态，当芯片使能为高，或
写使能（WE）是低电压。
引脚配置
4K ×1静态RAM
CY7C147
逻辑框图
DIP
顶视图
DI
A
0
A
1
输入缓冲器
A
2
A
3
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
18
17
16
15
14
13
12
11
10
V
CC
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
DI
CE
SENSE AMP
A
1
A
2
A
3
A
6
A
7
行解码器
A
0
A
5
DO
64 x 64
ARRAY
DO
WE
GND
C147 2
CE
COLUMN
解码器
动力
下
WE
A
4
A
5
A
8
A A
9
10
A
11
C147 1
选购指南
最大访问时间（纳秒） ）
(
广告
军事
最大工作电流（mA ） ）商业
P克
(
军事
最大待机电流（mA ） ）商业
y
(
军事
赛普拉斯半导体公司
7C147-25
25
90
15
7C147-35
35
35
80
110
10
10
7C147-45
45
45
80
110
10
10
D
3901北一街
D
圣荷西
D
CA 95134
D
408-943-2600
1985年12月 - 修订1992年11月
7c147: 12/4/89
修订：周四， 1993年11月11日
CY7C147
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南，
未测试）。
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
_
C至+150
_
C
环境温度与
电源中的应用。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
_
C至+ 125
_
C
电源电压对地电位
（引脚18至引脚9） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 7.0V
直流输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -3.0V至+ 7.0V
电气特性
输出电流为输出（ LOW ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
静电放电电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 >2001V
（每MIL STD 883 ，方法3015 ）
闩锁电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 >200毫安
工作范围
环境
范围
温度
V
CC
广告
军事
[1]
0
_
C至+70
_
C
-55
_
C至+ 125
_
C
5V ± 10%
5V ± 10%
在整个工作范围
[2]
7C147-25
7C147-35, 45
分钟。
马克斯。
单位
TEST
条件
分钟。
马克斯。
参数
描述
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入负载电流
输出漏
当前
输出短路
短路电流
[3]
V
CC
操作
p
g
电源电流
S
L C
t
自动
掉电电流
P
D
C
t
[5]
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 12.0毫安
2.4
0.4
2.0
-3.0
6.0
0.8
+10
+50
-350
90
15
2.4
0.4
2.0
-3.0
-10
-50
6.0
0.8
+10
+50
-350
80
110
10
10
V
V
V
V
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC =
最大，
,
I
OUT
= 0毫安
A
最大。 V
CC
,
CE > V
IH
Com'l
米尔
Com'l
米尔
-10
-50
m
A
m
A
mA
mA
mA
CE
[4]
电容
参数
描述
测试条件
马克斯。
单位
C
IN
C
OUT
注意事项：
输入电容
输出电容
T
A
= 25
_
C，F = 1MHz时，
5
V
CC
= 5.0V
4.
5.
8
8
pF
pF
1.
2.
3.
T
A
是"instant on"外壳温度。
见本规范的A组小组测试最后一页
信息。
短路的持续时间不得超过30秒钟。
一个上拉电阻到V
CC
在CE输入是必需的，以保持日
在VCC上电副取消，否则我
SB
将超过价值观
给出。
测试的最初和之后的任何设计或工艺变化，可能自动对焦
FECT这些参数。
2
7c147: 12/4/89
修订：周四， 1993年11月11日
CY7C147
交流测试负载和波形
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
相当于：
R1 329
W
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R1 329
W
3.0V
R2
255
W
(b)
R2
255
W
(a)
GND
＆ LT ; 5纳秒
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
10%
＆ LT ; 5纳秒
C147 4
C147 3
TH
蛇毒等效
125
W
产量
1.90V
7C147-25
7C147-35
分钟。
马克斯。
7C147-45
分钟。
马克斯。
单位
开关特性
在整个工作范围
[6]
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
CE低到低Z
[7]
CE高到高阻
[7, 8]
CE低到通电
CE高到掉电
0
20
5
20
0
20
3
25
5
30
0
20
25
25
5
35
5
30
35
35
5
45
45
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
写周期
[9]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址设置为写入结束
从写端地址保持
地址设置为写开始
WE脉冲宽度
数据设置为写入结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[7]
WE低到高Z
[7, 8]
9.
25
25
25
0
0
15
15
0
0
15
35
35
35
0
0
20
20
10
0
20
45
45
45
0
0
25
25
10
0
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项：
6.测试条件假设5 ns以下，定时信号转换时间
的0 1.5V输入脉冲电平参考电平3.0V ，输出
,
,
装载指定I的
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
7.
8.
在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZ
小于吨
LZ
为所有设备。
t
HZCE
和T
HZWE
用C进行测试
L
= 5 AC测试pF的作为第（二）
负载。转变是从稳态电压测量± 500 mV的。
存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
低和WE低。这两个信号必须为低电平启动写
而无论是信号可以通过去HIGH结束写入。在数据
把建立和保持时间应参考的上升沿
因此终止了写入的信号。
3
7c147: 12/4/89
修订：周四， 1993年11月11日
CY7C147
开关波形
（续）
写周期号2 （ CE控制）
[9, 13]
t
WC
地址
t
SA
CE
t
AW
t
PWE
WE
t
HA
t
SCE
t
SD
DATA IN
t
HZWE
数据
IN
有效
t
HD
高阻抗
数据输出
数据中，未定义
C147 8
注意事项：
13.如果CE同时变为高电平与WE高电平时，输出再
电源处于高阻抗状态。
典型的DC和AC特性
输出源电流（mA）
归一化电源电流
- 电源电压
1.4
SB
SB
归一化电源电流
- 环境温度
1.2
1.0
0.8
I
CC
输出源电流
与输出电压
120
100
80
60
40
20
0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
T
A
= 25
_
C
V
CC
= 5.0V
归一化我
CC
, I
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
4.0
4.5
I
CC
T
A
= 25
_
C
V
IN
= 5.0V
归一化我
CC
, I
1.2
0.6
0.4
0.2
V
CC
= 5.0V
V
IN
= 5.0V
I
SB
25
125
I
SB
5.0
5.5
6.0
0.0
-55
电源电压（ V）
环境温度（
_
C)
输出电压（V）
归一化存取时间
- 电源电压
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
1.6
归一化存取时间
- 环境温度
输出灌电流（mA）
160
140
120
100
80
60
40
20
0
25
125
输出灌电流
与输出电压
归一吨
AA
归一吨
AA
1.4
1.2
T
A
= 25
_
C
1.0
V
CC
= 5.0V
0.8
T
A
= 25
_
C
V
CC
= 5.0V
0.9
0.8
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
0.6
-55
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
电源电压（ V）
环境温度（
_
C)
输出电压（V）
5
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