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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第792页 > CY7C1314CV18
初步
CY7C1310CV18
CY7C1910CV18
CY7C1312CV18
CY7C1314CV18
18 - Mbit的QDR -II SRAM 2字
突发架构
特点
单独的独立读写数据端口
- 支持并发事务
250 - MHz时钟实现高带宽
2字突发所有访问
双倍数据速率( DDR )的读取和接口
写端口(数据在500MHz转移) @ 250兆赫
两个输入时钟( K和K )用于精确DDR定时
- SRAM仅使用上升沿
功能说明
该CY7C1310CV18 , CY7C1910CV18 , CY7C1312CV18和
CY7C1314CV18是1.8V同步SRAM的流水线,
配备了QDR -II架构。 QDR- II架构
由两个单独的端口,以存取存储器阵列。
读端口有专用的数据输出来支持读
操作和写端口则有专用的数据输入到
支持写操作。 QDR -II架构具有独立的
数据输入和数据输出,完全省去了
到“掉头”共同需要的数据总线I / O
设备。访问每个端口通过完成
常见的地址总线。读出的地址被锁存的
K个时钟和写地址的上升沿被锁存
K个时钟的上升沿。访问的QDR -II阅读
和写端口是完全相互独立的。在
为了最大限度地提高数据吞吐量,同时读取和写入端口
配备了双数据速率( DDR )接口。每
地址位置与两个8位字相关联的
( CY7C1310CV18 )或9位字( CY7C1910CV18 )或18位
字( CY7C1312CV18 )或36位字( CY7C1314CV18 )
该脉冲串依次移入或移出器件。因为数据可以
待转移进和移出器件在每个上升沿
两个输入时钟(K和K和C和C) ,内存带宽
同时简化系统设计,消除最大化
巴士“开通变通。 ”
深度扩展完成与港口选择各
端口。端口选择允许每个端口独立运作。
所有同步输入通过输入寄存器控制
由K或K输入时钟。所有数据输出通过输出
在C或C (或K或K在一个时钟控制寄存器
域)的输入时钟。写操作都带有片上进行
同步自定时写电路。
输出数据的两个输入时钟( C和C ) ,以尽量减少
时钟偏移和飞行时间的不匹配
回波时钟( CQ和CQ )简化了数据采集的
高速系统
单复用地址输入总线地址锁存
输入,读取和写入端口
独立的端口选择深度扩张
同步内部自定时写入
QDR -II工作在1.5周期读延迟时
DLL启用
运作就像一个QDR -I设备与1周期读延迟
在DLL中关闭模式
提供×8 , ×9 , ×18 ,和×36配置
完整的数据一致性,提供最新的数据
=核心V
DD
= 1.8V ( ± 0.1V ) ; I / O V
DDQ
= 1.4V至V
DD
提供165球FBGA封装( 13 ×15 ×1.4 MM)
提供的两种无铅和无无铅封装
可变驱动HSTL输出缓冲器
JTAG 1149.1兼容的测试访问端口
延迟锁定环( DLL ),用于精确的数据放置
CON连接gurations
CY7C1310CV18 - 2M ×8
CY7C1910CV18 - 2M ×9
CY7C1312CV18 - 1M ×18
CY7C1314CV18 - 512K ×36
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 001-07164修订版* B
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年9月20日
[+ ]反馈
初步
逻辑框图( CY7C1310CV18 )
D
[7:0]
8
REG
写添加。解码
CY7C1310CV18
CY7C1910CV18
CY7C1312CV18
CY7C1314CV18
A
(19:0)
20
阅读添加。解码
地址
注册
REG
1M ×8的阵列
地址
注册
20
A
(19:0)
1M ×8的阵列
K
K
CLK
将军
控制
逻辑
RPS
C
C
DOFF
读取数据寄存器。
16
控制
逻辑
8
注册。
8
注册。
8
注册。
CQ
CQ
V
REF
WPS
NWS
[1:0]
8
8
Q
[7:0]
逻辑框图( CY7C1910CV18 )
D
[8:0]
9
REG
写添加。解码
A
(19:0)
20
阅读添加。解码
地址
注册
REG
1M ×9阵列
地址
注册
20
A
(19:0)
1M ×9阵列
K
K
CLK
将军
控制
逻辑
RPS
C
C
DOFF
读取数据寄存器。
18
控制
逻辑
9
9
注册。
注册。
9
注册。
9
CQ
CQ
V
REF
WPS
BWS
[0]
9 Q
[8:0]
文件编号: 001-07164修订版* B
第26 2
[+ ]反馈
初步
逻辑框图( CY7C1312CV18 )
D
[17:0]
18
REG
写添加。解码
CY7C1310CV18
CY7C1910CV18
CY7C1312CV18
CY7C1314CV18
A
(18:0)
19
阅读添加。解码
地址
注册
REG
512K ×18阵列
地址
注册
19
A
(18:0)
512K ×18阵列
K
K
CLK
将军
控制
逻辑
RPS
C
C
DOFF
读取数据寄存器。
36
控制
逻辑
18
注册。
18
注册。
18
注册。
CQ
CQ
V
REF
WPS
BWS
[1:0]
18
18
Q
[17:0]
逻辑框图( CY7C1314CV18 )
D
[35:0]
36
REG
写添加。解码
A
(17:0)
18
阅读添加。解码
地址
注册
REG
256K ×36阵列
地址
注册
18
A
(17:0)
256K ×36阵列
K
K
CLK
将军
控制
逻辑
RPS
C
C
DOFF
读取数据寄存器。
72
控制
逻辑
36
注册。
36
注册。
36
注册。
CQ
CQ
V
REF
WPS
BWS
[3:0]
36
36
Q
[35:0]
选购指南
250兆赫
最大工作频率
最大工作电流
250
600
200兆赫
200
550
167兆赫
167
500
单位
兆赫
mA
文件编号: 001-07164修订版* B
第26 3
[+ ]反馈
初步
销刀豆网络gurations
165球FBGA ( 13 ×15 ×1.4 MM)引脚
CY7C1310CV18 ( 2M ×8 )
CY7C1310CV18
CY7C1910CV18
CY7C1312CV18
CY7C1314CV18
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
CQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DOFF
NC
NC
NC
NC
NC
NC
TDO
2
NC/72M
NC
NC
D4
NC
NC
D5
V
REF
NC
NC
Q6
NC
D7
NC
TCK
3
A
NC
NC
NC
Q4
NC
Q5
V
DDQ
NC
NC
D6
NC
NC
Q7
A
4
WPS
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
5
NWS
1
NC/288M
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
A
6
K
K
A
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
A
C
C
7
NC/144M
NWS
0
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
A
8
RPS
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
9
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
A
10
NC/36M
NC
NC
NC
D2
NC
NC
V
REF
Q1
NC
NC
NC
NC
NC
TMS
11
CQ
Q3
D3
NC
Q2
NC
NC
ZQ
D1
NC
Q0
D0
NC
NC
TDI
CY7C1910CV18 ( 2M ×9 )
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
CQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DOFF
NC
NC
NC
NC
NC
NC
TDO
2
NC/72M
NC
NC
D5
NC
NC
D6
V
REF
NC
NC
Q7
NC
D8
NC
TCK
3
A
NC
NC
NC
Q5
NC
Q6
V
DDQ
NC
NC
D7
NC
NC
Q8
A
4
WPS
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
5
NC
NC/288M
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
A
6
K
K
A
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
A
C
C
7
NC/144M
BWS
0
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
A
8
RPS
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
9
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
A
10
NC/36M
NC
NC
NC
D3
NC
NC
V
REF
Q2
NC
NC
NC
NC
D0
TMS
11
CQ
Q4
D4
NC
Q3
NC
NC
ZQ
D2
NC
Q1
D1
NC
Q0
TDI
文件编号: 001-07164修订版* B
第26 4
[+ ]反馈
初步
销刀豆网络gurations
(续)
165球FBGA ( 13 ×15 ×1.4 MM)引脚
CY7C1312CV18 ( 1M ×18 )
CY7C1310CV18
CY7C1910CV18
CY7C1312CV18
CY7C1314CV18
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
CQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DOFF
NC
NC
NC
NC
NC
NC
TDO
2
Q9
NC
D11
NC
Q12
D13
V
REF
NC
NC
Q15
NC
D17
NC
TCK
3
D9
D10
Q10
Q11
D12
Q13
V
DDQ
D14
Q14
D15
D16
Q16
Q17
A
4
WPS
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
5
BWS
1
NC
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
A
6
K
K
A
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
A
C
C
7
NC/288M
BWS
0
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
A
8
RPS
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
9
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
A
10
NC/72M
NC
Q7
NC
D6
NC
NC
V
REF
Q4
D3
NC
Q1
NC
D0
TMS
11
CQ
Q8
D8
D7
Q6
Q5
D5
ZQ
D4
Q3
Q2
D2
D1
Q0
TDI
NC / 144M NC / 36M
CY7C1314CV18 ( 512K ×36 )
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
CQ
Q27
D27
D28
Q29
Q30
D30
DOFF
D31
Q32
Q33
D33
D34
Q35
TDO
2
Q18
Q28
D20
D29
Q21
D22
V
REF
Q31
D32
Q24
Q34
D26
D35
TCK
3
D18
D19
Q19
Q20
D21
Q22
V
DDQ
D23
Q23
D24
D25
Q25
Q26
A
4
WPS
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
5
BWS
2
BWS
3
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
A
6
K
K
A
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
A
C
C
7
BWS
1
BWS
0
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
A
8
RPS
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
9
D17
D16
Q16
Q15
D14
Q13
VDDQ
D12
Q12
D11
D10
Q10
Q9
A
10
Q17
Q7
D15
D6
Q14
D13
V
REF
Q4
D3
Q11
Q1
D9
D0
TMS
11
CQ
Q8
D8
D7
Q6
Q5
D5
ZQ
D4
Q3
Q2
D2
D1
Q0
TDI
NC / 288M NC / 72M
NC / NC 36M / 144M
文件编号: 001-07164修订版* B
第26 5
[+ ]反馈
CY7C1312CV18
CY7C1314CV18
18 - Mbit的QDR
II SRAM 2字
突发架构
18 - Mbit的QDR
II SRAM的2字突发架构
特点
CON连接gurations
CY7C1312CV18 - 1M ×18
CY7C1314CV18 - 512K ×36
分开独立的读取和写入数据端口
支持并发事务
250 MHz时钟实现高带宽
2字突发所有访问
双倍数据速率( DDR )的读取和写入接口
在250 MHz的端口(传输在500MHz的数据)
两个输入时钟( K和K )用于精确DDR定时
SRAM仅使用上升沿
两个输入时钟的输出数据( C和C ) ,以减少时钟
偏差和飞行时间的不匹配
在高速路时钟( CQ和CQ )简化了数据采集
系统
单复用地址输入总线锁存地址输入
为读写端口
单独的端口选择深度扩张
同步内部自定时写入
QDR
II工作在1.5周期读延迟时延迟
锁定环(DLL )被使能
操作类似于QDR I设备与一个周期读
潜伏期DLL关闭模式
可在X18 , X36和配置
完整的数据一致性,提供最新的数据
核心V
DD
= 1.8V ( ± 0.1V ) ; IO V
DDQ
= 1.4V至V
DD
可在165球FBGA封装( 13 ×15 ×1.4 MM)
提供两种无铅和无无铅封装
可变驱动HSTL输出缓冲器
JTAG 1149.1兼容的测试访问端口
延迟锁定环(DLL ),用于精确的数据放置
功能说明
该CY7C1312CV18和CY7C1314CV18是1.8V
同步SRAM的流水线,配备了QDR -II架构设计师用手工
tecture 。 QDR II架构包含两个单独的端口:在
读端口和写端口以访问存储器阵列。该
读端口有数据输出来支持读操作,
写端口有数据输入来支持写操作。 QDR II
架构具有独立的数据输入和数据输出
完全省去了“掉头”的数据总线
与普通的I / O设备所需。访问每个端口
通过一个公共地址总线来实现的。读
地址被锁在K时钟和写的上升沿
地址被锁在K时钟的上升沿。存取
在QDR II读写端口是完全独立的
另一个。为了最大限度地提高数据吞吐量,同时读取和写入
口设置有DDR接口。每个地址位置
通过两个18位字( CY7C1312CV18 ) ,或36位的关联
字( CY7C1314CV18 ),其依次爆流入或流出的
装置。因为数据可以被转移进和移出的
在两个输入时钟的每个上升沿( K和K和C设备
和C)中,存储器带宽,同时简化最大化
系统设计通过消除总线“关变通” 。
深度扩展完成与港口选择,这
使每个端口独立运作。
所有同步输入都会通过由控制输入寄存器
K或K输入时钟。所有数据输出通过输出
在C或C (或K或K在一个时钟控制寄存器
域)的输入时钟。写操作都带有片上进行
同步自定时写电路。
选购指南
描述
最大工作频率
最大工作电流
x18
x36
250兆赫
250
800
900
200兆赫
200
675
750
167兆赫
167
600
650
单位
兆赫
mA
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 001-07164修订版* H
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2011年2月2日
[+ ]反馈
CY7C1312CV18
CY7C1314CV18
逻辑框图( CY7C1312CV18 )
D
[17:0]
18
阅读添加。解码
写添加。解码
A
(18:0)
19
REG
地址
注册
REG
地址
注册
19
A
(18:0)
512K ×18阵列
512K ×18阵列
K
K
CLK
将军
控制
逻辑
RPS
C
C
CQ
DOFF
读取数据寄存器。
36
V
REF
WPS
BWS
[1:0]
18
控制
逻辑
18
注册。
注册。
注册。 18
18
18
CQ
Q
[17:0]
逻辑框图( CY7C1314CV18 )
D
[35:0]
36
阅读添加。解码
写添加。解码
A
(17:0)
18
REG
地址
注册
REG
地址
注册
18
A
(17:0)
256K ×36阵列
256K ×36阵列
K
K
CLK
将军
控制
逻辑
RPS
C
C
CQ
DOFF
读取数据寄存器。
72
V
REF
WPS
BWS
[3:0]
36
控制
逻辑
36
注册。
注册。
注册。 36
36
36
CQ
Q
[35:0]
文件编号: 001-07164修订版* H
第26 2
[+ ]反馈
CY7C1312CV18
CY7C1314CV18
目录
引脚配置................................................ ............. 4
165球FBGA ( 13 ×15 ×1.4 MM)引脚.................. 4
引脚定义................................................ .................. 5
功能概述................................................ 7 ........
读操作................................................ ......... 7
写操作................................................ ......... 7
写字节操作............................................... 7 ..
单时钟模式下............................................... 7 .......
并发事务............................................. 7
深度扩展................................................ ......... 7
可编程阻抗.......................................... 8
随路时钟................................................ ................ 8
DLL ................................................. ............................. 8
应用实例................................................ 8 ........
真值表................................................ ........................ 9
写周期说明............................................... 9 ..
写周期说明............................................... 10
IEEE 1149.1串行边界扫描( JTAG ) .................. 11
禁用JTAG特性...................................... 11
测试访问端口测试时钟................................... 11
测试模式选择( TMS ) ........................................... 11
测试数据输入( TDI ) ........................................... .......... 11
测试数据输出( TDO ) ........................................... ...... 11
执行TAP复位........................................... 11
TAP寄存器................................................ ........... 11
TAP指令集............................................... .... 11
TAP控制器状态图....................................... 13
TAP控制器框图...................................... 14
TAP电气特性...................................... 14
TAP交流开关特性............................... 15
TAP时序和测试条件.................................. 15
识别寄存器定义................................ 16
扫描寄存器大小............................................... ........ 16
指令代码................................................ ........... 16
边界扫描顺序............................................... ..... 17
在QDR II SRAM电顺序........................... 18
开机顺序............................................... .. 18
DLL约束................................................ ........ 18
最大额定值................................................ ........... 19
经营范围................................................ ............ 19
中子软错误免疫性......................................... 19
电气特性.............................................. 19
直流电气特性..................................... 19
AC电气特性..................................... 20
电容................................................. ................... 20
热阻................................................ ....... 20
开关特性............................................. 21
开关波形................................................ .... 22
订购信息................................................ ..... 23
订购代码定义......................................... 23
包图................................................ ........... 24
文档历史记录页............................................... 25 ..
销售,解决方案和法律信息...................... 26
全球销售和设计支持....................... 26
产品................................................. ................... 26
的PSoC解决方案................................................ ......... 26
文件编号: 001-07164修订版* H
第26 3
[+ ]反馈
CY7C1312CV18
CY7C1314CV18
引脚配置
对于CY7C1312CV18和CY7C1314CV18的引脚配置如下。
[1]
165球FBGA ( 13 ×15 ×1.4 MM)引脚
CY7C1312CV18 ( 1M ×18 )
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
CQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DOFF
NC
NC
NC
NC
NC
NC
TDO
2
Q9
NC
D11
NC
Q12
D13
V
REF
NC
NC
Q15
NC
D17
NC
TCK
3
D9
D10
Q10
Q11
D12
Q13
V
DDQ
D14
Q14
D15
D16
Q16
Q17
A
4
WPS
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
5
BWS
1
NC
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
A
6
K
K
A
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
A
C
C
7
NC/288M
BWS
0
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
A
8
RPS
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
9
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
A
10
NC/72M
NC
Q7
NC
D6
NC
NC
V
REF
Q4
D3
NC
Q1
NC
D0
TMS
11
CQ
Q8
D8
D7
Q6
Q5
D5
ZQ
D4
Q3
Q2
D2
D1
Q0
TDI
NC / 144M NC / 36M
CY7C1314CV18 ( 512K ×36 )
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
CQ
Q27
D27
D28
Q29
Q30
D30
DOFF
D31
Q32
Q33
D33
D34
Q35
TDO
2
Q18
Q28
D20
D29
Q21
D22
V
REF
Q31
D32
Q24
Q34
D26
D35
TCK
3
D18
D19
Q19
Q20
D21
Q22
V
DDQ
D23
Q23
D24
D25
Q25
Q26
A
4
WPS
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
5
BWS
2
BWS
3
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
A
6
K
K
A
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
A
C
C
7
BWS
1
BWS
0
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
A
8
RPS
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
9
D17
D16
Q16
Q15
D14
Q13
V
DDQ
D12
Q12
D11
D10
Q10
Q9
A
10
Q17
Q7
D15
D6
Q14
D13
V
REF
Q4
D3
Q11
Q1
D9
D0
TMS
11
CQ
Q8
D8
D7
Q6
Q5
D5
ZQ
D4
Q3
Q2
D2
D1
Q0
TDI
NC / 288M NC / 72M
NC / NC 36M / 144M
1. NC / 36M ,NC / 72M, NC / 144M ,和NC / 288M未连接到所述管芯,并且可以连接到任何电压电平。
文件编号: 001-07164修订版* H
第26 4
[+ ]反馈
CY7C1312CV18
CY7C1314CV18
引脚德网络nitions
引脚名称
D
[x:0]
WPS
BWS
0
,
BWS
1
,
BWS
2
,
BWS
3
I / O
引脚说明
输入 -
数据输入信号。
采样的K和K时钟在有效的写操作的上升沿。
同步CY7C1312CV18 - D
[17:0]
CY7C1314CV18 - D
[35:0]
输入 -
写端口选择
低电平有效。
采样在K时钟的上升沿。当断言活跃,一
启动同步写操作。拉高取消选择写端口。取消写端口会忽略
[x:0]
.
输入 -
字节写选择0 , 1 , 2 , 3
低电平有效。
采样的K和K时钟在上升边缘
写操作。用于选择哪个字节写入当前部分中写入设备
同步
操作。不写入的字节保持不变。
CY7C1312CV18 BWS
0
控件D
[8:0]
, BWS
1
控件D
[17:9]
.
CY7C1314CV18BWS
0
控件D
[8:0]
, BWS
1
控件D
[17:9]
, BWS
2
控件D
[26:18]
和BWS
3
控制
D
[35:27].
所有的字节写选择采样的相同沿的数据。取消选择一个字节写选择
忽略数据的对应字节,并且不写入到器件中。
输入 -
地址输入。
采样在K (读地址)和K(写入地址)的时钟在上升边缘
同步活跃的读取和写入操作。这些地址输入复用于读取和写入操作。
在内部,该设备被组织成1M ×18 (各为512K ×18 2数组) CY7C1312CV18和512K
×36 (2阵列的每一个256K ×36 ),用于CY7C1314CV18 。因此,只有19个地址输入需要
访问CY7C1312CV18的整个存储器阵列和18个地址输入为CY7C1314CV18 。这些
当相应的端口被取消输入将被忽略。
输出 -
数据的输出信号。
在读操作期间,这些引脚输出所请求的数据。有效数据是
同步驱动输出都C和C的时钟的上升沿在读操作期间,或K和K时,在单
时钟模式。当读取端口被取消,Q
[x:0]
自动三态。
CY7C1312CV18
Q
[17:0]
CY7C1314CV18
Q
[35:0]
输入 -
读端口选择
低电平有效。
采样正输入时钟(K)的上升沿。当激活时,一
启动同步读操作。拉高取消选择读端口。如果取消,挂起访问
允许完成和输出驱动器自动进入三态之后的下一个上升沿
时钟。每次读访问由一阵两个连续的传输。
输入时钟
正向输入时钟的输出数据。
C被结合使用C至时钟输出从读数据
该设备。 C和C一起使用,以纠偏各种设备的飞行时间在黑板上回
到控制器。看
应用实例
关于更多详细信息,第8页。
负输入时钟的输出数据。
C被结合使用C至时钟输出从读数据
该设备。 C和C一起使用,以纠偏各种设备的飞行时间在黑板上回
到控制器。看
应用实例
关于更多详细信息,第8页。
正向输入时钟输入。
的K上升沿用于捕获同步输入到装置
并推动了通过Q数据
[x:0]
在单时钟模式下。所有访问都在上升开始
K的边缘
负输入时钟输入。
K被用于捕获同步的输入被提供给该装置,并
开车出的数据通过Q
[x:0]
在单时钟模式下。
CQ引用相对于℃。
这是一种自由 - 运行时钟和同步于输入时钟
对于QDR II的输出数据(C)。在单时钟模式下, CQ相对于K的定时生成
为回波时钟显示在
开关特性
第21页。
CQ引用相对于℃。
这是一种自由 - 运行时钟和同步于输入时钟
对于QDR II的输出数据(C)。在单时钟模式下, CQ相对于K的定时生成
为回波时钟显示在
开关特性
第21页。
输出阻抗匹配输入。
此输入用于调整器件输出到系统数据总线
阻抗。 CQ ,CQ,和Q
[x:0]
输出阻抗为0.2× RQ 。其中,RQ是连接一个电阻
之间ZQ和地面。可选地,该管脚可被直接连接到V
DDQ
,这使
最小阻抗模式。此引脚不能直接连接到GND或悬空。
DLL关闭
低电平有效。
此引脚连接到地关闭设备内的DLL 。时机
在DLL中关闭的操作不同于那些本数据表中列出。正常工作时,该引脚
可以连接到一个上拉通过一个10千欧或更小拉电阻。该器件会以DDR -I
模式当DLL被关闭。在这种模式下,该设备能够以高达167的一个频率进行操作
兆赫与QDR I时序。
第26 5
A
Q
[x:0]
RPS
C
C
输入时钟
K
输入时钟
K
CQ
输入时钟
回波时钟
CQ
回波时钟
ZQ
输入
DOFF
输入
文件编号: 001-07164修订版* H
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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