CFK2162-P3
产品规格
1997年7月
（ 1 4）
特点
t
高增益
t
+34 dBm的输出功率
t
专有功率FET工艺
t
>45 ％，线性功率附加效率
t
+29 dBm的30 dBc的三阶产品
t
表面贴装的SO - 8封装功率
应用
t
PCS / PCN基站和终端
t
无线本地环路
描述
该CFK2162 -P3是一个高增益的FET用于DRI-
版本放大器应用在大功率系统中，并输出
现阶段使用中等功率应用的功率高达
+34 dBm的。该设备是很容易匹配，并提供优良
线性度为2瓦。在Celeritek专有的制造
8
7
6
5
GND
GND
1.8至2.0千兆赫
+34 dBm的功率GaAs FET
包图
摹GND
GND摹
1
2
3
4
BACK PLANE
是源
功率场效应晶体管过程中，本装置组装在一个行业
标准的表面贴装的SO- 8封装的功率为兼容
与大批量，自动化电路板组装技术。
特定网络阳离子
（ TA = 25°C ）
以下规格
保证在室温下在Celeritek测试固定在1.95千兆赫。
参数
条件
民
典型值
最大
单位
绝对最大额定值
参数
符号
等级
VD = 8V ，ID = 800毫安（静态）
P-1dB
SSG
3阶
制品
(1)
效率
@ P1dB为
VD = 5V ，ID = 350毫安（静态）
P-1dB
SSG
VD = 5V ，ID = 1200毫安（静态）
P-1dB
SSG
33.0 34.0
13.0 14.0
26
—
—
—
30
43
30.0
11.0
—
—
—
—
—
—
DBM
dB
dBc的
%
DBM
dB
漏源电压
栅源电压
漏电流
连续耗散
通道温度
储存温度
VDS
VGS
IDS
PT
总胆固醇
TSTG
12V (3)
-5V
IDSS
10W
175°C
-65 ° C到+ 175℃
SO- 8封装功率物理尺寸
—
—
32.5
12.0
—
—
DBM
dB
参数
条件
民
典型值
最大
单位
gm
IDSS
Vp
BVgd
(3)
Θ
JL
(2)
VDS = 2.0V ， VGS = 0V
VDS = 2.0V ， VGS = 0V
VDS = 3.0V ， IDS = 65毫安
IGD = 6.5毫安
@ 150℃ TCH
—
—
—
18
—
1700
2.8
-1.8
20
10
—
—
—
—
mS
A
伏
伏
° C / W
注意事项：
1.心两色调和1 MHz的间距= 29 dBm的。
2.请参阅第4页上的散热考虑的信息。
3.最大（ + VD）和（ -Vg ）下的线性操作。最大的电势差
整个装置的RF压缩（ 2 VD + | -Vg | ）不超过微型
妈妈击穿电压为+ 18V （ VBR ） 。
3236斯科特大道
加利福尼亚州圣克拉拉95054
电话： （ 408 ） 986-5060
传真： （ 408 ） 986-5095
CFK2162-P3
典型的散射参数
频率
（千兆赫）
MAG
S11
昂
MAG
S21
昂
产品规格 - 1997年7月
（ 2/4 ）
（ TA = 25℃ ， VDS = 5 V ， IDS = 350 mA）的
MAG
S12
昂
MAG
S22
昂
0.6
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
3.0
3.5
4.0
0.6
1.0
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
3.0
3.5
4.0
0.6
1.0
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
3.0
3.5
4.0
0.946
0.946
0.946
0.945
0.944
0.942
0.938
0.935
0.931
0.927
0.922
0.918
0.914
0.912
0.941
0.957
0.94
0.95
0.951
0.951
0.949
0.946
0.943
0.939
0.935
0.931
0.929
0.925
0.924
0.947
0.961
0.945
0.941
0.947
0.945
0.944
0.941
0.939
0.934
0.93
0.927
0.923
0.919
0.917
0.944
0.96
0.942
-162.45
-176.06
-177.58
-178.58
-179.55
179.53
178.31
176.89
174.99
172.61
169.71
166.09
161.9
157.79
132.34
134.66
138.76
-165
-177.94
178.92
177.92
176.83
175.5
173.67
171.39
168.6
165.15
161.29
157.02
131.72
133.41
137.83
-164.65
-177.32
179.49
178.52
177.34
175.87
174.02
171.59
168.63
165.04
160.94
156.65
131.73
134.09
137.96
4.973
2.885
2.623
2.424
2.27
2.154
2.055
1.982
1.923
1.873
1.828
1.777
1.722
1.664
1.033
0.803
0.803
5.311
3.044
2.391
2.272
2.169
2.09
2.029
1.98
1.93
1.88
1.822
1.757
1.09
0.853
0.85
5.654
3.25
2.535
2.397
2.85
2.192
2.123
2.058
2.006
1.990
1.885
1.714
1.116
0.857
0.841
86.73
73.75
71.82
69.66
67.7
65.68
63.25
60.53
57.74
54.47
50.82
46.63
42.23
37.59
10.11
6.12
1.66
84.94
72.23
66.48
64.41
61.99
59.58
56.57
53.44
49.72
45.76
41.44
36.86
9.25
4.59
0.36
83.55
70.11
63.48
61.32
58.65
55.97
52.85
49.6
45.54
41.52
36.76
32.35
3.58
-1.39
-6.32
0.017
0.018
0.018
0.019
0.019
0.02
0.02
0.021
0.023
0.023
0.023
0.025
0.024
0.026
0.022
0.02
0.023
0.014
0.014
0.015
0.015
0.016
0.017
0.017
0.018
0.019
0.02
0.02
0.021
0.018
0.017
0.021
0.015
0.015
0.015
0.016
0.016
0.017
0.017
0.018
0.019
0.019
0.02
0.02
0.018
0.016
0.02
Vg
91
RF
IN
100
pF
11.14
9.37
6.8
6.59
6.53
7.04
4.93
4.08
3.37
1.6
-0.79
-1.23
-4.64
-9.26
-27.73
-21.78
-20.57
13.61
14.39
13.62
14.21
14.13
12.30
12.06
10.27
5.75
7.43
4.37
2.36
-17.77
-13.03
-8.72
10.74
8.2
7.84
8.5
9.62
5.99
6.55
6.89
3.81
-1.07
-1.68
-2.32
-21.43
-16.54
-10.57
Vd
0.1 F
47 nH的
7.5
0.739
0.748
0.747
0.746
0.742
0.739
0.73
0.722
0.714
0.707
0.70
0.694
0.69
0.689
0.76
0.787
0.74
0.747
0.749
0.741
0.734
0.728
0.72
0.712
0.703
0.696
0.69
0.686
0.687
0.757
0.779
0.73
0.676
0.688
0.684
0.68
0.674
0.666
0.658
0.652
0.644
0.639
0.635
0.636
0.722
0.762
0.723
172.95
169.73
169.56
169.16
168.8
168.03
167.15
165.76
164.09
161.84
158.98
155.54
151.93
148.15
128.69
132.92
136.51
17.19
168.92
167.98
167.24
166.28
165.01
163.24
161.07
158.27
154.9
151.32
147.44
127.79
131.26
134.73
174.61
171.96
171.67
171.06
170.41
169.31
167.71
165.68
163.07
159.85
156.23
152.38
132.33
136.36
140.71
（ TA = 25℃ ， VDS = 5 V ， IDS = 1200 mA）的
（ TA = 25℃ ， VDS = 8 V ， IDS = 800 mA）的
RF MATCH
在性能图表中所示数据是
在右页上显示的测试电路3.布局为
重要的是正确的操作。输入和输出的相位长度
放50Ω线将随着确切所需频率的函数
的操作。输出并联电感效应输出perfor-
曼斯。 Celeritek建议使用一个高阻抗的
印制电感器的λ / 4的长度。请联系facto-
RY的评估电路板和/或更详细的应用
支持。
0.1 F
50
3.3 pF的
RF
OUT
100 pF的
1.5 pF的
uu
uu
uu
uu
100 nH的
50
3.9 pF的
1.8 pF的
15 pF的
3.9 pF的
CFK2162 - P3 ， 5V ， 350毫安
3236斯科特大道，加利福尼亚州圣克拉拉市95054
电话： （ 408 ） 986-5060
传真： （ 408 ） 986-5095
CFK2162-P3
产品规格 - 1997年7月
典型性能
输出功率&功率附加效率VS输入功率
1.95 GHz的， VDS = 8 V，I DS = 800毫安
35
50
电源输出
25
20
效率
15
10
-3
2
7
12
输入功率（ dBm的）
17
22
10
0
30
20
（ 3 4）
输出功率&功率附加效率VS输入功率
1.95 GHz的， VDS = 5 V，I DS = 1.2 A
35
50
40
电源输出
25
20
效率
15
10
-2
3
8
13
输入功率（ dBm的）
18
10
23
0
30
20
输出功率（ dBm的）
效率（％）
30
40
输出功率（ dBm的）
30
37
功率输出和增益与频率
VDS = 8V ， I DS = 800毫安
功率输出和增益与频率
V DS = 5V ， I DS = 1200毫安
16
37
16
功率输出@ P- 1分贝
输出功率@ P -1分贝
增益@ P- 1分贝
35
33
35
电源输出
33
收益
31
29
1.8
1.85
1.9
1.95
频率， GHz的
2.0
14
收益
13
12
2.0
14
13
12
31
29
1.8
1.85
1.9
1.95
频率， GHz的
输出功率&三阶产品VS电源输入
1.95 GHz的， VDS = 8 V ， IDS = 800毫安
35
5
输出功率&三阶产品VS电源输入
1.95 GHz的， VDS = 5 V，I DS = 1.2 A
35
5
3阶产品（ DBC）
30
电源输出
25
20
三阶产品
15
10
-3
2
7
12
输入功率（ dBm的）
17
15
25
35
45
55
22
30
电源输出
25
20
三阶产品
15
10
-2
8
13
输入功率（ dBm的）
15
25
35
45
55
23
3
18
Vg
91
RF
IN
100
pF
Vd
0.1 F
47 nH的
7.5
0.1 F
50
3.3 pF的
15 pF的
3.9 pF的
RF
OUT
100 pF的
1.5 pF的
100
pF
RF
IN
Vg
91
Vd
0.1 F
47 nH的
7.5
0.1 F
50
3.3 pF的
15 pF的
3.9 pF的
RF
OUT
100 pF的
1.5 pF的
100 nH的
50
100 nH的
50
3.3 pF的
1.8 pF的
3.9 pF的
1.8 pF的
CFK2162 - P3 ， 5V ， 1200毫安
3236斯科特大道
加利福尼亚州圣克拉拉95054
电话： （ 408 ） 986-5060
CFK2162 - P3 ， 8V ， 800毫安
传真： （ 408 ） 986-5095
3阶产品（ DBC）
输出功率（ dBm的）
输出功率（ dBm的）
增益@ P -1分贝
电源输出
15
15
效率（％）
uu
uu
uu
uu
uu
uu
uu
uu
CFK2162-P3
散热注意事项
产品规格 - 1997年7月
（ 4 4 ）
所示的数据是在一个31密耳厚的FR-4板用1盎司铜的两侧。该板装到基线
板3颗螺丝，如图所示。螺钉使顶侧铜温度为相同的值作为所述底板上。热
电阻所指示的基准导线，
Θ
JL，为10℃ / W 。到基准螺杆的热阻为12 ℃/ W的
1.用1或2盎司铜如果可能的话。
2.焊接到相应的电气连接的所有八根导线的CFK2162 -P3包。
3.焊料上CFK2162 -P3的包到接地平面的背面的铜垫。
4.使用大接地焊盘面积与许多镀通孔，如图所示。
5.如果可能的话，使用至少一个螺杆不大于0.2英寸的CFK2162 -P3的包，以提供低热阻
路径到封装基板上。
订购信息
该CFK2162 - P3功率级可在一个SO- 8表面贴装封装。器件采用磁带和卷轴可用。订购零件
数列。
如需订购部件号
CFK2162-P3
CFK2162-P3-000T
功能
1.8 - 2.0 GHz的功率级
1.8 - 2.0 GHz的功率级
包
SO- 8表面贴装功率封装
SO- 8表面贴装功率封装在磁带和卷轴
Celeritek保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。 Celeritek使得对于任何担保，声明或保证
适合其产品的任何特定用途，也不Celeritek承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，特别是
不承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。 “典型”参数，并会根据不同的应用。所有的操作
参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 Celeritek不转达根据其专利的任何许可
权，也没有他人的权利。 Celeritek产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或
意其他应用程序，以支持或维持生命，或任何其他应用程序，其中Celeritek产品的故障可能造成人身伤害的情况
否则可能会出现死亡。如果买方购买或使用产品Celeritek任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并Celeritek和
其管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的费用，无害，
直接或间接的人身伤害或死亡索赔等意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， Celeritek是疏忽
关于该部分的设计或制造。 Celeritek是Celeritek公司Celeritek的注册商标，公司是一个机会均等/肯定行动雇主。
3236斯科特大道，加利福尼亚州圣克拉拉市95054
电话： （ 408 ） 986-5060
传真： （ 408 ） 986-5095
CFK2162-P3
QNX @秒 @ RNP @ gh
KST @ B“ @ P ~ @ G”一 @ FET
教育部“ @ b~ ” ...... “ ” l在我“ @ QPWYU 1 R ' 1 R NL @ H \u003e S ”L @ TY “ @ WWPYY
t'Z @ RXQNYXXNTVPP @@ F“ YZ @ RXQNYXXNTVQU @@ N ” OE“ ... ” ...... “ ” “
RPPU @萌“ @ b~ ” ...... “ ” l在我“
CFK2162-P3
产品规格
1997年7月
（ 1 4）
特点
t
高增益
t
+34 dBm的输出功率
t
专有功率FET工艺
t
>45 ％，线性功率附加效率
t
+29 dBm的30 dBc的三阶产品
t
表面贴装的SO - 8封装功率
应用
t
PCS / PCN基站和终端
t
无线本地环路
描述
该CFK2162 -P3是一个高增益的FET用于DRI-
版本放大器应用在大功率系统中，并输出
现阶段使用中等功率应用的功率高达
+34 dBm的。该设备是很容易匹配，并提供优良
线性度为2瓦。在Celeritek专有的制造
8
7
6
5
GND
GND
1.8至2.0千兆赫
+34 dBm的功率GaAs FET
包图
摹GND
GND摹
1
2
3
4
BACK PLANE
是源
功率场效应晶体管过程中，本装置组装在一个行业
标准的表面贴装的SO- 8封装的功率为兼容
与大批量，自动化电路板组装技术。
特定网络阳离子
（ TA = 25°C ）
以下规格
保证在室温下在Celeritek测试固定在1.95千兆赫。
参数
条件
民
典型值
最大
单位
绝对最大额定值
参数
符号
等级
VD = 8V ，ID = 800毫安（静态）
P-1dB
SSG
3阶
制品
(1)
效率
@ P1dB为
VD = 5V ，ID = 350毫安（静态）
P-1dB
SSG
VD = 5V ，ID = 1200毫安（静态）
P-1dB
SSG
33.0 34.0
13.0 14.0
26
—
—
—
30
43
30.0
11.0
—
—
—
—
—
—
DBM
dB
dBc的
%
DBM
dB
漏源电压
栅源电压
漏电流
连续耗散
通道温度
储存温度
VDS
VGS
IDS
PT
总胆固醇
TSTG
12V (3)
-5V
IDSS
10W
175°C
-65 ° C到+ 175℃
SO- 8封装功率物理尺寸
—
—
32.5
12.0
—
—
DBM
dB
参数
条件
民
典型值
最大
单位
gm
IDSS
Vp
BVgd
(3)
Θ
JL
(2)
VDS = 2.0V ， VGS = 0V
VDS = 2.0V ， VGS = 0V
VDS = 3.0V ， IDS = 65毫安
IGD = 6.5毫安
@ 150℃ TCH
—
—
—
18
—
1700
2.8
-1.8
20
10
—
—
—
—
mS
A
伏
伏
° C / W
注意事项：
1.心两色调和1 MHz的间距= 29 dBm的。
2.请参阅第4页上的散热考虑的信息。
3.最大（ + VD）和（ -Vg ）下的线性操作。最大的电势差
整个装置的RF压缩（ 2 VD + | -Vg | ）不超过微型
妈妈击穿电压为+ 18V （ VBR ） 。
3236斯科特大道
加利福尼亚州圣克拉拉95054
电话： （ 408 ） 986-5060
传真： （ 408 ） 986-5095
CFK2162-P3
典型的散射参数
频率
（千兆赫）
MAG
S11
昂
MAG
S21
昂
产品规格 - 1997年7月
（ 2/4 ）
（ TA = 25℃ ， VDS = 5 V ， IDS = 350 mA）的
MAG
S12
昂
MAG
S22
昂
0.6
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
3.0
3.5
4.0
0.6
1.0
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
3.0
3.5
4.0
0.6
1.0
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
3.0
3.5
4.0
0.946
0.946
0.946
0.945
0.944
0.942
0.938
0.935
0.931
0.927
0.922
0.918
0.914
0.912
0.941
0.957
0.94
0.95
0.951
0.951
0.949
0.946
0.943
0.939
0.935
0.931
0.929
0.925
0.924
0.947
0.961
0.945
0.941
0.947
0.945
0.944
0.941
0.939
0.934
0.93
0.927
0.923
0.919
0.917
0.944
0.96
0.942
-162.45
-176.06
-177.58
-178.58
-179.55
179.53
178.31
176.89
174.99
172.61
169.71
166.09
161.9
157.79
132.34
134.66
138.76
-165
-177.94
178.92
177.92
176.83
175.5
173.67
171.39
168.6
165.15
161.29
157.02
131.72
133.41
137.83
-164.65
-177.32
179.49
178.52
177.34
175.87
174.02
171.59
168.63
165.04
160.94
156.65
131.73
134.09
137.96
4.973
2.885
2.623
2.424
2.27
2.154
2.055
1.982
1.923
1.873
1.828
1.777
1.722
1.664
1.033
0.803
0.803
5.311
3.044
2.391
2.272
2.169
2.09
2.029
1.98
1.93
1.88
1.822
1.757
1.09
0.853
0.85
5.654
3.25
2.535
2.397
2.85
2.192
2.123
2.058
2.006
1.990
1.885
1.714
1.116
0.857
0.841
86.73
73.75
71.82
69.66
67.7
65.68
63.25
60.53
57.74
54.47
50.82
46.63
42.23
37.59
10.11
6.12
1.66
84.94
72.23
66.48
64.41
61.99
59.58
56.57
53.44
49.72
45.76
41.44
36.86
9.25
4.59
0.36
83.55
70.11
63.48
61.32
58.65
55.97
52.85
49.6
45.54
41.52
36.76
32.35
3.58
-1.39
-6.32
0.017
0.018
0.018
0.019
0.019
0.02
0.02
0.021
0.023
0.023
0.023
0.025
0.024
0.026
0.022
0.02
0.023
0.014
0.014
0.015
0.015
0.016
0.017
0.017
0.018
0.019
0.02
0.02
0.021
0.018
0.017
0.021
0.015
0.015
0.015
0.016
0.016
0.017
0.017
0.018
0.019
0.019
0.02
0.02
0.018
0.016
0.02
Vg
91
RF
IN
100
pF
11.14
9.37
6.8
6.59
6.53
7.04
4.93
4.08
3.37
1.6
-0.79
-1.23
-4.64
-9.26
-27.73
-21.78
-20.57
13.61
14.39
13.62
14.21
14.13
12.30
12.06
10.27
5.75
7.43
4.37
2.36
-17.77
-13.03
-8.72
10.74
8.2
7.84
8.5
9.62
5.99
6.55
6.89
3.81
-1.07
-1.68
-2.32
-21.43
-16.54
-10.57
Vd
0.1 F
47 nH的
7.5
0.739
0.748
0.747
0.746
0.742
0.739
0.73
0.722
0.714
0.707
0.70
0.694
0.69
0.689
0.76
0.787
0.74
0.747
0.749
0.741
0.734
0.728
0.72
0.712
0.703
0.696
0.69
0.686
0.687
0.757
0.779
0.73
0.676
0.688
0.684
0.68
0.674
0.666
0.658
0.652
0.644
0.639
0.635
0.636
0.722
0.762
0.723
172.95
169.73
169.56
169.16
168.8
168.03
167.15
165.76
164.09
161.84
158.98
155.54
151.93
148.15
128.69
132.92
136.51
17.19
168.92
167.98
167.24
166.28
165.01
163.24
161.07
158.27
154.9
151.32
147.44
127.79
131.26
134.73
174.61
171.96
171.67
171.06
170.41
169.31
167.71
165.68
163.07
159.85
156.23
152.38
132.33
136.36
140.71
（ TA = 25℃ ， VDS = 5 V ， IDS = 1200 mA）的
（ TA = 25℃ ， VDS = 8 V ， IDS = 800 mA）的
RF MATCH
在性能图表中所示数据是
在右页上显示的测试电路3.布局为
重要的是正确的操作。输入和输出的相位长度
放50Ω线将随着确切所需频率的函数
的操作。输出并联电感效应输出perfor-
曼斯。 Celeritek建议使用一个高阻抗的
印制电感器的λ / 4的长度。请联系facto-
RY的评估电路板和/或更详细的应用
支持。
0.1 F
50
3.3 pF的
RF
OUT
100 pF的
1.5 pF的
uu
uu
uu
uu
100 nH的
50
3.9 pF的
1.8 pF的
15 pF的
3.9 pF的
CFK2162 - P3 ， 5V ， 350毫安
3236斯科特大道，加利福尼亚州圣克拉拉市95054
电话： （ 408 ） 986-5060
传真： （ 408 ） 986-5095
CFK2162-P3
产品规格 - 1997年7月
典型性能
输出功率&功率附加效率VS输入功率
1.95 GHz的， VDS = 8 V，I DS = 800毫安
35
50
电源输出
25
20
效率
15
10
-3
2
7
12
输入功率（ dBm的）
17
22
10
0
30
20
（ 3 4）
输出功率&功率附加效率VS输入功率
1.95 GHz的， VDS = 5 V，I DS = 1.2 A
35
50
40
电源输出
25
20
效率
15
10
-2
3
8
13
输入功率（ dBm的）
18
10
23
0
30
20
输出功率（ dBm的）
效率（％）
30
40
输出功率（ dBm的）
30
37
功率输出和增益与频率
VDS = 8V ， I DS = 800毫安
功率输出和增益与频率
V DS = 5V ， I DS = 1200毫安
16
37
16
功率输出@ P- 1分贝
输出功率@ P -1分贝
增益@ P- 1分贝
35
33
35
电源输出
33
收益
31
29
1.8
1.85
1.9
1.95
频率， GHz的
2.0
14
收益
13
12
2.0
14
13
12
31
29
1.8
1.85
1.9
1.95
频率， GHz的
输出功率&三阶产品VS电源输入
1.95 GHz的， VDS = 8 V ， IDS = 800毫安
35
5
输出功率&三阶产品VS电源输入
1.95 GHz的， VDS = 5 V，I DS = 1.2 A
35
5
3阶产品（ DBC）
30
电源输出
25
20
三阶产品
15
10
-3
2
7
12
输入功率（ dBm的）
17
15
25
35
45
55
22
30
电源输出
25
20
三阶产品
15
10
-2
8
13
输入功率（ dBm的）
15
25
35
45
55
23
3
18
Vg
91
RF
IN
100
pF
Vd
0.1 F
47 nH的
7.5
0.1 F
50
3.3 pF的
15 pF的
3.9 pF的
RF
OUT
100 pF的
1.5 pF的
100
pF
RF
IN
Vg
91
Vd
0.1 F
47 nH的
7.5
0.1 F
50
3.3 pF的
15 pF的
3.9 pF的
RF
OUT
100 pF的
1.5 pF的
100 nH的
50
100 nH的
50
3.3 pF的
1.8 pF的
3.9 pF的
1.8 pF的
CFK2162 - P3 ， 5V ， 1200毫安
3236斯科特大道
加利福尼亚州圣克拉拉95054
电话： （ 408 ） 986-5060
CFK2162 - P3 ， 8V ， 800毫安
传真： （ 408 ） 986-5095
3阶产品（ DBC）
输出功率（ dBm的）
输出功率（ dBm的）
增益@ P -1分贝
电源输出
15
15
效率（％）
uu
uu
uu
uu
uu
uu
uu
uu
CFK2162-P3
散热注意事项
产品规格 - 1997年7月
（ 4 4 ）
所示的数据是在一个31密耳厚的FR-4板用1盎司铜的两侧。该板装到基线
板3颗螺丝，如图所示。螺钉使顶侧铜温度为相同的值作为所述底板上。热
电阻所指示的基准导线，
Θ
JL，为10℃ / W 。到基准螺杆的热阻为12 ℃/ W的
1.用1或2盎司铜如果可能的话。
2.焊接到相应的电气连接的所有八根导线的CFK2162 -P3包。
3.焊料上CFK2162 -P3的包到接地平面的背面的铜垫。
4.使用大接地焊盘面积与许多镀通孔，如图所示。
5.如果可能的话，使用至少一个螺杆不大于0.2英寸的CFK2162 -P3的包，以提供低热阻
路径到封装基板上。
订购信息
该CFK2162 - P3功率级可在一个SO- 8表面贴装封装。器件采用磁带和卷轴可用。订购零件
数列。
如需订购部件号
CFK2162-P3
CFK2162-P3-000T
功能
1.8 - 2.0 GHz的功率级
1.8 - 2.0 GHz的功率级
包
SO- 8表面贴装功率封装
SO- 8表面贴装功率封装在磁带和卷轴
Celeritek保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。 Celeritek使得对于任何担保，声明或保证
适合其产品的任何特定用途，也不Celeritek承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，特别是
不承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。 “典型”参数，并会根据不同的应用。所有的操作
参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 Celeritek不转达根据其专利的任何许可
权，也没有他人的权利。 Celeritek产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或
意其他应用程序，以支持或维持生命，或任何其他应用程序，其中Celeritek产品的故障可能造成人身伤害的情况
否则可能会出现死亡。如果买方购买或使用产品Celeritek任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并Celeritek和
其管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的费用，无害，
直接或间接的人身伤害或死亡索赔等意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， Celeritek是疏忽
关于该部分的设计或制造。 Celeritek是Celeritek公司Celeritek的注册商标，公司是一个机会均等/肯定行动雇主。
3236斯科特大道，加利福尼亚州圣克拉拉市95054
电话： （ 408 ） 986-5060
传真： （ 408 ） 986-5095
CFK2162-P3
产品规格
1997年7月
（ 1 4）
特点
t
高增益
t
+34 dBm的输出功率
t
专有功率FET工艺
t
>45 ％，线性功率附加效率
t
+29 dBm的30 dBc的三阶产品
t
表面贴装的SO - 8封装功率
应用
t
PCS / PCN基站和终端
t
无线本地环路
描述
该CFK2162 -P3是一个高增益的FET用于DRI-
版本放大器应用在大功率系统中，并输出
现阶段使用中等功率应用的功率高达
+34 dBm的。该设备是很容易匹配，并提供优良
线性度为2瓦。在Celeritek专有的制造
8
7
6
5
GND
GND
1.8至2.0千兆赫
+34 dBm的功率GaAs FET
包图
摹GND
GND摹
1
2
3
4
BACK PLANE
是源
功率场效应晶体管过程中，本装置组装在一个行业
标准的表面贴装的SO- 8封装的功率为兼容
与大批量，自动化电路板组装技术。
特定网络阳离子
（ TA = 25°C ）
以下规格
保证在室温下在Celeritek测试固定在1.95千兆赫。
参数
条件
民
典型值
最大
单位
绝对最大额定值
参数
符号
等级
VD = 8V ，ID = 800毫安（静态）
P-1dB
SSG
3阶
制品
(1)
效率
@ P1dB为
VD = 5V ，ID = 350毫安（静态）
P-1dB
SSG
VD = 5V ，ID = 1200毫安（静态）
P-1dB
SSG
33.0 34.0
13.0 14.0
26
—
—
—
30
43
30.0
11.0
—
—
—
—
—
—
DBM
dB
dBc的
%
DBM
dB
漏源电压
栅源电压
漏电流
连续耗散
通道温度
储存温度
VDS
VGS
IDS
PT
总胆固醇
TSTG
12V (3)
-5V
IDSS
10W
175°C
-65 ° C到+ 175℃
SO- 8封装功率物理尺寸
—
—
32.5
12.0
—
—
DBM
dB
参数
条件
民
典型值
最大
单位
gm
IDSS
Vp
BVgd
(3)
Θ
JL
(2)
VDS = 2.0V ， VGS = 0V
VDS = 2.0V ， VGS = 0V
VDS = 3.0V ， IDS = 65毫安
IGD = 6.5毫安
@ 150℃ TCH
—
—
—
18
—
1700
2.8
-1.8
20
10
—
—
—
—
mS
A
伏
伏
° C / W
注意事项：
1.心两色调和1 MHz的间距= 29 dBm的。
2.请参阅第4页上的散热考虑的信息。
3.最大（ + VD）和（ -Vg ）下的线性操作。最大的电势差
整个装置的RF压缩（ 2 VD + | -Vg | ）不超过微型
妈妈击穿电压为+ 18V （ VBR ） 。
3236斯科特大道
加利福尼亚州圣克拉拉95054
电话： （ 408 ） 986-5060
传真： （ 408 ） 986-5095
CFK2162-P3
典型的散射参数
频率
（千兆赫）
MAG
S11
昂
MAG
S21
昂
产品规格 - 1997年7月
（ 2/4 ）
（ TA = 25℃ ， VDS = 5 V ， IDS = 350 mA）的
MAG
S12
昂
MAG
S22
昂
0.6
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
3.0
3.5
4.0
0.6
1.0
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
3.0
3.5
4.0
0.6
1.0
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
3.0
3.5
4.0
0.946
0.946
0.946
0.945
0.944
0.942
0.938
0.935
0.931
0.927
0.922
0.918
0.914
0.912
0.941
0.957
0.94
0.95
0.951
0.951
0.949
0.946
0.943
0.939
0.935
0.931
0.929
0.925
0.924
0.947
0.961
0.945
0.941
0.947
0.945
0.944
0.941
0.939
0.934
0.93
0.927
0.923
0.919
0.917
0.944
0.96
0.942
-162.45
-176.06
-177.58
-178.58
-179.55
179.53
178.31
176.89
174.99
172.61
169.71
166.09
161.9
157.79
132.34
134.66
138.76
-165
-177.94
178.92
177.92
176.83
175.5
173.67
171.39
168.6
165.15
161.29
157.02
131.72
133.41
137.83
-164.65
-177.32
179.49
178.52
177.34
175.87
174.02
171.59
168.63
165.04
160.94
156.65
131.73
134.09
137.96
4.973
2.885
2.623
2.424
2.27
2.154
2.055
1.982
1.923
1.873
1.828
1.777
1.722
1.664
1.033
0.803
0.803
5.311
3.044
2.391
2.272
2.169
2.09
2.029
1.98
1.93
1.88
1.822
1.757
1.09
0.853
0.85
5.654
3.25
2.535
2.397
2.85
2.192
2.123
2.058
2.006
1.990
1.885
1.714
1.116
0.857
0.841
86.73
73.75
71.82
69.66
67.7
65.68
63.25
60.53
57.74
54.47
50.82
46.63
42.23
37.59
10.11
6.12
1.66
84.94
72.23
66.48
64.41
61.99
59.58
56.57
53.44
49.72
45.76
41.44
36.86
9.25
4.59
0.36
83.55
70.11
63.48
61.32
58.65
55.97
52.85
49.6
45.54
41.52
36.76
32.35
3.58
-1.39
-6.32
0.017
0.018
0.018
0.019
0.019
0.02
0.02
0.021
0.023
0.023
0.023
0.025
0.024
0.026
0.022
0.02
0.023
0.014
0.014
0.015
0.015
0.016
0.017
0.017
0.018
0.019
0.02
0.02
0.021
0.018
0.017
0.021
0.015
0.015
0.015
0.016
0.016
0.017
0.017
0.018
0.019
0.019
0.02
0.02
0.018
0.016
0.02
Vg
91
RF
IN
100
pF
11.14
9.37
6.8
6.59
6.53
7.04
4.93
4.08
3.37
1.6
-0.79
-1.23
-4.64
-9.26
-27.73
-21.78
-20.57
13.61
14.39
13.62
14.21
14.13
12.30
12.06
10.27
5.75
7.43
4.37
2.36
-17.77
-13.03
-8.72
10.74
8.2
7.84
8.5
9.62
5.99
6.55
6.89
3.81
-1.07
-1.68
-2.32
-21.43
-16.54
-10.57
Vd
0.1 F
47 nH的
7.5
0.739
0.748
0.747
0.746
0.742
0.739
0.73
0.722
0.714
0.707
0.70
0.694
0.69
0.689
0.76
0.787
0.74
0.747
0.749
0.741
0.734
0.728
0.72
0.712
0.703
0.696
0.69
0.686
0.687
0.757
0.779
0.73
0.676
0.688
0.684
0.68
0.674
0.666
0.658
0.652
0.644
0.639
0.635
0.636
0.722
0.762
0.723
172.95
169.73
169.56
169.16
168.8
168.03
167.15
165.76
164.09
161.84
158.98
155.54
151.93
148.15
128.69
132.92
136.51
17.19
168.92
167.98
167.24
166.28
165.01
163.24
161.07
158.27
154.9
151.32
147.44
127.79
131.26
134.73
174.61
171.96
171.67
171.06
170.41
169.31
167.71
165.68
163.07
159.85
156.23
152.38
132.33
136.36
140.71
（ TA = 25℃ ， VDS = 5 V ， IDS = 1200 mA）的
（ TA = 25℃ ， VDS = 8 V ， IDS = 800 mA）的
RF MATCH
在性能图表中所示数据是
在右页上显示的测试电路3.布局为
重要的是正确的操作。输入和输出的相位长度
放50Ω线将随着确切所需频率的函数
的操作。输出并联电感效应输出perfor-
曼斯。 Celeritek建议使用一个高阻抗的
印制电感器的λ / 4的长度。请联系facto-
RY的评估电路板和/或更详细的应用
支持。
0.1 F
50
3.3 pF的
RF
OUT
100 pF的
1.5 pF的
uu
uu
uu
uu
100 nH的
50
3.9 pF的
1.8 pF的
15 pF的
3.9 pF的
CFK2162 - P3 ， 5V ， 350毫安
3236斯科特大道，加利福尼亚州圣克拉拉市95054
电话： （ 408 ） 986-5060
传真： （ 408 ） 986-5095
CFK2162-P3
产品规格 - 1997年7月
典型性能
输出功率&功率附加效率VS输入功率
1.95 GHz的， VDS = 8 V，I DS = 800毫安
35
50
电源输出
25
20
效率
15
10
-3
2
7
12
输入功率（ dBm的）
17
22
10
0
30
20
（ 3 4）
输出功率&功率附加效率VS输入功率
1.95 GHz的， VDS = 5 V，I DS = 1.2 A
35
50
40
电源输出
25
20
效率
15
10
-2
3
8
13
输入功率（ dBm的）
18
10
23
0
30
20
输出功率（ dBm的）
效率（％）
30
40
输出功率（ dBm的）
30
37
功率输出和增益与频率
VDS = 8V ， I DS = 800毫安
功率输出和增益与频率
V DS = 5V ， I DS = 1200毫安
16
37
16
功率输出@ P- 1分贝
输出功率@ P -1分贝
增益@ P- 1分贝
35
33
35
电源输出
33
收益
31
29
1.8
1.85
1.9
1.95
频率， GHz的
2.0
14
收益
13
12
2.0
14
13
12
31
29
1.8
1.85
1.9
1.95
频率， GHz的
输出功率&三阶产品VS电源输入
1.95 GHz的， VDS = 8 V ， IDS = 800毫安
35
5
输出功率&三阶产品VS电源输入
1.95 GHz的， VDS = 5 V，I DS = 1.2 A
35
5
3阶产品（ DBC）
30
电源输出
25
20
三阶产品
15
10
-3
2
7
12
输入功率（ dBm的）
17
15
25
35
45
55
22
30
电源输出
25
20
三阶产品
15
10
-2
8
13
输入功率（ dBm的）
15
25
35
45
55
23
3
18
Vg
91
RF
IN
100
pF
Vd
0.1 F
47 nH的
7.5
0.1 F
50
3.3 pF的
15 pF的
3.9 pF的
RF
OUT
100 pF的
1.5 pF的
100
pF
RF
IN
Vg
91
Vd
0.1 F
47 nH的
7.5
0.1 F
50
3.3 pF的
15 pF的
3.9 pF的
RF
OUT
100 pF的
1.5 pF的
100 nH的
50
100 nH的
50
3.3 pF的
1.8 pF的
3.9 pF的
1.8 pF的
CFK2162 - P3 ， 5V ， 1200毫安
3236斯科特大道
加利福尼亚州圣克拉拉95054
电话： （ 408 ） 986-5060
CFK2162 - P3 ， 8V ， 800毫安
传真： （ 408 ） 986-5095
3阶产品（ DBC）
输出功率（ dBm的）
输出功率（ dBm的）
增益@ P -1分贝
电源输出
15
15
效率（％）
uu
uu
uu
uu
uu
uu
uu
uu
CFK2162-P3
散热注意事项
产品规格 - 1997年7月
（ 4 4 ）
所示的数据是在一个31密耳厚的FR-4板用1盎司铜的两侧。该板装到基线
板3颗螺丝，如图所示。螺钉使顶侧铜温度为相同的值作为所述底板上。热
电阻所指示的基准导线，
Θ
JL，为10℃ / W 。到基准螺杆的热阻为12 ℃/ W的
1.用1或2盎司铜如果可能的话。
2.焊接到相应的电气连接的所有八根导线的CFK2162 -P3包。
3.焊料上CFK2162 -P3的包到接地平面的背面的铜垫。
4.使用大接地焊盘面积与许多镀通孔，如图所示。
5.如果可能的话，使用至少一个螺杆不大于0.2英寸的CFK2162 -P3的包，以提供低热阻
路径到封装基板上。
订购信息
该CFK2162 - P3功率级可在一个SO- 8表面贴装封装。器件采用磁带和卷轴可用。订购零件
数列。
如需订购部件号
CFK2162-P3
CFK2162-P3-000T
功能
1.8 - 2.0 GHz的功率级
1.8 - 2.0 GHz的功率级
包
SO- 8表面贴装功率封装
SO- 8表面贴装功率封装在磁带和卷轴
Celeritek保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。 Celeritek使得对于任何担保，声明或保证
适合其产品的任何特定用途，也不Celeritek承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，特别是
不承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。 “典型”参数，并会根据不同的应用。所有的操作
参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 Celeritek不转达根据其专利的任何许可
权，也没有他人的权利。 Celeritek产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或
意其他应用程序，以支持或维持生命，或任何其他应用程序，其中Celeritek产品的故障可能造成人身伤害的情况
否则可能会出现死亡。如果买方购买或使用产品Celeritek任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并Celeritek和
其管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的费用，无害，
直接或间接的人身伤害或死亡索赔等意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， Celeritek是疏忽
关于该部分的设计或制造。 Celeritek是Celeritek公司Celeritek的注册商标，公司是一个机会均等/肯定行动雇主。
3236斯科特大道，加利福尼亚州圣克拉拉市95054
电话： （ 408 ） 986-5060
传真： （ 408 ） 986-5095
QQ：2881677436 复制
