CY7C1310BV18
CY7C1910BV18
CY7C1312BV18
CY7C1314BV18
18 - Mbit的QDR -II SRAM 2字
突发架构
特点
单独的独立读写数据端口
- 支持并发事务
250 - MHz时钟实现高带宽
2字突发所有访问
双倍数据速率( DDR )的读取和接口
写端口(数据在500MHz转移) @ 250兆赫
两个输入时钟( K和K )用于精确DDR定时
- SRAM仅使用上升沿
功能说明
该CY7C1310BV18 , CY7C1910BV18 , CY7C1312BV18和
CY7C1314BV18是1.8V同步SRAM的流水线,
配备了QDR -II架构。 QDR- II架构
由两个单独的端口,以存取存储器阵列。
读端口有专用的数据输出来支持读
操作和写端口则有专用的数据输入到
支持写操作。 QDR -II架构具有独立的
数据输入和数据输出,完全省去了
到“掉头”共同需要的数据总线I / O
设备。访问每个端口通过完成
常见的地址总线。读出的地址被锁存的
K个时钟和写地址的上升沿被锁存
K个时钟的上升沿。访问的QDR -II阅读
和写端口是完全相互独立的。在
为了最大限度地提高数据吞吐量,同时读取和写入端口
配备了双数据速率( DDR )接口。每
地址位置与两个8位字相关联的
( CY7C1310BV18 )或9位字( CY7C1910BV18 )或18位
字( CY7C1312BV18 )或36位字( CY7C1314BV18 )
该脉冲串依次移入或移出器件。因为数据可以
待转移进和移出器件在每个上升沿
两个输入时钟(K和K和C和C) ,内存带宽
同时简化系统设计,消除最大化
巴士“开通变通。 ”
深度扩展完成与港口选择各
端口。端口选择允许每个端口独立运作。
所有同步输入通过输入寄存器控制
由K或K输入时钟。所有数据输出通过输出
在C或C (或K或K在一个时钟控制寄存器
域)的输入时钟。写操作都带有片上进行
同步自定时写电路。
输出数据的两个输入时钟( C和C ) ,以尽量减少
时钟偏移和飞行时间的不匹配
回波时钟( CQ和CQ )简化了数据采集的
高速系统
单复用地址输入总线地址锁存
输入,读取和写入端口
独立的端口选择深度扩张
同步内部自定时写入
提供×8 , ×9 , ×18 ,和×36配置
完整的数据一致性,提供最新的数据
=核心V
DD
= 1.8V ( ± 0.1V ) ; I / O V
DDQ
= 1.4V至V
DD
提供165球FBGA封装( 13 ×15 ×1.4 MM)
提供的两种无铅和无无铅封装
可变驱动HSTL输出缓冲器
JTAG 1149.1兼容的测试访问端口
延迟锁定环( DLL ),用于精确的数据放置
CON连接gurations
CY7C1310BV18 - 2M ×8
CY7C1910BV18 - 2M ×9
CY7C1312BV18 - 1M ×18
CY7C1314BV18 - 512K ×36
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 38-05619牧师* D
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年6月27日
[+ ]反馈
CY7C1310BV18
CY7C1910BV18
CY7C1312BV18
CY7C1314BV18
销刀豆网络gurations
165球FBGA ( 13 ×15 ×1.4 MM)引脚
CY7C1310BV18 ( 2M ×8 )
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
CQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DOFF
NC
NC
NC
NC
NC
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TDO
2
NC/72M
NC
NC
D4
NC
NC
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V
REF
NC
NC
Q6
NC
D7
NC
TCK
3
A
NC
NC
NC
Q4
NC
Q5
V
DDQ
NC
NC
D6
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NC
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A
4
WPS
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
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V
SS
V
SS
A
A
5
NWS
1
NC/288M
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
A
6
K
K
A
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
A
C
C
7
NC/144M
NWS
0
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
A
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RPS
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
9
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
A
10
NC/36M
NC
NC
NC
D2
NC
NC
V
REF
Q1
NC
NC
NC
NC
NC
TMS
11
CQ
Q3
D3
NC
Q2
NC
NC
ZQ
D1
NC
Q0
D0
NC
NC
TDI
CY7C1910BV18 ( 2M ×9 )
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
CQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DOFF
NC
NC
NC
NC
NC
NC
TDO
2
NC/72M
NC
NC
D5
NC
NC
D6
V
REF
NC
NC
Q7
NC
D8
NC
TCK
3
A
NC
NC
NC
Q5
NC
Q6
V
DDQ
NC
NC
D7
NC
NC
Q8
A
4
WPS
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
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DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
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SS
V
SS
A
A
5
NC
NC/288M
A
V
SS
V
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V
DD
V
DD
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DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
A
6
K
K
A
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SS
V
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SS
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SS
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SS
V
SS
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SS
V
SS
A
C
C
7
NC/144M
BWS
0
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
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DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
A
8
RPS
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
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V
SS
V
SS
A
A
9
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
A
10
NC/36M
NC
NC
NC
D3
NC
NC
V
REF
Q2
NC
NC
NC
NC
D0
TMS
11
CQ
Q4
D4
NC
Q3
NC
NC
ZQ
D2
NC
Q1
D1
NC
Q0
TDI
文件编号: 38-05619牧师* D
第25 4
[+ ]反馈
CY7C1310BV18
CY7C1910BV18
CY7C1312BV18
CY7C1314BV18
销刀豆网络gurations
(续)
165球FBGA ( 13 ×15 ×1.4 MM)引脚
CY7C1312BV18 ( 1M ×18 )
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
CQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DOFF
NC
NC
NC
NC
NC
NC
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2
Q9
NC
D11
NC
Q12
D13
V
REF
NC
NC
Q15
NC
D17
NC
TCK
3
D9
D10
Q10
Q11
D12
Q13
V
DDQ
D14
Q14
D15
D16
Q16
Q17
A
4
WPS
A
V
SS
V
SS
V
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V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
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DDQ
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SS
V
SS
A
A
5
BWS
1
NC
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SS
V
SS
V
DD
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DD
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DD
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DD
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SS
V
SS
A
A
A
6
K
K
A
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SS
V
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V
SS
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SS
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SS
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SS
V
SS
V
SS
A
C
C
7
NC/288M
BWS
0
A
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SS
V
SS
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DD
V
DD
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DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
A
8
RPS
A
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SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
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DDQ
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DDQ
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DDQ
V
SS
V
SS
A
A
9
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
A
10
NC/72M
NC
Q7
NC
D6
NC
NC
V
REF
Q4
D3
NC
Q1
NC
D0
TMS
11
CQ
Q8
D8
D7
Q6
Q5
D5
ZQ
D4
Q3
Q2
D2
D1
Q0
TDI
NC / 144M NC / 36M
CY7C1314BV18 ( 512K ×36 )
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
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CQ
Q27
D27
D28
Q29
Q30
D30
DOFF
D31
Q32
Q33
D33
D34
Q35
TDO
2
Q18
Q28
D20
D29
Q21
D22
V
REF
Q31
D32
Q24
Q34
D26
D35
TCK
3
D18
D19
Q19
Q20
D21
Q22
V
DDQ
D23
Q23
D24
D25
Q25
Q26
A
4
WPS
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
5
BWS
2
BWS
3
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
A
6
K
K
A
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SS
V
SS
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SS
V
SS
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SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
A
C
C
7
BWS
1
BWS
0
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
A
8
RPS
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
9
D17
D16
Q16
Q15
D14
Q13
VDDQ
D12
Q12
D11
D10
Q10
Q9
A
10
Q17
Q7
D15
D6
Q14
D13
V
REF
Q4
D3
Q11
Q1
D9
D0
TMS
11
CQ
Q8
D8
D7
Q6
Q5
D5
ZQ
D4
Q3
Q2
D2
D1
Q0
TDI
NC / 288M NC / 72M
NC / NC 36M / 144M
文件编号: 38-05619牧师* D
第25 5
[+ ]反馈
初步
CY7C1310BV18
CY7C1910BV18
CY7C1312BV18
CY7C1314BV18
18 - Mbit的QDR -II SRAM 2字
突发架构
特点
单独的独立读写数据端口
- 支持并发事务
200 - MHz时钟实现高带宽
2字突发所有访问
双倍数据速率( DDR )的读取和接口
写端口(数据为400 MHz的传输) @ 200 MHz的
两个输入时钟( K和K )用于精确DDR定时
- SRAM仅使用上升沿
功能说明
该CY7C1310BV18 , CY7C1910BV18 , CY7C1312BV18和
CY7C1314BV18是1.8V同步SRAM的流水线,
配备了QDR -II架构。 QDR- II架构
由两个单独的端口,以存取存储器阵列。
读端口有专用的数据输出来支持读
操作和写端口则有专用的数据输入到
支持写操作。 QDR -II架构具有独立的
数据输入和数据输出,完全省去了
到“掉头”共同需要的数据总线I / O
设备。访问每个端口通过完成
常见的地址总线。读出的地址被锁存的
K个时钟和写地址的上升沿被锁存
K个时钟的上升沿。访问的QDR -II阅读
和写端口是完全相互独立的。在
为了最大限度地提高数据吞吐量,同时读取和写入端口
配备了双数据速率( DDR )接口。每
地址位置与两个8位字相关联的
( CY7C1310BV18 )或9位字( CY7C1910BV18 )或18位
字( CY7C1312BV18 )或36位字( CY7C1314BV18 )
该脉冲串依次移入或移出器件。因为数据可以
待转移进和移出器件在每个上升沿
两个输入时钟(K和K和C和C) ,内存带宽
同时简化系统设计,消除最大化
巴士“开通变通。 ”
深度扩展完成与港口选择各
端口。端口选择允许每个端口独立运作。
所有同步输入通过输入寄存器控制
由K或K输入时钟。所有数据输出通过输出
在C或C (或K或K在一个时钟控制寄存器
域)的输入时钟。写操作都带有片上进行
同步自定时写电路。
两个输出时钟( C和C )占时钟偏移
和飞行时间的不匹配
回波时钟( CQ和CQ )简化了数据采集的
高速系统
单复用地址输入总线地址锁存
输入,读取和写入端口
独立的端口选择深度扩张
同步内部自定时写入
提供X8 , X9 , X18 , X36和配置
完整的数据一致性,提供最新的数据
=核心V
DD
= 1.8V ( ± 0.1V ) ; I / O V
DDQ
= 1.4V至V
DD
15 × 17 × 1.4毫米1.0毫米间距FBGA封装, 165球
( 11 × 15矩阵)
可变驱动HSTL输出缓冲器
JTAG 1149.1兼容的测试访问端口
延迟锁定环( DLL ),用于精确的数据放置
CON连接gurations
CY7C1310BV18 - 2M ×8
CY7C1910BV18 - 2M ×9
CY7C1312BV18 - 1M ×18
CY7C1314BV18 - 512K ×36
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 38-05619牧师**
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2004年7月23日
初步
逻辑框图( CY7C1312BV18 )
D
[17:0]
18
写
REG
512K ×18阵列
写添加。解码
CY7C1310BV18
CY7C1910BV18
CY7C1312BV18
CY7C1314BV18
19
阅读添加。解码
A
(18:0)
地址
注册
写
REG
512K ×18阵列
地址
注册
19
A
(18:0)
K
K
CLK
将军
控制
逻辑
RPS
C
C
DOFF
读取数据寄存器。
36
控制
逻辑
18
注册。
18
注册。
18
注册。
CQ
CQ
V
REF
WPS
BWS
[1:0]
18
18
Q
[17:0]
逻辑框图( CY7C1314BV18 )
D
[35:0]
36
写
REG
256K ×36阵列
写添加。解码
18
阅读添加。解码
A
(17:0)
地址
注册
写
REG
256K ×36阵列
地址
注册
18
A
(17:0)
K
K
CLK
将军
控制
逻辑
RPS
C
C
DOFF
读取数据寄存器。
72
控制
逻辑
36
注册。
36
注册。
36
注册。
CQ
CQ
V
REF
WPS
BWS
[3:0]
36
36
Q
[35:0]
选购指南
250兆赫
最大工作频率
最大工作电流
250
待定
200兆赫
200
待定
167兆赫
167
待定
单位
兆赫
mA
阴影区域包含预览。
请联系您当地的赛普拉斯销售代表对这些部件的可用性。
文件编号: 38-05619牧师**
第23页3
初步
销刀豆网络gurations
CY7C1310BV18 ( 2M × 8 ) - 15 × 17的FBGA
CY7C1310BV18
CY7C1910BV18
CY7C1312BV18
CY7C1314BV18
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
CQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DOFF
NC
NC
NC
NC
NC
NC
TDO
2
NC/72M
NC
NC
D4
NC
NC
D5
V
REF
NC
NC
Q6
NC
D7
NC
TCK
3
A
NC
NC
NC
Q4
NC
Q5
V
DDQ
NC
NC
D6
NC
NC
Q7
A
4
WPS
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
5
NWS
1
NC/288M
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
A
6
K
K
A
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
A
C
C
7
NC/144M
NWS
0
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
A
8
RPS
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
9
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
A
10
NC/36M
NC
NC
NC
D2
NC
NC
V
REF
Q1
NC
NC
NC
NC
NC
TMS
11
CQ
Q3
D3
NC
Q2
NC
NC
ZQ
D1
NC
Q0
D0
NC
NC
TDI
CY7C1910BV18 ( 2M × 9 ) -11 × 15球( 15 × 17 FBGA )
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
CQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DOFF
NC
NC
NC
NC
NC
NC
TDO
2
NC/72M
NC
NC
D5
NC
NC
D6
V
REF
NC
NC
Q7
NC
D8
NC
TCK
3
A
NC
NC
NC
Q5
NC
Q6
V
DDQ
NC
NC
D7
NC
NC
Q8
A
4
WPS
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
5
NC
NC/288M
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
A
6
K
K
A
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
A
C
C
7
NC/144M
BWS
0
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
A
8
RPS
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
9
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
A
10
NC/36M
NC
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TMS
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D2
NC
Q1
D1
NC
Q0
TDI
文件编号: 38-05619牧师**
第23页4
初步
销刀豆网络gurations
(续)
CY7C1312BV18 ( 1M × 18 ) - 15 × 17的FBGA
CY7C1310BV18
CY7C1910BV18
CY7C1312BV18
CY7C1314BV18
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
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L
M
N
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R
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NC
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1
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SS
V
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A
A
A
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K
K
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SS
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SS
V
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C
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NC/288M
BWS
0
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A
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A
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NC
NC
NC
NC
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D5
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Q3
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D2
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NC / 144M NC / 36M
CY7C1314V18 ( 512K × 36 ) - 15 × 17的FBGA
1
A
B
C
D
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F
G
H
J
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L
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D31
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D33
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Q18
Q28
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D29
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D22
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Q31
D32
Q24
Q34
D26
D35
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3
D18
D19
Q19
Q20
D21
Q22
V
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Q23
D24
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Q25
Q26
A
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WPS
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
5
BWS
2
BWS
3
A
V
SS
V
SS
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DD
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DD
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DD
V
DD
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SS
V
SS
A
A
A
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K
K
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V
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V
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V
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V
SS
V
SS
A
C
C
7
BWS
1
BWS
0
A
V
SS
V
SS
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DD
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DD
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DD
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SS
V
SS
A
A
A
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RPS
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
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D17
D16
Q16
Q15
D14
Q13
VDDQ
D12
Q12
D11
D10
Q10
Q9
A
10
Q17
Q7
D15
D6
Q14
D13
V
REF
Q4
D3
Q11
Q1
D9
D0
TMS
11
CQ
Q8
D8
D7
Q6
Q5
D5
ZQ
D4
Q3
Q2
D2
D1
Q0
TDI
NC / 288M NC / 72M
NC / NC 36M / 144M
文件编号: 38-05619牧师**
第23页5
CY7C1310BV18
CY7C1910BV18
CY7C1312BV18
CY7C1314BV18
18 - Mbit的QDR -II SRAM 2字
突发架构
特点
分开独立的读取和写入数据端口
支持并发事务
■
250 MHz时钟实现高带宽
■
2字突发所有访问
■
双倍数据速率( DDR )的读取和写入端口接口
(在500MHz数据传输) @ 250 MHz的
■
两个输入时钟( K和K )用于精确DDR定时
SRAM仅使用上升沿
■
■
■
■
■
■
■
■
■
功能说明
该CY7C1310BV18 , CY7C1910BV18 , CY7C1312BV18和
CY7C1314BV18是1.8V同步SRAM的流水线,
配备了QDR -II架构。 QDR- II架构
由两个单独的端口,以存取存储器阵列。该
读端口有专用的数据输出来支持读操作
和写端口有专用的数据输入来支持写
操作。 QDR -II架构具有独立的数据输入和
数据输出完全消除需要“掉头”
与普通的IO设备所需的数据总线。访问每个
端口是通过一个共同的地址总线来实现的。读
地址被锁在K时钟和写的上升沿
地址被锁在K时钟的上升沿。存取
在QDR -II读写端口是完全独立的
另一个。为了最大限度地提高数据吞吐量,同时读取和写入
端口都配备了双数据速率( DDR )接口。
每个地址位置与两个8位字相关联的
( CY7C1310BV18 ),9位字( CY7C1910BV18 ) , 18位字
( CY7C1312BV18 ) ,或36位字( CY7C1314BV18 ),该脉冲串
依次移入或移出器件。因为数据被转移
进入和离开设备的两个输入端的每个上升沿
时钟(K和K ,C3和C4 ) ,最大限度地提高存储器带宽
同时简化系统设计,消除公交车
“关变通。 ”
深度扩展完成与端口选择为每个端口。
端口选择使每个端口独立运作。
所有同步输入都会通过由控制输入寄存器
K或K输入时钟。所有数据输出通过输出
在C或C (或K或K在一个时钟控制寄存器
域)的输入时钟。写操作都带有片上进行
同步自定时写电路。
两个输入时钟的输出数据( C和C ) ,以减少时钟
偏差和飞行时间的不匹配
在高速路时钟( CQ和CQ )简化了数据采集
系统
单复用地址输入总线锁存地址输入
为读写端口
单独的端口选择深度扩张
同步内部自定时写入
可用在×8 , ×9中,x 18和x 36的配置
完整的数据一致性,提供最新的数据
核心V
DD
= 1.8V ( ± 0.1V ) ; I / O V
DDQ
= 1.4V至V
DD
■
可提供165球FBGA封装( 13 ×15 ×1.4 MM)
■
提供两种无铅和无无铅封装
■
■
■
可变驱动HSTL输出缓冲器
JTAG 1149.1兼容的测试访问端口
延迟锁定环(DLL ),用于精确的数据放置
CON连接gurations
CY7C1310BV18 - 2M ×8
CY7C1910BV18 - 2M ×9
CY7C1312BV18 - 1M ×18
CY7C1314BV18 - 512K ×36
选购指南
250兆赫
最大工作频率
最大工作电流
250
600
200兆赫
200
550
167兆赫
167
500
单位
兆赫
mA
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 38-05619牧师* E
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2007年7月15日
CY7C1310BV18
CY7C1910BV18
CY7C1312BV18
CY7C1314BV18
销刀豆网络gurations
165球FBGA ( 13 ×15 ×1.4 MM)引脚
CY7C1310BV18 ( 2M ×8 )
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
CQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DOFF
NC
NC
NC
NC
NC
NC
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2
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NC
NC
D4
NC
NC
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REF
NC
NC
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NC
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TCK
3
A
NC
NC
NC
Q4
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V
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NC
NC
D6
NC
NC
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A
4
WPS
A
V
SS
V
SS
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V
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V
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V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
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SS
V
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A
A
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NWS
1
NC/288M
A
V
SS
V
SS
V
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V
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DD
V
DD
V
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SS
V
SS
A
A
A
6
K
K
A
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
A
C
C
7
NC/144M
NWS
0
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
A
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RPS
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
9
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
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NC
NC
NC
NC
NC
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A
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NC
NC
NC
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NC
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REF
Q1
NC
NC
NC
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NC
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CQ
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Q2
NC
NC
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NC
TDI
CY7C1910BV18 ( 2M ×9 )
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
CQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DOFF
NC
NC
NC
NC
NC
NC
TDO
2
NC/72M
NC
NC
D5
NC
NC
D6
V
REF
NC
NC
Q7
NC
D8
NC
TCK
3
A
NC
NC
NC
Q5
NC
Q6
V
DDQ
NC
NC
D7
NC
NC
Q8
A
4
WPS
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
5
NC
NC/288M
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
A
6
K
K
A
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
A
C
C
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NC/144M
BWS
0
A
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V
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V
DD
V
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V
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V
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A
A
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A
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V
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V
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V
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V
DDQ
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V
SS
V
SS
A
A
9
A
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NC
NC
NC
NC
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V
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NC
NC
NC
NC
NC
A
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NC
NC
NC
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Q2
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D0
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11
CQ
Q4
D4
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Q3
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D1
NC
Q0
TDI
文件编号: 38-05619牧师* E
第28 4
CY7C1310BV18
CY7C1910BV18
CY7C1312BV18
CY7C1314BV18
销刀豆网络gurations
(续)
165球FBGA ( 13 ×15 ×1.4 MM)引脚
CY7C1312BV18 ( 1M ×18 )
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
CQ
NC
NC
NC
NC
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NC
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NC
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Q9
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D11
NC
Q12
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NC
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Q10
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1
NC
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C
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BWS
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NC
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NC / 144M NC / 36M
CY7C1314BV18 ( 512K ×36 )
1
A
B
C
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F
G
H
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Q27
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Q18
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D22
V
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Q31
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Q34
D26
D35
TCK
3
D18
D19
Q19
Q20
D21
Q22
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Q25
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DDQ
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V
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A
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A
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SS
V
SS
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DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
9
10
11
CQ
Q8
D8
D7
Q6
Q5
D5
ZQ
D4
Q3
Q2
D2
D1
Q0
TDI
NC / 288M NC / 72M
NC / NC 36M / 144M
D17
Q17
D16
Q16
Q15
D14
Q13
VDDQ
D12
Q12
D11
D10
Q10
Q9
A
Q7
D15
D6
Q14
D13
V
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Q4
D3
Q11
Q1
D9
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文件编号: 38-05619牧师* E
第28 5