CS8321
CS8321
微5V器,150mA低压降
线性稳压器
描述
该CS8321是一种精密5V
与微功耗电压稳压器
非常低的静态电流( 140μA
在典型1mA负载) 。 5V输出为
在± 2 %和建筑材料准确
负载电流的150毫安具有典型
CAL压差仅为300mV的。
低静态的组合
电流和出色的稳压器
性能使得CS8321
非常适合经营的电池
设备。
该稳压器进行保护,防止
反向电池和短路
条件。该装置可与 -
站在45V负载突降瞬变
使其适合于自动使用
动机的环境。
特点
s
5V ± 2%的输出
s
低140μA (典型值)
静态电流
s
150mA输出电流
能力
s
故障保护
-15V反向电压
输出电流限制
s
低反向电流
(输出到输入)
绝对最大额定值
瞬态输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 15V , 45V
输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .Internally有限公司
ESD敏感性(人体模型) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2kV
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40C到150C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65℃至150C
无铅焊接温度
波峰焊(只通过孔样式) 。 。 。 。 。 。 。 0.10秒。最大, 260C高峰
回流焊( SMD风格只) 。 。 。 。 。 。 。 0.60秒。最大上面183C , 230C高峰
框图
封装选项
3L的TO-220
V
IN
Q
P
电流源
(电路偏置)
V
OUT
1. V
IN
2. GND
3. V
OUT
R
Q
N
电流限制
SENSE
1
V
OUT
SENSE *
3L
2
PAK
1. V
IN
2. GND
3. V
OUT
+
-
错误
扩音器
R
1
带隙
参考
1
R
2
GND
*注:铅短路到V
OUT
在3针的应用
其他的包: 16L SO , 16L PDIP ,
SO 8L , 8L PDIP , (咨询工厂)
樱桃半导体公司
2000县南径,东格林威治, RI 02818
联系电话: (401)885-3600传真: (401)885-5786
电子邮件: info@cherry-semi.com
网站: www.cherry-semi.com
牧师96年11月25日
1
A
¨
公司
CS8321
电路描述和应用笔记:继续
电流限制
极限
输出级进行保护,防止短路条件
系统蒸发散。如图2所示,输出电流将折
回来时,发生故障的负荷也在不断增加。这
技术已被引入到限制总功率
在器件耗散过程中短路条件
化,由于该装置不包含过温
关机。
性。铝电解电容器是最昂贵
的解决方案,但是,如果电路工作在低温度
Tures的( -25 ℃ -40 ℃) ,两者的值和的ESR
电容将有很大的不同。该电容器制造
商的数据手册通常提供这些信息。
对输出电容C的值
OUT
在图3所示
应适用于大多数的应用,但是它不是必要请
essarily的最佳解决方案。
来确定对于C的可接受值
OUT
对于特定的
应用程序,开始时建议的钽电容
谁料价值和工作朝着更便宜alterna-
略去部分。
步骤1:
将完成的电路钽capac-
建议值的环境盒释放itor
误码率最低额定工作温度和
监控用示波器的输出。十年盒
串联连接的电容器将模拟
高ESR铝电容。离开十年
室内外箱,小阻力增加所
较长的引线可以忽略不计。
步骤2:
在其最大值的输入电压,
增加的负载电流缓慢地从零到满负荷
同时观察任何振荡输出。如果没有振荡
办法第十四观察时,电容足够大,以
确保稳态条件下稳定的设计。
步骤3:
使用从零增加电容器的ESR
这十年中,并改变负载电流,直到振荡
出现。记录负载电流和ESR的值
造成最大的振荡。这代表了最坏的
情况下的负载条件在低温下的调节器。
步骤4:
保持步骤中设定的最坏的情况下的负载条件
3和改变输入电压,直到振荡增加。
这点代表最坏情况下的输入电压条件
系统蒸发散。
步骤5:
如果电容是足够的,重复步骤3和4
下一个小容量的电容器。较小的电容
器通常成本更低,占用更少的电路板空间。如果
的输出振荡的范围内的预期operat-
荷兰国际集团的条件下,重复步骤3和4次大的
标准的电容值。
步骤6:
测试通过切换负载瞬态响应
各种负载在多个频率来模拟其真正
的工作环境。改变ESR ,以减少振铃。
步骤7:
从环境室中取出单元
并加热该集成电路用加热枪。改变负载电流作为
指示在步骤5 ,来检验任何振荡。
一旦该最小电容值与最大
ESR是发现,安全系数应该被添加到允许
电容器的容差和规章的任何变化
器的性能。最优良的品质铝电解
电容具有±20 %的公差,以便最小值
发现应该增加至少50 %,以允许该
公差加的变化将发生在低温
peratures 。电容器的ESR应小于50%的
在上面的步骤3中找到的最大允许的ESR。
0.34257
0.30831
0.27405
0.23980
负载电流
0.20554
0.17128
0.13703
0.10277
0.06851
*曲线会随温度和工艺的变化而变化。
0.03426
0.00000
0.00
0.51
1.02
1.52
2.03
2.54
3.05
3.56
4.06
4.57
5.08
输出电压
图2.典型电流限制和折返的波形。
稳定性考虑
输出或补偿电容有助于确定
线性调节器的三个主要特征:启动
延迟,负载瞬态响应和环路稳定性。
V
IN
C
IN
*
0.1mF
V
OUT
C
OUT **
10mF
CS8321
V
OUT
感***
* C
IN
如果所需的稳压器的电源滤波器位于远。
** C
OUT
所需的稳定性。电容必须至少工作
温度的预期。
***引脚内部短接至V
OUT
在3针的应用程序。
图3 :测试和显示输出补偿的应用电路。
电容值和类型,应根据成本,
可用性,尺寸和温度的限制。钽
或铝电解电容器是最好的,因为薄膜或
陶瓷电容器具有几乎为零的ESR可以引起instabil-
3
CS8321
微功耗5.0 V ,
150毫安低压降
线性稳压器
该CS8321是一种精密5.0 V与微功耗电压稳压器
非常低的静态电流( 140
mA
典型值1.0 mA负载) 。在5.0 V
输出电压为准确
±2%
并提供负载电流为150 mA
仅为300mV的典型压差电压。
低静态电流和出色的组合
稳压器的性能使得CS8321适用于任何电池
供电设备。
该稳压器进行保护,防止电池反接,短路
条件。该装置能承受45 V负载突降瞬变
使其适于在汽车环境中使用。
特点
1
2
http://onsemi.com
TO2203
牛逼SUF科幻X
CASE 221A
引脚1 V
IN
2. GND
3. V
OUT
5.0 V
±
2%的输出
低140
mA
(典型值)的静态电流
150毫安输出电流能力
故障保护
15
V反向电压输出电流限制
低反向电流(输出到输入)
无铅包可用*
V
OUT
V
IN
电流源
(电路偏置)
R
Q
P
Q
N
3
D
2
PAK3
DP后缀
CASE 418AB
12
3
标记DIAGRAMS
TO2203
D
2
PAK3
CS
8321
AWLYWWG
CS
8321
AWLYWWG
1
电流限制
SENSE
1
A
WL
Y
WW
G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
+
错误
扩音器
带隙
参考
R2
GND
*铅短路到V
OUT
在3引脚应用
R1
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
图1.框图
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2005年
2005年10月,
启示录7
1
出版订单号:
CS8321/D
CS8321
绝对最大额定值
等级
瞬态输入电压
输出电流
ESD敏感性(人体模型)
结温
储存温度
无铅焊接温度
波峰焊(通孔样式只)注1
回流焊( SMD风格只)注2
价值
15,
45
内部限制
2.0
40
150
65
150
260峰
230峰
单位
V
kV
°C
°C
°C
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值(不正常的操作条件),并同时无效。如果超出这些限制,设备功能操作不暗示,
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1.最长10秒
2.60秒以内以上183℃
指定的。 )
电气特性
( 6.0 V < V
IN
& LT ; 26 V,I
OUT
= 1.0毫安,
40°C
≤
T
A
≤
125°C,
40°C
≤
T
J
≤
150 ℃;除非另有
特征
输出级
输出电压V
OUT
输入输出电压差(V
IN
V
OUT
)
静态电流(I
Q
)
9.0 V < V
IN
16 V , 100毫安
≤
I
OUT
≤
150毫安
I
OUT
= 150毫安,
40°C
≤
T
A
≤
85°C
I
OUT
= 150毫安,T
A
= 125°C
I
OUT
= 1.0毫安V
IN
= 13 V
I
OUT
< 50毫安@ V
IN
= 13 V
I
OUT
< 150毫安@ V
IN
= 13 V
V
IN
= 14 V, 100
mA
& LT ;我
OUT
< 150毫安
6.0 V
≤
V
≤
26 V,I
OUT
= 1.0毫安
7.0
≤
V
IN
≤
17 V,I
OUT
= 150 mA时, F = 120赫兹
V
OUT
= 0 V
V
OUT
= 5.0 V, V
IN
= 0 V
4.9
60
175
60
5.0
0.3
4.0
15
5.0
5.0
75
250
200
140
5.1
0.5
0.6
200
6.0
25
50
50
200
V
V
V
mA
mA
mA
mV
mV
dB
mA
mA
mA
测试条件
民
典型值
最大
单位
负载调整率
线路调整
纹波抑制
电流限制
短路输出电流
反向电流
封装引脚说明
封装引脚#
TO2203
D
2
PAK3
1
2
3
1
2
3
引脚符号
V
IN
GND
V
OUT
输入电压。
地面上。所有GND引脚必须连接到地面。
5.0 V,
±2%,
可输出150 mA 。
功能
订购信息*
设备
CS8321YT3
CS8321YT3G
CS8321YDP3
CS8321YDP3G
CS8321YDPR3
CS8321YDPR3G
包
TO2203
TO2203
(无铅)
D
2
PAK3
D
2
PAK3
(无铅)
D
2
PAK3
(无铅)
D
2
PAK3
航运
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
750单位/磁带&卷轴
750单位/磁带&卷轴
*请联系您当地的销售代表为SO- 16 , DIP- 16 , SO -8和DIP - 8封装选择。
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
CS8321
电路描述和应用指南
参考电压和输出电路
0.34257
0.30831
0.27405
0.23980
的CS8321是一系列通电压调节器。它由
误差放大器,带隙基准电压源, PNP通
晶体管具有抗饱和控制和电流限制。
如在输入端,V的电压
IN
被增加(图1),
Q
N
通过R· Q被正向偏置
N
为Q的基极驱动
P
.
为Q
P
变为正向偏置时,输出电压V
OUT
,
开始上升为Q
P
的输出电流充电输出
电容。一旦V
OUT
上升到一定水平时,误差
放大器成为偏置,并且提供适当的
至Q的基极电流的量
P
。误差放大器显示器
经由内部分压器R1上的定标输出电压
和R 2,并比较其与带隙电压参考。
误差放大器的输出是一个电流,它等于
误差放大器的差分输入电压倍
跨导。因此,误差放大器而变化的
至Q的基极驱动电流
N
,它提供偏压至Q
P
基础
上的参考电压和之间的差
缩放的输出电压V
OUT
.
抗饱和保护
负载电流
0.20554
0.17128
0.13703
0.10277
0.06851
0.03426
曲线将随温度
和过程的变化。
0.0
0.0 0.51 1.02 1.52 2.03 2.54 3.05 3.56 4.06 4.57 5.08
输出电压
图3.典型电流限制和折返
波形
一抗饱和控制电路也被加入到
防止旁路晶体管从进入深度饱和,
这将导致功耗过大,由于大
经由寄生PNP输给衬底偏置电流
晶体管,如图2中所示。
V
IN
Q
P
Q
寄生
电容值和类型,应根据成本,
可用性,尺寸和温度的限制。钽或
铝电解电容器是最好的,因为薄膜或
陶瓷电容器具有几乎为零的ESR可以引起
不稳定。铝电解电容器是至少
昂贵的解决方案,但是,如果电路工作在低
温度( -25 ° C至
40°C),
两者的价值和ESR
电容器将有很大的不同。电容器
制造商的数据手册通常会提供这些信息。
对输出电容C的值
OUT
在图中所示
4应该适用于大多数应用程序,但它不
一定是最佳的解决方案。
V
IN
V
OUT
C
IN
*
0.1
mF
CS8321
V
OUT
感
C
OUT
**
0.1
mF
V
OUT
基板
图2.寄生PNP晶体管,它是
通过晶体管的组成部分(Q
P
)结构
限流限
输出级进行保护,防止短路
条件。如图3所示,输出电流将折
回来时,发生故障的负荷也在不断增加。这
技术已被引入到限制总功率
跨器件耗散在短路状态,
由于设备不包含过温
关机。
稳定性考虑
*C
IN
如果需要调节从电源位于远
电源滤波器。
**C
OUT
所需的稳定性。电容必须在运行
最低气温预计。
引脚内部短接至V
OUT
在3针的应用程序。
图4.测试及应用电路显示
输出补偿
输出或补偿电容有助于确定
线性调节器的三个主要特征:启动
延迟,负载瞬态响应和环路稳定性。
来确定对于C的可接受值
OUT
对于特定的
应用程序,开始的钽电容器
http://onsemi.com
3