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CS8321
CS8321
微5V器,150mA低压降
线性稳压器
描述
该CS8321是一种精密5V
与微功耗电压稳压器
非常低的静态电流( 140μA
在典型1mA负载) 。 5V输出为
在± 2 %和建筑材料准确
负载电流的150毫安具有典型
CAL压差仅为300mV的。
低静态的组合
电流和出色的稳压器
性能使得CS8321
非常适合经营的电池
设备。
该稳压器进行保护,防止
反向电池和短路
条件。该装置可与 -
站在45V负载突降瞬变
使其适合于自动使用
动机的环境。
特点
s
5V ± 2%的输出
s
低140μA (典型值)
静态电流
s
150mA输出电流
能力
s
故障保护
-15V反向电压
输出电流限制
s
低反向电流
(输出到输入)
绝对最大额定值
瞬态输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 15V , 45V
输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .Internally有限公司
ESD敏感性(人体模型) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2kV
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40C到150C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65℃至150C
无铅焊接温度
波峰焊(只通过孔样式) 。 。 。 。 。 。 。 0.10秒。最大, 260C高峰
回流焊( SMD风格只) 。 。 。 。 。 。 。 0.60秒。最大上面183C , 230C高峰
框图
封装选项
3L的TO-220
V
IN
Q
P
电流源
(电路偏置)
V
OUT
1. V
IN
2. GND
3. V
OUT
R
Q
N
电流限制
SENSE
1
V
OUT
SENSE *
3L
2
PAK
1. V
IN
2. GND
3. V
OUT
+
-
错误
扩音器
R
1
带隙
参考
1
R
2
GND
*注:铅短路到V
OUT
在3针的应用
其他的包: 16L SO , 16L PDIP ,
SO 8L , 8L PDIP , (咨询工厂)
樱桃半导体公司
2000县南径,东格林威治, RI 02818
联系电话: (401)885-3600传真: (401)885-5786
电子邮件: info@cherry-semi.com
网站: www.cherry-semi.com
牧师96年11月25日
1
A
¨
公司
CS8321
电气特性:
6V < V
IN <
26V ,我
OUT
= 1mA时, -40C 2 T
A
125℃ , -40C 2 T
J
150C除非另有规定。
参数
测试条件
典型值
最大
单位
s
输出级
输出电压V
OUT
输入输出电压差(V
IN
-V
OUT
)
静态电流(I
Q
)
9V < V
IN
< 16V ,
100μA ≤我
OUT
= 150毫安
I
OUT
= 150毫安, -40C 2 T
A
85C
I
OUT
= 150毫安,T
A
= 125C
I
OUT
=为1mA V
IN
= 13V
I
OUT
< 50mA在V
IN
= 13V
I
OUT
< 150毫安@ V
IN
= 13V
负载调整率
线路调整
纹波抑制
电流限制
短路输出电流
反向电流
V
OUT
= 0V
V
OUT
= 5V, V
IN
= 0V
V
IN
= 14V , 100μA <我
OUT
& LT ; 150毫安
6V < V < 26V ,我
OUT
= 1毫安
7 V
IN
= 17V ,我
OUT
= 150毫安,
f
= 120Hz的
60
175
60
4
15
5
5
75
250
200
140
200
4.90
5.00
0.3
5.10
0.5
0.6
200
6
25
50
50
V
V
V
A
mA
mA
mV
mV
dB
mA
mA
A
封装引线说明
封装引线#
LEAD符号
功能
3L
2
PAK
1
2
3
3L的TO-220
1
2
3
V
IN
GND
V
OUT
输入电压
地面上。所有GND引脚必须连接到地面。
5V ,± 2 % , 150mA输出。
电路描述和应用指南
参考电压和输出电路
的CS8321是一系列通电压调节器。它由
误差放大器,带隙基准电压源, PNP通
晶体管具有抗饱和控制和电流限制。
如在输入端,V的电压
IN
,增大,Q
N
是换
通过R. Q病房偏见
N
为Q的基极驱动
P
。为Q
P
变为正向偏置时,输出电压V
OUT
,开始
上升为Q
P
OS输出电流对输出电容充电。
一旦V
OUT
上升到一定水平时,误差放大器
变偏压,并提供了合适量的
至Q的基极电流
P
。误差放大器监控缩放
经由内部分压器输出电压,R 1和R 2,
并比较它的带隙基准电压源。该
错误amplifiers输出是一个电流,它等于
误差放大器的差分输入电压倍
跨导。因此,误差放大器而变化的
至Q的基极驱动电流
N
,它提供偏压至Q
P
基础
上的参考电压和之间的差
缩放的输出电压V
OUT
.
抗饱和保护
一抗饱和控制电路也被加入到
防止旁路晶体管从进入深饱和
化,这将导致功耗过大的原因
经由寄生损失到基板大的偏置电流
PNP型晶体管,如图1中所示。
V
IN
Q
P
Q
寄生
基板
图1.寄生PNP晶体管,它是通晶体管的一部分
器(Q
P
)结构。
V
OUT
2
CS8321
电路描述和应用笔记:继续
电流限制
极限
输出级进行保护,防止短路条件
系统蒸发散。如图2所示,输出电流将折
回来时,发生故障的负荷也在不断增加。这
技术已被引入到限制总功率
在器件耗散过程中短路条件
化,由于该装置不包含过温
关机。
性。铝电解电容器是最昂贵
的解决方案,但是,如果电路工作在低温度
Tures的( -25 ℃ -40 ℃) ,两者的值和的ESR
电容将有很大的不同。该电容器制造
商的数据手册通常提供这些信息。
对输出电容C的值
OUT
在图3所示
应适用于大多数的应用,但是它不是必要请
essarily的最佳解决方案。
来确定对于C的可接受值
OUT
对于特定的
应用程序,开始时建议的钽电容
谁料价值和工作朝着更便宜alterna-
略去部分。
步骤1:
将完成的电路钽capac-
建议值的环境盒释放itor
误码率最低额定工作温度和
监控用示波器的输出。十年盒
串联连接的电容器将模拟
高ESR铝电容。离开十年
室内外箱,小阻力增加所
较长的引线可以忽略不计。
步骤2:
在其最大值的输入电压,
增加的负载电流缓慢地从零到满负荷
同时观察任何振荡输出。如果没有振荡
办法第十四观察时,电容足够大,以
确保稳态条件下稳定的设计。
步骤3:
使用从零增加电容器的ESR
这十年中,并改变负载电流,直到振荡
出现。记录负载电流和ESR的值
造成最大的振荡。这代表了最坏的
情况下的负载条件在低温下的调节器。
步骤4:
保持步骤中设定的最坏的情况下的负载条件
3和改变输入电压,直到振荡增加。
这点代表最坏情况下的输入电压条件
系统蒸发散。
步骤5:
如果电容是足够的,重复步骤3和4
下一个小容量的电容器。较小的电容
器通常成本更低,占用更少的电路板空间。如果
的输出振荡的范围内的预期operat-
荷兰国际集团的条件下,重复步骤3和4次大的
标准的电容值。
步骤6:
测试通过切换负载瞬态响应
各种负载在多个频率来模拟其真正
的工作环境。改变ESR ,以减少振铃。
步骤7:
从环境室中取出单元
并加热该集成电路用加热枪。改变负载电流作为
指示在步骤5 ,来检验任何振荡。
一旦该最小电容值与最大
ESR是发现,安全系数应该被添加到允许
电容器的容差和规章的任何变化
器的性能。最优良的品质铝电解
电容具有±20 %的公差,以便最小值
发现应该增加至少50 %,以允许该
公差加的变化将发生在低温
peratures 。电容器的ESR应小于50%的
在上面的步骤3中找到的最大允许的ESR。
0.34257
0.30831
0.27405
0.23980
负载电流
0.20554
0.17128
0.13703
0.10277
0.06851
*曲线会随温度和工艺的变化而变化。
0.03426
0.00000
0.00
0.51
1.02
1.52
2.03
2.54
3.05
3.56
4.06
4.57
5.08
输出电压
图2.典型电流限制和折返的波形。
稳定性考虑
输出或补偿电容有助于确定
线性调节器的三个主要特征:启动
延迟,负载瞬态响应和环路稳定性。
V
IN
C
IN
*
0.1mF
V
OUT
C
OUT **
10mF
CS8321
V
OUT
感***
* C
IN
如果所需的稳压器的电源滤波器位于远。
** C
OUT
所需的稳定性。电容必须至少工作
温度的预期。
***引脚内部短接至V
OUT
在3针的应用程序。
图3 :测试和显示输出补偿的应用电路。
电容值和类型,应根据成本,
可用性,尺寸和温度的限制。钽
或铝电解电容器是最好的,因为薄膜或
陶瓷电容器具有几乎为零的ESR可以引起instabil-
3
CS8321
电路描述和应用笔记:继续
计算功耗
在单输出线性稳压器
最大功耗为单个输出稳压
荡器(图3)为:
P
D(最大)
= V
IN (MAX)
V
OUT (分钟)
I
输出(最大)
+V
IN (MAX)
I
Q
其中:
V
IN (MAX)
是最大输入电压,
V
OUT (分钟)
是最小输出电压,
I
输出(最大)
是最大输出电流为应用
化,并
I
Q
是静态电流稳压器消耗的
I
输出(最大)
.
一旦P的值
D(最大)
是已知的,最大permis-
的R sible价值
qJA
可以这样计算:
R
qJA
=
150℃ - T的
A
P
D
(2)
HEATSINKS
散热片有效地增加了表面积
包从IC提高热的流动路程和
到周围的空气中。
在IC之间的热流路的每种材料的
外部环境将有一个热敏电阻。喜欢
系列的电阻,这些电阻相加
以确定R的值
qJA
:
R
qJA
= R
QJC
+ R
QCS
+ R
QSA
其中:
R
QJC
=结到外壳热阻,
R
QCS
=的情况下对散热片的热阻,以及
R
QSA
=散热器到环境的热阻。
R
QJC
出现在数据表的包款。喜欢
R
qJA
,它也是包类型的函数。
QCS
和R
QSA
是的封装类型,散热器和接口的功能
面对它们之间。这些值出现在散热器的数据
片散热器制造商。
(3)
(
)
(1)
R的值
qJA
然后可以与那些在较
该数据表的包款。这些软件包
有R
qJA
的小于所计算的值在方程(2)
将保持芯片温度低于150 ℃。
在某些情况下,没有任何包将足以
散发由集成电路产生的热量,和一个外部
散热片是必需的。
I
IN
V
IN
I
OUT
V
OUT
CS8321
I
Q
图4 :与主要性能参数单路输出调节器
标记。
4
CS8321
包装规格
单位:mm包装尺寸(英寸)
封装热性能数据
热数据
R
Q
JC
典型值
R
Q
JA
典型值
3L
TO-220
3.5
50
3L
PAK
1.0*
10 - 50**
2
° C / W
° C / W
*根据裸片面积
**根据
上基板的热性能。
R
qJA
= R
QJC
+ R
QCA
3引脚TO - 220 (T )直
10.54 (.415)
9.78 (.385)
2.87 (.113)
2.62 (.103)
3.96 (.156)
3.71 (.146)
4.83 (.190)
4.06 (.160)
1.40 (.055)
1.14 (.045)
6.55 (.258)
5.94 (.234)
14.99 (.590)
14.22 (.560)
1.52 (.060)
1.14 (.045)
14.22 (.560)
13.72 (.540)
1.40 (.055)
1.14 (.045)
6.17 ( 0.243 ), REF
1.02 (.040)
0.63 (.025)
2.79 (.110)
2.29 (.090)
5.33 (.210)
4.83 (.190)
0.56 (.022)
0.38 (.014)
2.92 (.115)
2.29 (.090)
5
CS8321
微功耗5.0 V ,
150毫安低压降
线性稳压器
该CS8321是一种精密5.0 V与微功耗电压稳压器
非常低的静态电流( 140
mA
典型值1.0 mA负载) 。在5.0 V
输出电压为准确
±2%
并提供负载电流为150 mA
仅为300mV的典型压差电压。
低静态电流和出色的组合
稳压器的性能使得CS8321适用于任何电池
供电设备。
该稳压器进行保护,防止电池反接,短路
条件。该装置能承受45 V负载突降瞬变
使其适于在汽车环境中使用。
特点
1
2
http://onsemi.com
TO2203
牛逼SUF科幻X
CASE 221A
引脚1 V
IN
2. GND
3. V
OUT
5.0 V
±
2%的输出
低140
mA
(典型值)的静态电流
150毫安输出电流能力
故障保护
15
V反向电压输出电流限制
低反向电流(输出到输入)
无铅包可用*
V
OUT
V
IN
电流源
(电路偏置)
R
Q
P
Q
N
3
D
2
PAK3
DP后缀
CASE 418AB
12
3
标记DIAGRAMS
TO2203
D
2
PAK3
CS
8321
AWLYWWG
CS
8321
AWLYWWG
1
电流限制
SENSE
1
A
WL
Y
WW
G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
+
错误
扩音器
带隙
参考
R2
GND
*铅短路到V
OUT
在3引脚应用
R1
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
图1.框图
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2005年
2005年10月,
启示录7
1
出版订单号:
CS8321/D
CS8321
绝对最大额定值
等级
瞬态输入电压
输出电流
ESD敏感性(人体模型)
结温
储存温度
无铅焊接温度
波峰焊(通孔样式只)注1
回流焊( SMD风格只)注2
价值
15,
45
内部限制
2.0
40
150
65
150
260峰
230峰
单位
V
kV
°C
°C
°C
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值(不正常的操作条件),并同时无效。如果超出这些限制,设备功能操作不暗示,
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1.最长10秒
2.60秒以内以上183℃
指定的。 )
电气特性
( 6.0 V < V
IN
& LT ; 26 V,I
OUT
= 1.0毫安,
40°C
T
A
125°C,
40°C
T
J
150 ℃;除非另有
特征
输出级
输出电压V
OUT
输入输出电压差(V
IN
V
OUT
)
静态电流(I
Q
)
9.0 V < V
IN
16 V , 100毫安
I
OUT
150毫安
I
OUT
= 150毫安,
40°C
T
A
85°C
I
OUT
= 150毫安,T
A
= 125°C
I
OUT
= 1.0毫安V
IN
= 13 V
I
OUT
< 50毫安@ V
IN
= 13 V
I
OUT
< 150毫安@ V
IN
= 13 V
V
IN
= 14 V, 100
mA
& LT ;我
OUT
< 150毫安
6.0 V
V
26 V,I
OUT
= 1.0毫安
7.0
V
IN
17 V,I
OUT
= 150 mA时, F = 120赫兹
V
OUT
= 0 V
V
OUT
= 5.0 V, V
IN
= 0 V
4.9
60
175
60
5.0
0.3
4.0
15
5.0
5.0
75
250
200
140
5.1
0.5
0.6
200
6.0
25
50
50
200
V
V
V
mA
mA
mA
mV
mV
dB
mA
mA
mA
测试条件
典型值
最大
单位
负载调整率
线路调整
纹波抑制
电流限制
短路输出电流
反向电流
封装引脚说明
封装引脚#
TO2203
D
2
PAK3
1
2
3
1
2
3
引脚符号
V
IN
GND
V
OUT
输入电压。
地面上。所有GND引脚必须连接到地面。
5.0 V,
±2%,
可输出150 mA 。
功能
订购信息*
设备
CS8321YT3
CS8321YT3G
CS8321YDP3
CS8321YDP3G
CS8321YDPR3
CS8321YDPR3G
TO2203
TO2203
(无铅)
D
2
PAK3
D
2
PAK3
(无铅)
D
2
PAK3
(无铅)
D
2
PAK3
航运
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
750单位/磁带&卷轴
750单位/磁带&卷轴
*请联系您当地的销售代表为SO- 16 , DIP- 16 , SO -8和DIP - 8封装选择。
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
CS8321
电路描述和应用指南
参考电压和输出电路
0.34257
0.30831
0.27405
0.23980
的CS8321是一系列通电压调节器。它由
误差放大器,带隙基准电压源, PNP通
晶体管具有抗饱和控制和电流限制。
如在输入端,V的电压
IN
被增加(图1),
Q
N
通过R· Q被正向偏置
N
为Q的基极驱动
P
.
为Q
P
变为正向偏置时,输出电压V
OUT
,
开始上升为Q
P
的输出电流充电输出
电容。一旦V
OUT
上升到一定水平时,误差
放大器成为偏置,并且提供适当的
至Q的基极电流的量
P
。误差放大器显示器
经由内部分压器R1上的定标输出电压
和R 2,并比较其与带隙电压参考。
误差放大器的输出是一个电流,它等于
误差放大器的差分输入电压倍
跨导。因此,误差放大器而变化的
至Q的基极驱动电流
N
,它提供偏压至Q
P
基础
上的参考电压和之间的差
缩放的输出电压V
OUT
.
抗饱和保护
负载电流
0.20554
0.17128
0.13703
0.10277
0.06851
0.03426
曲线将随温度
和过程的变化。
0.0
0.0 0.51 1.02 1.52 2.03 2.54 3.05 3.56 4.06 4.57 5.08
输出电压
图3.典型电流限制和折返
波形
一抗饱和控制电路也被加入到
防止旁路晶体管从进入深度饱和,
这将导致功耗过大,由于大
经由寄生PNP输给衬底偏置电流
晶体管,如图2中所示。
V
IN
Q
P
Q
寄生
电容值和类型,应根据成本,
可用性,尺寸和温度的限制。钽或
铝电解电容器是最好的,因为薄膜或
陶瓷电容器具有几乎为零的ESR可以引起
不稳定。铝电解电容器是至少
昂贵的解决方案,但是,如果电路工作在低
温度( -25 ° C至
40°C),
两者的价值和ESR
电容器将有很大的不同。电容器
制造商的数据手册通常会提供这些信息。
对输出电容C的值
OUT
在图中所示
4应该适用于大多数应用程序,但它不
一定是最佳的解决方案。
V
IN
V
OUT
C
IN
*
0.1
mF
CS8321
V
OUT
C
OUT
**
0.1
mF
V
OUT
基板
图2.寄生PNP晶体管,它是
通过晶体管的组成部分(Q
P
)结构
限流限
输出级进行保护,防止短路
条件。如图3所示,输出电流将折
回来时,发生故障的负荷也在不断增加。这
技术已被引入到限制总功率
跨器件耗散在短路状态,
由于设备不包含过温
关机。
稳定性考虑
*C
IN
如果需要调节从电源位于远
电源滤波器。
**C
OUT
所需的稳定性。电容必须在运行
最低气温预计。
引脚内部短接至V
OUT
在3针的应用程序。
图4.测试及应用电路显示
输出补偿
输出或补偿电容有助于确定
线性调节器的三个主要特征:启动
延迟,负载瞬态响应和环路稳定性。
来确定对于C的可接受值
OUT
对于特定的
应用程序,开始的钽电容器
http://onsemi.com
3
CS8321
朝着更便宜的推荐值和工作
替代的一部分。
步骤1:
将完成的电路钽
建议值的环境电容器
室中的最低规定的工作温度和
监控用示波器的输出。十年盒
串联连接的电容器将模拟
高ESR铝电容。离开十年中
所述腔室外部,小阻力增加的
较长的引线是可以忽略不计。
步骤2:
在其最大值的输入电压,
增加的负载电流缓慢地从零到满负荷而
观察任何振荡输出。如果没有振荡
被观察到的,所述电容器是足够大,以确保一个稳定的
在稳态条件下的设计。
步骤3:
使用从零增加电容器的ESR
这十年中,并改变负载电流,直到振荡
出现。记录负载电流和ESR的导致数值
最大振荡。这代表了最坏的情况下的负载
条件在低温下的调节器。
步骤4:
保持步骤中设定的最坏的情况下的负载条件
3和改变输入电压,直到振荡增加。
这点代表最坏情况下的输入电压
条件。
步骤5:
如果电容是足够的,重复步骤3和4
下一个小容量的电容器。更小的电容
通常成本更低,占用更少的电路板空间。如果
输出振荡预期的工作范围内
的条件下,重复步骤3和4的下一个较大的标准
电容值。
步骤6:
测试通过切换负载瞬态响应
各种负载在多个频率来模拟其真正
的工作环境。改变ESR ,以减少振铃。
步骤7:
将温度升高到最高指定
工作温度。改变负载电流指示的
步骤5 ,来检验任何振荡。
一旦该最小电容值与最大
ESR是发现,安全系数应该被添加到允许
公差的电容器和在调节器的任何变化
性能。最优良的品质铝电解
电容器具有的容差
±20%
这样的最小值
发现应该增加至少50 %,以允许该
公差加的变化将发生在低
温度。电容器的ESR应小于
最大允许的ESR的50%在上面的步骤3中找到。
计算功耗
在单输出线性稳压器
V
IN (MAX)
是最大输入电压,
V
OUT (分钟)
是最小输出电压,
I
输出(最大)
是最大输出电流为
应用程序,并
I
Q
是静态电流稳压器消耗的
I
输出(最大)
.
一旦P的值
D(最大)
是已知的,最大
的R允许值
qJA
可以这样计算:
R
qJA
+
150°C
*
TA
PD
(2)
R的值
qJA
然后可以与那些在被比较
该数据表的包款。这些封装
R
qJA
的小于公式的计算值2将保持
模具温度低于150 ℃。
在某些情况下,没有任何包将足以
散发由集成电路产生的热量,和一个外部
散热片是必需的。
V
IN
I
IN
I
OUT
V
OUT
CS8321
I
Q
图5.单路输出调节器关键
性能参数标记
HEATSINKS
散热片有效地增加了表面积
包从IC提高热的流动路程和
到周围的空气中。
在IC之间的热流路的每种材料的
外部环境将有一个热敏电阻。喜欢
串联的电阻,这些电阻被求和以
确定R的值
qJA
:
R
qJA
+
R
QJC
)
R
QCS
)
R
QSA
(3)
最大功耗为单个输出
调节器(图5)为:
PD (最大)
+
( VIN(MAX )
*
VOUT(分钟)), IOUT (最大值)
)
VIN(最大)的IQ
(1)
其中:
其中:
R
QJC
=结到外壳热阻,
R
QCS
=的情况下对散热片的热阻,以及
R
QSA
=散热器到环境的热阻。
R
QJC
出现在数据表的包款。喜欢
R
qJA
,它也是包类型的函数。
QCS
和R
QSA
封装类型,散热器和接口的功能
在它们之间。这些值出现在散热器的数据表
的散热器制造商。
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4
CS8321
包装尺寸
TO2203
牛逼SUF科幻X
CASE 221A -08
ISSUE AA
T
B
F
T
C
座位
飞机
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
英寸
最大
0.560
0.625
0.380
0.420
0.140
0.190
0.025
0.035
0.139
0.155
0.100 BSC
0.280
0.012
0.045
0.500
0.580
0.045
0.060
0.200 BSC
0.100
0.135
0.080
0.115
0.020
0.055
0.235
0.255
0.000
0.050
0.045
MILLIMETERS
最大
14.23
15.87
9.66
10.66
3.56
4.82
0.64
0.89
3.53
3.93
2.54 BSC
7.11
0.31
1.14
12.70
14.73
1.15
1.52
5.08 BSC
2.54
3.42
2.04
2.92
0.51
1.39
5.97
6.47
0.00
1.27
1.15
S
Q
H
4
1 2 3
A
U
K
Y
L
V
G
D
3 PL
0.25 (0.010)
M
R
J
B
M
N
Y
封装热性能数据
参数
R
QJC
R
qJA
典型
典型
TO2203
3.5
50
D
2
PAK3
1.0*
1050
单位
° C / W
° C / W
*根据裸片面积。
取决于基材的热特性。
qJA
= R
QJC
+ R
QCA
.
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5
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