CY7C1069AV33
2M ×8静态RAM
特点
高速
— t
AA
= 8 ，10，12纳秒
低有功功率
- 1080兆瓦（最大）
工作3.3 ± 0.3V的电压
2.0V数据保留
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
易于扩展内存与CE
1
和CE
2
特点
装置是通过使芯片（通过取CE的实现
1
LOW和CE
2
高）和写使能（ WE）输入低电平。
从设备读通过使芯片实现
（ CE
1
LOW和CE
2
HIGH ），以及强制输出
启用（ OE ）低，而强迫写使能（ WE） HIGH 。
见真值表本数据手册的后面一个完整的
读写模式的描述。
的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
1
高或CE
2
LOW ）时，输出被禁用（ OE高） ，或
在写操作期间（CE
1
低，CE
2
高，和WE
低） 。
该CY7C1069AV33可在一个54引脚TSOP II封装
与中心的供电和接地（革命）引脚，以及一个
48球精细间距球栅阵列（ FBGA ）封装。
功能说明
该CY7C1069AV33是一个高性能的CMOS静态
内存由8位， 2,097,152字。写入
逻辑框图
引脚配置
TSOP II
顶视图
输入缓冲器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
2M ×8
ARRAY
4096 x 4096
I / O
0
-I / O
7
COLUMN
解码器
WE
CE
2
OE
CE
1
NC
V
CC
NC
I / O
6
V
SS
I / O
7
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
CE
1
V
CC
WE
CE
2
A
19
A
18
A
17
A
16
A
15
I / O
0
V
CC
I / O
1
NC
V
SS
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
NC
V
SS
NC
I / O
5
V
CC
I / O
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
NC
OE
V
SS
DNU
A
20
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
I / O
3
V
SS
I / O
2
NC
行解码器
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
A
19
A
20
检测放大器
V
CC
NC
选购指南
–8
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
广告
产业
商业/工业
8
300
300
50
–10
10
275
275
50
–12
12
260
260
50
mA
单位
ns
mA
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05255牧师* D
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2003年2月10日
CY7C1069AV33
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度.................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[1]
.... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[1]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
DC电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
输出漏电流接地< V
OUT
＆ LT ; V
CC
，输出
残
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
V
CC
=最大值，女= F
最大
广告
= 1/t
RC
产业
CE
2
＆ LT ; V
IL
,
最大。 V
CC
， SCE > V
IH
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
CE
2
＆ LT ; 0.3V
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
商用/
产业
测试条件
V
CC
=最小值，
I
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，
I
OL
= 8.0毫安
2.0
–0.3
–1
–1
直流输入电压
[1]
................................ -0.5V到V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
3.3V
±
0.3V
–8
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
300
300
70
2.0
马克斯。
2.4
–10
分钟。
马克斯。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
275
275
70
2.0
–12
分钟。
马克斯。
单位
V
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
260
260
70
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
–0.3
–1
–1
–0.3
–1
–1
I
SB2
50
50
50
mA
电容
[2]
参数
C
IN
C
OUT
包
Z54
BA48
Z54
BA48
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
描述
输入电容
I / O容量
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 3.3V
马克斯。
6
8
8
10
单位
pF
pF
pF
pF
文件编号： 38-05255牧师* D
第3 9
CY7C1069AV33
交流测试负载和波形
[3]
50
产量
Z0 = 50
(a)
*容性负载由所有的
在测试环境中的部件
3.3V
30 pF的*
所有的输入脉冲
90%
10%
(c)
90%
10%
(b)
V
TH
= 1.5V
3.3V
产量
5 pF的*
R2
351
*包括
夹具
范围
R1 317
GND
上升时间> 1V / ns的
下降时间：
> 1V / ns的
[4]
AC开关特性
在整个工作范围
参数
读周期
t
动力
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[8, 9]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
写周期时间
CE
1
LOW / CE
2
HIGH到写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
我们前高后低-Z
[6]
WE低到高-Z
[6]
8
6
6
0
0
6
5
0
3
V
CC
（典型值）的第一接入
[5]
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
LOW / CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[6]
OE高来高-Z
[6]
CE
1
LOW / CE
2
前高后低-Z
[6]
CE
1
HIGH / CE
2
从低到高-Z
[6]
CE
1
LOW / CE
2
高
上电
[7]
[7]
–8
描述
分钟。
1
8
10
3
8
5
1
5
3
5
0
8
10
7
7
0
0
7
5.5
0
3
5
0
3
1
3
马克斯。
分钟。
1
10
–10
马克斯。
分钟。
1
12
10
3
10
5
1
5
3
5
0
10
12
8
8
0
0
8
6
0
3
5
–12
马克斯。
单位
ms
ns
12
12
6
6
6
12
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
6
ns
CE
1
HIGH / CE
2
低到掉电
注意事项：
3.有效的SRAM操作不会发生，直到电源均达到最低工作V
DD
（ 3.0V ） 。只要1毫秒（T
动力
）到达后，
最小工作V
DD
正常SRAM操作开始，包括降低V
DD
向数据保留（Ⅴ
CCDR
， 2.0V ）的电压。
4.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和输电线路的负荷。试验条件为交流测试负载的读周期利用输出部分地示出加载） ，除非另有规定。
5.这部分有一个电压调节器降压为3V的电压在内部2V 。吨
动力
时，必须在读/写操作前初始提供
被启动。
6. t
HZOE
, t
HZSCE
, t
HZWE
和T
LZOE
, t
LZCE
和叔
LZWE
采用5 pF的负载电容被指定为在交流测试负载（ b）所示。过渡测
±200
mV
从稳态电压。
7.这些参数由设计保证，未经测试。
8.存储器的内部写时间是由重叠定义
CE
1
LOW / CE
2
高
和WE为低电平。 CE
1
我们必须为低电平随着CE
2
高启动
写，以及任何这些信号的转换可以终止写入。输入数据的建立时间和保持时间应参考的前沿
因此终止了写入的信号。
9.最小写入周期时间为写周期第3号（WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05255牧师* D
第4页第9
CY7C1069AV33
2M ×8静态RAM
特点
高速
— t
AA
= 8 ，10，12纳秒
低有功功率
- 1080兆瓦（最大）
工作3.3 ± 0.3V的电压
2.0V数据保留
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
易于扩展内存与CE
1
和CE
2
特点
装置是通过使芯片（通过取CE的实现
1
LOW和CE
2
高）和写使能（ WE）输入低电平。
从设备读通过使芯片实现
（ CE
1
LOW和CE
2
HIGH ），以及强制输出
启用（ OE ）低，而强迫写使能（ WE） HIGH 。
见真值表本数据手册的后面一个完整的
读写模式的描述。
的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
1
高或CE
2
LOW ）时，输出被禁用（ OE高） ，或
在写操作期间（CE
1
低，CE
2
高，和WE
低） 。
该CY7C1069AV33可在一个54引脚TSOP II封装
与中心的供电和接地（革命）引脚，以及一个
48球精细间距球栅阵列（ FBGA ）封装。
功能说明
该CY7C1069AV33是一个高性能的CMOS静态
内存由8位， 2,097,152字。写入
逻辑框图
引脚配置
TSOP II
顶视图
输入缓冲器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
2M ×8
ARRAY
4096 x 4096
I / O
0
-I / O
7
COLUMN
解码器
WE
CE
2
OE
CE
1
NC
V
CC
NC
I / O
6
V
SS
I / O
7
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
CE
1
V
CC
WE
CE
2
A
19
A
18
A
17
A
16
A
15
I / O
0
V
CC
I / O
1
NC
V
SS
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
NC
V
SS
NC
I / O
5
V
CC
I / O
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
NC
OE
V
SS
DNU
A
20
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
I / O
3
V
SS
I / O
2
NC
行解码器
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
A
19
A
20
检测放大器
V
CC
NC
选购指南
–8
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
广告
产业
商业/工业
8
300
300
50
–10
10
275
275
50
–12
12
260
260
50
mA
单位
ns
mA
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05255牧师* D
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2003年2月10日
CY7C1069AV33
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度.................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[1]
.... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[1]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
DC电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
输出漏电流接地< V
OUT
＆ LT ; V
CC
，输出
残
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
V
CC
=最大值，女= F
最大
广告
= 1/t
RC
产业
CE
2
＆ LT ; V
IL
,
最大。 V
CC
， SCE > V
IH
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
CE
2
＆ LT ; 0.3V
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
商用/
产业
测试条件
V
CC
=最小值，
I
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，
I
OL
= 8.0毫安
2.0
–0.3
–1
–1
直流输入电压
[1]
................................ -0.5V到V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
3.3V
±
0.3V
–8
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
300
300
70
2.0
马克斯。
2.4
–10
分钟。
马克斯。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
275
275
70
2.0
–12
分钟。
马克斯。
单位
V
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
260
260
70
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
–0.3
–1
–1
–0.3
–1
–1
I
SB2
50
50
50
mA
电容
[2]
参数
C
IN
C
OUT
包
Z54
BA48
Z54
BA48
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
描述
输入电容
I / O容量
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 3.3V
马克斯。
6
8
8
10
单位
pF
pF
pF
pF
文件编号： 38-05255牧师* D
第3 9
CY7C1069AV33
交流测试负载和波形
[3]
50
产量
Z0 = 50
(a)
*容性负载由所有的
在测试环境中的部件
3.3V
30 pF的*
所有的输入脉冲
90%
10%
(c)
90%
10%
(b)
V
TH
= 1.5V
3.3V
产量
5 pF的*
R2
351
*包括
夹具
范围
R1 317
GND
上升时间> 1V / ns的
下降时间：
> 1V / ns的
[4]
AC开关特性
在整个工作范围
参数
读周期
t
动力
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[8, 9]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
写周期时间
CE
1
LOW / CE
2
HIGH到写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
我们前高后低-Z
[6]
WE低到高-Z
[6]
8
6
6
0
0
6
5
0
3
V
CC
（典型值）的第一接入
[5]
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
LOW / CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[6]
OE高来高-Z
[6]
CE
1
LOW / CE
2
前高后低-Z
[6]
CE
1
HIGH / CE
2
从低到高-Z
[6]
CE
1
LOW / CE
2
高
上电
[7]
[7]
–8
描述
分钟。
1
8
10
3
8
5
1
5
3
5
0
8
10
7
7
0
0
7
5.5
0
3
5
0
3
1
3
马克斯。
分钟。
1
10
–10
马克斯。
分钟。
1
12
10
3
10
5
1
5
3
5
0
10
12
8
8
0
0
8
6
0
3
5
–12
马克斯。
单位
ms
ns
12
12
6
6
6
12
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
6
ns
CE
1
HIGH / CE
2
低到掉电
注意事项：
3.有效的SRAM操作不会发生，直到电源均达到最低工作V
DD
（ 3.0V ） 。只要1毫秒（T
动力
）到达后，
最小工作V
DD
正常SRAM操作开始，包括降低V
DD
向数据保留（Ⅴ
CCDR
， 2.0V ）的电压。
4.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和输电线路的负荷。试验条件为交流测试负载的读周期利用输出部分地示出加载） ，除非另有规定。
5.这部分有一个电压调节器降压为3V的电压在内部2V 。吨
动力
时，必须在读/写操作前初始提供
被启动。
6. t
HZOE
, t
HZSCE
, t
HZWE
和T
LZOE
, t
LZCE
和叔
LZWE
采用5 pF的负载电容被指定为在交流测试负载（ b）所示。过渡测
±200
mV
从稳态电压。
7.这些参数由设计保证，未经测试。
8.存储器的内部写时间是由重叠定义
CE
1
LOW / CE
2
高
和WE为低电平。 CE
1
我们必须为低电平随着CE
2
高启动
写，以及任何这些信号的转换可以终止写入。输入数据的建立时间和保持时间应参考的前沿
因此终止了写入的信号。
9.最小写入周期时间为写周期第3号（WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05255牧师* D
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