CY14B256K
256千位（ 32K ×8 ）的nvSRAM具有实时时钟
特点
■
■
■
■
25 NS， NS 35和45 ns访问时间
引脚兼容STK17T88
赛普拉斯的nvSRAM中的数据完整性与功能齐全的结合
实时时钟
低功耗， 350 nA的电流RTC
电容或电池备份RTC
看门狗定时器
可编程中断时钟闹铃
手自动关闭
商店
在断电时，只有很小
电容
商店
以QuantumTrap 软件，器件引脚或启动
在掉电
召回
以SRAM通过软件或上电时启动
无限
读，写，
和
召回
周期
■
■
■
高可靠性
续航能力为20万次
数据保存期：20年，在55°C
以+ 20 ％的公差3V单电源， -10 ％
商用和工业温度
48引脚SSOP封装（符合RoHS ）
功能说明
赛普拉斯CY14B256K结合了256 Kbit的非易失性静态
有一个全功能的实时时钟RAM的单片集成
电路。嵌入式非易失性元件结合
QuantumTrap技术生产世界上最可靠的
非易失性存储器。该SRAM的读写无限
次数，而独立的，非易失性数据驻留在
非易失性元素。
实时时钟功能提供了跨越准确的时钟
一年的跟踪和一个可编程的高精度振荡器。该
报警功能是可编程的，一时间报警或定期
秒，分钟，小时或天。还有一个可编程
看门狗定时器用于过程控制。
■
■
■
■
■
■
逻辑框图
QuantumTrap
512 X 512
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
11
A
12
A
13
A
14
V
CC
V
帽
V
RTCbat
V
RTCcap
HSB
商店
动力
控制
商店/
召回
控制
行解码器
静态RAM
ARRAY
512 X 512
召回
软件
检测
COLUMN IO
A
13
-
A
0
DQ
0
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
输入缓冲器
DQ
1
COLUMN DEC
RTC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
x
1
x
2
INT
MUX
A
14
-
A
0
OE
CE
WE
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-06431修订版* H
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2009年2月24日
[+ ]反馈
CY14B256K
销刀豆网络gurations
图1. 48引脚SSOP
V
帽
NC
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
INT
A
4
NC
NC
NC
V
SS
NC
V
RTCbat
DQ0
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ1
DQ2
X
1
X
2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
V
CC
NC
HSB
WE
A
13
A
8
A
9
NC
A
11
NC
NC
NC
V
SS
NC
V
RTCcap
DQ
6
OE
A
10
CE
DQ7
DQ5
DQ4
DQ3
V
CC
48-SSOP
顶视图
（不按比例）
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
引脚德网络nitions
引脚名称
A
0
–A
14
DQ0-DQ7
NC
WE
CE
OE
X
1
X
2
V
RTCcap
V
RTCbat
INT
V
SS
V
CC
HSB
W
E
G
ALT
IO类型
输入
无连接
输入
输入
输入
产量
输入
电源
电源
产量
地
电源
描述
地址输入。
用于选择的32,768字节的nvSRAM之一。
未连接。
该管脚没有连接到模具上。
写使能输入，低电平有效。
当芯片被使能和WE为低时，在IO数据
标签写入到特定地址的位置。
芯片使能输入，低电平有效。
当低，选择芯片。当HIGH ，取消选择的芯片。
输出使能，低电平有效。
该低电平有效OE输入使能数据输出缓冲器中
读周期。拉高OE HIGH导致IO引脚三态。
水晶连接。
驱动器上的水晶开始了。
水晶连接的32.768 kHz晶振。
电容器提供备份的RTC电源电压。
（悬空，如果V
RTCbat
时）
电池供应的备份的RTC电源电压。
（悬空，如果V
RTCcap
时）
中断输出。
它被编程为在时钟报警，看门狗定时器响应，以及
电源监视器。可编程为高电平（推或拉）或低（漏极开路） 。
地面的装置。
它被连接到系统接地。
电源输入到该设备。
输入或输出
双向数据IO线。
作为根据操作的输入或输出线路。
输入或输出
五金店忙（ HSB ） 。
低电平时，此输出表明五金店正在进行中。
当拉低外部向芯片时，它启动一个非易失STORE操作。弱内
上拉电阻保持这个引脚为高电平，如果没有连接（连接可选）。
电源
自动存储电容。
提供电源的nvSRAM在断电时存储在SRAM数据
到非易失性元件。
V
帽
文件编号： 001-06431修订版* H
第28 2
[+ ]反馈
CY14B256K
设备操作
该CY14B256K的nvSRAM由两个功能
部件配对在相同的物理单元中。组件
是SRAM的存储单元和一个非易失性QuantumTrap细胞。该
SRAM存储单元作为一个标准的快速静态RAM 。数据
在SRAM中被转移到非易失性细胞（对STORE
操作） ，或从非易失性细胞到SRAM（该RECALL
操作）。使用这种独特的架构，所有的细胞都存储和
回忆并行。在STORE和RECALL操作，
SRAM读取和写入操作被禁止。该
CY14B256K支持无限读取和写入操作类似于典型
SRAM 。此外，它提供了从无限RECALL操作
非易失性单元和高达200K的存储操作。
见
“真值表SRAM操作”。
对于一个22页
读写模式，完整的描述。
自动断开V
帽
引脚从V
CC
。商店
启动与由V提供的功率运行
帽
电容。
图2.自动存储模式
V
CC
V
帽
V
帽
V
CC
10K欧姆
WE
SRAM读
该CY14B256K执行一个读周期，每当CE和OE
是低，而WE和HSB是HIGH 。指定的地址
对引脚
0-14
确定哪一个的32752个数据字节是
访问。当由地址转换开始的读取，
的输出是有效的t的延迟之后
AA
（见节
科幻gure
8
第17页） 。如果读通过CE或OE ，输出启动
是在t有效
ACE
或者在t
美国能源部
，以较迟者为准（请参见
图9
第17页） 。数据输出一再回应
内的T地址变更
AA
而不需要访问时间
转换任何控制输入引脚。这仍然有效，直至
另一个地址变更，或直到CE或OE变为高电平，或
WE或HSB变为低电平。
SRAM写
写周期完成时CE和WE低，
HSB高。地址输入是进入前稳定
写周期，必须保持稳定，直到CE或WE去
高电平的周期的末尾。对普通IO引脚的数据
DQ
0–7
被写入到存储器中，如果该数据是有效的吨
SD
前
一个我们控制WRITE或CE年底前结束
控制的写。请OE高，在整个写周期
以避免对公共IO线数据总线的争用。如果OE是左
低时，内部电路关闭输出缓冲器吨
HZWE
之后，我们
变低。
图2
示出了存储电容器的正确连接
(V
帽
）自动存储操作。请参阅
直流电气
特征
对于V的尺寸15页
帽
。电压
在V
帽
引脚通过一个电荷泵内部向被驱动到5V
芯片。上拉应放在WE举行期间，未激活
上电。如果WE信号为三态此上拉才有效
在上电期间。许多主控板三态上电时的控制。
使用上拉时验证这一点。当的nvSRAM出来
上电召回时，MPU必须处于活动状态或在WE保持
不活动，直到MPU脱离复位状态。
为了减少不必要的非易失性存储，自动存储和
五金店操作被忽略，除非至少有一个
自最近一次存储写操作发生
或者RECALL周期。启动软件商店周期
的写操作是否已完成而不管
的地方。 HSB的信号，由系统监控，如果一个检测
自动存储周期正在进行中。
自动存储
手术
使用三种之一的CY14B256K将数据存储到的nvSRAM
存储操作：
1.硬件店由HSB激活
2.软件商店由一个地址序列激活
3.自动存储在设备断电
自动存储操作QuantumTrap的一大特色
技术默认情况下，在CY14B256K启用。
在正常操作期间，该器件消耗的电流从V
CC
to
充电连接至V的电容器
帽
引脚。此存储
充电所使用的芯片来执行单个STORE操作。
如果在V的电压
CC
引脚低于V
开关
中，部分
五金店（ HSB ）操作
该CY14B256K提供了HSB引脚用于控制和
在确认存储操作。在HSB引脚用于
请求五金店周期。当HSB引脚驱动
低， CY14B256K有条件启动STORE操作
吨后
延迟
。实际STORE周期只有开始，如果在写
SRAM的发生上次存储或调用周期。
在HSB引脚还充当开漏驱动器是内部
驱动为低电平，表示处于忙碌状态，而STORE
（通过任何方式发起）正在进行中。该引脚是外部
向上拉，如果它是用于驱动其它的输入。
SRAM的读写操作，这是正在进行时
HSB驱动至低电平以任何方式被给定的时间来完成
启动之前的存储操作。经过HSB变为低电平，
在CY14B256K继续SRAM操作在t
延迟
。中
文件编号： 001-06431修订版* H
第28 3
0.1
U
F
[+ ]反馈
CY14B256K
t
延迟
，多个SRAM读取操作发生。如果一个写
正在进行时HSB被拉低，它允许时间t
延迟
,
来完成。然而，任何SRAM写入周期后要求
HSB变为低电平被禁止，直到HSB返回高电平。
在任何商店的操作，不管它是如何发起的，
该CY14B256K继续驱动HSB引脚为低电平，释放
它只有当存储完成。完成后，
STORE操作， CY14B256K仍然禁止，直到
HSB引脚为高电平。
HSB如果不使用，则悬空。
使用的读周期，而不是写周期中是很重要的
序列，但它不是必需的OE为低电平的
有效的序列。之后的T
商店
被满足周期时间，该SRAM的
再次进行读取和写入操作激活。
软件RECALL
数据从非易失性存储器通过转移到SRAM
一个软件地址序列。软件RECALL周期
与读取操作中类似的方式顺序启动
对软件商店开始。要启动RECALL周期，
CE控制的读操作如下顺序是
执行：
1.阅读地址0x0E38 ，有效的读
2.读地址0x31C7 ，有效的读
3.阅读地址0x03E0 ，有效的读
4.阅读地址0x3C1F ，有效的读
5.读地址0x303F ，有效的读
6.读地址0x0C63 ，启动RECALL周期
在内部，召回是一个两步的过程。首先， SRAM数据
被清除，然后将非易失性信息被转移到
SRAM单元。之后的T
召回
周期时， SRAM再次是
准备读取和写入操作。调用操作
以任何方式改变在非易失性元件的数据。
硬件RECALL （上电）
在上电期间或之后的任何低功率条件
(V
CC
＆ LT ; V
开关
） ，一个内部调出请求被锁定。当
V
CC
再次超过V的检测电压
开关
，召回
会自动启动，并采取吨
HRECALL
来完成。
软件商店
数据被从SRAM由传送到非易失性存储器
一个软件地址序列。该CY14B256K软件
商店周期通过执行顺序的CE控制的启动
读的确切顺序六项具体地址位置周期。
在商店周期，先前的非易失性的擦除
首先，进行数据，其次是非易失性的程序
元素。之后启动了STORE周期，进一步读取和
写操作被禁止，直到循环结束。
因为一个序列的读和写来自特定地址的使用
对于STORE开始，就没有其他的读或写是很重要的
存取介入的序列中。如果它介入时，
序列被中止，没有存储或调用发生。
要启动的软件商店周期，下面读
顺序进行：
1.阅读地址0x0E38 ，有效的读
2.读地址0x31C7 ，有效的读
3.阅读地址0x03E0 ，有效的读
4.阅读地址0x3C1F ，有效的读
5.读地址0x303F ，有效的读
6.读地址0x0FC0 ，启动STORE周期
该软件序列主频与CE控制读或
OE控制的读取。后的序列中的第六个地址是
进入，店内周期开始和芯片被禁用。
数据保护
该CY14B256K保护数据从损坏中低
电压条件下抑制所有外部发起STORE
和写入操作。当检测到低电压状态
当V
CC
小于V
开关
.
如果CY14B256K处于写模式（包括CE和WE低）
在召回上电后，或商店之后，写的是
抑制，直至行政长官一负跳变或WE检测。这
防止无意中在上电或掉电写
条件。
噪声考虑
该CY14B256K是一种高速存储器，并且必须具有高
约0.1μF高频旁路电容连接
V之间
CC
和V
SS
使用线索和痕迹是短
成为可能。如同所有的高速CMOS集成电路，小心路由
电源，接地和信号降低电路噪声。
文件编号： 001-06431修订版* H
第28 4
[+ ]反馈
CY14B256K
较低的平均有功功率
CMOS技术提供了CY14B256K的好处
绘制显著较少的电流，当它被循环在时间较长
超过50纳秒。
科幻gure 3
显示我的关系
CC
和
读取和/或写入周期时间。最坏情况下的电流
消费显示了商业级温度范围，V
CC
=
3.6V，并且芯片使能在最大频率。只有待机
当芯片被禁用汲取电流。整体平均
当前由CY14B256K绘制取决于以下
项目：
芯片1. 1The占空比使
2.整个周期率的访问
3的读写比
4.工作温度
5. V
CC
水平
6. IO负载
图3.电流与周期时间
最佳实践
的nvSRAM产品得到了有效的超过15年使用。
而易用性是该产品的主要价值体系之一，
所获得的经验正在与数百个应用程序有
导致了以下建议作为最佳做法：
■
非易失性细胞中的nvSRAM被编程的
最后的测试和质量保证过程中试验楼。来
检查程序在客户或合同制造商的
站点有时重新编程这些值。最后NV模式
通常重复AA ， 55 ， 00 ， FF ，A5或5A的图案。
最终产品的固件不应该假设的NV阵列
是一组编程状态。该检查内存例程
内容的值来确定第一时间的系统配置和
冷或热启动状态必须始终编程一个独特的NV
图案（例如，复杂的4字节的46 E6 49 53图案
（十六进制）或更多的随机字节）作为最终制造系统的一部分，
图灵测试，以确保这些系统的工作程序一致。
在校准寄存器的OSCEN位在0x7FF8将应
设置为1 ，以保存电池寿命时，该系统是在存储
（见
停止和启动振荡器
第7页） 。
在此数据表中指定的VCAP值包括最小
和的最大值的大小。最好的做法是符合这个
要求和不超过最大VCAP值，因为
较高的冲击电流可能会减少的可靠性
内部晶体管。谁希望客户使用较大
VCAP值，以确保没有多余的存储电荷应
讨论与赛普拉斯的VCAP尺寸选择。
■
■
文件编号： 001-06431修订版* H
第28 5
[+ ]反馈
QQ：2881677436 复制
