CY7C1041CV33
4兆位（ 256K ×16 ）静态RAM
特点
■
功能说明
该CY7C1041CV33是一种高性能的CMOS静态RAM
16位组织为262,144字。
写入装置，以芯片启用（ CE）和写使能
（ WE）输入低电平。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则数据
从IO引脚（ IO
0
通过IO
7
） ，被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
17
） 。如果字节高
使能（ BHE ）为低，然后从IO引脚上的数据（ IO
8
通过IO
15
)
被写入的地址管脚的指定位置（一
0
至A
17
).
从设备中读取，需要芯片使能（ CE）和输出
启用（ OE ）低，而强迫写使能（ WE） HIGH 。如果
低字节使能（ BLE）为低电平时，则数据从存储器
由地址引脚指定位置上出现IO
0
到IO
7
。如果
高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从内存中的数据
出现在IO
8
到IO
15
。欲了解更多信息，请参阅
真相
表
第9页的读取和写入的完整说明上
模式。
的输入和输出引脚（IO
0
通过IO
15
）被放置在一个高
当取消选择器件（CE高电平）阻抗状态时，
输出被禁止（ OE HIGH ）时， BHE和BLE被禁用
（BHE ，BLE高） ，或者在写操作期间（CE低电平和WE
低） 。
为了获得最佳的实践建议，请参阅赛普拉斯
应用说明
AN1064 ， SRAM系统的指导。
温度范围
商业： 0 ° C至70℃
工业： -40 ° C至85°C
汽车-A ： -40 ° C至85°C
汽车-E ： -40°C至125°C
引脚和功能与CY7C1041BV33兼容
高速
t
AA
= 10纳秒（商用，工业和汽车-A ）
t
AA
= 12纳秒（汽车-E ）
低有功功率
324毫瓦（最大）
2.0V数据保留
取消的时候自动断电
TTL兼容的输入和输出
易内存扩展CE和OE特点
可提供无铅和无无铅44引脚4亿SOJ ， 44针
TSOP II和48球FBGA封装
■
■
■
■
■
■
■
■
逻辑框图
输入缓冲器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
行解码器
256K ×16
RAM阵列
检测放大器
IO
0
= 10
7
IO
8
= 10
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
10
A
11
A
12
A
14
A
13
A
16
A
17
A
15
A
9
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05134牧师* I
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2008年2月14日
[+ ]反馈
CY7C1041CV33
选购指南
描述
最大访问时间
最大工作电流
广告
产业
汽车-A
汽车-E
最大的CMOS待机电流
商用/
产业
汽车-A
汽车-E
10
10
15
-10
10
90
100
100
120
10
10
-12
12
85
95
-15
15
80
90
-20
20
75
85
85
90
10
10
15
单位
ns
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
引脚配置
图1. 44引脚SOJ / TSOP II （顶视图）
[1]
图2. 48球FBGA封装引脚（顶视图）
[1]
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
IO
0
IO
1
IO
2
IO
3
V
CC
V
SS
IO
4
IO
5
IO
6
IO
7
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
17
A
16
A
15
OE
BHE
BLE
IO
15
IO
14
IO
13
IO
12
V
SS
V
CC
IO
11
IO
10
IO
9
IO
8
NC
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
1
BLE
IO
0
IO
1
V
SS
V
CC
IO
6
IO
7
NC
2
OE
BHE
IO
2
IO
3
IO
4
IO
5
NC
A
8
3
A
0
A
3
A
5
A
17
NC
A
14
A
12
A
9
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
IO
10
6
NC
IO
8
IO
9
A
B
C
D
E
F
G
H
IO
11
V
CC
IO
12
IO
13
WE
A
11
V
SS
IO
14
IO
15
NC
记
1. NC引脚没有连接上模具。
文件编号： 38-05134牧师* I
第14页2
[+ ]反馈
CY7C1041CV33
引脚德网络nitions
引脚名称
A
0
–A
17
SOJ ， TSOP
引脚数
1–5, 18–27,
42–44
BGA
引脚数
A3 ，A4，A5 ，B3
B4， C3，C4
D 4， H 2 ，H 3 ，H 4 ，
H5 ，G3，G4 ，F3
F4 ，E4 D3
IO类型
输入
描述
地址输入。
用于选择的地址位置之一。
IO
0
= 10
15
7-10,13-16 ，B1，C1 ，C2，D2 ，输入或输出
双向数据IO线。
用作根据输入或输出线
29-32 ， 35-38 E2， F2，F1 ，G1
在操作。
B6 ，C6， C5 ，D5，
E5， F5，F6 ， G6
28
17
6
40, 39
41
A6 ，E3， G2 ，H1
H6
G5
B5
B2 ， A1
A2
无连接
输入或
控制
输入或
控制
输入或
控制
输入或
控制
未连接。
未连接到模具上。
写使能输入，低电平有效。
当选择低，一个是写
进行。当取消选择高，一个读进行。
芯片使能输入，低电平有效。
当低，选择芯片。
当HIGH ，取消选择的芯片。
字节写选择输入，低电平有效。
BHE控制IO
16
= 10
9
,
BLE控制IO
8
= 10
1
.
输出使能，低电平有效。
控制的IO引脚的方向。
低电平时， IO引脚允许表现为输出。当
拉高高， IO引脚处于三态，并作为输入数据
销。
地面的装置。
连接到系统的地面。
NC
WE
CE
BHE ， BLE
OE
V
SS
V
CC
12, 34
11, 33
D1 ， E6
D6 ， E1
地
电源
电源输入到该设备。
文件编号： 38-05134牧师* I
第14页3
[+ ]反馈
CY7C1041CV33
最大额定值
超出最大额定值可能损害的使用寿命
装置。这些用户指导未经测试。
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................ -55°C至+ 125°C
在V电源电压
CC
相对于GND
[2]
.....- 0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[2]
...................................... -0.5V到V
CC
+0.5V
直流输入电压
[2]
静电放电电压............................................ >2001V
（ MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流............................................... ...... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
汽车-A
汽车-E
环境
温度（T
A
)
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
V
CC
3.3V
±
10%
.................................. -0.5V到V
CC
+0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
白细胞介素[2]
I
IX
描述
测试条件
-10
民
2.4
0.4
2.0
–0.3
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
Com'l / Ind'l
自动-A
自动-E
I
OZ
输出漏
当前
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
， Com'l / Ind'l
输出禁用
自动-A
自动-E
I
CC
V
CC
操作
电源电流
V
CC
=最大，
f = f
最大
= 1/t
RC
Com'l
Ind'l
自动-A
自动-E
I
SB1
自动电源CE MAX V
CC
,
断电流-TTL CE > V
IH
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
输入
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
Com'l / Ind'l
自动-A
自动-E
10
10
15
40
40
45
10
10
90
100
100
120
40
40
–1
–1
+1
+1
–20
+20
85
95
80
90
–1
–1
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
–20
–1
+20
+1
–1
+1
2.0
–0.3
–1
最大
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
2.0
–0.3
–1
-12
民
最大
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
2.0
–0.3
–1
–1
–20
–1
–1
–20
-15
民
最大
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
+20
+1
+1
+20
75
85
85
90
40
40
45
10
10
15
mA
mA
mA
μA
-20
民
最大
单位
V
V
V
V
μA
输出高电压V
CC
=最小，我
OH
= -4.0毫安
输出低电压V
CC
=最小，我
OL
= 8.0毫安
输入高电压
输入低电压
输入漏
当前
I
SB2
自动电源CE MAX V
CC
,
Com'l / Ind'l
断电流 -
CE > V
CC
- 0.3V时，自动-A
CMOS输入
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
< 0.3V ， F = 0自动-E
记
2. V
IL
（分钟） = -2.0V和V
IH
（MAX） = V
CC
+ 0.5V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
文件编号： 38-05134牧师* I
第14页4
[+ ]反馈
CY7C1041CV33
电容
测试的最初和之后的任何设计或工艺变化，可能影响这些参数
.
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 3.3V
最大
8
8
单位
pF
pF
热阻
最初和之后的任何设计或工艺变化，可能影响这些参数进行测试。
参数
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
测试条件遵循标准测试
方法和程序，用于测量
热阻抗，按照EIA / JESD51
SOJ
25.99
18.8
TSOP II
42.96
10.75
FBGA
38.15
9.15
单位
° C / W
° C / W
Θ
JA
Θ
JC
交流测试负载和波形
图3. AC测试负载和波形
[3]
10 ns的设备：
产量
50
Ω
*容性负载由
的的所有组件
测试环境
1.5V
12-， 15-， 20 - ns的设备：
Z = 50Ω
3.3V
R 317Ω
30 pF的*
产量
30 pF的*
R2
351Ω
(a)
(b)
高阻抗特性：
3.0V
GND
所有的输入脉冲
90%
10%
90%
10%
R 317Ω
3.3V
产量
5 pF的
R2
351Ω
上升时间： 1 V / ns的
(c)
下降时间： 1 V / ns的
(d)
记
3. AC特性（除了高Z ）为10毫微秒的部分使用图（一）所示的负载条件下测试。所有其他的速度正在使用中所示的戴维南负载测试
在图（ b）所示。高Z特性进行测试，以便使用图（ d）所示的试验负荷所有速度。
文件编号： 38-05134牧师* I
第14页5
[+ ]反馈
CY7C1041CV33
4兆位（ 256K ×16 ）静态RAM
特点
引脚相当于CY7C1041BV33
温度范围
- 商业： 0 ° C至70℃
- 工业级： -40 ° C至85°C
- 汽车-A ： -40 ° C至85°C
- 汽车-E ： -40°C至125°C
高速
— t
AA
= 10纳秒
低有功功率
- 324毫瓦（最大）
2.0V数据保留
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
易于内存扩展CE和OE特点
提供无铅和无无铅44引脚400 MIL-
SOJ ， 44引脚TSOP II和48球FBGA封装
功能说明
[1]
该CY7C1041CV33是一个高性能的CMOS静态
RAM （16位）组织为262,144字。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
-I / O
7
） ，被写入
插入地址引脚指定的位置（A
0
–A
17
） 。如果字节
高电平使能（ BHE ）为低电平，然后从I / O引脚上的数据
（ I / O
8
-I / O
15
）被写入到所指定的位置的
地址引脚（A
0
–A
17
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
0
- I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
的输入/输出管脚（ I / O的
0
-I / O
15
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平）时， BHE和BLE
禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写操作过程中
（ CE低， WE LOW ） 。
该CY7C1041CV33可在一个标准的44针
400密耳宽体宽SOJ和44引脚TSOP II封装
与中心的供电和接地（革命）引脚，以及
为48球精细间距球栅阵列（ FBGA ）封装。
逻辑框图
输入缓冲器
引脚配置
SOJ /
TSOP II
顶视图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
256K × 16
ARRAY
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
COLUMN
解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
17
A
16
A
15
OE
BHE
BLE
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
V
SS
V
CC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
NC
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
行解码器
注意事项：
1.对于SRAM的系统设计指南，请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记，在互联网上提供的www.cypress.com 。
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
检测放大器
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05134牧师* H
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年9月1日
[+ ]反馈
CY7C1041CV33
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[2]
.... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[2]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[2]
.................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压............. ............................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ........ >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
汽车-A
汽车-E
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
V
CC
3.3V ± 0.3V
DC电气特性
在整个工作范围
-10
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL[2]
I
IX
描述
测试条件
分钟。马克斯。
2.4
0.4
2.0
–0.3
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
Com'l / Ind'l
自动-A
自动-E
I
OZ
输出漏
当前
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
， Com'l / Ind'l
输出禁用
自动-A
自动-E
I
CC
V
CC
操作
电源电流
V
CC
=最大，
f = f
最大
= 1/t
RC
Com'l
Ind'l
自动-A
自动-E
I
SB1
最大。 V
CC
,
自动CE
Com'l / Ind'l
掉电电流CE > V
IH
自动-A
-TTL输入
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
自动-E
最大。 V
CC
,
自动CE
Com'l / Ind'l
掉电电流CE > V
CC
– 0.3V,
自动-A
-CMOS输入
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
< 0.3V ， F = 0自动-E
40
40
10
10
10
10
40
40
90
100
100
85
95
80
90
–1
–1
+1
+1
–1
+1
–1
+1
–1
–1
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
2.0
–0.3
–1
输出高电压V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
输出低电压V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
输入高电压
输入低电压
输入漏
当前
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
2.0
–0.3
–1
-12
分钟。
马克斯。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
2.0
–0.3
–1
–1
–20
–1
–1
–20
-15
分钟。
马克斯。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
+20
+1
+1
+20
75
85
85
90
40
40
45
10
10
15
-20
分钟。
MAX 。 UNIT
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
I
SB2
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
I / O容量
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 3.3V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
注意事项：
2. V
IL
（分） = -2.0V和V
IH
（MAX） = V
CC
+ 0.5V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05134牧师* H
第12页4
[+ ]反馈
CY7C1041CV33
热阻
[3]
参数
描述
测试条件
TSOP -II
42.96
10.75
FBGA
38.15
9.15
SOJ
25.99
18.8
单位
° C / W
° C / W
Θ
JA
Θ
JC
热阻（结到环境） ，测试条件遵循标准
热阻（结点到外壳）的测试方法和程序
测量热阻抗，
按照EIA / JESD51 。
交流测试负载和波形
[4]
10 ns的设备
产量
50
*容性负载由
的的所有组件
测试环境
1.5V
Z = 50
12-， 15-， 20 -NS设备
3.3V
R 317
30 pF的*
产量
30 pF的
R2
351
高阻抗特性
R 317
(a)
所有的输入脉冲
(b)
3.3V
产量
5 pF的
R2
351
3.0V
90%
GND
10%
90%
10%
上升时间： 1 V / ns的
(c)
下降时间： 1 V / ns的
(d)
AC开关特性
[5]
在整个工作范围
-10
参数
读周期
t
power[6]
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
V
CC
（典型值）的第一接入
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高来高-Z
[7, 8]
CE低到低Z
[8]
CE高来高-Z
[7, 8]
CE为低电时
CE高到掉电
字节使能到数据有效
字节使能为低-Z
字节禁止以高阻
0
6
0
10
5
0
6
3
5
0
12
6
0
7
0
5
3
6
0
15
7
0
8
3
10
5
0
6
3
7
0
20
8
100
10
10
3
12
6
0
7
3
8
100
12
12
3
15
7
0
8
100
15
15
3
20
8
100
20
20
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
-12
马克斯。
分钟。
-15
马克斯。
分钟。
-20
马克斯。
单位
注意事项：
4. AC特性（除了高Z ）为10毫微秒的部分使用图（一）所示的负载条件下测试。所有其他的速度正在使用戴维宁负载测试
（b）如图所示。高Z特性进行测试，以便使用图（ d）所示的试验负荷所有速度。
5.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V 。
6. t
动力
给时间的电源应该是在典型的V ，该最小量
CC
值，直到所述第一存储器存取可以被执行。
7. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
指定采用5 pF的交流测试负载的负载电容部分（D ） 。过渡测
±500
毫伏从稳态电压
8.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
9.存储器的内部写时间由CE低的重叠所定义，和WE为低电平。 CE和我们必须为低电平启动写，和过渡
这两种信号可以终止写入。输入数据的建立时间和保持时间应参考信号的前沿并因此终止了
写。
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