1CY7C1041BNV33
CY7C1041BNV33
256K ×16静态RAM
特点
高速
— t
AA
= 12 ns的
低有功功率
- 612毫瓦（最大）
CMOS低待机功耗（商业L型）
- 1.8毫瓦（最大）
2.0V数据保留（ 660
W
在2.0V保留）
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
易于内存扩展CE和OE特点
功能说明
该CY7C1041BNV33是一个高性能的CMOS静态
RAM （16位）组织为262,144字。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
17
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
17
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平）时， BHE和BLE
禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写操作（ CE过程
低电平和WE为低电平） 。
该CY7C1041BNV33可在一个标准的44针
400密耳宽体宽SOJ和44引脚TSOP II封装
与中心的供电和接地（革命）的引脚。
逻辑框图
输入缓冲器
引脚配置
SOJ
TSOP II
顶视图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
256K ×16
ARRAY
1024 x 4096
I / O
0
- I / O
7
I / O
8
- I / O
15
COLUMN
解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
17
A
16
A
15
OE
BHE
BLE
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
V
SS
V
CC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
NC
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
行解码器
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
检测放大器
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-06434修订版**
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年2月1日
CY7C1041BNV33
选购指南
-12
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大的CMOS待机电流（mA ）
Comm'l
Ind'l
Com'l / Ind'l
Com'l
L
12
190
-
8
0.5
-15
15
170
190
8
0.5
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[1]
.... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[1]
................................ -0.5V到V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
[2]
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
3.3V ± 0.3V
电气特性
在整个工作范围
-12
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
I
SB2
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
操作
电源电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
=最大，
f = f
最大
= 1/t
RC
Comm'l
Ind'l
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.5
–1
–1
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.5
0.8
+1
+1
190
-
40
8
0.5
2.2
–0.5
–1
–1
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.5
0.8
+1
+1
170
190
40
8
0.5
-15
马克斯。
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
自动CE掉电最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
目前-TTL输入
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
自动CE掉电最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
CC
- 0.3V ， Com'l / Ind'l
目前-CMOS输入
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V ，或
Com'l L
V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
I / O容量
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 3.3V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
3.3V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
351
R1 317
戴维南等效
167
产量
1.73V
所有的输入脉冲
3.3V
90%
GND
上升时间： 1 V / ns的
10%
90%
10%
下降时间：
1 V / ns的
(b)
(a)
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2. T
A
是外壳温度的「即时」 。
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 001-06434修订版**
第2页8
CY7C1041BNV33
开关特性
[4]
在整个工作范围
-12
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
t
BW
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[5, 6]
CE低到低Z
[6]
-15
马克斯。
分钟。
15
12
15
3
12
6
15
7
0
6
7
3
6
7
0
12
6
15
7
0
6
7
15
12
12
0
0
12
8
0
3
6
7
12
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
12
3
0
3
0
CE高到高阻
[5, 6]
CE为低电时
CE高到掉电
字节使能到数据有效
字节使能以低Z
字节禁止以高Z
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[6]
WE低到高Z
[5, 6]
字节使能，以结束写的
10
12
10
10
0
0
10
7
0
3
0
写周期
[7, 8]
数据保持特性
在整个工作范围
（当L版本）
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR[3]
t
R[9]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
V
CC
= V
DR
= 2.0V,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V
条件
[10]
分钟。
2.0
330
0
t
RC
马克斯。
单位
V
A
ns
ns
注意事项：
4.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
5. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。转变是从稳态电压测量± 500 mV的。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
7.存储器的内部写入时间由CE低的重叠所定义，和WE为低电平。 CE和我们必须低到开始写，和过渡
这两种信号可以终止写。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
8.最小写入周期时间为写周期没有。 3 （我们控制， OE低）为t的总和
HZWE
和T
SD
.
9. t
r
< 3纳秒为-12和-15速度。
10.没有输入可能超过V
CC
+ 0.5V.
文件编号： 001-06434修订版**
第3页8
CY7C1041BNV33
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
CE
3.0V
t
CDR
V
DR
＆ GT ; 2V
3.0V
t
R
开关波形
读周期1号
[11, 12]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
读周期2号（ OE控制）
[12, 13]
地址
t
RC
CE
t
ACE
OE
BHE ， BLE
t
美国能源部
t
LZOE
t
DBE
t
LZBE
高阻抗
t
LZCE
V
CC
供应
当前
t
PU
50%
t
HZCE
t
HZBE
数据有效
t
PD
50%
I
CC
I
SB
t
HZOE
高
阻抗
数据输出
注意事项：
11.设备不断选择。 OE ， CE， BHE和/或BHE = V
IL
.
12.我们是高读周期。
13.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
文件编号： 001-06434修订版**
第4页8
CY7C1041BNV33
开关波形
（续）
写周期第1号（ CE控制）
[14, 15]
t
WC
地址
CE
t
SA
t
SCE
t
AW
t
PWE
WE
t
BW
BHE ， BLE
t
SD
DATAI / O
t
HD
t
HA
写周期2号（ BLE或BHE控制）
t
WC
地址
BHE ， BLE
t
SA
t
BW
t
AW
t
PWE
WE
t
SCE
CE
t
SD
DATAI / O
t
HD
t
HA
注意事项：
14.数据的I / O为高阻抗，如果OE或BHE和/或BLE = V
IH
.
15.如果CE变同时与WE变为高电平高电平时，输出保持在高阻抗状态。
文件编号： 001-06434修订版**
第5页8
1CY7C1041BNV33
CY7C1041BNV33
256K ×16静态RAM
特点
高速
— t
AA
= 12 ns的
低有功功率
- 612毫瓦（最大）
CMOS低待机功耗（商业L型）
- 1.8毫瓦（最大）
2.0V数据保留（ 660
W
在2.0V保留）
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
易于内存扩展CE和OE特点
功能说明
该CY7C1041BNV33是一个高性能的CMOS静态
RAM （16位）组织为262,144字。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
17
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
17
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平）时， BHE和BLE
禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写操作（ CE过程
低电平和WE为低电平） 。
该CY7C1041BNV33可在一个标准的44针
400密耳宽体宽SOJ和44引脚TSOP II封装
与中心的供电和接地（革命）的引脚。
逻辑框图
输入缓冲器
引脚配置
SOJ
TSOP II
顶视图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
256K ×16
ARRAY
1024 x 4096
I / O
0
- I / O
7
I / O
8
- I / O
15
COLUMN
解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
17
A
16
A
15
OE
BHE
BLE
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
V
SS
V
CC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
NC
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
行解码器
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
检测放大器
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-06434修订版**
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年2月1日
[+ ]反馈
CY7C1041BNV33
选购指南
-12
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大的CMOS待机电流（mA ）
Comm'l
Ind'l
Com'l / Ind'l
Com'l
L
12
190
-
8
0.5
-15
15
170
190
8
0.5
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[1]
.... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[1]
................................ -0.5V到V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
[2]
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
3.3V ± 0.3V
电气特性
在整个工作范围
-12
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
I
SB2
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
操作
电源电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
=最大，
f = f
最大
= 1/t
RC
Comm'l
Ind'l
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.5
–1
–1
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.5
0.8
+1
+1
190
-
40
8
0.5
2.2
–0.5
–1
–1
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.5
0.8
+1
+1
170
190
40
8
0.5
-15
马克斯。
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
自动CE掉电最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
目前-TTL输入
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
自动CE掉电最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
CC
- 0.3V ， Com'l / Ind'l
目前-CMOS输入
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V ，或
Com'l L
V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
I / O容量
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 3.3V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
3.3V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
351
R1 317
戴维南等效
167
产量
1.73V
所有的输入脉冲
3.3V
90%
GND
上升时间： 1 V / ns的
10%
90%
10%
下降时间：
1 V / ns的
(b)
(a)
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2. T
A
是外壳温度的「即时」 。
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 001-06434修订版**
第2页8
[+ ]反馈
CY7C1041BNV33
开关特性
[4]
在整个工作范围
-12
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
t
BW
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[5, 6]
CE低到低Z
[6]
-15
马克斯。
分钟。
15
12
15
3
12
6
15
7
0
6
7
3
6
7
0
12
6
15
7
0
6
7
15
12
12
0
0
12
8
0
3
6
7
12
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
12
3
0
3
0
CE高到高阻
[5, 6]
CE为低电时
CE高到掉电
字节使能到数据有效
字节使能以低Z
字节禁止以高Z
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[6]
WE低到高Z
[5, 6]
字节使能，以结束写的
10
12
10
10
0
0
10
7
0
3
0
写周期
[7, 8]
数据保持特性
在整个工作范围
（当L版本）
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR[3]
t
R[9]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
V
CC
= V
DR
= 2.0V,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V
条件
[10]
分钟。
2.0
330
0
t
RC
马克斯。
单位
V
A
ns
ns
注意事项：
4.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
5. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。转变是从稳态电压测量± 500 mV的。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
7.存储器的内部写入时间由CE低的重叠所定义，和WE为低电平。 CE和我们必须低到开始写，和过渡
这两种信号可以终止写。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
8.最小写入周期时间为写周期没有。 3 （我们控制， OE低）为t的总和
HZWE
和T
SD
.
9. t
r
< 3纳秒为-12和-15速度。
10.没有输入可能超过V
CC
+ 0.5V.
文件编号： 001-06434修订版**
第3页8
[+ ]反馈
CY7C1041BNV33
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
CE
3.0V
t
CDR
V
DR
＆ GT ; 2V
3.0V
t
R
开关波形
读周期1号
[11, 12]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
读周期2号（ OE控制）
[12, 13]
地址
t
RC
CE
t
ACE
OE
BHE ， BLE
t
美国能源部
t
LZOE
t
DBE
t
LZBE
高阻抗
t
LZCE
V
CC
供应
当前
t
PU
50%
t
HZCE
t
HZBE
数据有效
t
PD
50%
I
CC
I
SB
t
HZOE
高
阻抗
数据输出
注意事项：
11.设备不断选择。 OE ， CE， BHE和/或BHE = V
IL
.
12.我们是高读周期。
13.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
文件编号： 001-06434修订版**
第4页8
[+ ]反馈
CY7C1041BNV33
开关波形
（续）
写周期第1号（ CE控制）
[14, 15]
t
WC
地址
CE
t
SA
t
SCE
t
AW
t
PWE
WE
t
BW
BHE ， BLE
t
SD
DATAI / O
t
HD
t
HA
写周期2号（ BLE或BHE控制）
t
WC
地址
BHE ， BLE
t
SA
t
BW
t
AW
t
PWE
WE
t
SCE
CE
t
SD
DATAI / O
t
HD
t
HA
注意事项：
14.数据的I / O为高阻抗，如果OE或BHE和/或BLE = V
IH
.
15.如果CE变同时与WE变为高电平高电平时，输出保持在高阻抗状态。
文件编号： 001-06434修订版**
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