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CF5018系列
2.5V第三泛音晶体振荡器模块集成电路
概观
对CF5018系列是从2.5V工作晶振芯片。设备是可用的提供第三
谐波振荡的范围在30MHz至80MHz的。他们为2.5V操作进行了优化,从而稳定
振荡器的启动特性,输出占空比稳定。它们的特点是大量减少芯片面积
相比于现有的设备,使得可以小型晶体振荡器的结构。
特点
I
I
I
I
I
I
I
2.25 2.75V工作电压范围
30MHz到80MHz的振荡频率范围
(不同版本)
- 40-85
°
C的工作温度范围
振荡用电容器C
G
, C
D
内建的
逆变器放大器呃反馈电阻内置
待机功能
在待机模式下的高阻抗,振荡停止
低待机电流
省电上拉电阻内置
I
I
I
I
I
I
I
f
O
输出频率(振荡频率)
8毫安输出驱动能力(V
DD
= 2.25V)
CMOS输出工作水平( 1 / 2VDD )
50
±
5 %的输出占空比( 1 / 2VDD )
30pF的负载输出
钼栅CMOS工艺
芯片形式( CF5018AL
×
)
系列CON组fi guration
VERSION
CF5018ALA
CF5018ALB
CF5018ALC
CF5018ALD
CF5018ALE
2.25 2.75
操作
电源电压
范围[V]的
推荐工作
频带
1
[兆赫]
30至36
36至40
40至50
50至60
60至80
内置电容[ pF的]
克比
C
G
0.25
0.50
15
0.75
1.00
1.50
10
8
3.5
3.0
3.5
C
D
Rf
[k]
4.7
3.5
1.推荐工作频率是用于NPC的特性鉴定晶体派生的尺度值。然而,该
振荡器的频带不被保证。具体来说,该特性可以相差很大,由于水晶的特性和安装条件
型,从而部件的振动特性,必须仔细评估。
订购信息
设备
CF5018AL
×
–2
芯片形式
精工NPC株式会社-1
CF5018系列
焊盘布局
(单位:
m)
(720,730)
VDD
HA5018
全国人民代表大会
Q
VSS
Y
INHN
(0,0)
XT
X
XTN
芯片尺寸: 0.72
×
0.73mm
切屑厚度: 220 ± 30μm的
PAD尺寸: 90微米
芯片基地: V
DD
水平
引脚说明和焊盘尺寸
焊盘尺寸(微米)
名字
I / O
描述
X
INHN
XT
XTN
VSS
Q
VDD
I
I
O
O
输出状态控制输入。当LOW (振荡器停止工作)高阻抗。
节电拉电阻内置。
扩增fi er输入
扩增fi er输出
输出。输出频率。在待机模式下的高阻抗
电源电压
晶体连接引脚。
水晶连接XT和XTN之间。
151
238
503
588
588
131
Y
277
131
131
345
598
598
框图
VDD VSS
XTN
C
G
R
f1
C
f
C
D
XT
R
f2
Q
INHN
INHN =低电平有效
精工NPC株式会社-2
CF5018系列
特定网络阳离子
绝对最大额定值
V
SS
= 0V
参数
电源电压范围
输入电压范围
输出电压范围
工作温度范围
存储温度范围
输出电流
符号
V
DD
V
IN
V
OUT
T
OPR
T
英镑
I
OUT
条件
等级
0.5 7.0
0.5 V
DD
+ 0.5
0.5 V
DD
+ 0.5
40 85
65 150
20
单位
V
V
V
°
C
°
C
mA
推荐工作条件
V
SS
= 0V ,女
为80MHz ,C
L
30pF
参数
电源电压范围
输入电压范围
工作温度范围
符号
V
DD
V
IN
T
OPR
条件
等级
2.25 2.75
V
SS
到V
DD
40 85
单位
V
V
°
C
SEIKO NPC公司-3
CF5018系列
电气特性
V
DD
= 2.25 2.75V ,V
SS
= 0V ,TA =
40 85
°
C除非另有说明。
等级
参数
高电平输出电压
低电平输出电压
高电平输入电压
低电平输入电压
输出漏电流
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
Z
条件
问:测量CCT 1 ,V
DD
= 2.25V ,我
OH
= 8毫安
问:测量CCT 2 ,V
DD
= 2.25V ,我
OL
= 8毫安
INHN
INHN
问:测量CCT 2 , INHN = LOW
V
OH
= V
DD
V
OL
= V
SS
CF5018ALA
F = 30MHz的
CF5018ALB
F = 40MHz的
消耗电流
I
DD
测量CCT 3 ,负载CCT 1 ,
INHN =开,C
L
= 30pF的
CF5018ALC
F = 50MHz的
CF5018ALD
F = 60MHz的
CF5018ALE
F = 80MHz的
待机电流
INHN上拉电阻
I
ST
R
UP1
R
UP2
CF5018ALA
CF5018ALB
交流反馈电阻
R
f1
设计值。在监视器模式
晶片测试。
CF5018ALC
CF5018ALD
CF5018ALE
直流反馈电阻
交流反馈电容
R
f2
C
f
C
G
测量CCT 5
设计值。晶片上的监视器模式进行测试。
设计值。晶片上的监视器模式进行测试。
CF5018ALA
CF5018ALB
CF5018ALC
CF5018ALD
CF5018ALE
测量CCT 3 , INHN = LOW
测量CCT 4
20
3.99
2.97
2.97
2.55
2.97
50
8.5
6.8
100
4.7
3.5
3.5
3.0
3.5
10
8
200
5.41
4.03
4.03
3.45
4.03
150
11.5
9.2
1.65
0.7V
DD
2
典型值
1.95
0.3
6
8
10
11
15
6
最大
0.4
0.3V
DD
10
10
12
16
20
22
30
3
12
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
A
M
k
k
k
k
k
k
k
pF
pF
单位
内置电容
C
D
设计值。在监视器模式
晶片测试。
12.7
15
17.3
pF
8.5
10
11.5
pF
精工NPC株式会社-4
CF5018系列
开关特性
V
DD
= 2.25 2.75V ,V
SS
= 0V ,TA =
40 85
°
C除非另有说明。
等级
参数
输出上升时间
输出下降时间
输出占空比
1
输出禁止延迟时间
2
输出使能延时
2
符号
t
r
t
f
t
PLZ
t
PZL
条件
测量CCT 3 ,负载CCT 1 , 0.1V
DD
至0.9V
DD
, C
L
= 30pF的
测量CCT 3 ,负载CCT 1 , 0.9V
DD
到0.1V
DD
, C
L
= 30pF的
测量CCT 3 ,负载CCT 1 ,V
DD
= 2.5V , TA = 25
°
C,
F = 80MHz的,C
L
= 30pF的
测量CCT 6 ,负载CCT 1 ,V
DD
= 2.5V , TA = 25
°
C,
C
L
= 15pF的
45
典型值
3
3
最大
6
6
55
100
100
ns
ns
%
ns
ns
单位
1.占空比特性进行检验各生产批次的样品块。
2.振荡器停止功能是内置的。当INHN变低,正常输出停止。当INHN变为高电平,正常的输出也不会恢复,直到后
振荡器的起振时间已过。
消耗电流和输出波形与NPC的标准晶振
Cb
F [兆赫]
30
40
50
60
70
85
R []
18.62
20.53
22.17
15.37
25.42
20.58
L [ MH]
16.24
11.34
7.40
3.83
4.18
5.22
钙[ FF]
1.733
1.396
1.370
1.836
1.254
0.671
CB [ pF的]
5.337
3.989
4.105
5.191
5.170
4.965
L
Ca
R
功能说明
待机功能
当INHN变为低电平时,振荡器停止工作,并在Q振荡器输出变为高阻抗。
INHN
高(或打开)
Q
f
O
输出频率
高阻抗
振荡器
正常工作
停止
省电上拉电阻
响应于所述输入电平(高或低)的INHN拉电阻的变化。当INHN变低
(待机状态)时,上拉电阻变大,以降低待机期间的电流消耗。
精工NPC株式会社-5
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    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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