1CY7C1041B
CY7C1041B
256K ×16静态RAM
特点
高速
—
t
AA
= 12 ns的
低有功功率
—
1540毫瓦（最大）
CMOS低待机功耗（L版）
—
2.75毫瓦（最大）
2.0V数据保留（ 400
W
在2.0V保留）
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
易于内存扩展CE和OE特点
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
17
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
17
).
从设备读通过取芯片恩完成
能（ CE）和输出使能（ OE ）低，而强迫写
使能（WE ）高。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则
从由地址引脚指定的存储单元的数据
将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）低，
再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。见
在此数据表的背面为一个完整的descrip-真值表
化的读写模式。
的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平）时， BHE和BLE
禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写操作（ CE过程
低电平和WE为低电平） 。
该CY7C1041B可在一个标准的44针
400密耳宽体宽SOJ和44引脚TSOP II封装
与中心的供电和接地（革命）的引脚。
功能说明
该CY7C1041B是一个高性能的CMOS静态RAM或 -
由16位ganized为262,144字。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，是
逻辑框图
输入缓冲器
引脚配置
SOJ
TSOP II
顶视图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
256K ×16
ARRAY
1024 x 4096
I / O
0
- I / O
7
I / O
8
- I / O
15
COLUMN
解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
1041B–1
A
17
A
16
A
15
OE
BHE
BLE
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
V
SS
V
CC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
NC
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
1041B–2
行解码器
选购指南
7C1041B-12
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ） Com'l
Ind'l
最大的CMOS待机电流Com'l
（MA ）
Com'l
Ind'l
L
12
200
220
3
-
-
7C1041B-15
15
190
210
3
0.5
6
7C1041B-17
17
180
200
3
0.5
6
7C1041B-20
20
170
190
3
0.5
6
7C1041B-25
25
160
180
3
0.5
6
赛普拉斯半导体公司
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
检测放大器
3901北一街
圣荷西
CA 95134
408-943-2600
2001年3月23日
CY7C1041B
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度-65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用- 55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
-0.5V到V
CC
+ 0.5V
[1]
直流输入电压
[1]
-0.5V到V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） 20毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
[2]
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
5V
±
0.5
电气特性
在整个工作范围
7C1041B-12
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
Com'l
Com'l
Ind'l
L
Com'l
Ind'l
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.5
–1
–1
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
200
220
40
2.2
–0.5
–1
–1
马克斯。
7C1041B-15
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
190
210
40
2.2
–0.5
–1
–1
马克斯。
7C1041B-17
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
180
200
40
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
I
SB2
3
-
-
3
0.5
6
3
0.5
6
mA
mA
mA
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2. T
A
是的情况下的温度。
2
CY7C1041B
电气特性
在工作范围（续）
测试条件
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
Com'l
Com'l
Ind'l
L
Com'l
Ind'l
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.5
–1
–1
7C1041B-20
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
170
190
40
2.2
–0.5
–1
–1
马克斯。
7C1041B-25
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
160
180
40
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
I
SB2
3
0.5
6
3
0.5
6
mA
mA
mA
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
I / O容量
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(a)
R2
255
R1 481
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(b)
R2
255
GND
≤
3纳秒
R1 481
所有的输入脉冲
3.0V
90%
10%
90%
10%
≤
3纳秒
1041B–3
1041B–4
相当于：
戴维南等效
167
1.73V
产量
注意：
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
3
CY7C1041B
开关特性
[4]
在整个工作范围
7C1041B-12
参数
读周期
t
动力
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
t
BW
V
CC
（典型值）的第一接入
[5]
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高来高
Z
[6, 7]
3
6
0
12
6
0
6
12
10
10
0
0
10
7
0
3
6
10
12
15
12
12
0
0
12
8
0
3
7
12
0
7
17
14
14
0
0
14
8
0
3
7
0
15
7
0
7
CE低到低Z
[7]
CE高到高阻
[6, 7]
CE为低电时
CE高到掉电
字节使能到数据有效
字节使能以低Z
字节禁止以高Z
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[7]
WE低到高Z
[6, 7]
字节使能，以结束写的
0
6
3
7
0
17
7
3
12
6
0
7
3
7
1
12
12
3
15
7
0
7
1
15
15
3
17
7
1
17
17
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
7C1041B-15
分钟。
马克斯。
7C1041B-17
分钟。
马克斯。
单位
写周期
[8, 9]
注意事项：
4.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
5.这部分有一个电压调节器，它由5V电压降压至3.3V内部。吨
动力
时，必须在读/写操作前初始提供
被启动。
6. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
7.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
8.存储器的内部写入时间由CE低的重叠所定义，和WE为低电平。 CE和我们必须低到开始写，并任过渡
这些信号可以终止写操作。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
9.最小写入周期时间为写周期第3号（WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
4
CY7C1041B
256K ×16静态RAM
特点
高速
— t
AA
= 12 ns的
低有功功率
- 1540兆瓦（最大）
CMOS的低待机功率（L版）
- 2.75毫瓦（最大）
2.0V数据保留（ 400
W
在2.0V保留）
取消时自动断电
TTL兼容的输入和输出
易内存扩展CE和OE特点
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
17
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
17
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平）时， BHE和BLE
禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写操作（ CE过程
低电平和WE为低电平） 。
该CY7C1041B可在一个标准的44针
400密耳宽体宽SOJ和44引脚TSOP II封装
与中心的供电和接地（革命）的引脚。
功能说明
该CY7C1041B是一个高性能的CMOS静态RAM
16位组织为262,144字。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
逻辑框图
输入缓冲器
引脚配置
SOJ
TSOP II
顶视图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
256K ×16
ARRAY
1024 x 4096
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
COLUMN
解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
17
A
16
A
15
OE
BHE
BLE
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
V
SS
V
CC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
NC
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
行解码器
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
检测放大器
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05142修订版**
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2005年3月24日
CY7C1041B
选购指南
7C1041B - 12 7C1041B - 15 7C1041B - 17 7C1041B - 20 7C1041B - 25
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机
当前
Com'l
Ind'l
Com'l
Com'l
Ind'l
L
12
200
220
3
-
-
15
190
210
3
0.5
6
17
180
200
3
0.5
6
20
170
190
3
0.5
6
25
160
180
3
0.5
6
mA
单位
ns
mA
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[1]
.... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[1]
................................ -0.5V到V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
[2]
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
5V ± 0.5
电气特性
在整个工作范围
7C1041B-12
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
Com'l
Com'l
Ind'l
L
Com'l
Ind'l
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.5
–1
–1
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
200
220
40
2.2
–0.5
–1
–1
马克斯。
7C1041B-15
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
190
210
40
2.2
–0.5
–1
–1
马克斯。
7C1041B-17
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
180
200
40
马克斯。
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
I
SB2
3
-
-
3
0.5
6
3
0.5
6
mA
mA
mA
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2. T
A
是的情况下的温度。
文件编号： 38-05142修订版**
第11 2
CY7C1041B
电气特性
在工作范围（续）
测试条件
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
I
SB2
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
Com'l
Com'l
Ind'l
L
Com'l
Ind'l
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.5
–1
–1
7C1041B-20
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
170
190
40
2.2
–0.5
–1
–1
马克斯。
7C1041B-25
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
160
180
40
马克斯。
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
3
0.5
6
3
0.5
6
mA
mA
mA
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
I / O容量
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(a)
相当于：
R2
255
R1 481
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(b)
R2
255
GND
≤
3纳秒
R1 481
3.0V
所有的输入脉冲
90%
10%
90%
10%
≤
3纳秒
戴维南等效
167
1.73V
产量
注意：
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05142修订版**
第11 3
CY7C1041B
开关特性
[4]
在整个工作范围
7C1041B-12
参数
读周期
t
动力
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
t
BW
V
CC
（典型值）的第一接入
[5]
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[6, 7]
CE低到低Z
[7]
CE高到高阻
[6, 7]
CE为低电时
CE高到掉电
字节使能到数据有效
字节使能以低Z
字节禁止以高Z
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[7]
WE低到高Z
[6, 7]
字节使能，以结束写的
10
12
10
10
0
0
10
7
0
3
6
12
0
6
15
12
12
0
0
12
8
0
3
7
12
0
12
6
0
7
17
14
14
0
0
14
8
0
3
7
3
6
0
15
7
0
7
0
6
3
7
0
17
7
3
12
6
0
7
3
7
1
12
12
3
15
7
0
7
1
15
15
3
17
7
1
17
17
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
7C1041B-15
分钟。
马克斯。
7C1041B-17
分钟。
马克斯。
单位
写周期
[8, 9]
注意事项：
4.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
5.这部分有一个电压调节器，它由5V电压降压至3.3V内部。吨
动力
时，必须首先提供一个读/写操作是前
开始。
6. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。转变是从稳态电压测量± 500 mV的。
7.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
8.存储器的内部写入时间由CE低的重叠所定义，和WE为低电平。 CE和我们必须低到开始写，而无论这些过渡
信号可以终止写入。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
9.最小写入周期时间为写周期第3号（WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05142修订版**
第11 4
1CY7C1041B
CY7C1041B
256K ×16静态RAM
特点
高速
—
t
AA
= 12 ns的
低有功功率
—
1540毫瓦（最大）
CMOS低待机功耗（L版）
—
2.75毫瓦（最大）
2.0V数据保留（ 400
W
在2.0V保留）
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
易于内存扩展CE和OE特点
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
17
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
17
).
从设备读通过取芯片恩完成
能（ CE）和输出使能（ OE ）低，而强迫写
使能（WE ）高。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则
从由地址引脚指定的存储单元的数据
将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）低，
再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。见
在此数据表的背面为一个完整的descrip-真值表
化的读写模式。
的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平）时， BHE和BLE
禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写操作（ CE过程
低电平和WE为低电平） 。
该CY7C1041B可在一个标准的44针
400密耳宽体宽SOJ和44引脚TSOP II封装
与中心的供电和接地（革命）的引脚。
功能说明
该CY7C1041B是一个高性能的CMOS静态RAM或 -
由16位ganized为262,144字。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，是
逻辑框图
输入缓冲器
引脚配置
SOJ
TSOP II
顶视图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
256K ×16
ARRAY
1024 x 4096
I / O
0
- I / O
7
I / O
8
- I / O
15
COLUMN
解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
1041B–1
A
17
A
16
A
15
OE
BHE
BLE
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
V
SS
V
CC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
NC
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
1041B–2
行解码器
选购指南
7C1041B-12
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ） Com'l
Ind'l
最大的CMOS待机电流Com'l
（MA ）
Com'l
Ind'l
L
12
200
220
3
-
-
7C1041B-15
15
190
210
3
0.5
6
7C1041B-17
17
180
200
3
0.5
6
7C1041B-20
20
170
190
3
0.5
6
7C1041B-25
25
160
180
3
0.5
6
赛普拉斯半导体公司
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
检测放大器
3901北一街
圣荷西
CA 95134
408-943-2600
2001年3月23日
CY7C1041B
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度-65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用- 55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
-0.5V到V
CC
+ 0.5V
[1]
直流输入电压
[1]
-0.5V到V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） 20毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
[2]
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
5V
±
0.5
电气特性
在整个工作范围
7C1041B-12
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
Com'l
Com'l
Ind'l
L
Com'l
Ind'l
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.5
–1
–1
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
200
220
40
2.2
–0.5
–1
–1
马克斯。
7C1041B-15
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
190
210
40
2.2
–0.5
–1
–1
马克斯。
7C1041B-17
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
180
200
40
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
I
SB2
3
-
-
3
0.5
6
3
0.5
6
mA
mA
mA
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2. T
A
是的情况下的温度。
2
CY7C1041B
电气特性
在工作范围（续）
测试条件
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
Com'l
Com'l
Ind'l
L
Com'l
Ind'l
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.5
–1
–1
7C1041B-20
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
170
190
40
2.2
–0.5
–1
–1
马克斯。
7C1041B-25
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
160
180
40
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
I
SB2
3
0.5
6
3
0.5
6
mA
mA
mA
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
I / O容量
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(a)
R2
255
R1 481
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(b)
R2
255
GND
≤
3纳秒
R1 481
所有的输入脉冲
3.0V
90%
10%
90%
10%
≤
3纳秒
1041B–3
1041B–4
相当于：
戴维南等效
167
1.73V
产量
注意：
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
3
CY7C1041B
开关特性
[4]
在整个工作范围
7C1041B-12
参数
读周期
t
动力
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
t
BW
V
CC
（典型值）的第一接入
[5]
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高来高
Z
[6, 7]
3
6
0
12
6
0
6
12
10
10
0
0
10
7
0
3
6
10
12
15
12
12
0
0
12
8
0
3
7
12
0
7
17
14
14
0
0
14
8
0
3
7
0
15
7
0
7
CE低到低Z
[7]
CE高到高阻
[6, 7]
CE为低电时
CE高到掉电
字节使能到数据有效
字节使能以低Z
字节禁止以高Z
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[7]
WE低到高Z
[6, 7]
字节使能，以结束写的
0
6
3
7
0
17
7
3
12
6
0
7
3
7
1
12
12
3
15
7
0
7
1
15
15
3
17
7
1
17
17
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
7C1041B-15
分钟。
马克斯。
7C1041B-17
分钟。
马克斯。
单位
写周期
[8, 9]
注意事项：
4.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
5.这部分有一个电压调节器，它由5V电压降压至3.3V内部。吨
动力
时，必须在读/写操作前初始提供
被启动。
6. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
7.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
8.存储器的内部写入时间由CE低的重叠所定义，和WE为低电平。 CE和我们必须低到开始写，并任过渡
这些信号可以终止写操作。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
9.最小写入周期时间为写周期第3号（WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
4
QQ：2880707522 复制
