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CEM4269
双增强模式场效应晶体管( N和P沟道)
特点
40V , 6.1A ,R
DS ( ON)
= 32mΩ @V
GS
= 10V.
R
DS ( ON)
= 46mΩ @V
GS
= 4.5V.
-40V , -5.2A ,R
DS ( ON)
= 43mΩ @V
GS
= 10V.
R
DS ( ON)
= 65mΩ @V
GS
= 4.5V.
超级高密度电池设计极低R
DS ( ON)
.
高功率和电流移交能力。
被收购无铅产品。
表面贴装封装。
SO-8
1
1
S
1
2
G
1
3
S
2
4
G
2
D
1
8
D
1
7
D
2
6
D
2
5
5
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
漏电流脉冲
a
最大功率耗散
T
A
=25 C
T
A
=70 C
操作和存储温度范围
T
A
=25 C
T
A
=70 C
T
A
= 25°C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
,T
英镑
通道1
40
通道2
-40
单位
V
V
A
±
20
6.1
4.9
20
2.0
1.28
-55到150
±
20
-5.2
-4.2
-20
W
C
热特性
参数
热阻,结到环境
b
符号
R
θJA
极限
62.5
单位
C / W
规格及数据如有更改,恕不另行通知。
1
修订版1 2006.April
http://www.cetsemi.com
CEM4269
N沟道电气特性
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流,正向
门体漏电流,反向
基本特征
静态漏源
导通电阻
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源二极管的正向电流
b
漏源二极管的正向电压
c
d
d
c
T
A
= 25°C除非另有说明
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250A
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
GS
= -20V, V
DS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ,我
D
= 6A
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 5A
V
DS
= 5V ,我
D
= 6A
3
1050
155
95
14
V
DD
= 20V ,我
D
= 6A,
V
GS
= 10V ,R
=3
10
17
18
V
DS
= 20V ,我
D
= 6A,
V
GS
= 10V
20.5
3.5
4.0
1.0
V
GS
= 0V时,我
S
= 1.0A
1.0
30
20
35
35
27
1
40
1
100
-100
3
32
46
典型值
最大
单位
V
A
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
nA
nA
V
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
A
V
栅极阈值电压
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V,
F = 1.0 MHz的
漏源二极管特性及最大额定值
注意事项:
a.Repetitive评级:脉冲宽度有限的最高结温。
b.Surface安装在FR4板,T < 10秒。
c.Pulse测试:脉冲宽度< 300μS ,占空比< 2 % 。
设计d.Guaranteed ,不受生产测试。
2
CEM4269
P沟道电气特性
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流,正向
门体漏电流,反向
基本特征
静态漏源
导通电阻
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源二极管的正向电流
b
漏源二极管的正向电压
c
d
d
c
T
A
= 25°C除非另有说明
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
= -250A
V
DS
= -40V, V
GS
= 0V
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
GS
= -20V, V
DS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= -250A
V
GS
= -10V ,我
D
= -5A
V
GS
= -4.5V ,我
D
= -2A
V
DS
= -5V ,我
D
= -4.8A
3
1115
205
120
12
V
DD
= -20V ,我
D
= -5A,
V
GS
= -10V ,R
= 3
5
40
10
V
DS
= -20V ,我
D
= -5A,
V
GS
= -10V
20
3.3
4.1
-1.0
V
GS
= 0V时,我
S
= -1.0A
-1.0
25
10
80
20
26
-1
-40
-1
100
-100
-3
43
65
典型值
最大
单位
V
A
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
nA
nA
V
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
A
V
栅极阈值电压
V
DS
= -20V, V
GS
= 0V,
F = 1.0 MHz的
漏源二极管特性及最大额定值
注意事项:
a.Repetitive评级:脉冲宽度有限的最高结温。
b.Surface安装在FR4板,T < 10秒。
c.Pulse测试:脉冲宽度< 300μS ,占空比< 2 % 。
设计d.Guaranteed ,不受生产测试。
3
CEM4269
N沟道
30
V
GS
=10,5V
V
GS
=4.5V
20
I
D
,漏电流( A)
I
D
,漏电流( A)
24
16
18
V
GS
=4.0V
12
12
5
25 C
8
6
4
T
J
=125 C
-55 C
V
GS
=3.5V
0
0
1
2
3
4
0
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.输出特性
R
DS (ON ) ,
R
DS ( ON)
,导通电阻(欧姆)
1500
1250
2.2
1.9
1.6
1.3
1.0
0.7
0.4
-100
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图2.传输特性
I
D
=6A
V
GS
=10V
C,电容(pF )
西塞
1000
750
500
250
0
0
CRSS
5
10
15
20
25
科斯
-50
0
50
100
150
200
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图3.电容
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
T
J
,结温( C)
图4.导通电阻变化
随温度
V
GS
=0V
1
V
TH
归一化
门源阈值电压
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
I
S
,源极 - 漏极电流( A)
25
50
75
100
125
150
10
10
0
10
-25
0
-1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
T
J
,结温( C)
图5.门阈值变化
随温度
V
SD
,体二极管正向电压( V)
图6.体二极管正向电压
变化与源电流
4
CEM4269
P沟道
30
-V
GS
=10,6,5V
-V
GS
=4.5V
25
-I
D
,漏电流( A)
24
-V
GS
=4.0V
-I
D
,漏电流( A)
20
18
15
12
-V
GS
=3.5V
6
-V
GS
=3.0V
0
0
1
2
3
4
5
10
25 C
5
T
J
=125 C
0
1
2
3
4
5
-55 C
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7.输出特性
R
DS (ON ) ,
R
DS ( ON)
,导通电阻(欧姆)
1500
1250
1000
750
500
250
0
0
CRSS
5
10
15
20
25
30
科斯
2.2
1.9
1.6
1.3
1.0
0.7
0.4
-100
-V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图8.传热特性
I
D
=-5A
V
GS
=-10V
C,电容(pF )
西塞
-50
0
50
100
150
200
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图9.电容
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
T
J
,结温( C)
图10.导通电阻变化
随温度
-I
S
,源极 - 漏极电流( A)
V
GS
=0V
1
V
TH
归一化
门源阈值电压
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
10
10
0
10
-25
0
25
50
75
100
125
150
-1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
T
J
,结温( C)
图11.栅极阈值变化
随温度
-V
SD
,体二极管正向电压( V)
图12.体二极管正向电压
变化与源电流
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CEM4269
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CEM4269
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地址:深圳市福田区中航路都会大厦B座23X
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