CEM4269
N沟道电气特性
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流,正向
门体漏电流,反向
基本特征
静态漏源
导通电阻
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源二极管的正向电流
b
漏源二极管的正向电压
c
d
d
c
T
A
= 25°C除非另有说明
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250A
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
GS
= -20V, V
DS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ,我
D
= 6A
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 5A
V
DS
= 5V ,我
D
= 6A
3
1050
155
95
14
V
DD
= 20V ,我
D
= 6A,
V
GS
= 10V ,R
根
=3
10
17
18
V
DS
= 20V ,我
D
= 6A,
V
GS
= 10V
20.5
3.5
4.0
1.0
V
GS
= 0V时,我
S
= 1.0A
1.0
30
20
35
35
27
1
民
40
1
100
-100
3
32
46
典型值
最大
单位
V
A
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
nA
nA
V
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
A
V
栅极阈值电压
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V,
F = 1.0 MHz的
漏源二极管特性及最大额定值
注意事项:
a.Repetitive评级:脉冲宽度有限的最高结温。
b.Surface安装在FR4板,T < 10秒。
c.Pulse测试:脉冲宽度< 300μS ,占空比< 2 % 。
设计d.Guaranteed ,不受生产测试。
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CEM4269
P沟道电气特性
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流,正向
门体漏电流,反向
基本特征
静态漏源
导通电阻
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源二极管的正向电流
b
漏源二极管的正向电压
c
d
d
c
T
A
= 25°C除非另有说明
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
= -250A
V
DS
= -40V, V
GS
= 0V
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
GS
= -20V, V
DS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= -250A
V
GS
= -10V ,我
D
= -5A
V
GS
= -4.5V ,我
D
= -2A
V
DS
= -5V ,我
D
= -4.8A
3
1115
205
120
12
V
DD
= -20V ,我
D
= -5A,
V
GS
= -10V ,R
根
= 3
5
40
10
V
DS
= -20V ,我
D
= -5A,
V
GS
= -10V
20
3.3
4.1
-1.0
V
GS
= 0V时,我
S
= -1.0A
-1.0
25
10
80
20
26
-1
民
-40
-1
100
-100
-3
43
65
典型值
最大
单位
V
A
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
nA
nA
V
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
A
V
栅极阈值电压
V
DS
= -20V, V
GS
= 0V,
F = 1.0 MHz的
漏源二极管特性及最大额定值
注意事项:
a.Repetitive评级:脉冲宽度有限的最高结温。
b.Surface安装在FR4板,T < 10秒。
c.Pulse测试:脉冲宽度< 300μS ,占空比< 2 % 。
设计d.Guaranteed ,不受生产测试。
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