CY7C1020DV33
512K （ 32K ×16 ）静态RAM
特点
与CY7C1020CV33引脚和功能兼容
高速
— t
AA
= 10纳秒
低有功功率
— I
CC
= 60毫安， 10纳秒
CMOS低待机功耗
— I
SB2
= 3毫安
2.0V数据保留
取消时自动断电
CMOS的最佳速度/功耗
高位和低位的独立控制
可提供无铅44引脚400密耳宽模压SOJ和
44引脚TSOP II封装
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
14
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
14
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平）时， BHE和BLE
禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写操作（ CE过程
低电平和WE为低电平） 。
该CY7C1020DV33提供无铅44引脚400密耳
全模压SOJ和44引脚TSOP II封装。
功能说明
[1]
该CY7C1020DV33是一个高性能的CMOS静态
RAM （16位）组织为32,768字。此设备具有
自动断电功能，可显著降低
功耗取消的时候。
逻辑框图
引脚配置
[2]
SOJ / TSOP II
顶视图
NC
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
4
A
14
A
13
A
12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
V
SS
V
CC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
NC
数据驱动因素
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
32K ×16
RAM阵列
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
笔记
1.对于SRAM的系统设计指南，请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记，在互联网上提供的www.cypress.com
2. NC引脚未连接的芯片。
A
14
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05461牧师* F
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的二○一○年十二月一十四日
[+ ]反馈
CY7C1020DV33
选购指南
-10 （工业）
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
10
60
3
-12 （汽车）
[3]
12
100
15
单位
ns
mA
mA
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[4]
.... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[4]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[4]
.................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压........................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安
工作范围
范围
产业
汽车
环境
温度
-40°C至+ 85°C
-40°C至+ 125
V
CC
3.3V
0.3V
速度
10纳秒
12纳秒
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[4]
输入负载电流
输出漏电流
V
CC
操作
电源电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
100兆赫
83兆赫
66兆赫
40 MHZ
I
SB1
I
SB2
自动CE掉电最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
目前-TTL输入
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
自动CE掉电最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
目前， CMOS输入
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.0
0.3
1
1
-10 （工业）
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
60
55
45
30
10
3
2.0
0.3
1
1
马克斯。
-12 （汽车）
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
-
100
90
60
50
15
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
笔记
3.汽车产品信息是初步。
4. V
IL
（分） = -2.0V和V
IH
（MAX） = V
CC
+ 1V为小于5纳秒的脉冲持续时间。
文件编号： 38-05461牧师* F
第12页2
[+ ]反馈
CY7C1020DV33
电容
[5]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 3.3V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
热阻
[5]
参数
JA
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
四层印刷电路板
SOJ
59.52
36.75
TSOP II
53.91
21.24
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
[6]
Z = 50
产量
50
*容性负载由
的的所有组件
测试环境
1.5V
3.0V
所有的输入脉冲
90%
10%
90%
10%
30 pF的*
GND
上升时间： 1 V / ns的
(a)
(b)
下降时间： 1 V / ns的
高阻抗特性：
R 317
3.3V
产量
5 pF的
R2
351
(c)
笔记
5.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
6. AC特性（除了高Z ）是使用在图（一）所示的负载条件下测试。高阻抗特性进行了测试使用的测试负载的所有速度
如图（ c）所示。
文件编号： 38-05461牧师* F
第12页3
[+ ]反馈
CY7C1020DV33
开关特性
在整个工作范围
[7]
参数
读周期
t
power[8]
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU[11]
t
PD[11]
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期
[12]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
t
BW
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
我们前高后低-Z
[9]
WE低到高-Z
[9, 10]
字节使能，以结束写的
7
10
8
8
0
0
7
5
0
3
5
8
12
9
9
0
0
8
6
0
3
6
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
CC
（典型值）的第一接入
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[9]
OE高来高-Z
[9, 10]
CE低到低Z
[9]
CE高来高-Z
[9, 10]
CE为低电时
CE高到掉电
字节使能到数据有效
字节使能为低-Z
字节禁止以高阻
0
5
0
10
5
0
6
3
5
0
12
6
0
5
3
6
3
10
5
0
6
100
10
10
3
12
6
100
12
12
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
-10 （工业）
分钟。
马克斯。
-12 （汽车）
分钟。
马克斯。
单位
笔记
7.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V 。
8. t
动力
给时间的电源应该是在典型的V ，该最小量
CC
值，直到所述第一存储器存取能够进行
9. t
HZOE
, t
HZBE
, t
HZCE
和叔
HZWE
采用5 pF的负载电容被指定为在交流测试负载（ c）所示。当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
10.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
11.此参数由设计保证，未经测试。
内存12.内部写入时间由CE较低，我们LOW和BHE / BLE低的重叠定义。 CE， WE和BHE / BLE必须为低电平启动写和
这些信号的过渡可以终止写操作。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
文件编号： 38-05461牧师* F
第12页4
[+ ]反馈
CY7C1020DV33
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR的[5]
t
R[13]
V
CC
数据保持电流
V
CC
= V
DR
= 2.0V ， CE＆ GT ; V
CC
- 0.3V ，工业
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V
汽车
0
t
RC
描述
条件
分钟。
2.0
3
15
马克斯。
单位
V
mA
mA
ns
ns
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
CE
3.0V
t
CDR
V
DR
＆ GT ;
2V
3.0V
t
R
开关波形
读周期第1号（地址转换控制）
[14, 15]
t
RC
RC
地址
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
t
AA
数据有效
读周期2号（ OE控制）
[15, 16]
地址
t
RC
CE
t
ACE
OE
t
美国能源部
BHE ， BLE
t
LZOE
t
DBE
t
LZBE
数据输出
V
CC
供应
当前
高阻抗
t
LZCE
t
PU
50%
数据有效
t
PD
50%
t
HZCE
t
HZBE
t
HZOE
高
阻抗
I
CC
I
SB
注意事项：
13.全面的设备运行需要的线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 50
s
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ; 50
s.
14.设备不断选择。 OE ， CE， BHE和/或BLE = V
IL
.
15.我们是高读周期。
16.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
文件编号： 38-05461牧师* F
第12页5
[+ ]反馈
CY7C1020DV33
512K （ 32K ×16 ）静态RAM
特点
与CY7C1020CV33引脚和功能兼容
高速
— t
AA
= 10纳秒
低有功功率
— I
CC
= 60毫安， 10纳秒
CMOS低待机功耗
— I
SB2
= 3毫安
2.0V数据保留
取消时自动断电
CMOS的最佳速度/功耗
高位和低位的独立控制
可提供无铅44引脚400密耳宽模压SOJ和
44引脚TSOP II封装
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
14
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
14
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平）时， BHE和BLE
禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写操作（ CE过程
低电平和WE为低电平） 。
该CY7C1020DV33提供无铅44引脚400密耳
全模压SOJ和44引脚TSOP II封装。
功能说明
[1]
该CY7C1020DV33是一个高性能的CMOS静态
RAM （16位）组织为32,768字。此设备具有
自动断电功能，可显著降低
功耗取消的时候。
逻辑框图
引脚配置
[2]
SOJ / TSOP II
顶视图
数据驱动因素
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
32K ×16
RAM阵列
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
NC
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
4
A
14
A
13
A
12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
V
SS
V
CC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
NC
行解码器
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
笔记
1.对于SRAM的系统设计指南，请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记，在互联网上提供的www.cypress.com
2. NC引脚未连接的芯片。
A
14
检测放大器
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05461牧师* D
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年11月8日
[+ ]反馈
CY7C1020DV33
选购指南
-10 （工业）
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
10
60
3
-12 （汽车）
[3]
12
100
15
单位
ns
mA
mA
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[4]
.... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[4]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[4]
.................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压........................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安
工作范围
范围
产业
汽车
环境
温度
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
V
CC
3.3V
±
0.3V
速度
10纳秒
12纳秒
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[4]
输入负载电流
输出漏电流
V
CC
操作
电源电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
100兆赫
83兆赫
66兆赫
40 MHZ
I
SB1
I
SB2
自动CE掉电最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
目前-TTL输入
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
自动CE掉电最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
目前， CMOS输入
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.0
0.3
1
1
-10 （工业）
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
60
55
45
30
10
3
2.0
0.3
1
1
马克斯。
-12 （汽车）
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
-
100
90
60
50
15
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
笔记
3.汽车产品信息是初步。
4. V
IL
（分） = -2.0V和V
IH
（MAX） = V
CC
+ 1V为小于5纳秒的脉冲持续时间。
文件编号： 38-05461牧师* D
第10 2
[+ ]反馈
CY7C1020DV33
电容
[5]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 3.3V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
热阻
[5]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
四层印刷电路板
SOJ
59.52
36.75
TSOP II
53.91
21.24
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
[6]
3.0V
90%
50
*容性负载由
的的所有组件
测试环境
1.5V
上升时间： 1 V / ns的
所有的输入脉冲
90%
10%
10%
Z = 50
产量
30 pF的*
GND
(a)
(b)
下降时间： 1 V / ns的
高阻抗特性：
R 317
3.3V
产量
5 pF的
R2
351
(c)
笔记
5.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
6. AC特性（除了高Z ）是使用在图（一）所示的负载条件下测试。高阻抗特性进行了测试使用的测试负载的所有速度
如图（ c）所示。
文件编号： 38-05461牧师* D
第10 3
[+ ]反馈
CY7C1020DV33
开关特性
在整个工作范围
[7]
参数
读周期
t
power[8]
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU[11]
t
PD[11]
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期
[12]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
t
BW
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
我们前高后低-Z
[9]
WE低到高-Z
[9, 10]
字节使能，以结束写的
7
10
8
8
0
0
7
5
0
3
5
8
12
9
9
0
0
8
6
0
3
6
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
CC
（典型值）的第一接入
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[9]
OE高来高-Z
[9, 10]
CE低到低Z
[9]
CE高来高-Z
[9, 10]
CE为低电时
CE高到掉电
字节使能到数据有效
字节使能为低-Z
字节禁止以高阻
0
5
0
10
5
0
6
3
5
0
12
6
0
5
3
6
3
10
5
0
6
100
10
10
3
12
6
100
12
12
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
-10 （工业）
分钟。
马克斯。
-12 （汽车）
分钟。
马克斯。
单位
笔记
7.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V 。
8. t
动力
给时间的电源应该是在典型的V ，该最小量
CC
值，直到所述第一存储器存取能够进行
9. t
HZOE
, t
HZBE
, t
HZCE
和叔
HZWE
采用5 pF的负载电容被指定为在交流测试负载（ c）所示。当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
10.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
11.此参数由设计保证，未经测试。
内存12.内部写入时间由CE较低，我们LOW和BHE / BLE低的重叠定义。 CE， WE和BHE / BLE必须为低电平启动写和
这些信号的过渡可以终止写操作。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
文件编号： 38-05461牧师* D
第10 4
[+ ]反馈
CY7C1020DV33
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR的[5]
t
R[13]
V
CC
数据保持电流
V
CC
= V
DR
= 2.0V ， CE＆ GT ; V
CC
- 0.3V ，工业
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V
汽车
0
t
RC
描述
条件
分钟。
2.0
3
15
马克斯。
单位
V
mA
mA
ns
ns
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
3.0V
t
CDR
CE
V
DR
＆ GT ;
2V
3.0V
t
R
开关波形
读周期第1号（地址转换控制）
[14, 15]
t
RC
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
读周期2号（ OE控制）
[15, 16]
地址
t
RC
CE
t
ACE
OE
t
美国能源部
BHE ， BLE
t
LZOE
t
DBE
t
LZBE
数据输出
V
CC
供应
当前
高阻抗
t
LZCE
t
PU
50%
t
HZCE
t
HZBE
数据有效
t
PD
50%
I
CC
I
SB
t
HZOE
高
阻抗
注意事项：
13.全面的设备运行需要的线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 50
s
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ; 50
s.
14.设备不断选择。 OE ， CE， BHE和/或BLE = V
IL
.
15.我们是高读周期。
16.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
文件编号： 38-05461牧师* D
第10个5
[+ ]反馈
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