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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1264页 > CEP75N10
N沟道增强型网络场效晶体管
特点
100V , 72A ,R
DS ( ON)
= 13mΩ @V
GS
= 10V.
超级高密度电池设计极低R
DS ( ON)
.
高功率和电流移交能力。
被收购无铅产品。
的TO-220 &的TO- 263封装。
CEP75N10/CEB75N10
初步
D
D
G
G
D
S
S
CEB系列
TO-263(DD-PAK)
G
CEP系列
TO-220
S
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续@ T
C
= 25 C
漏电流连续@ T
C
= 100 C
漏电流脉冲
a
TC = 25℃ ,除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
E
AS
I
AS
T
J
,T
英镑
极限
100
单位
V
V
A
A
A
W
W / C
mJ
A
C
±
20
72
51
250
100
0.66
152
40
-55至175
最大功率耗散@ T
C
= 25 C
- 减免上述25℃
单脉冲雪崩能量
d
单脉冲雪崩电流
d
操作和存储温度范围
热特性
参数
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
符号
R
θJC
R
θJA
极限
1.5
62.5
单位
C / W
C / W
这是在开发新产品的初步信息了。
详细信息如有变更,恕不另行通知。
1
修订版1 2010.May
http://www.cetsemi.com
CEP75N10/CEB75N10
电气特性
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流,正向
门体漏电流,反向
基本特征
静态漏源
导通电阻
动态特性
c
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
b
c
b
TC = 25℃ ,除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
V
GS
= 0V时,我
S
= 25A
V
DS
= 80V ,我
D
= 70A,
V
GS
= 10V
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250A
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
GS
= -20V, V
DS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ,我
D
= 25A
2
10
100
1
100
-100
4
13
典型值
最大
单位
V
A
nA
nA
V
m
栅极阈值电压
V
DS
= 25V ,我
D
= 25A
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0 MHz的
21
3310
280
135
27
12
65
17
72
13
30
72
1.3
54
24
130
34
94
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
A
V
V
DD
= 50V ,我
D
= 30A,
V
GS
= 10V ,R
= 5.6
漏源二极管特性及最大额定值
注意事项:
a.Repetitive评级:脉冲宽度有限的最高结温
b.Pulse测试:脉冲宽度< 300μS ,占空比< 2 % 。
设计c.Guaranteed ,不受生产测试。
D.L = 190μH ,我
AS
= 40A ,V
DD
= 24V ,R
G
= 25Ω ,起始物为
J
= 25 C
2
CEP75N10/CEB75N10
30
25
20
15
10
5
0
V
GS
=10,9,8,7,6V
140
25 C
I
D
,漏电流( A)
I
D
,漏电流( A)
V
GS
=5V
105
70
V
GS
=4V
35
T
J
=125 C
-55 C
0
1
2
3
4
5
6
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.输出特性
4800
4000
3200
2400
1600
800
0
CRSS
0
5
10
15
科斯
20
25
2.6
2.2
1.8
1.4
1.0
0.6
0.2
-100
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图2.传输特性
I
D
=25A
V
GS
=10V
C,电容(pF )
西塞
R
DS (ON ) ,
R
DS ( ON)
,导通电阻(欧姆)
-50
0
50
100
150
200
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图3.电容
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
V
DS
=V
GS
T
J
,结温( C)
图4.导通电阻变化
随温度
I
S
,源极 - 漏极电流( A)
V
GS
=0V
V
TH
归一化
门源阈值电压
I
D
=250A
10
1
10
0
-25
0
25
50
75
100
125
150
10
-1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
T
J
,结温( C)
图5.门阈值变化
随温度
V
SD
,体二极管正向电压( V)
图6.体二极管正向电压
变化与源电流
3
CEP75N10/CEB75N10
V
GS
,门源电压( V)
10
8
6
4
2
0
V
DS
=80V
I
D
=70A
10
3
R
DS ( ON)
极限
I
D
,漏电流( A)
10
2
100ms
1ms
10
1
10ms
DC
T
C
=25 C
T
J
=175 C
单脉冲
10
-1
0
20
40
60
80
10
0
10
0
10
1
10
2
QG ,总栅极电荷( NC)
图7.栅极电荷
V
DD
t
on
V
IN
V
GS
R
G
R
L
D
V
OUT
t
D(上)
V
OUT
10%
V
DS
,漏源电压(V )
图8.最大安全
工作区
t
关闭
t
r
90%
t
D(关闭)
90%
10%
t
f
90%
S
V
IN
50%
10%
50%
脉冲宽度
图9.开关测试电路
图10.开关波形
R(T ) ,归一化有效
瞬态热阻抗
10
0
D=0.5
0.2
10
-1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P
DM
t
1
t
2
10
-2
1. R
θJC
(吨) = R (t)的R *
θJC
2. R
θJC
=请查阅技术资料
3. T
JM-
T
C
= P * R
θJC
(t)
4.占空比D = T1 / T2
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
方波脉冲持续时间(毫秒)
图11.归瞬态热阻抗曲线
4
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地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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CET/華瑞
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