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CY7C1019CV33
1兆位( 128千× 8 )静态RAM
1兆位( 128千× 8 )静态RAM
特点
功能说明
该CY7C1019CV33是一种高性能的CMOS静态RAM
由8位, 131,072字。易内存扩展
由低电平有效的芯片提供使能(CE ) ,有源低
输出使能( OE )和三态驱动器。此装置具有一
自动断电功能,可显著降低功耗
食用时取消。
写设备通过采取芯片使能完成( CE )
和写使能( WE)输入低电平。在8个I / O引脚的数据
( I / O
0
通过I / O
7
)然后被写入到指定的位置
地址引脚(A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片使能实现
( CE)和输出使能( OE )低,而强迫写使能
( WE) HIGH 。存储器的在这些条件下,将内容
由地址引脚指定的位置将显示在I / O引脚。
八个输入/输出引脚( I / O
0
通过I / O
7
)被放置在一个
当设备被取消( CE HIGH )高阻抗状态,
输出被禁用( OE高) ,或写操作过程中
( CE低, WE LOW ) 。
温度范围
工业: -40 ° C至85°C
汽车-A : -40 ° C至85°C
引脚和功能与CY7C1019BV33兼容
高速
t
AA
= 10纳秒
CMOS的最佳速度和力量
在2.0 V数据保留
中心电源/接地引出线
取消的时候自动断电
易内存扩展CE和OE选项
可提供无铅32引脚TSOP II封装
逻辑框图
I / O
输入缓冲器
0
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
I / O
行解码器
1
2
I / O
检测放大器
128K ×8
ARRAY
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
3
4
5
CE
WE
OE
COLUMN
解码器
动力
6
7
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 38-05130牧师* K
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2011年6月8日
[+ ]反馈
CY7C1019CV33
目录
选型指南................................................ ................ 3
引脚配置................................................ ............. 3
最大额定值................................................ ............. 4
经营范围................................................ ............... 4
电气特性................................................ 4
电容................................................. ..................... 4
交流测试负载和波形....................................... 5
开关特性................................................ 6
开关波形................................................ ...... 7
真值表................................................ ........................ 9
订购信息................................................ ........ 9
订购代码定义........................................... 9
包图................................................ ............ 10
与缩略语................................................. ....................... 11
文档约定................................................ 11
计量单位............................................... ........ 11
文档历史记录页............................................... .. 12
销售,解决方案和法律信息...................... 13
全球销售和设计支持....................... 13
产品................................................. ................... 13
的PSoC解决方案................................................ ......... 13
文件编号: 38-05130牧师* K
分页: 13 2
[+ ]反馈
CY7C1019CV33
选购指南
描述
最大访问时间
最大工作电流
最大待机电流
-10 (工业/
自动-A )
10
80
5
单位
ns
mA
mA
引脚配置
图1. 32针TSOP II (顶视图)
[1]
A
0
A
1
A
2
A
3
CE
I / O
0
I / O
1
V
CC
V
SS
I / O
2
I / O
3
WE
A
4
A
5
A
6
A
7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A
16
A
15
A
14
A
13
OE
I / O
7
I / O
6
V
SS
V
CC
I / O
5
I / O
4
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
1. NC引脚没有连接上模具。
文件编号: 38-05130牧师* K
第13 3
[+ ]反馈
CY7C1019CV33
最大额定值
超出最大额定值可能损害的使用寿命
装置。这些用户指导未经测试。
存储温度............................... -65 ° C至+150°C
环境温度与
电源应用......................................... -55°C至+ 125 ℃,
电源电压上
V
CC
以相对GND
[2]
................................- 0.5 V至4.6 V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[2]
................................. -0.5 V到V
CC
+ 0.5 V
DC输入
电压
[2]
............................. -0.5 V到V
CC
+ 0.5 V
目前进入输出( LOW ) ........................................ 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
(每MIL -STD -883方法3015 )
闩锁电流............................................... ...... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
汽车-A
环境温度
0 ° C至+ 70°C
–40
C
+85
C
–40
C
+85
C
V
CC
3.3 V
10%
3.3 V
10%
3.3 V
10%
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
I
SB2
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[2]
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源电流
CE自动断电
目前-TTL输入
CE自动断电
目前-CMOS输入
GND < V
I
& LT ; V
CC
GND < V
I
& LT ; V
CC
,输出禁用
V
CC
=最大,我
OUT
= 0 mA时,女= F
最大
= 1/t
RC
MAX V
CC
, CE& GT ; V
IH
,
V
IN
& GT ; V
IH
或V
IN
& LT ; V
IL
, f = f
最大
MAX V
CC
, CE& GT ; V
CC
– 0.3 V,
V
IN
& GT ; V
CC
- 0.3 V或V
IN
< 0.3 V , F = 0
测试条件
V
CC
=最小,我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小,我
OL
= 8.0毫安
-10 (工业/自动-A )
2.4
2.0
–0.3
–1
–1
最大
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
80
15
5
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
电容
参数
[3]
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C,F = 1兆赫,V
CC
= 5.0 V
最大
8
8
单位
pF
pF
笔记
2. V
IL
(分钟)= -2.0 V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
3.测试开始后任何设计或工艺变化,可能会影响这些参数。
文件编号: 38-05130牧师* K
第13 4
[+ ]反馈
CY7C1019CV33
交流测试负载和波形
图2.交流测试负载和波形
[4]
3.3 V
产量
30 pF的
R2 GND
351
R 317
3.0 V
所有的输入脉冲
90%
10%
90%
10%
高阻抗特性:
3.3 V
产量
5 pF的
R2
351
R 317
(a)
上升时间: 1 V / ns的
(b)
下降时间: 1 V / ns的
(c)
4. AC特性(除高Z)的所有速度都在使用部分中所示的戴维南负载测试(一)
图2中。
高阻抗特性进行测试,以便所有速度
使用在第(c)所示,在试验负荷
图2中。
文件编号: 38-05130牧师* K
第13个5
[+ ]反馈
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