07B
CY7C107B
CY7C1007B
1M ×1静态RAM
特点
高速
— t
AA
= 12 ns的
CMOS的最佳速度/功耗
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
写入设备被以芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。输入引脚上的数据
(D
IN
）写入到在AD-指定的存储单元
礼服销（A
0
至A
19
).
从设备读入通过取片烯实现
能（ CE）低，而写使能（ WE）仍然很高。下
这些条件下，所述存储器单元的内容试样
田间由地址引脚将出现在数据输出（D
OUT
)
引脚。
输出引脚（D
OUT
）被置于高阻抗状态
当取消选择器件（CE高电平）或写操作期间
操作（ CE和WE LOW ） 。
该CY7C107B是在一个标准的400密耳范围内的SOJ可用;
该CY7C1007B可在一个标准的300密耳宽SOJ 。
功能说明
该CY7C107B和CY7C1007B是高性能
CMOS静态RAM， 1位组织为1,048,576字。
容易记忆膨胀是由一个低有效芯片提供
使能（ CE）和三态驱动器。这些设备有一个
自动断电功能，可降低功率消耗
取消选择时，由65％以上和灰。
逻辑框图
D
IN
引脚配置
SOJ
顶视图
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
NC
A
16
A
17
A
18
A
19
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
输入缓冲器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
行解码器
512x2048
ARRA
Y
D
OUT
D
OUT
WE
GND
V
CC
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
NC
A
3
A
2
A
1
A
0
D
IN
CE
107B-2
COLUMN
解码器
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
A
19
动力
下
检测放大器
CE
WE
107B-1
选购指南
7C107B-12
7C1007B-12
12
90
2
7C107B-15
7C1007B-15
15
80
2
7C107B-20
7C1007B-20
20
75
2
7C107B-25
7C1007B-25
25
70
2
7C107B-35
7C1007B-35
35
60
2
最大访问时间（纳秒）
最大工作
电流（mA ）
最大的CMOS待机
目前SB2 （毫安）
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05030牧师**
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2001年9月7日
CY7C107B
CY7C1007B
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度
..................................... 65°C
至+ 150°C
环境温度与
电源应用................................................ ..
55°C
至+ 125°C
在V电源电压
CC
相对于GND
[1]
.....0.5V
至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
....................................... 0.5V
到V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[1]
.................................... 0.5V
到V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ........................................ 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
[2]
0 ° C至+ 70°C
40°C
至+ 85°C
V
CC
5V
±
10%
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
7C107B-12
7C1007B-12
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
描述
输出高
电压
输出低
电压
输入高
电压
输入低
电压
[1]
输入负载电流
输出漏
当前
输出短路
短路电流
[3]
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电
电流 - TTL输入
自动CE
掉电
电流 -
CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
,
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
,
f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或
V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
=
4.0
mA
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
0.3
1
–5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+
0.3
0.8
+1
+5
300
90
2.2
0.3
1
–5
马克斯。
7C107B-15
7C1007B-15
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+
0.3
0.8
+1
+5
300
80
2.2
0.3
1
–5
马克斯。
7C107B-20
7C1007B-20
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+
0.3
0.8
+1
+5
300
75
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
I
SB1
20
20
20
mA
I
SB2
2
2
2
mA
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2. T
A
是外壳温度的「即时」 。
3.不超过1输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
文件编号： 38-05030牧师**
第2 9
CY7C107B
CY7C1007B
电气特性
在工作范围（续）
7C107B-25
7C1007B-25
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
描述
输出高
电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
输出漏
当前
输出短路
短路电流
[3]
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电
目前-TTL输入
自动CE
掉电
目前， CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
,
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
,
f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或
V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
=
4.0
mA
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
0.3
1
5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+5
300
70
2.2
0.3
1
5
马克斯。
7C107B-35
7C1007B-35
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+5
300
60
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
I
SB1
20
20
mA
I
SB2
2
2
mA
电容
[4]
参数
C
IN
：地址
C
IN
：控制
C
OUT
输出电容
描述
输入电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
7
10
10
单位
pF
pF
pF
注意：
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05030牧师**
第3 9
CY7C107B
CY7C1007B
交流测试负载和波形
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(a)
R2
255
R1 480
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(b)
R2
255
R1 480
3.0V
GND
10%
≤
3纳秒
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
≤
3纳秒
107-4
107-3
相当于：
产量
戴维南等效
167
1.73V
开关特性
[5]
在整个工作范围
7C107B-12
7C1007B-12
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
读周期时间
地址到数据有效
从报告数据保持
变化
CE低到数据有效
CE低到低Z
[6]
CE高到高阻
[6, 7]
CE为低电时
CE高到掉电
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写
结束
从写地址保持
结束
地址建立撰写
开始
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[6]
WE低到高Z
[6, 7]
12
10
10
0
0
10
7
0
3
6
0
12
15
12
12
0
0
12
8
0
3
7
3
6
0
15
20
15
15
0
0
15
10
0
3
8
3
12
3
7
0
20
25
20
20
0
0
20
15
0
3
10
12
12
3
15
3
8
0
25
35
25
25
0
0
25
20
0
3
10
15
15
3
20
3
10
0
35
20
20
3
25
3
10
25
25
3
35
35
35
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
7C107B-15
7C1007B-15
分钟。
马克斯。
7C107B-20
7C1007B-20
分钟。
马克斯。
7C107B-25
7C1007B-25
分钟。
马克斯。
7C107B-35
7C1007B-35
分钟。
马克斯。
单位
写周期
[8]
注意事项：
5.试验条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
和T
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
7. t
HZCE
和T
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
8.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。 CE和我们必须低到开始写，和任何这些过渡
信号可以终止写入。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
文件编号： 38-05030牧师**
第4页第9
QQ：2881677436 复制
