CY62158DV30
的MoBL
8兆位（ 1024K ×8 ）的MoBL
静态RAM
特点
超高速： 45纳秒， 55纳秒和70纳秒
- 宽电压范围： 2.20V - 3.60V
超低有功功率
- 典型工作电流：1.5毫安， F = 1兆赫
- 典型工作电流： 12毫安@频率= F
最大
超低待机功耗
易于扩展内存与CE
1
,
CE
2
和OE
特点
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
采用48焊球BGA ，48引脚TSOPI提供的软件包，并
44引脚TSOPII
这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL
）在
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
还具有自动关机功能，可显著
降低功耗。该装置可被投入
待机模式下功耗降低时为85％
取消选择（ CE
1
高或CE
2
低） 。
写设备通过采取芯片使能1完成
（ CE
1
）和写使能（ WE）输入低电平，片选2
（ CE
2
）高。在8个I / O引脚的数据（I / O
0
通过I / O
7
）是
然后写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
19
).
从设备读通过取芯片完成
启用1 （ CE
1
）和输出使能（ OE ）低和芯片
启用2 （ CE
2
）高，同时迫使写使能（ WE） HIGH 。
存储器位置的在这些条件下，将内容
由地址引脚指定将显示在I / O引脚。
八个输入/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
1
LOW和CE
2
HIGH ）时，输出被禁用（ OE高） ，或
在写操作期间（CE
1
LOW和CE
2
高和WE
LOW ） 。见真情表中读取一个完整的描述
写模式。
功能说明
[1]
该CY62158DV30是一个高性能的CMOS静态RAM
由8位， 1024K的话。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低的工作电流。
逻辑框图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
CE
1
CE
2
WE
OE
数据驱动因素
I / O
0
I / O
1
行解码器
检测放大器
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
1024K ×8
ARRAY
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
注意：
1.为了达到最佳实践建议，请参考赛普拉斯应用笔记标题
系统设计指南，
可在http://www.cypress.com 。
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
A
19
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05391牧师* D
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2004年6月17日
[+ ]反馈
CY62158DV30
的MoBL
引脚配置
[2, 3, 4]
FBGA
顶视图
1
DNU
2
OE
3
A
0
A
3
A
5
A
17
DNU
A
14
A
12
A
9
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
6
CE
2
A
B
C
D
E
F
G
H
DNU DNU
I / O
0
V
SS
V
CC
I / O
3
DNU
A
18
A
48TSOPI
A
顶视图
DNU
I / O
1
I / O
2
DNU
NC
A
8
CE
1
DNU
DNU
I / O
5
I / O
6
DNU
WE
A
11
I / O
4
V
CC
V
SS
I / O
7
DNU
A
19
44 TSOPII
顶视图
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
DNU
WE
CE
2
DNU
DNU
DNU
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
字节
VSS
A19
I/O7
DNU
I/O6
DNU
I/O5
DNU
I/O4
VCC
DNU
I/O3
DNU
I/O2
DNU
I/O1
DNU
I/O0
OE
VSS
CE
1
A0
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
1
DNU
DNU
I / O
0
I / O
1
V
CC
V
SS
I / O
2
I / O
3
DNU
DNU
WE
A
19
A
18
A
17
A
16
A
15
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
5
A
6
A
7
OE
CE
2
A8
DNU
DNU
I / O
7
I / O
6
V
SS
V
CC
I / O
5
I / O
4
DNU
DNU
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
注意事项：
2. NC引脚内部没有连接到芯片。
3. DNU引脚必须悬空。
4.在TSOPI包字节引脚必须连接到低电平使用的设备为1M ×8 SRAM 。 48 TSOPI包也可以被用来作为一个512K ×16的SRAM
通过把该字节信号HIGH 。为512K ×16的功能，请参考CY62157DV30数据表。
文件编号： 38-05391牧师* D
第11 2
[+ ]反馈
CY62158DV30
的MoBL
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度.................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................... 55 ° C至+ 125°C
电源电压为地电位。 - 0.3V至V
CC（ MAX）的
+ 0.3V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[5, 6]
......................... -0.3V到V
CC（ MAX）的
+ 0.3V
直流输入电压
[5, 6]
..................... -0.3V到V
CC（ MAX）的
+ 0.3V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压............................................ >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ........ >200毫安
工作范围
产品
CY62158DV30L
CY62158DV30LL
范围
环境
温度
(T
A
)
V
CC
[7]
工业-40 ° C至+ 85°C 2.2V - 3.6V
产品组合
功耗
我的操作
CC
（MA ）
V
CC
范围（V ）
产品
CY62158DV30L
CY62158DV30LL
分钟。
2.2
2.2
典型值。
[8]
3.0
3.0
马克斯。
3.6
3.6
速度
（纳秒）
45,55,70
45,55,70
F = 1 MHz的
典型值。
[8]
1.5
1.5
马克斯。
3
3
f = f
最大
典型值。
[8]
12
12
马克斯。
20
15
待我
SB2
(A)
典型值。
[8]
2
2
马克斯。
20
8
电气特性
在整个工作范围
CY62158DV30
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IIL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源
当前
I
OH
= -0.1毫安
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
- 0.1毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
I
SB1
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
V
CC
= V
CCmax
L
I
OUT
= 0毫安LL
CMOS电平
L
LL
CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V ，CE
2
＆ LT ; 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2V, V
IN
＆ LT ; 0.2V ）
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE和WE ） ，V
CC
= 3.60V
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= 3.60V
L
LL
L
LL
2
2
2
2
测试条件
V
CC
= 2.20V
V
CC
= 2.70V
V
CC
= 2.20V
V
CC
= 2.70V
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–1
–1
12
1.5
MIN 。 TYP 。
[8]
2.0
2.4
0.4
0.4
V
CC
+ 0.3V
V
CC
+ 0.3V
0.6
0.8
+1
+1
20
15
3
3
20
8
20
8
A
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
A
I
SB2
注意事项：
5. V
白细胞介素（分钟）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
6. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.75V为脉冲持续时间小于20ns 。
7.全部设备交流操作假定100
s
从0减速时间到V
cc
（分钟）和200
s
等待时间V后
cc
稳定。
8.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25°C.
文件编号： 38-05391牧师* D
第11 3
[+ ]反馈
CY62158DV30
的MoBL
电容
[9, 10.]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）。
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
热阻
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
[9]
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3× 4.5英寸， 4层
印刷电路板
BGA
72
8.86
TSOP II
75.13
8.95
TSOP I
74.88
8.6
单位
° C / W
° C / W
热阻
[9]
（结点到外壳）
交流测试负载和波形
[11]
R1
V
CC
产量
30 PF / 50 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
V
CC
GND
10%
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间： 1 V / ns的
上升时间： 1 V / ns的
相当于：
戴维南等效
R
TH
V
TH
产量
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
2.50V
16667
15385
8000
1.20
3.0V
1103
1554
645
1.75
单位
V
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR[9]
t
R[12]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 1.5V
L
CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V或CE
2
<0.2V
LL
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
0
t
RC
条件
分钟。
1.5
10
4
典型值。
[8]
马克斯。
单位
V
A
A
ns
ns
芯片取消到数据
保留时间
操作恢复
时间
注意事项：
9.初步测试后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
10.在CE输入电容
2
引脚为15 pF的。
为45 ns的一部分11.测试条件是30 pF的负载电容。
12.全面的设备交流操作需要线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ;
100
s.
文件编号： 38-05391牧师* D
第11 4
[+ ]反馈
CY62158DV30
的MoBL
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
CE
1
V
CC（分钟）
t
CDR
V
DR
> 1.5 V
V
CC（分钟）
t
R
or
CE
2
开关特性
在整个工作范围
[13]
45纳秒
[11]
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[16]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[14, 15]
WE高到低Z
[14]
10
45
40
40
0
0
35
25
0
15
10
55
40
40
0
0
40
25
0
20
10
70
60
60
0
0
45
30
0
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
LOW和CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[14]
OE高到高Z
[14, 15]
CE
1
LOW和CE
2
高到低Z
[14]
CE
1
高或CE
2
低到高Z
[14, 15]
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到Power -UP
CE
1
高或CE
2
低到掉电
0
45
10
20
0
55
5
15
10
20
10
25
10
45
25
5
20
10
25
45
45
10
55
25
5
25
55
55
10
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
55纳秒
分钟。
马克斯。
70纳秒
分钟。
马克斯。
单位
注意事项：
13.测试条件比三态参数之外的所有参数假设为3ns以下（ 1V / NS ）的信号过渡时间，定时V的基准水平
CC （典型值）。
/ 2，输入
0脉冲电平到V
CC （典型值）。
指定I ，并输出负载
OL
/I
OH
如图所示，在“交流测试负载和波形”一节。
14.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
15. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
16.存储器的内部写入时间由WE的重叠定义，CE
1
= V
IL
和CE
2
= V
IH
。所有的信号必须是活动的发起和写入任何这些
信号可以通过将非活动结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的边缘。
文件编号： 38-05391牧师* D
第11个5
[+ ]反馈
QQ：2880707522 复制
