数据表
CS55B
CS55D
可控硅整流器
0.8 AMPS ， 200和400伏
TO- 92 CASE
描述
中央半导体CS55B系列型环氧树脂是成型的硅控整流器设计
对于要求较低的栅极灵敏度的应用。
最大额定值（Ta = 25° C除非另有说明）
符号
重复峰值断态电压
RMS通态电流（ TC = 60℃ ）
峰值一个周期浪涌（ T = 10毫秒）
对于熔断I2t值（ T = 10毫秒）
峰值功率门控（ TP = 10微秒）
平均门功耗
栅极峰值电流（ TP = 10微秒）
峰值栅极电压（ TP = 10微秒）
储存温度
结温
热阻
热阻
VDRM ， VRRM
IT （ RMS ）
ITSM
I2t
PGM
PG （AV）
IGM
VGM
TSTG
TJ
Θ
JA
Θ
JC
CS55B
200
0.8
10
0.24
2.0
0.1
1.0
8.0
-40到+125
-40到+125
200
100
CS55D
400
单位
V
A
A
A2s
W
W
A
V
°C
°C
° C / W
° C / W
电气特性（ TA = 25° C除非另有说明）
符号
IDRM ， IRRM
IDRM ， IRRM
IGT
IH
VGT
VTM
dv / dt的
测试条件
额定VDRM ， VRRM ， RGK = 1KΩ
额定VDRM ， VRRM ， RGK = 1KΩ ， TC = 125°C
VD=12V
RGK=1K
VD=12V
ITM=1.0A
VD = 0.67 X VDRM ， RGK = 1KΩ ， TC = 125°C
25
100
200
5.00
0.8
1.70
民
典型值
最大
1.00
A
A
mA
V
V
V / μs的
单位
A
（请参阅背面）
R1
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