【CY62157E的MoBL8兆位（ 512K的× 16 ）静态RAM8兆位（ 512K的× 16 ）】,IC型号CY62157E,CY62157E PDF资料,CY62157E经销商,ic,电子元器件-51电子网

CY62157E的MoBL

8兆位（ 512K的× 16 ）静态RAM

特点

■

超高速： 45纳秒

工业： -40 ° C至+85°C

汽车-E ： -40°C至+125°C

宽电压范围： 4.5 V ， 5.5 V

超低待机功耗

典型待机电流： 2

A

最大待机电流： 8

A

（工业级）

超低有功功率

典型工作电流为1.8毫安F = 1兆赫

超低待机功耗

易内存扩展与CE

1

，CE

2

和OE特点

取消的时候自动断电

CMOS的最佳速度和力量

可提供无铅44引脚TSOP II和48球VFBGA

包

■

应用，如蜂窝电话。该器件还具有一个

自动断电功能，可显著降低功耗

消费时地址不切换。将设备

当进入待机模式deseleMoBL

反恐执行局（ CE

1

高或CE

2

LOW或两者BHE和BLE的高）。的输入或输出引脚

（ I / O

0

通过I / O

15

）被置于高阻抗状态时：

■

取消选择（ CE

1

高或CE

2

低）

禁用输出（ OE高）

这两个高字节使能和低字节使能禁用

（ BHE ， BLE高）

写操作有效（ CE

1

低，CE

2

HIGH和LOW WE ）

■

写入装置，以芯片启用（ CE

1

LOW和CE

2

高）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能

（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O

0

通过I / O

7

），是

写入的地址引脚指定的位置（A

0

通过

A

18

）。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从I / O引脚上的数据

（ I / O

8

通过I / O

15

）被写入到所指定的位置的

地址引脚（A

0

至A

18

).

从设备中读取，需要芯片使能（ CE

1

LOW和CE

2

HIGH ）和输出使能（ OE ）低，而强迫写

使能（WE ）高。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则数据

从通过销出现的地址所指定的存储器位置

在I / O

0

到I / O

7

。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从数据

内存出现在I / O

8

到I / O

15

。看

第12页上的真值表

用于读取和写入模式的完整描述。

功能说明

该CY62157E是一种高性能的CMOS静态RAM

16位组织为512K字。该设备的特点

先进的电路设计，提供超低工作电流。这

非常适合提供更多的电池Life （的MoBL

）便携式

逻辑框图

数据驱动因素

A

10

A

9

A

8

A

7

A

6

A

5

A

4

A

3

A

2

A

1

A

0

行解码器

512K ×16

RAM阵列

检测放大器

I / O

0

-I / O

7

I / O

8

-I / O

15

CE

2

掉电

电路

CE

1

列解码器

BHE

WE

A

11

A

12

A

13

A

15

A

14

A

16

A

17

A

18

BHE

BLE

OE

BLE

CE

2

CE

1

赛普拉斯半导体公司

文件编号： 38-05695牧师* H

198冠军苑

圣荷西

,

CA 95134-1709

408-943-2600

修订后的二零一一年五月三十日

[+ ]反馈

CY62157E的MoBL

产品组合................................................ .............. 3

引脚配置................................................ ............. 3

最大额定值................................................ ............. 4

经营范围................................................ ............... 4

电气特性................................................ 0.4

电容................................................. ..................... 5

热阻................................................ .......... 5

交流测试负载和波形....................................... 5

数据保持特性....................................... 6

数据保存波形............................................... 0.6

开关特性................................................ 7

开关波形................................................ ...... 8

读周期第1号（地址转换控制） 8 .....

读周期2号（ OE控制） .............................. 8

写周期号1 （我们控制） .............................. 9

写周期2号（ CE1或CE2控制） .............. 10

写周期第3号（我们控制， OE低） ............ 11

写周期NO 。 4

（ BHE / BLE控制， OE低） ...................................... 11

真值表................................................ ...................... 12

订购信息................................................ ...... 13

订购代码定义......................................... 13

包图................................................ .......... 14

与缩略语................................................. ....................... 16

文档约定................................................ 0.16

计量单位............................................... ........ 16

文档历史记录页............................................... ..17

销售，解决方案和法律信息...................... 18

全球销售和设计支持....................... 18

产品................................................. ................... 18

的PSoC解决方案................................................ ......... 18

文件编号： 38-05695牧师* H

第18页2

[+ ]反馈

CY62157E的MoBL

产品组合

功耗

产品

范围

民

CY62157ELL

产业

汽车

4.5

V

CC

范围（V ）

典型值

[1]

5.0

最大

5.5

45

55

速度

（纳秒）

典型值

[1]

1.8

我的操作

CC

（毫安）

F = 1 MHz的

最大

3

4

f = f

最大

典型值

[1]

18

最大

25

35

待机情况下，我

SB2

(A)

典型值

[1]

2

最大

8

30

引脚配置

[2, 3]

44引脚TSOP II

顶视图

A

4

A

3

A

2

A

1

A

0

CE

I / O

0

I / O

1

I / O

2

I / O

3

V

CC

V

SS

I / O

4

I / O

5

I / O

6

I / O

7

WE

A

18

A

17

A

16

A

15

A

14

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

A

5

A

6

A

7

OE

BHE

BLE

I / O

15

I / O

14

I / O

13

I / O

12

V

SS

V

CC

I / O

11

I / O

10

I / O

9

I / O

8

A

8

A

9

A

10

A

11

A

12

A

13

1

BLE

I / O

8

I / O

9

V

SS

V

CC

I / O

14

I / O

15

A

18

2

OE

BHE

I / O

10

I / O

11

I / O

12

I / O

13

NC

A

8

48球VFBGA

顶视图

4

3

A

0

A

3

A

5

A

17

NC

A

14

A

12

A

9

A

1

A

4

A

6

A

7

A

16

A

15

A

13

A

10

5

A

2

CE

1

I / O

1

I / O

3

I / O

4

I / O

5

WE

A

11

6

CE

2

I / O

0

I / O

2

VCC

VSS

I / O

6

I / O

7

NC

A

B

C

D

E

F

G

H

笔记

1.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量

CC

= V

CC （典型值）

, T

A

= 25 °C.

2. NC引脚未连接的芯片。

3. 44引脚TSOP II封装只有一个芯片使能（ CE）引脚。

文件编号： 38-05695牧师* H

第18页3

[+ ]反馈

CY62157E的MoBL

最大额定值

超出最大额定值可能会缩短的使用寿命

装置。用户指导未经过测试。

存储温度............................. -65 ° C至+ 150°C

环境温度与

电源应用........................................ -55 ° C至+ 125 °

电源电压对地

潜在................................................. ........- 0.5 V至6.0 V

直流电压应用到输出的

在高Z状态

[4, 5]

.........................................- 0.5 V至6.0 V

直流输入电压

[4, 5]

..................................... -0.5 V至6.0 V

输出电流为输出（ LOW ） ............................ 20毫安

静电放电电压........................................ > 2001 V

（ MIL -STD -883方法3015 ）

闩锁电流............................................... ..... > 200毫安

工作范围

设备

CY62157ELL

范围

产业

环境

温度

V

CC

[6]

-40 ° C至+85°C 4.5 V至5.5 V

汽车-40 ° C至+125°C

电气特性

在整个工作范围

参数

V

OH

V

OL

V

IH

V

IL

I

IX

I

OZ

I

CC

I

SB1 [8]

描述

输出高

电压

输出低

电压

输入高

电压

输入低

电压

输入漏

当前

输出漏

当前

V

CC

操作

电源电流

自动CE

掉电

电流 - CMOS

输入

自动CE

掉电

电流 - CMOS

输入

测试条件

I

OH

= -1毫安

I

OL

= 2.1毫安

V

CC

= 4.5 V至5.5 V

V

CC

= 4.5 V至5.5 V

GND < V

I

＆ LT ; V

CC

GND < V

O

＆ LT ; V

CC

，输出禁用

f = f

最大

= 1/t

RC

F = 1 MHz的

V

CC

= V

CC（ MAX）的

I

OUT

= 0毫安

CMOS电平

45纳秒（工业）

民

2.4

–

2.2

–0.5

–1

–

典型值

[7]

–

18

1.8

2

最大

–

0.4

V

CC

+ 0.5

0.8

+1

25

3

8

55纳秒（汽车）

民

2.4

–

2.2

–0.5

–4

–

典型值

[7]

–

18

1.8

2

最大

–

0.4

V

CC

+ 0.5

0.8

+4

35

4

30

A

单位

V

A

mA

CE

1

＆ GT ; V

CC

0.2

V或CE

2

< 0.2 V

或（ BHE和BLE ） > V

CC

– 0.2 V,

V

IN

＆ GT ; V

CC

– 0.2 V, V

IN

< 0.2 V ，

f = f

最大

（地址和数据只），

F = 0 （OE和WE ），V

CC

= V

CC（ MAX）的

CE

1

＆ GT ; V

CC

- 0.2 V或CE

2

< 0.2 V

或（ BHE和BLE ） > V

CC

– 0.2 V,

V

IN

＆ GT ; V

CC

- 0.2 V或V

IN

< 0.2 V ，

F = 0，V

CC

= V

CC（ MAX）的

I

SB2 [8]

–

2

8

–

2

30

A

笔记

4. V

IL （ MIN ）

= -2.0 V的脉冲持续时间小于20纳秒，因为我< 30毫安。

5. V

IH（ MAX）的

= V

CC

+ 0.75 V的脉冲持续时间小于20纳秒。

6.全部设备交流操作假定100

s

从0减速时间到V

CC

（分钟）和200

s

等待时间V后

CC

稳定。

7.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量

CC

= V

CC （典型值）

, T

A

= 25 °C.

8.芯片使能（ CE

1

和CE

2

）和字节使能（BHE和BLE）需要被连接到CMOS电平，满足了我

SB1

/ I

SB2

/ I

CCDR

规格。其他输入可以悬空。

文件编号： 38-05695牧师* H

第18页4

[+ ]反馈

CY62157E的MoBL

电容

参数

[9]

C

IN

C

OUT

描述

输入电容

输出电容

测试条件

T

A

= 25 ° C，F = 1兆赫，V

CC

= V

CC （典型值）

最大

10

单位

pF

热阻

参数

[9]

JA

JC

描述

热阻

（结到环境）

热阻

（结点到外壳）

测试条件

静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，

2层印刷电路板

44引脚TSOP II 48球VFBGA单位

77

13

72

8.86

° C / W

交流测试负载和波形

图1. AC测试负载和波形

V

CC

产量

R1

3V

30 pF的

INCLUDING

夹具

范围

R2

10%

GND

上升时间= 1 V / ns的

所有的输入脉冲

90%

10%

下降时间= 1 V / ns的

相当于：

戴维南等效

R

TH

产量

V

值

1800

990

639

1.77

单位

V

参数

R1

R2

R

TH

V

TH

记

9.初步测试后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。

文件编号： 38-05695牧师* H

第18页5

[+ ]反馈

CY62157E的MoBL

8兆位（ 512K ×16 ）静态RAM

特点

超高速： 45纳秒

- 工业级： -40 ° C至+ 85°C

- 汽车-E ： -40°C至+ 125°C

宽电压范围： 4.5V - 5.5V

超低待机功耗

- 典型待机电流： 2

A

- 最大待机电流： 8

A

（工业级）

超低有功功率

- 典型工作电流为1.8毫安， F = 1兆赫

超低待机功耗

易内存扩展与CE

1

，CE

2

和OE特点

取消的时候自动断电

CMOS的最佳速度和力量

可提供无铅44引脚TSOP II和48球VFBGA

包

还具有自动关机功能，可显著

降低了当地址不切换功率消耗。

将设备进入待机模式，当取消（ CE

1

高或CE

2

LOW或两者BHE和BLE的高）。输入

或输出引脚（ IO

0

通过IO

15

）被放置在一个高

当阻抗状态：

取消选择（ CE

1

高或CE

2

低）

禁用输出（ OE高）

两个高字节使能和低字节使能禁用

（ BHE ， BLE高）

写操作是有效的（ CE

1

低，CE

2

高和WE

低）

写入装置，以芯片启用（ CE

1

LOW和CE

2

高）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能

（ BLE ）为低电平，然后从IO引脚上的数据（ IO

0

通过IO

7

），是

写入的地址引脚指定的位置（A

0

至A

18

）。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据

从IO引脚（ IO

8

通过IO

15

）被写入的位置

在地址引脚指定的（A

0

至A

18

).

从设备中读取，需要芯片使能（ CE

1

LOW和CE

2

HIGH ）和输出使能（ OE ）低，而强迫写

使能（WE ）高。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则

从由地址引脚指定的存储单元的数据

出现在IO

0

到IO

7

。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则

从内存中的数据出现在IO

8

到IO

15

。见

[真相

表“第9页

用于读写的完整说明

模式。

功能说明

[1]

该CY62157E是一种高性能的CMOS静态RAM

16位组织为512K字。该设备的特点

先进的电路设计，提供超低工作电流。

这是理想的提供更多的电池寿命（的MoBL

）在

便携式应用，如蜂窝电话。该装置

逻辑框图

数据驱动因素

A

10

A

9

A

8

A

7

A

6

A

5

A

4

A

3

A

2

A

1

A

0

行解码器

512K ×16

RAM阵列

检测放大器

IO

0

= 10

7

IO

8

= 10

15

CE

2

掉电

电路

CE

1

列解码器

BHE

WE

A

11

A

12

A

13

A

15

A

14

A

17

A

18

A

16

BHE

BLE

CE

2

CE

1

OE

BLE

笔记

1.为了达到最佳实践建议，请参考赛普拉斯应用笔记

AN1064 ， SRAM系统的指导。

赛普拉斯半导体公司

文件编号： 38-05695牧师* E

198冠军苑

圣荷西

,

CA 95134-1709

408-943-2600

修订后的2007年4月27日

CY62157E的MoBL

产品组合

功耗

产品

范围

民

CY62157ELL

产业

汽车

4.5

V

CC

范围（V ）

典型值

[2]

5.0

最大

5.5

45

55

速度

（纳秒）

典型值

[2]

1.8

我的操作

CC

（毫安）

F = 1 MHz的

最大

3

4

f = f

最大

典型值

[2]

18

最大

25

35

待机情况下，我

SB2

(A)

典型值

[2]

2

最大

8

30

引脚配置

下面的图片显示的TSOP II和VFBGA引脚。

[3, 4]

TSOP II

顶视图

A

4

A

3

A

2

A

1

A

0

CE

IO

0

IO

1

IO

2

IO

3

V

CC

V

SS

IO

4

IO

5

IO

6

IO

7

WE

A

18

A

17

A

16

A

15

A

14

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

A

5

A

6

A

7

OE

BHE

BLE

IO

15

IO

14

IO

13

IO

12

V

SS

V

CC

IO

11

IO

10

IO

9

IO

8

A

8

A

9

A

10

A

11

A

12

A

13

1

BLE

IO

8

IO

9

V

SS

V

CC

IO

14

IO

15

A

18

2

OE

BHE

IO

10

IO

11

IO

12

IO

13

NC

A

8

VFBGA

顶视图

4

3

A

0

A

3

A

5

A

17

NC

A

14

A

12

A

9

A

1

A

4

A

6

A

7

A

16

A

15

A

13

A

10

5

A

2

CE

1

IO

1

IO

3

IO

4

IO

5

WE

A

11

6

CE

2

IO

0

IO

2

VCC

VSS

IO

6

IO

7

NC

A

B

C

D

E

F

G

H

笔记

2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量

CC

= V

CC （典型值）

, T

A

= 25°C.

3. NC引脚没有连接上的芯片。

4. 44针TSOP II封装只有一个芯片使能（ CE）引脚。

文件编号： 38-05695牧师* E

第12页2

CY62157E的MoBL

最大额定值

超出最大额定值可能会缩短的电池寿命

装置。用户指导未经过测试。

存储温度................................ -65 ° C至+ 150°C

环境温度与

电源应用........................................... -55°C至+ 125°C

电源电压对地

潜在................................................. ......... -0.5V至6.0V

直流电压应用到输出的

在高阻抗状态

[5, 6]

........................................... -0.5V至6.0V

直流输入电压

[5, 6]

........................................- 0.5V至6.0V

输出电流为输出（ LOW ） ............................ 20毫安

静电放电电压.......................................... > 2001V

（ MIL -STD -883方法3015 ）

闩锁电流............................................... ..... > 200毫安

工作范围

设备

CY62157ELL

范围

产业

环境

温度

-40 ° C至+ 85°C

V

CC

[7]

4.5V至5.5V

汽车-40 ° C至+ 125°C

电气特性

在整个工作范围

参数

V

OH

V

OL

V

IH

V

IL

I

IX

I

OZ

I

CC

描述

输出高

电压

输出低

电压

输入高

电压

输入低

电压

输入漏

当前

测试条件

I

OH

= -1毫安

I

OL

= 2.1毫安

V

CC

= 4.5V至5.5V

V

CC

= 4.5V至5.5V

GND < V

I

＆ LT ; V

CC

2.2

–0.5

–1

18

1.8

2

45纳秒（工业）

民

2.4

0.4

V

CC

+ 0.5

0.8

+1

25

3

8

2.2

–0.5

–4

18

1.8

2

典型值

[2]

最大

55纳秒（汽车）

民

2.4

0.4

V

CC

+ 0.5

0.8

+4

35

4

30

A

典型值

[2]

最大

单位

V

A

mA

输出泄漏GND < V

O

＆ LT ; V

CC

，输出禁用

当前

V

CC

操作

供应

当前

自动CE

掉电

电流=

CMOS输入

自动CE

掉电

电流=

CMOS输入

f = f

最大

= 1/t

RC

V

CC

= V

CC（ MAX）的

I

OUT

= 0毫安

F = 1 MHz的

CMOS电平

CE

1

＆ GT ; V

CC

0.2V或CE

2

＆ LT ; 0.2V ，

V

IN

＆ GT ; V

CC

– 0.2V, V

IN

＆ LT ; 0.2V ，

f = f

最大

（地址和数据只），

F = 0 （ OE ， BHE ， BLE和WE ）

V

CC

= V

CC（ MAX）的

CE

1

＆ GT ; V

CC

- 0.2V或CE

2

＆ LT ; 0.2V ，

V

IN

＆ GT ; V

CC

- 0.2V或V

IN

＆ LT ; 0.2V ，

F = 0，V

CC

= V

CC（ MAX）的

I

SB1

I

SB2 [8]

2

8

2

30

A

电容

[9]

参数

C

IN

C

OUT

描述

输入电容

输出电容

测试条件

T

A

= 25 ° C，F = 1兆赫，V

CC

= V

CC （典型值）

最大

10

单位

pF

笔记

5. V

IL （ MIN ）

= -2.0V脉冲持续时间小于20纳秒，因为我< 30毫安。

6. V

IH（ MAX）的

= V

CC

+ 0.75V为脉冲持续时间小于20纳秒。

7.全部设备交流操作假定100

s

从0减速时间到V

CC

（分钟）和200

s

等待时间V后

CC

稳定。

8.只有芯片使能（ CE

1

和CE

2

）和字节使能（BHE和BLE）需要被连接到CMOS电平，满足了我

SB2

/ I

CCDR

规格。其他输入可以悬空。

9.初步测试后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。

文件编号： 38-05695牧师* E

第12页3

CY62157E的MoBL

热阻

[9]

参数

Θ

JA

Θ

JC

描述

测试条件

TSOP II

77

13

VFBGA

72

8.86

单位

° C / W

热电阻静止空气，焊接在一个3 × 4.5英寸，

（结点到环境温度）的双层印刷电路板

热阻

（结点到外壳）

交流测试负载和波形

图1. AC测试负载和波形

V

CC

产量

R1

3V

30 pF的

INCLUDING

夹具

范围

R2

10%

GND

上升时间= 1 V / ns的

所有的输入脉冲

90%

10%

下降时间= 1 V / ns的

相当于：

戴维南等效

R

TH

产量

V

值

1800

990

639

1.77

单位

V

参数

R1

R2

R

TH

V

TH

数据保持特性

在整个工作范围

参数

V

DR

I

CCDR [8]

t

CDR的[9]

t

R [10]

描述

V

CC

数据保留

数据保持电流

芯片取消到数据

保留时间

手术恢复时间

V

CC

= 2V ，CE

1

＆ GT ; V

CC

- 0.2V或CE

2

＆ LT ; 0.2V ，

V

IN

＆ GT ; V

CC

- 0.2V或V

IN

＆ LT ; 0.2V

产业

汽车

0

t

RC

条件

民

2

8

30

ns

典型值

[2]

最大

单位

V

A

数据保存波形

[11]

图2.数据保存波形

数据保持方式

V

CC

CE

1

or

BHE.BLE

or

CE

2

笔记

10.完整的设备运行需要的线性V

CC

从V坡道

DR

到V

CC（分钟）

＆ GT ; 100

s

或稳定在V

CC（分钟）

＆ GT ; 100

s.

11. BHE.BLE是既BHE和BLE和。无论是通过禁用芯片取消芯片使能信号或通过禁用这两个BHE和BLE 。

V

CC（分钟）

t

CDR

V

DR

＆ GT ; 2V

V

CC（分钟）

t

R

文件编号： 38-05695牧师* E

第12页4

CY62157E的MoBL

开关特性

在整个工作范围

[12, 13]

参数

读周期

t

RC

t

AA

t

OHA

t

ACE

t

美国能源部

t

LZOE

t

HZOE

t

LZCE

t

HZCE

t

PU

t

PD

t

DBE

t

LZBE

t

HZBE

写周期

[16]

t

WC

t

SCE

t

AW

t

HA

t

SA

t

PWE

t

BW

t

SD

t

HD

t

HZWE

t

LZWE

写周期时间

CE

1

LOW和CE

2

HIGH到写入结束

地址设置写到底

从写端地址保持

地址设置为Write开始

WE脉冲宽度

BLE / BHE低到写结束

数据建立到写结束

从写端数据保持

WE低到高-Z

[14, 15]

我们前高后低-Z

[14]

10

45

35

0

35

25

0

18

10

55

40

0

40

25

0

20

ns

读周期时间

地址到数据有效

从地址变化数据保持

CE

1

LOW和CE

2

高到数据有效

OE低到DATA有效

OE低到低Z

[14]

OE为高电平

高-Z

[14, 15]

10

18

0

45

10

18

10

20

0

55

CE

1

LOW和CE

2

前高后低-Z

[14]

CE

1

高和CE

2

从低到高-Z

[14, 15]

CE

1

LOW和CE

2

HIGH到POWER UP

CE

1

高和CE

2

低到掉电

BLE / BHE低到数据有效

BLE / BHE低到低Z

[14]

BLE / BHE高来高-Z

[14, 15]

5

18

10

20

10

45

22

5

20

45

10

55

25

55

ns

描述

45纳秒（工业）

民

最大

55纳秒（汽车）

民

最大

单位

笔记

12.测试条件比三态参数之外的所有参数假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时V的基准水平

CC （典型值）

/ 2，输入脉冲

0至V水平

CC （典型值）

指定I ，并输出负载

OL

/I

OH

如图中

“交流测试负载和波形”第4页。

13. AC时序参数如有字节使能信号（ BHE和BLE ）时，芯片被禁止不是交换。看

应用笔记AN13842

为进一步澄清。

14.在任何温度和电压条件下，叔

HZCE

小于吨

LZCE

, t

HZBE

小于吨

LZBE

, t

HZOE

小于吨

LZOE

和叔

HZWE

小于吨

LZWE

对于任何设备。

15. t

HZOE

, t

HZCE

, t

HZBE

和叔

HZWE

当输出进入高阻抗状态转变进行测定。

16.存储器的内部写入时间由WE的重叠定义，CE

1

= V

IL

， BHE ，BLE或两者= V

IL

和CE

2

= V

IH

。所有的信号必须是活动发起

写任何这些信号可以通过将非活动结束写入。的数据输入的建立和保持时间必须参考信号的边沿即

结束写入。

文件编号： 38-05695牧师* E

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