CY62157DV30
的MoBL
8兆位（ 512K ×16 ）的MoBL
静态RAM
特点
温度范围
- 工业级： -40 ° C至85°C
- 汽车： -40°C至125°C （初步）
超高速： 45纳秒， 55纳秒和70纳秒
- 宽电压范围： 2.20V - 3.60V
与CY62157CV25 ， CY62157CV30和引脚兼容
CY62157CV33
超低有功功率
- 典型工作电流：1.5毫安， F = 1兆赫
- 典型工作电流： 12毫安@频率= F
最大
超低待机功耗
易于扩展内存与CE
1
，CE
2
和OE
特点
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
封装形式： 48球BGA ， 48引脚TSOPI ，并
44引脚TSOPII
功能说明
[1]
该CY62157DV30是一个高性能的CMOS静态RAM
16位组织为512K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低的工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL
）在
便携式应用，如蜂窝telephones.The设备
还具有自动关机功能，可显著
降低功耗。该设备也可以投入
当取消待机模式（ CE
1
高或CE
2
或低
无论BHE和BLE的高） 。的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）被置于高阻抗状态时：
取消选择（ CE
1
高或CE
2
LOW ） ，输出被禁止（ OE
HIGH ） ，无论是高字节使能和低字节使能是
禁用（ BHE ，BLE高） ，或者在写操作期间（CE
1
低，CE
2
HIGH和LOW WE ） 。
写入设备通过取芯片使能实现
（ CE
1
LOW和CE
2
高）和写使能（ WE）输入低电平。
如果低字节使能（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，被写入到所指定的位置的
地址引脚（A
0
至A
18
） 。如果高字节使能（ BHE ）是
LOW ，然后从I / O引脚上的数据（ I / O
8
通过I / O
15
）写入到
在地址引脚指定的位置（A
0
至A
18
).
从设备读通过取芯片完成
启用（ CE
1
LOW和CE
2
高）和输出使能（ OE ）
低，而迫使写使能（ WE） HIGH 。如果字节低
使能（ BLE）为低电平，那么从所述存储器位置的数据
指定的地址引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果字节
高电平使能（ BHE ）为低电平，然后从内存中的数据会出现
在I / O
8
到I / O
15
。见真情表的完整说明
读写模式。
逻辑框图
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
数据的驱动程序
512K × 16
RAM阵列
检测放大器
I / O0 - I / O7
I / O8 I / O15
列解码器
BHE
WE
OE
BLE
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
CE
2
CE
1
掉电
电路
注意事项：
1.为了达到最佳实践建议，请参考赛普拉斯应用笔记标题
系统设计指南，
它可在http://www.cypress.com 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05392牧师* E
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2004年8月24日
CY62157DV30
的MoBL
产品组合
功耗
我的操作
CC
（毫安）
V
CC
范围（V ）
产品
CY62157DV30L
CY62157DV30L
范围
产业
汽车
[3]
分钟。
2.2
2.2
2.2
典型值。
[2]
3.0
3.0
3.0
马克斯。
3.6
3.6
3.6
FBGA
e
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
1
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
CE
2
I / O
0
I / O
2
VCC
VSS
I / O
6
I / O
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
速度
（纳秒）
45, 55, 70
45, 55, 70
55
F = 1MHz的
典型值。
[2]
1.5
1.5
1.5
马克斯。
3
3
3
f = f
最大
典型值。
[2]
12
12
12
马克斯。
20
15
20
待我
SB2
,
(A)
典型值。
[2]
2
2
2
马克斯。
20
8
50
CY62157DV30LL工业
引脚配置
[4, 5, 6, 7]
op
1
BLE
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
2
OE
BHE
I / O
10
I / O
11
3
A
0
A
3
A
5
A
17
I / O
12
DNU
A
14
A
12
A
9
I / O
14
I / O
13
I / O
15
A
18
NC
A
8
48TSOPI
顶视图
44 TSOP II
顶视图
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
DNU
WE
CE2
DNU
BHE
BLE
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
字节
VSS
I/O15/A19
I/O7
I/O14
I/O6
I/O13
I/O5
I/O12
I/O4
VCC
I/O11
I/O3
I/O10
I/O2
I/O9
I/O1
I/O8
I/O0
OE
VSS
CE1
A0
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
18
A
17
A
16
A
15
A
14
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
V
SS
V
CC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
注意事项：
2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25°C.
3.汽车数据是初步的。数据表中的阴影区域包含的初步信息。
4. NC引脚内部没有连接上的芯片。
5. DNU引脚必须悬空。
6.在48 TSOPI包BYTE引脚接到高电平使用该设备作为一个512K × 16的SRAM 。 48 TSOPI包也可以被用来作为一个1M ×8的
SRAM通过捆绑的字节信号为低电平。为1M × 8功能，请参考CY62158DV30数据表。在1M × 8配置，引脚45是A19 。
7. 44 TSOPII封装装置只有一个芯片使能引脚（CE） 。
文件编号： 38-05392牧师* E
第12页2
CY62157DV30
的MoBL
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................ -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................ -55°C至+ 125°C
电源电压对地
潜在......................................... -0.3V到+ V
CC（ MAX）的
+ 0.3V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[8, 9]
............................ -0.3V到V
CC（ MAX）的
+ 0.3V
直流输入电压
[8, 9]
........................- 0.3V至V
CC（ MAX）的
+ 0.3V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ........ >200毫安
工作范围
设备
CY62157DV30L
CY62157DV30LL
CY62157DV30L
汽车-40 ° C至+ 125°C
（初步）
范围
产业
环境
温度（T
A
) V
CC
[10]
-40 ° C至+ 85°C
2.20V
to
3.60V
电气特性
在整个工作范围
CY62157DV30
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
I
OH
= -0.1毫安
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
- 0.1毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
产业
汽车
输出漏电流接地< V
O
＆ LT ; V
CC
，输出
残
V
CC
工作电源
当前
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
I
SB1
自动CE
掉电
电流 - CMOS
输入
CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V,
CE
2
< 0.2V工业
V
IN
＆ GT ; V
CC
–0.2V, V
IN
<0.2V)
f = f
最大
（地址和数据
汽车
只） ，
F = 0 （ OE ， WE ， BHE和
BLE ） ，V
CC
=3.60V
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
＆ LT ;
0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ;
0.2V,
F = 0，V
CC
= 3.60V
产业
汽车
产业
汽车
V
CC
= V
CCmax
L
I
OUT
= 0毫安
LL
CMOS电平
L
LL
L
LL
L
2
2
测试条件
V
CC
= 2.20V
V
CC
= 2.70V
V
CC
= 2.20V
V
CC
= 2.70V
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–1
-4
–1
-4
12
分钟。
2.0
2.4
0.4
0.4
V
CC
+ 0.3V
V
CC
+ 0.3V
0.6
0.8
+1
+4
+1
+4
20
15
1.5
3
3
20
8
50
典型值。
[2]
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
mA
mA
mA
mA
A
I
SB2
自动CE
掉电
电流 - CMOS
输入
L
LL
L
2
2
20
8
50
A
注意事项：
8. V
白细胞介素（分钟）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
9. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.75V为脉冲持续时间小于20纳秒。
10.完整的设备交流操作假定100
s
从0减速时间到V
cc
（分钟）和200
s
等待时间V后
cc
稳定。
文件编号： 38-05392牧师* E
第12页3
CY62157DV30
的MoBL
电容
[11, 12]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
热阻
[11]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
四层印刷电路板
BGA
72
8.86
TSOP II
75.13
8.95
TSOP I
74.88
8.6
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
[13]
V
CC
产量
30 PF / 50 pF的
R1
V
CC
GND
R2
10%
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
上升时间= 1 V / ns的
INCLUDING
夹具
范围
相当于：戴维南等效
R
TH
产量
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
2.50V
16667
15385
8000
1.20
3.0V
1103
1554
645
1.75
单位
V
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 1.5V
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V ，CE
2
＆ LT ; 0.2V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
工业（ L）
工业（ LL ）
汽车（ L）
0
t
RC
条件
分钟。
1.5
10
4
25
ns
ns
典型值。
[2]
马克斯。
单位
V
A
t
CDR[11]
t
R[14]
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
注意事项：
11.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
12.在CE输入电容
2
在FBGA和48TSOPI包并在44TSOPII包的BHE引脚引脚为15 pF的。
为45 ns的一部分13.测试条件是30 pF的负载电容。
14.全面的设备运行需要的线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
> 100我们还是稳定在V
CC（分钟）
> 100美元。
文件编号： 38-05392牧师* E
第12页4
CY62157DV30
的MoBL
数据保存波形
[15]
V
CC
CE
1
or
BHE
.
BLE
V
CC
，分钟。
t
CDR
数据保持方式
V
DR
> 1.5 V
V
CC
，分钟。
t
R
or
CE
2
开关特性
在整个工作范围
[16]
45纳秒
[13]
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
周期
[19]
写周期时间
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
BLE / BHE低到写结束
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
[17, 18]
我们前高后低-Z
[17]
10
45
40
40
0
0
35
40
25
0
15
10
55
40
40
0
0
40
40
25
0
20
10
70
60
60
0
0
45
60
30
0
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
LOW和CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[17]
OE高来高
Z
[17, 18]
Z
[17]
Z
[17, 18]
0
45
45
10
15
10
20
10
20
0
55
55
10
25
CE
1
LOW和CE
2
前高后低
CE
1
高和CE
2
从低到高
5
15
10
20
0
70
70
10
45
25
5
20
10
25
45
45
10
55
25
5
25
55
55
10
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
55纳秒
分钟。
马克斯。
70纳秒
分钟。
马克斯。
单位
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到Power -UP
CE
1
高和CE
2
低到掉电
BLE / BHE低到数据有效
BLE / BHE低到低Z
[17]
BLE / BHE高来高
Z
[17, 18]
注意事项：
15. BHE.BLE是既BHE和BLE和。芯片可以通过禁用该芯片使能信号或通过禁用这两个BHE和BLE被取消。
16.测试条件比三态参数之外的所有参数假设3纳秒或更少的信号转换时间，定时V的基准水平
CC （典型值）
/ 2，输入脉冲
0至V水平
CC （典型值）。
指定I ，并输出负载
OL
/I
OH
如图所示，在“交流测试负载和波形”一节。
17.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何
指定设备。
18. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
19.存储器的内部写入时间由WE的重叠定义，CE
1
= V
IL
， BHE和/或BLE = V
IL
和CE
2
= V
IH
。所有的信号必须是活动开始
写任何这些信号可以通过将非活动结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考信号的边沿
终止写入。
文件编号： 38-05392牧师* E
第12页5
CY62157DV30的MoBL
8兆位（ 512K ×16 ）的MoBL
静态RAM
特点
温度范围
- 工业级： -40 ° C至85°C
- 汽车-A ： -40 ° C至85°C
- 汽车-E ： -40°C至125°C
超高速： 45纳秒
宽电压范围： 2.20V - 3.60V
与CY62157CV25 ， CY62157CV30和引脚兼容
CY62157CV33
超低有功功率
- 典型工作电流：1.5毫安， F = 1兆赫
- 典型工作电流： 12毫安@频率= F
最大
超低待机功耗
易于扩展内存与CE
1
，CE
2
和OE
特点
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
提供无铅和无无铅48球FBGA ，
44引脚TSOPII和无铅48引脚TSOPI
功能说明
[1]
该CY62157DV30是一个高性能的CMOS静态RAM
16位组织为512K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低的工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL
）在
便携式应用，如蜂窝telephones.The设备
还具有自动关机功能，可显著
降低功耗。该设备也可以投入
当取消待机模式（ CE
1
高或CE
2
或低
无论BHE和BLE的高） 。的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）被置于高阻抗状态时：
取消选择（ CE
1
高或CE
2
LOW ） ，输出被禁止（ OE
HIGH ） ，无论是高字节使能和低字节使能是
禁用（ BHE ，BLE高） ，或者在写操作期间（CE
1
低，CE
2
HIGH和LOW WE ） 。
写入设备通过取芯片使能实现
（ CE
1
LOW和CE
2
高）和写使能（ WE）输入低电平。
如果低字节使能（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，被写入到所指定的位置的
地址引脚（A
0
至A
18
） 。如果高字节使能（ BHE ）是
LOW ，然后从I / O引脚上的数据（ I / O
8
通过I / O
15
）写入到
在地址引脚指定的位置（A
0
至A
18
).
从设备读通过取芯片完成
启用（ CE
1
LOW和CE
2
高）和输出使能（ OE ）
低，而迫使写使能（ WE） HIGH 。如果字节低
使能（ BLE）为低电平，那么从所述存储器位置的数据
指定的地址引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果字节
高电平使能（ BHE ）为低电平，然后从内存中的数据会出现
在I / O
8
到I / O
15
。见真情表的完整说明
读写模式。
逻辑框图
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
数据的驱动程序
512K × 16
RAM阵列
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
BHE
WE
OE
BLE
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
CE
2
CE
1
掉电
电路
注意：
1.为了达到最佳实践建议，请参考赛普拉斯应用笔记标题
系统设计指南，
它可在http://www.cypress.com 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05392牧师* H
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年8月8日
CY62157DV30的MoBL
产品组合
功耗
我的操作
CC
（毫安）
V
CC
范围（V ）
产品
CY62157DV30L
范围
产业
分钟。
2.2
2.2
2.2
2.2
典型值。
[2]
3.0
3.0
3.0
3.0
马克斯。
3.6
3.6
3.6
3.6
速度
（纳秒）
45, 55, 70
45, 55, 70
55
55
F = 1MHz的
典型值。
[2]
1.5
1.5
1.5
1.5
马克斯。
3
3
3
3
f = f
最大
典型值。
[2]
12
12
12
12
马克斯。
20
15
15
20
待我
SB2
,
(A)
典型值。
[2]
2
2
2
2
马克斯。
20
8
8
50
CY62157DV30LL工业
CY62157DV30LL汽车-A
CY62157DV30L
汽车-E
引脚配置
[4, 5, 6]
48引脚TSOP I引脚
顶视图
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
DNU
WE
CE2
DNU
BHE
BLE
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
字节
VSS
I/O15/A19
I/O7
I/O14
I/O6
I/O13
I/O5
I/O12
I/O4
VCC
I/O11
I/O3
I/O10
I/O2
I/O9
I/O1
I/O8
I/O0
OE
VSS
CE1
A0
48球FBGA封装引脚
顶视图
1
BLE
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
2
OE
BHE
I / O
10
I / O
11
3
A
0
A
3
A
5
A
17
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
1
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
CE
2
I / O
0
I / O
2
VCC
VSS
I / O
6
I / O
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
44引脚TSOP II引脚
顶视图
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
18
A
17
A
16
A
15
A
14
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
I / O
12
DNU
A
14
A
12
A
9
I / O
14
I / O
13
I / O
15
A
18
NC
A
8
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
V
SS
V
CC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
注意事项：
2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25°C.
3. NC引脚内部没有连接上的芯片。
4. DNU引脚必须悬空。
5.在48 TSOPI包BYTE引脚接到高电平使用该设备作为一个512K × 16的SRAM 。 48 TSOPI包也可以被用来作为一个1M ×8的
SRAM通过捆绑的字节信号为低电平。为1M × 8功能，请参考CY62158DV30数据表。在1M × 8配置，引脚45是A19 ，而
BHE ，BLE和I / O8到I / O14引脚未使用。
6. 44 TSOPII封装装置只有一个芯片使能引脚（CE） 。
文件编号： 38-05392牧师* H
第12页2
CY62157DV30的MoBL
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................ -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................ -55°C至+ 125°C
电源电压对地
潜在............................................ -0.3V到V
CC（ MAX）的
+ 0.3V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[8, 9]
............................ -0.3V到V
CC（ MAX）的
+ 0.3V
直流输入电压
[8, 9]
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ........ >200毫安
工作范围
设备
CY62157DV30L
CY62157DV30LL
CY62157DV30LL汽车-A -40 ° C至+ 85°C
CY62157DV30L
汽车-E -40 ° C至+ 125°C
范围
产业
环境
温度
(T
A
)
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
[10]
2.20V
to
3.60V
........................- 0.3V至V
CC（ MAX）的
+ 0.3V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
电气特性
在整个工作范围
-45, -55, -70
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
描述
输出高
电压
输出低
电压
输入高
电压
输入低
电压
输入漏
当前
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
I
OH
= -0.1毫安
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
- 0.1毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
Ind'l /自动-A
[7]
自动-E
[7]
I
OZ
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
Ind'l /自动-A
[7]
自动-E
[7]
V
CC
= V
CCmax
L
I
OUT
= 0毫安LL
CMOS电平
L
LL
I
SB1
自动CE
掉电
电流 - CMOS
输入
自动CE
掉电
目前-CMOS
输入
L
CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V ，CE
2
＆ LT ; 0.2V
Ind'l
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2V, V
IN
＆ LT ; 0.2V ）
[7]
LL
f = f
最大
（地址和数据只） ， F = 0 Ind'l /自动-A
（ OE ， WE ， BHE和BLE ） ，V
CC
= 3.60V自动-E
[7]
L
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= 3.60V
Ind'l
[7]
L
Ind'l /自动-A
[7]
LL
自动-E
[7]
L
测试条件
V
CC
= 2.20V
V
CC
= 2.70V
V
CC
= 2.20V
V
CC
= 2.70V
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–1
–4
–1
–4
12
12
1.5
1.5
2
2
MIN 。 TYP 。
[2]
2.0
2.4
0.4
0.4
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
0.6
0.8
+1
+4
+1
+4
20
15
3
3
20
8
50
2
2
20
8
50
A
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
mA
mA
mA
mA
A
I
CC
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
I
SB2
电容
[11, 12]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
注意事项：
7.汽车-A和汽车-E仅适用于-55 。
8. V
白细胞介素（分钟）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
9. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.75V为脉冲持续时间小于20纳秒。
10.完整的设备交流操作假定100
s
从0减速时间到V
CC
（分钟）和200
s
等待时间V后
CC
稳定。
11.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
12.在CE输入电容
2
在FBGA和48TSOPI包并在44TSOPII包的BHE引脚引脚为15 pF的。
文件编号： 38-05392牧师* H
第12页3
CY62157DV30的MoBL
热阻
[11]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
四层印刷电路板
FBGA
39.3
9.69
TSOP II
35.62
9.13
TSOP I
36.9
10.05
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
[13]
R1
V
CC
产量
30 PF / 50 pF的
V
CC
GND
R2
上升时间= 1 V / ns的
10%
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
INCLUDING
夹具
范围
相当于：戴维南等效
R
TH
产量
V
2.50V
16667
15385
8000
1.20
3.0V
1103
1554
645
1.75
单位
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 1.5V
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V ，CE
2
＆ LT ; 0.2V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
Ind'l （L）的
Ind'l /自动-A （ LL ）
自动-E （ L）
0
t
RC
条件
分钟。
1.5
10
4
25
ns
ns
典型值。
[2]
马克斯。
单位
V
A
t
CDR[11]
t
R[14]
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
数据保存波形
[15]
V
CC
CE
1
or
BHE
.
BLE
V
CC
，分钟。
t
CDR
数据保持方式
V
DR
> 1.5 V
V
CC
，分钟。
t
R
or
CE
2
注意事项：
为45 ns的一部分13.测试条件是30 pF的负载电容。
14.全面的设备运行需要的线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s.
文件编号： 38-05392牧师* H
第12页4
CY62157DV30的MoBL
开关特性
在整个工作范围
[16]
45纳秒
[13]
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期
[19]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
BLE / BHE低到写结束
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
[17, 18]
我们前高后低-Z
[17]
10
45
40
40
0
0
35
40
25
0
15
10
55
40
40
0
0
40
40
25
0
20
10
70
60
60
0
0
45
60
30
0
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
LOW和CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[17]
OE高到高Z
[17, 18]
CE
1
LOW和CE
2
高到低Z
[17]
55纳秒
分钟。
55
马克斯。
70纳秒
分钟。
70
55
70
10
55
25
70
35
5
20
25
10
20
25
0
55
55
70
70
10
20
25
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
45
马克斯。
45
10
45
25
5
15
10
20
0
45
45
10
15
10
0
10
5
10
CE
1
高和CE
2
低到高Z
[17, 18]
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到Power -UP
CE
1
高和CE
2
低到掉电
BLE / BHE低到数据有效
BLE / BHE低到低Z
[17]
BLE / BHE高到高阻
[17, 18]
注意事项：
15. BHE.BLE是既BHE和BLE和。芯片可以通过禁用该芯片使能信号或通过禁用这两个BHE和BLE被取消。
16.测试条件比三态参数之外的所有参数假设3纳秒或更少的信号转换时间，定时V的基准水平
CC （典型值）
/ 2，输入脉冲
0至V水平
CC （典型值）。
指定I ，并输出负载
OL
/I
OH
如图所示，在“交流测试负载和波形”一节。
17.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何
指定设备。
18. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
19.存储器的内部写入时间由WE的重叠定义，CE
1
= V
IL
， BHE和/或BLE = V
IL
和CE
2
= V
IH
。所有的信号必须是活动开始
写任何这些信号可以通过将非活动结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考信号的边沿
终止写入。
文件编号： 38-05392牧师* H
第12页5
CY62157DV30的MoBL
8兆位（ 512K ×16 ）的MoBL
静态RAM
特点
温度范围
- 工业级： -40 ° C至85°C
- 汽车-A ： -40 ° C至85°C
- 汽车-E ： -40°C至125°C
超高速： 45纳秒
宽电压范围： 2.20V - 3.60V
与CY62157CV25 ， CY62157CV30和引脚兼容
CY62157CV33
超低有功功率
- 典型工作电流：1.5毫安， F = 1兆赫
- 典型工作电流： 12毫安@频率= F
最大
超低待机功耗
易于扩展内存与CE
1
，CE
2
和OE
特点
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
提供无铅和无无铅48球FBGA ，
44引脚TSOPII和无铅48引脚TSOPI
功能说明
[1]
该CY62157DV30是一个高性能的CMOS静态RAM
16位组织为512K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低的工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL
）在
便携式应用，如蜂窝telephones.The设备
还具有自动关机功能，可显著
降低功耗。该设备也可以投入
当取消待机模式（ CE
1
高或CE
2
或低
无论BHE和BLE的高） 。的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）被置于高阻抗状态时：
取消选择（ CE
1
高或CE
2
LOW ） ，输出被禁止（ OE
HIGH ） ，无论是高字节使能和低字节使能是
禁用（ BHE ，BLE高） ，或者在写操作期间（CE
1
低，CE
2
HIGH和LOW WE ） 。
写入设备通过取芯片使能实现
（ CE
1
LOW和CE
2
高）和写使能（ WE）输入低电平。
如果低字节使能（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，被写入到所指定的位置的
地址引脚（A
0
至A
18
） 。如果高字节使能（ BHE ）是
LOW ，然后从I / O引脚上的数据（ I / O
8
通过I / O
15
）写入到
在地址引脚指定的位置（A
0
至A
18
).
从设备读通过取芯片完成
启用（ CE
1
LOW和CE
2
高）和输出使能（ OE ）
低，而迫使写使能（ WE） HIGH 。如果字节低
使能（ BLE）为低电平，那么从所述存储器位置的数据
指定的地址引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果字节
高电平使能（ BHE ）为低电平，然后从内存中的数据会出现
在I / O
8
到I / O
15
。见真情表的完整说明
读写模式。
逻辑框图
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
数据的驱动程序
512K × 16
RAM阵列
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
BHE
WE
OE
BLE
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
CE
2
CE
1
掉电
电路
注意：
1.为了达到最佳实践建议，请参考赛普拉斯应用笔记标题
系统设计指南，
它可在http://www.cypress.com 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05392牧师* H
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年8月8日
CY62157DV30的MoBL
产品组合
功耗
我的操作
CC
（毫安）
V
CC
范围（V ）
产品
CY62157DV30L
范围
产业
分钟。
2.2
2.2
2.2
2.2
典型值。
[2]
3.0
3.0
3.0
3.0
马克斯。
3.6
3.6
3.6
3.6
速度
（纳秒）
45, 55, 70
45, 55, 70
55
55
F = 1MHz的
典型值。
[2]
1.5
1.5
1.5
1.5
马克斯。
3
3
3
3
f = f
最大
典型值。
[2]
12
12
12
12
马克斯。
20
15
15
20
待我
SB2
,
(A)
典型值。
[2]
2
2
2
2
马克斯。
20
8
8
50
CY62157DV30LL工业
CY62157DV30LL汽车-A
CY62157DV30L
汽车-E
引脚配置
[4, 5, 6]
48引脚TSOP I引脚
顶视图
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
DNU
WE
CE2
DNU
BHE
BLE
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
字节
VSS
I/O15/A19
I/O7
I/O14
I/O6
I/O13
I/O5
I/O12
I/O4
VCC
I/O11
I/O3
I/O10
I/O2
I/O9
I/O1
I/O8
I/O0
OE
VSS
CE1
A0
48球FBGA封装引脚
顶视图
1
BLE
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
2
OE
BHE
I / O
10
I / O
11
3
A
0
A
3
A
5
A
17
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
1
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
CE
2
I / O
0
I / O
2
VCC
VSS
I / O
6
I / O
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
44引脚TSOP II引脚
顶视图
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
18
A
17
A
16
A
15
A
14
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
I / O
12
DNU
A
14
A
12
A
9
I / O
14
I / O
13
I / O
15
A
18
NC
A
8
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
V
SS
V
CC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
注意事项：
2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25°C.
3. NC引脚内部没有连接上的芯片。
4. DNU引脚必须悬空。
5.在48 TSOPI包BYTE引脚接到高电平使用该设备作为一个512K × 16的SRAM 。 48 TSOPI包也可以被用来作为一个1M ×8的
SRAM通过捆绑的字节信号为低电平。为1M × 8功能，请参考CY62158DV30数据表。在1M × 8配置，引脚45是A19 ，而
BHE ，BLE和I / O8到I / O14引脚未使用。
6. 44 TSOPII封装装置只有一个芯片使能引脚（CE） 。
文件编号： 38-05392牧师* H
第12页2
CY62157DV30的MoBL
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................ -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................ -55°C至+ 125°C
电源电压对地
潜在............................................ -0.3V到V
CC（ MAX）的
+ 0.3V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[8, 9]
............................ -0.3V到V
CC（ MAX）的
+ 0.3V
直流输入电压
[8, 9]
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ........ >200毫安
工作范围
设备
CY62157DV30L
CY62157DV30LL
CY62157DV30LL汽车-A -40 ° C至+ 85°C
CY62157DV30L
汽车-E -40 ° C至+ 125°C
范围
产业
环境
温度
(T
A
)
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
[10]
2.20V
to
3.60V
........................- 0.3V至V
CC（ MAX）的
+ 0.3V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
电气特性
在整个工作范围
-45, -55, -70
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
描述
输出高
电压
输出低
电压
输入高
电压
输入低
电压
输入漏
当前
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
I
OH
= -0.1毫安
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
- 0.1毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
Ind'l /自动-A
[7]
自动-E
[7]
I
OZ
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
Ind'l /自动-A
[7]
自动-E
[7]
V
CC
= V
CCmax
L
I
OUT
= 0毫安LL
CMOS电平
L
LL
I
SB1
自动CE
掉电
电流 - CMOS
输入
自动CE
掉电
目前-CMOS
输入
L
CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V ，CE
2
＆ LT ; 0.2V
Ind'l
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2V, V
IN
＆ LT ; 0.2V ）
[7]
LL
f = f
最大
（地址和数据只） ， F = 0 Ind'l /自动-A
（ OE ， WE ， BHE和BLE ） ，V
CC
= 3.60V自动-E
[7]
L
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= 3.60V
Ind'l
[7]
L
Ind'l /自动-A
[7]
LL
自动-E
[7]
L
测试条件
V
CC
= 2.20V
V
CC
= 2.70V
V
CC
= 2.20V
V
CC
= 2.70V
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–1
–4
–1
–4
12
12
1.5
1.5
2
2
MIN 。 TYP 。
[2]
2.0
2.4
0.4
0.4
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
0.6
0.8
+1
+4
+1
+4
20
15
3
3
20
8
50
2
2
20
8
50
A
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
mA
mA
mA
mA
A
I
CC
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
I
SB2
电容
[11, 12]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
注意事项：
7.汽车-A和汽车-E仅适用于-55 。
8. V
白细胞介素（分钟）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
9. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.75V为脉冲持续时间小于20纳秒。
10.完整的设备交流操作假定100
s
从0减速时间到V
CC
（分钟）和200
s
等待时间V后
CC
稳定。
11.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
12.在CE输入电容
2
在FBGA和48TSOPI包并在44TSOPII包的BHE引脚引脚为15 pF的。
文件编号： 38-05392牧师* H
第12页3
CY62157DV30的MoBL
热阻
[11]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
四层印刷电路板
FBGA
39.3
9.69
TSOP II
35.62
9.13
TSOP I
36.9
10.05
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
[13]
R1
V
CC
产量
30 PF / 50 pF的
V
CC
GND
R2
上升时间= 1 V / ns的
10%
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
INCLUDING
夹具
范围
相当于：戴维南等效
R
TH
产量
V
2.50V
16667
15385
8000
1.20
3.0V
1103
1554
645
1.75
单位
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 1.5V
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V ，CE
2
＆ LT ; 0.2V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
Ind'l （L）的
Ind'l /自动-A （ LL ）
自动-E （ L）
0
t
RC
条件
分钟。
1.5
10
4
25
ns
ns
典型值。
[2]
马克斯。
单位
V
A
t
CDR[11]
t
R[14]
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
数据保存波形
[15]
V
CC
CE
1
or
BHE
.
BLE
V
CC
，分钟。
t
CDR
数据保持方式
V
DR
> 1.5 V
V
CC
，分钟。
t
R
or
CE
2
注意事项：
为45 ns的一部分13.测试条件是30 pF的负载电容。
14.全面的设备运行需要的线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s.
文件编号： 38-05392牧师* H
第12页4
CY62157DV30的MoBL
开关特性
在整个工作范围
[16]
45纳秒
[13]
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期
[19]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
BLE / BHE低到写结束
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
[17, 18]
我们前高后低-Z
[17]
10
45
40
40
0
0
35
40
25
0
15
10
55
40
40
0
0
40
40
25
0
20
10
70
60
60
0
0
45
60
30
0
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
LOW和CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[17]
OE高到高Z
[17, 18]
CE
1
LOW和CE
2
高到低Z
[17]
55纳秒
分钟。
55
马克斯。
70纳秒
分钟。
70
55
70
10
55
25
70
35
5
20
25
10
20
25
0
55
55
70
70
10
20
25
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
45
马克斯。
45
10
45
25
5
15
10
20
0
45
45
10
15
10
0
10
5
10
CE
1
高和CE
2
低到高Z
[17, 18]
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到Power -UP
CE
1
高和CE
2
低到掉电
BLE / BHE低到数据有效
BLE / BHE低到低Z
[17]
BLE / BHE高到高阻
[17, 18]
注意事项：
15. BHE.BLE是既BHE和BLE和。芯片可以通过禁用该芯片使能信号或通过禁用这两个BHE和BLE被取消。
16.测试条件比三态参数之外的所有参数假设3纳秒或更少的信号转换时间，定时V的基准水平
CC （典型值）
/ 2，输入脉冲
0至V水平
CC （典型值）。
指定I ，并输出负载
OL
/I
OH
如图所示，在“交流测试负载和波形”一节。
17.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何
指定设备。
18. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
19.存储器的内部写入时间由WE的重叠定义，CE
1
= V
IL
， BHE和/或BLE = V
IL
和CE
2
= V
IH
。所有的信号必须是活动开始
写任何这些信号可以通过将非活动结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考信号的边沿
终止写入。
文件编号： 38-05392牧师* H
第12页5
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