CD4723BM CD4723BC双4位可寻址锁存器
CD4724BM CD4724BC 8位可寻址锁存器
1988年2月
CD4723BM CD4723BC双4位可寻址锁存器
CD4724BM CD4724BC 8位可寻址锁存器
概述
该CD4723B是双4位可寻址锁存器与COM-
周一的控制输入包括两个地址输入（ A0 A1 ）
低电平有效使能输入端（E）和一个高有效清除输入
（CL）的每个锁存器具有一个数据输入端（D）和四个输出端（ Q 0 -
Q3），该CD4724B是一个8位可寻址锁存器具有三个
地址输入（ A0 -A2 ），低电平有效使能输入（ E） AC-
略去高清输入（ CL ）数据输入（D ）和八个输出
(Q0–Q7)
数据被输入到一个特定的位的锁存器时，即
由地址输入地址和使能（E）是低
数据项被抑制时，使（E）为高
当清除（ CL ）和启用（ E）高所有输出为低
当清除（ CL）为高电平，使（E）是低的信道
发生解复用是解决该位有一个应答
略去输出下面的数据输入，而所有unad-
身着位保持低电平时的寻址操作
能够锁定模式（E
e
CL
e
低）更改多个
地址位可以并处一过错误的地址
因此，这只能同时在内存中完成
模式（E
e
CL高
e
低）
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
宽电源电压范围
3 0V至15V
高噪声抗扰度
0 45 V
DD
（典型值）
低功耗TTL
扇出2驾驶74L
兼容性
或1驾驶74LS
串行到并行能力
存储寄存器功能
随机的（寻址）数据录入
高电平有效解复用功能
常见的Active高清
连接图
CD4723B
双列直插式封装
CD4724B
双列直插式封装
订单号CD4723B或
CD4724B
TL F 6003-1
TL F 6003 - 2
顶视图
顶视图
真值表
模式选择
E
L
H
L
H
CL
L
L
H
H
讨论
LATCH
如下数据
保持以前的数据
如下数据
复位为'0''
未解决
LATCH
拥有以前的数据
拥有以前的数据
复位为'0 ''
复位为'0 ''
模式
可寻址锁存器
内存
多路解复用器
明确
C
1995年全国半导体公司
TL F 6003
RRD - B30M105印制在U S A
绝对最大额定值
（注1
2)
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
直流电源电压（V
DD
)
输入电压（V
IN
)
存储温度（T
S
)
功耗（P
D
)
双列直插式
小尺寸
引线温度（T
L
)
（焊接10秒）
b
0至5V
a
18 V
DC
b
0 5V至V
DD
a
0 5 V
DC
b
65℃，以
a
150 C
推荐工作
条件
（注2 ）
直流电源电压（V
DD
)
输入电压（V
IN
)
工作温度范围（T
A
)
CD4723BM CD4724BM
CD4723BC CD4724BC
3 0V至15 V
DC
0V至V
DD
V
DC
b
55 ℃
a
125 C
b
40℃
a
85 C
700毫瓦
500毫瓦
260 C
CD4724BM （注2）
b
55 C
a
25 C
a
125 C
DC电气特性
CD4723BM
符号
I
DD
参数
静态器件
当前
低层
输出电压
条件
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
单位
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
民
最大
50
10
20
0 05
0 05
0 05
民
典型值
0 02
0 02
0 02
0
0
0
最大
50
10
20
0 05
0 05
0 05
民
最大
150
300
600
0 05
0 05
0 05
V
OL
l
I
O
l
s
1
mA
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
OH
高层
输出电压
l
I
O
l
s
1
mA
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V V
O
e
0 5V或5V 4
V
DD
e
10V V
O
e
1V或9V
V
DD
e
15V V
O
e
1 5V或5V 13
V
DD
e
5V V
O
e
0 5V或5V 4
V
DD
e
10V V
O
e
1V或9V
V
DD
e
15V V
O
e
1 5V或5V 13
V
DD
e
5V V
O
e
0 4V
V
DD
e
10V V
O
e
0 5V
V
DD
e
15V V
O
e
1 5V
V
DD
e
5V V
O
e
4 6V
V
DD
e
10V V
O
e
9 5V
V
DD
e
15V V
O
e
13 5V
V
DD
e
15V V
IN
e
0V
V
DD
e
15V V
IN
e
15V
4 95
9 95
14 95
15
30
40
35
70
11 0
0 64
16
42
b
0 64
b
1 6
b
4 2
b
0 1
4 95
9 95
14 95
50
10
15
2 25
45
6 75
15
30
40
4 95
9 95
14 95
15
30
40
35
70
11 0
0 36
09
24
b
0 36
b
0 9
b
2 4
b
0 1
b
1 0
V
IL
低层
输入电压
高层
输入电压
低电平输出
当前
（注3）
高电平输出
当前
（注3）
输入电流
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
IH
35
70
11 0
0 51
13
34
b
0 51
b
1 3
b
3 4
2 75
55
8 25
0 88
2 25
88
b
0 88
b
2 25
b
8 8
b
10
b
5
I
OL
I
OH
I
IN
01
10
b
5
01
10
mA
mA
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证，他们的目的不是意味着设备
应该在这些限制条件下运行'推荐工作条件''和电气特性'的表格提供了器件的实际情况
手术
注2
V
SS
e
0V ，除非另有说明
注3
I
OL
我
OH
在测试一个输出一次
2
DC电气特性
CD4723BC
符号
I
DD
参数
静态器件
当前
低层
输出电压
条件
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
CD4724BC （注2）
b
40 C
a
25 C
a
85 C
单位
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
民
最大
20
40
80
0 05
0 05
0 05
民
典型值
0 02
0 02
0 02
0
0
0
最大
20
40
80
0 05
0 05
0 05
民
最大
150
300
600
0 05
0 05
0 05
V
OL
l
I
O
l
s
1
mA
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
OH
高层
输出电压
l
I
O
l
s
1
mA
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V V
O
e
0 5V或5V 4
V
DD
e
10V V
O
e
1V或9V
V
DD
e
15V V
O
e
1 5V或5V 13
V
DD
e
5V V
O
e
0 5V或5V 4
V
DD
e
10V V
O
e
1V或9V
V
DD
e
15V V
O
e
1 5V或5V 13
V
DD
e
5V V
O
e
0 4V
V
DD
e
10V V
O
e
0 5V
V
DD
e
15V V
O
e
1 5V
4 95
9 95
14 95
15
30
40
35
70
11 0
0 52
13
36
b
0 52
b
1 3
b
3 6
b
0 30
4 95
9 95
14 95
50
10
15
2 25
45
6 75
15
30
40
4 95
9 95
14 95
15
30
40
35
70
11 0
0 36
09
24
b
0 36
b
0 9
b
2 4
b
0 30
b
1 0
V
IL
低层
输入电压
高层
输入电压
低电平输出
当前
（注3）
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
IH
35
70
11 0
0 44
11
30
b
0 44
b
1 1
b
3 0
2 75
55
8 25
0 88
2 25
88
b
0 88
b
2 25
b
8 8
b
10
b
5
I
OL
I
OH
高电平输出V
DD
e
5V V
O
e
4 6V
当前
V
DD
e
10V V
O
e
9 5V
（注3）
V
DD
e
15V V
O
e
13 5V
输入电流
V
DD
e
15V V
IN
e
0V
V
DD
e
15V V
IN
e
15V
I
IN
0 30
10
b
5
0 30
10
mA
mA
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证，他们的目的不是意味着设备
应该在这些限制条件下运行'推荐工作条件''和电气特性'的表格提供了器件的实际情况
手术
注2
V
SS
e
0V ，除非另有说明
注3
I
OL
我
OH
在测试一个输出一次
3
AC电气特性
T
A
e
25 C C
L
e
50 pF的
L
e
200K输入吨
r
e
t
f
e
20毫微秒，除非另有说明
符号
t
PHL tPLH的
参数
传播延迟
数据输出
传播延迟
使能到输出
传播延迟
晴到输出
传播延迟
地址输出
转换时间
（任何输出）
最小数据
脉冲宽度
最小地址
脉冲宽度
最小净
脉冲宽度
最小建立时间
数据为E
最小保持时间
数据为E
最小建立时间
地址为E
最小保持时间
地址为E
功耗
电容
输入电容
条件
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
每包
（注4 ）
任何输入
民
典型值
200
75
50
200
80
60
175
80
65
225
100
75
100
50
40
100
50
40
200
100
65
75
40
25
40
20
15
60
30
25
b
15
最大
400
150
100
400
160
120
350
160
130
450
200
150
200
100
80
200
100
80
400
200
125
150
75
50
80
40
30
120
60
50
50
30
20
15
10
5
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
t
PLH
t
PHL
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
THL
t
TLH
T
WH
T
WL
t
WH
t
WL
t
WH
t
SU
t
H
t
SU
0
0
b
50
b
20
b
15
t
H
C
PD
C
IN
100
50
75
pF
AC参数都保证了DC相关测试
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证，他们的目的不是意味着设备
应该在这些限制条件下运行'推荐工作条件''和电气特性'的表格提供了器件的实际情况
手术
注2
V
SS
e
0V ，除非另有说明
注3
I
OL
我
OH
在测试一个输出一次
注4
动态功耗（P
D
）由P给定
D
e
(C
PD
a
C
L
) V
CC2
f
a
P
Q
其中C
L
e
负载电容F
e
操作更多详细信息，频率
请参考应用笔记AN- 90 '' 54C 74C家族特征''
4
CD4723BM CD4723BC双4位可寻址锁存器
CD4724BM CD4724BC 8位可寻址锁存器
1988年2月
CD4723BM CD4723BC双4位可寻址锁存器
CD4724BM CD4724BC 8位可寻址锁存器
概述
该CD4723B是双4位可寻址锁存器与COM-
周一的控制输入包括两个地址输入（ A0 A1 ）
低电平有效使能输入端（E）和一个高有效清除输入
（CL）的每个锁存器具有一个数据输入端（D）和四个输出端（ Q 0 -
Q3），该CD4724B是一个8位可寻址锁存器具有三个
地址输入（ A0 -A2 ），低电平有效使能输入（ E） AC-
略去高清输入（ CL ）数据输入（D ）和八个输出
(Q0–Q7)
数据被输入到一个特定的位的锁存器时，即
由地址输入地址和使能（E）是低
数据项被抑制时，使（E）为高
当清除（ CL ）和启用（ E）高所有输出为低
当清除（ CL）为高电平，使（E）是低的信道
发生解复用是解决该位有一个应答
略去输出下面的数据输入，而所有unad-
身着位保持低电平时的寻址操作
能够锁定模式（E
e
CL
e
低）更改多个
地址位可以并处一过错误的地址
因此，这只能同时在内存中完成
模式（E
e
CL高
e
低）
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
宽电源电压范围
3 0V至15V
高噪声抗扰度
0 45 V
DD
（典型值）
低功耗TTL
扇出2驾驶74L
兼容性
或1驾驶74LS
串行到并行能力
存储寄存器功能
随机的（寻址）数据录入
高电平有效解复用功能
常见的Active高清
连接图
CD4723B
双列直插式封装
CD4724B
双列直插式封装
订单号CD4723B或
CD4724B
TL F 6003-1
TL F 6003 - 2
顶视图
顶视图
真值表
模式选择
E
L
H
L
H
CL
L
L
H
H
讨论
LATCH
如下数据
保持以前的数据
如下数据
复位为'0''
未解决
LATCH
拥有以前的数据
拥有以前的数据
复位为'0 ''
复位为'0 ''
模式
可寻址锁存器
内存
多路解复用器
明确
C
1995年全国半导体公司
TL F 6003
RRD - B30M105印制在U S A
绝对最大额定值
（注1
2)
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
直流电源电压（V
DD
)
输入电压（V
IN
)
存储温度（T
S
)
功耗（P
D
)
双列直插式
小尺寸
引线温度（T
L
)
（焊接10秒）
b
0至5V
a
18 V
DC
b
0 5V至V
DD
a
0 5 V
DC
b
65℃，以
a
150 C
推荐工作
条件
（注2 ）
直流电源电压（V
DD
)
输入电压（V
IN
)
工作温度范围（T
A
)
CD4723BM CD4724BM
CD4723BC CD4724BC
3 0V至15 V
DC
0V至V
DD
V
DC
b
55 ℃
a
125 C
b
40℃
a
85 C
700毫瓦
500毫瓦
260 C
CD4724BM （注2）
b
55 C
a
25 C
a
125 C
DC电气特性
CD4723BM
符号
I
DD
参数
静态器件
当前
低层
输出电压
条件
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
单位
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
民
最大
50
10
20
0 05
0 05
0 05
民
典型值
0 02
0 02
0 02
0
0
0
最大
50
10
20
0 05
0 05
0 05
民
最大
150
300
600
0 05
0 05
0 05
V
OL
l
I
O
l
s
1
mA
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
OH
高层
输出电压
l
I
O
l
s
1
mA
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V V
O
e
0 5V或5V 4
V
DD
e
10V V
O
e
1V或9V
V
DD
e
15V V
O
e
1 5V或5V 13
V
DD
e
5V V
O
e
0 5V或5V 4
V
DD
e
10V V
O
e
1V或9V
V
DD
e
15V V
O
e
1 5V或5V 13
V
DD
e
5V V
O
e
0 4V
V
DD
e
10V V
O
e
0 5V
V
DD
e
15V V
O
e
1 5V
V
DD
e
5V V
O
e
4 6V
V
DD
e
10V V
O
e
9 5V
V
DD
e
15V V
O
e
13 5V
V
DD
e
15V V
IN
e
0V
V
DD
e
15V V
IN
e
15V
4 95
9 95
14 95
15
30
40
35
70
11 0
0 64
16
42
b
0 64
b
1 6
b
4 2
b
0 1
4 95
9 95
14 95
50
10
15
2 25
45
6 75
15
30
40
4 95
9 95
14 95
15
30
40
35
70
11 0
0 36
09
24
b
0 36
b
0 9
b
2 4
b
0 1
b
1 0
V
IL
低层
输入电压
高层
输入电压
低电平输出
当前
（注3）
高电平输出
当前
（注3）
输入电流
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
IH
35
70
11 0
0 51
13
34
b
0 51
b
1 3
b
3 4
2 75
55
8 25
0 88
2 25
88
b
0 88
b
2 25
b
8 8
b
10
b
5
I
OL
I
OH
I
IN
01
10
b
5
01
10
mA
mA
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证，他们的目的不是意味着设备
应该在这些限制条件下运行'推荐工作条件''和电气特性'的表格提供了器件的实际情况
手术
注2
V
SS
e
0V ，除非另有说明
注3
I
OL
我
OH
在测试一个输出一次
2
DC电气特性
CD4723BC
符号
I
DD
参数
静态器件
当前
低层
输出电压
条件
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
CD4724BC （注2）
b
40 C
a
25 C
a
85 C
单位
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
民
最大
20
40
80
0 05
0 05
0 05
民
典型值
0 02
0 02
0 02
0
0
0
最大
20
40
80
0 05
0 05
0 05
民
最大
150
300
600
0 05
0 05
0 05
V
OL
l
I
O
l
s
1
mA
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
OH
高层
输出电压
l
I
O
l
s
1
mA
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V V
O
e
0 5V或5V 4
V
DD
e
10V V
O
e
1V或9V
V
DD
e
15V V
O
e
1 5V或5V 13
V
DD
e
5V V
O
e
0 5V或5V 4
V
DD
e
10V V
O
e
1V或9V
V
DD
e
15V V
O
e
1 5V或5V 13
V
DD
e
5V V
O
e
0 4V
V
DD
e
10V V
O
e
0 5V
V
DD
e
15V V
O
e
1 5V
4 95
9 95
14 95
15
30
40
35
70
11 0
0 52
13
36
b
0 52
b
1 3
b
3 6
b
0 30
4 95
9 95
14 95
50
10
15
2 25
45
6 75
15
30
40
4 95
9 95
14 95
15
30
40
35
70
11 0
0 36
09
24
b
0 36
b
0 9
b
2 4
b
0 30
b
1 0
V
IL
低层
输入电压
高层
输入电压
低电平输出
当前
（注3）
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
IH
35
70
11 0
0 44
11
30
b
0 44
b
1 1
b
3 0
2 75
55
8 25
0 88
2 25
88
b
0 88
b
2 25
b
8 8
b
10
b
5
I
OL
I
OH
高电平输出V
DD
e
5V V
O
e
4 6V
当前
V
DD
e
10V V
O
e
9 5V
（注3）
V
DD
e
15V V
O
e
13 5V
输入电流
V
DD
e
15V V
IN
e
0V
V
DD
e
15V V
IN
e
15V
I
IN
0 30
10
b
5
0 30
10
mA
mA
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证，他们的目的不是意味着设备
应该在这些限制条件下运行'推荐工作条件''和电气特性'的表格提供了器件的实际情况
手术
注2
V
SS
e
0V ，除非另有说明
注3
I
OL
我
OH
在测试一个输出一次
3
AC电气特性
T
A
e
25 C C
L
e
50 pF的
L
e
200K输入吨
r
e
t
f
e
20毫微秒，除非另有说明
符号
t
PHL tPLH的
参数
传播延迟
数据输出
传播延迟
使能到输出
传播延迟
晴到输出
传播延迟
地址输出
转换时间
（任何输出）
最小数据
脉冲宽度
最小地址
脉冲宽度
最小净
脉冲宽度
最小建立时间
数据为E
最小保持时间
数据为E
最小建立时间
地址为E
最小保持时间
地址为E
功耗
电容
输入电容
条件
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
每包
（注4 ）
任何输入
民
典型值
200
75
50
200
80
60
175
80
65
225
100
75
100
50
40
100
50
40
200
100
65
75
40
25
40
20
15
60
30
25
b
15
最大
400
150
100
400
160
120
350
160
130
450
200
150
200
100
80
200
100
80
400
200
125
150
75
50
80
40
30
120
60
50
50
30
20
15
10
5
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
t
PLH
t
PHL
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
THL
t
TLH
T
WH
T
WL
t
WH
t
WL
t
WH
t
SU
t
H
t
SU
0
0
b
50
b
20
b
15
t
H
C
PD
C
IN
100
50
75
pF
AC参数都保证了DC相关测试
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证，他们的目的不是意味着设备
应该在这些限制条件下运行'推荐工作条件''和电气特性'的表格提供了器件的实际情况
手术
注2
V
SS
e
0V ，除非另有说明
注3
I
OL
我
OH
在测试一个输出一次
注4
动态功耗（P
D
）由P给定
D
e
(C
PD
a
C
L
) V
CC2
f
a
P
Q
其中C
L
e
负载电容F
e
操作更多详细信息，频率
请参考应用笔记AN- 90 '' 54C 74C家族特征''
4
CD4723BM CD4723BC双4位可寻址锁存器
CD4724BM CD4724BC 8位可寻址锁存器
1988年2月
CD4723BM CD4723BC双4位可寻址锁存器
CD4724BM CD4724BC 8位可寻址锁存器
概述
该CD4723B是双4位可寻址锁存器与COM-
周一的控制输入包括两个地址输入（ A0 A1 ）
低电平有效使能输入端（E）和一个高有效清除输入
（CL）的每个锁存器具有一个数据输入端（D）和四个输出端（ Q 0 -
Q3），该CD4724B是一个8位可寻址锁存器具有三个
地址输入（ A0 -A2 ），低电平有效使能输入（ E） AC-
略去高清输入（ CL ）数据输入（D ）和八个输出
(Q0–Q7)
数据被输入到一个特定的位的锁存器时，即
由地址输入地址和使能（E）是低
数据项被抑制时，使（E）为高
当清除（ CL ）和启用（ E）高所有输出为低
当清除（ CL）为高电平，使（E）是低的信道
发生解复用是解决该位有一个应答
略去输出下面的数据输入，而所有unad-
身着位保持低电平时的寻址操作
能够锁定模式（E
e
CL
e
低）更改多个
地址位可以并处一过错误的地址
因此，这只能同时在内存中完成
模式（E
e
CL高
e
低）
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
宽电源电压范围
3 0V至15V
高噪声抗扰度
0 45 V
DD
（典型值）
低功耗TTL
扇出2驾驶74L
兼容性
或1驾驶74LS
串行到并行能力
存储寄存器功能
随机的（寻址）数据录入
高电平有效解复用功能
常见的Active高清
连接图
CD4723B
双列直插式封装
CD4724B
双列直插式封装
订单号CD4723B或
CD4724B
TL F 6003-1
TL F 6003 - 2
顶视图
顶视图
真值表
模式选择
E
L
H
L
H
CL
L
L
H
H
讨论
LATCH
如下数据
保持以前的数据
如下数据
复位为'0''
未解决
LATCH
拥有以前的数据
拥有以前的数据
复位为'0 ''
复位为'0 ''
模式
可寻址锁存器
内存
多路解复用器
明确
C
1995年全国半导体公司
TL F 6003
RRD - B30M105印制在U S A
绝对最大额定值
（注1
2)
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
直流电源电压（V
DD
)
输入电压（V
IN
)
存储温度（T
S
)
功耗（P
D
)
双列直插式
小尺寸
引线温度（T
L
)
（焊接10秒）
b
0至5V
a
18 V
DC
b
0 5V至V
DD
a
0 5 V
DC
b
65℃，以
a
150 C
推荐工作
条件
（注2 ）
直流电源电压（V
DD
)
输入电压（V
IN
)
工作温度范围（T
A
)
CD4723BM CD4724BM
CD4723BC CD4724BC
3 0V至15 V
DC
0V至V
DD
V
DC
b
55 ℃
a
125 C
b
40℃
a
85 C
700毫瓦
500毫瓦
260 C
CD4724BM （注2）
b
55 C
a
25 C
a
125 C
DC电气特性
CD4723BM
符号
I
DD
参数
静态器件
当前
低层
输出电压
条件
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
单位
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
民
最大
50
10
20
0 05
0 05
0 05
民
典型值
0 02
0 02
0 02
0
0
0
最大
50
10
20
0 05
0 05
0 05
民
最大
150
300
600
0 05
0 05
0 05
V
OL
l
I
O
l
s
1
mA
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
OH
高层
输出电压
l
I
O
l
s
1
mA
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V V
O
e
0 5V或5V 4
V
DD
e
10V V
O
e
1V或9V
V
DD
e
15V V
O
e
1 5V或5V 13
V
DD
e
5V V
O
e
0 5V或5V 4
V
DD
e
10V V
O
e
1V或9V
V
DD
e
15V V
O
e
1 5V或5V 13
V
DD
e
5V V
O
e
0 4V
V
DD
e
10V V
O
e
0 5V
V
DD
e
15V V
O
e
1 5V
V
DD
e
5V V
O
e
4 6V
V
DD
e
10V V
O
e
9 5V
V
DD
e
15V V
O
e
13 5V
V
DD
e
15V V
IN
e
0V
V
DD
e
15V V
IN
e
15V
4 95
9 95
14 95
15
30
40
35
70
11 0
0 64
16
42
b
0 64
b
1 6
b
4 2
b
0 1
4 95
9 95
14 95
50
10
15
2 25
45
6 75
15
30
40
4 95
9 95
14 95
15
30
40
35
70
11 0
0 36
09
24
b
0 36
b
0 9
b
2 4
b
0 1
b
1 0
V
IL
低层
输入电压
高层
输入电压
低电平输出
当前
（注3）
高电平输出
当前
（注3）
输入电流
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
IH
35
70
11 0
0 51
13
34
b
0 51
b
1 3
b
3 4
2 75
55
8 25
0 88
2 25
88
b
0 88
b
2 25
b
8 8
b
10
b
5
I
OL
I
OH
I
IN
01
10
b
5
01
10
mA
mA
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证，他们的目的不是意味着设备
应该在这些限制条件下运行'推荐工作条件''和电气特性'的表格提供了器件的实际情况
手术
注2
V
SS
e
0V ，除非另有说明
注3
I
OL
我
OH
在测试一个输出一次
2
DC电气特性
CD4723BC
符号
I
DD
参数
静态器件
当前
低层
输出电压
条件
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
CD4724BC （注2）
b
40 C
a
25 C
a
85 C
单位
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
民
最大
20
40
80
0 05
0 05
0 05
民
典型值
0 02
0 02
0 02
0
0
0
最大
20
40
80
0 05
0 05
0 05
民
最大
150
300
600
0 05
0 05
0 05
V
OL
l
I
O
l
s
1
mA
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
OH
高层
输出电压
l
I
O
l
s
1
mA
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V V
O
e
0 5V或5V 4
V
DD
e
10V V
O
e
1V或9V
V
DD
e
15V V
O
e
1 5V或5V 13
V
DD
e
5V V
O
e
0 5V或5V 4
V
DD
e
10V V
O
e
1V或9V
V
DD
e
15V V
O
e
1 5V或5V 13
V
DD
e
5V V
O
e
0 4V
V
DD
e
10V V
O
e
0 5V
V
DD
e
15V V
O
e
1 5V
4 95
9 95
14 95
15
30
40
35
70
11 0
0 52
13
36
b
0 52
b
1 3
b
3 6
b
0 30
4 95
9 95
14 95
50
10
15
2 25
45
6 75
15
30
40
4 95
9 95
14 95
15
30
40
35
70
11 0
0 36
09
24
b
0 36
b
0 9
b
2 4
b
0 30
b
1 0
V
IL
低层
输入电压
高层
输入电压
低电平输出
当前
（注3）
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
IH
35
70
11 0
0 44
11
30
b
0 44
b
1 1
b
3 0
2 75
55
8 25
0 88
2 25
88
b
0 88
b
2 25
b
8 8
b
10
b
5
I
OL
I
OH
高电平输出V
DD
e
5V V
O
e
4 6V
当前
V
DD
e
10V V
O
e
9 5V
（注3）
V
DD
e
15V V
O
e
13 5V
输入电流
V
DD
e
15V V
IN
e
0V
V
DD
e
15V V
IN
e
15V
I
IN
0 30
10
b
5
0 30
10
mA
mA
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证，他们的目的不是意味着设备
应该在这些限制条件下运行'推荐工作条件''和电气特性'的表格提供了器件的实际情况
手术
注2
V
SS
e
0V ，除非另有说明
注3
I
OL
我
OH
在测试一个输出一次
3
AC电气特性
T
A
e
25 C C
L
e
50 pF的
L
e
200K输入吨
r
e
t
f
e
20毫微秒，除非另有说明
符号
t
PHL tPLH的
参数
传播延迟
数据输出
传播延迟
使能到输出
传播延迟
晴到输出
传播延迟
地址输出
转换时间
（任何输出）
最小数据
脉冲宽度
最小地址
脉冲宽度
最小净
脉冲宽度
最小建立时间
数据为E
最小保持时间
数据为E
最小建立时间
地址为E
最小保持时间
地址为E
功耗
电容
输入电容
条件
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
每包
（注4 ）
任何输入
民
典型值
200
75
50
200
80
60
175
80
65
225
100
75
100
50
40
100
50
40
200
100
65
75
40
25
40
20
15
60
30
25
b
15
最大
400
150
100
400
160
120
350
160
130
450
200
150
200
100
80
200
100
80
400
200
125
150
75
50
80
40
30
120
60
50
50
30
20
15
10
5
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
t
PLH
t
PHL
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
THL
t
TLH
T
WH
T
WL
t
WH
t
WL
t
WH
t
SU
t
H
t
SU
0
0
b
50
b
20
b
15
t
H
C
PD
C
IN
100
50
75
pF
AC参数都保证了DC相关测试
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证，他们的目的不是意味着设备
应该在这些限制条件下运行'推荐工作条件''和电气特性'的表格提供了器件的实际情况
手术
注2
V
SS
e
0V ，除非另有说明
注3
I
OL
我
OH
在测试一个输出一次
注4
动态功耗（P
D
）由P给定
D
e
(C
PD
a
C
L
) V
CC2
f
a
P
Q
其中C
L
e
负载电容F
e
操作更多详细信息，频率
请参考应用笔记AN- 90 '' 54C 74C家族特征''
4
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